1.具有多個(gè)基板的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其具有
第一基板（C1），所述第一基板構(gòu)造為具有第一集成度的電路基板；
第二基板（C2），所述第二基板構(gòu)造為具有第二集成度的電路基板并且所述第二基板壓接到第一基板（C1）上；
第三基板（C3），所述第三基板構(gòu)造為具有第三集成度的MEMS-傳感器基板并且所述第三基板壓接到第一基板（C1）或者第二基板（C2）上；
其中，所述第一集成度大幅度地大于第二集成度。
2.按照權(quán)利要求1所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第二基板（C2）具有模擬電路系統(tǒng)。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第一基板（C1）具有數(shù)字電路系統(tǒng)。
4.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第一基板（C1）具有小于或者等于180nm的最小結(jié)構(gòu)參數(shù)。
5.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第二基板（C2）具有大于或者等于180nm的最小結(jié)構(gòu)參數(shù)。
6.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第三基板（C3）具有至少一個(gè)慣性構(gòu)件和/或壓力傳感器構(gòu)件。
7.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，構(gòu)造有第四集成度的第四基板（C4）壓接到第一基板（C1）上。
8.按照權(quán)利要求7所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第四基板（C4）具有磁場(chǎng)傳感器構(gòu)件和/或微處理器構(gòu)件。
9.按照前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第三基板（C3）具有未封裝的MEMS-構(gòu)件并且借助氣密密封的壓接框架（L7、L8、L9）壓接到第二基板（C2）上，由此形成封裝。
10.按照權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述微電子構(gòu)件系統(tǒng)，其中，所述第三基板（C3）具有單獨(dú)封裝的MEMS-構(gòu)件。
11.用于按照權(quán)利要求1的微電子構(gòu)件系統(tǒng)的制造方法，其具有以下步驟：
提供具有多個(gè)第一基板（C1）的晶片（CW）；
分別地通過(guò)晶片/晶片-壓接過(guò)程將多個(gè)第三基板（C3）壓接到相應(yīng)的多個(gè)第二基板（C2）上用于形成相應(yīng)的多個(gè)相互壓接的基板對(duì)；
分離相互壓接的基板對(duì)；
通過(guò)芯片/晶片-壓接過(guò)程將相互壓接的基板對(duì)壓接到晶片（CW）上，從而相互壓接的基板對(duì)分別地壓接到晶片（CW）的第一基板（C1）上；并且
分離第一基板（C1），所述第一基板具有在其上壓接的相互壓接的基板對(duì)。
12.按照權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，所述第三基板（C3）具有與第二基板（C2）相同的橫向尺寸。
13.按照前述權(quán)利要求12或13中任一項(xiàng)所述的制造方法，其中，第四基板（C4）壓接到所述第一基板（C1）上。