專利名稱：具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載mems器件及其加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其加工方法，特別是一種用于MEMS器件的三維止檔結(jié)構(gòu)加工方法，屬于微機(jī)械加工工藝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
微機(jī)械加工技術(shù)是在半導(dǎo)體IC (Integrated Circuit ,集成電路)工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。不同于IC產(chǎn)品，MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))器件大多是三維結(jié)構(gòu)，很多MEMS器件具有可動(dòng)結(jié)構(gòu)，如加速度計(jì)、陀螺儀等。對(duì)于具有可動(dòng)結(jié)構(gòu)的MEMS器件，應(yīng)用中若遇到?jīng)_擊、振動(dòng)等惡劣環(huán)境，超出了器件所能承受的限度時(shí)，即發(fā)生了 “過(guò)載”，可能導(dǎo)致活動(dòng)結(jié)構(gòu)斷裂而引起失效，從而影響器件乃至系統(tǒng)的整體可靠性。增加止檔結(jié)構(gòu)是提高M(jìn)EMS器件的抗過(guò)載能力的一個(gè)有效方法。止檔結(jié)構(gòu)是在 MEMS器件固定部分增加的限位結(jié)構(gòu)，當(dāng)MEMS器件受到較大過(guò)載時(shí)，其活動(dòng)結(jié)構(gòu)的位移量將被止檔結(jié)構(gòu)限制，從而避免了因位移過(guò)大而導(dǎo)致活動(dòng)結(jié)構(gòu)斷裂。常用的止檔結(jié)構(gòu)加工工藝，是在MEMS活動(dòng)結(jié)構(gòu)加工時(shí)同時(shí)制作出來(lái)的，但是這種止檔結(jié)構(gòu)只能對(duì)活動(dòng)結(jié)構(gòu)在平面內(nèi)的位移進(jìn)行限位，當(dāng)器件受到垂直于平面的過(guò)載時(shí)，仍會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)斷裂。經(jīng)檢索，申請(qǐng)?zhí)枮?001110053174. 0的專利公開(kāi)了一種加速度計(jì)的止檔結(jié)構(gòu)，包括襯底基板、面內(nèi)止檔層、離面止檔層以及可動(dòng)的止檔接觸頭，面內(nèi)止檔層可用以控制止檔接觸頭在X軸Y軸方向上的自由行程，離面止檔層和襯底基板分別控制止檔接觸頭Z軸方向上的自由行程，從而實(shí)現(xiàn)了止檔接觸頭在三維方向上自由行程的有效控制。該專利中控制Z方向上的行程是通過(guò)增加的離面止檔層來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而增大產(chǎn)品的體積，并且該專利為公開(kāi)其生產(chǎn)工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件及其加工方法，該MEMS器件能夠抵抗三維方向上過(guò)載的問(wèn)題，提高了器件的可靠性及安全性，該器件的加工方法解決了常規(guī)工藝無(wú)法加工出Z方向止檔的問(wèn)題，而且相對(duì)于普通沒(méi)有止檔的工藝，只增加了部分工序，對(duì)于整體工藝難度沒(méi)有影響，加工方便易行。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是一種具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件，包括底座、蓋帽以及位于底座和蓋帽之間的結(jié)構(gòu)層，所述底座與結(jié)構(gòu)層之間、蓋帽與結(jié)構(gòu)層之間均為周邊鍵合，所述結(jié)構(gòu)層包括活動(dòng)結(jié)構(gòu)以及位于活動(dòng)結(jié)構(gòu)周邊、并且限制活動(dòng)結(jié)構(gòu)XY方向運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)層止檔，所述結(jié)構(gòu)層止檔固定于結(jié)構(gòu)層周邊的固定結(jié)構(gòu)上，其特征在于所述底座的上表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有底座腔體，所述底座腔體內(nèi)設(shè)有底座止檔，所述蓋帽的下表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有蓋帽腔體，所述蓋帽腔體內(nèi)設(shè)有蓋帽止檔。對(duì)上述結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步限制，所述底座止檔和蓋帽止檔為腔體底部豎起的一個(gè)以上的柱體，所述柱體頂端與活動(dòng)結(jié)構(gòu)之間留有間隙。本發(fā)明中的若干個(gè)柱體為Z方向上的止檔，可以限制MEMS器件過(guò)載或高過(guò)載的情況下，產(chǎn)生過(guò)度Z向偏移，防止損壞部件，提高了產(chǎn)品的可靠性。柱體頂端的面積不能太大，防止發(fā)生吸合效應(yīng)。對(duì)上述結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步限制，所述周邊鍵合的鍵合面之間之間設(shè)有介質(zhì)層。一種如上所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件的加工方法，其特征在于該加工方法的步驟如下
1、刻蝕淺腔利用光刻工藝和刻蝕工藝，在底座和蓋帽上刻蝕出所述蓋帽腔體和底座腔體，所述蓋帽腔體和底座腔體為淺腔；
2、制作Z方向止檔利用光刻工藝和刻蝕工藝，對(duì)底座和蓋帽的淺腔內(nèi)的區(qū)域進(jìn)行選擇性刻蝕，將需要加工止檔位置處的結(jié)構(gòu)保護(hù)，其余區(qū)域刻蝕掉，形成深腔，從而形成由深腔底部豎起的Z方向上的柱體，即為底座止檔和蓋帽止檔； 3、一次鍵合采用圓片鍵合工藝，將底座有腔體的一面和結(jié)構(gòu)層相對(duì)，將底座與結(jié)構(gòu)層鍵合在一起；
4、活動(dòng)結(jié)構(gòu)和平面內(nèi)止檔的加工利用光刻工藝和刻蝕工藝，在結(jié)構(gòu)層上刻蝕出活動(dòng)結(jié)構(gòu)和XY平面內(nèi)結(jié)構(gòu)層止檔；
5、二次鍵合采用圓片鍵合工藝，將結(jié)構(gòu)層和蓋帽鍵合在一起，完成MEMS器件的加工。對(duì)上述加工方法做進(jìn)一步補(bǔ)充，所述步驟(I)、(2)和(4)中所述的刻蝕工藝為干法刻蝕工藝或者濕法腐蝕工藝。對(duì)上述加工方法做進(jìn)一步補(bǔ)充，所述步驟(3)和步驟(5)中的圓片鍵合工藝為陽(yáng)極鍵合、硅硅鍵合、共晶鍵合、Glass frit鍵合、聚合物鍵合中的一種。對(duì)上述加工方法做進(jìn)一步補(bǔ)充，當(dāng)圓片鍵合工藝為陽(yáng)極鍵合時(shí)，鍵合接觸面之間為直接接觸；當(dāng)圓片鍵合工藝為硅硅鍵合、共晶鍵合、Glass frit鍵合或聚合物鍵合時(shí)，鍵合接觸面之間需要有相應(yīng)的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層為氧化層、金屬介質(zhì)、玻璃漿料或者聚合物。對(duì)上述加工方法做進(jìn)一步補(bǔ)充，所述介質(zhì)層的加工工藝為
1、制備介質(zhì)層米用介質(zhì)層制備工藝，在底座的上表面制備一層底座介質(zhì)層，同時(shí)在蓋帽的下表面制備一層蓋帽介質(zhì)層，所述介質(zhì)層制備工藝為氧化層生長(zhǎng)工藝或者金屬化工藝或其他介質(zhì)層涂覆工藝中的一種；
2、刻蝕介質(zhì)層利用光刻工藝和刻蝕工藝，將底座和蓋帽上中間部分的介質(zhì)層刻蝕掉，保留四周部分用于圓片鍵合的介質(zhì)層。對(duì)上述加工方法做進(jìn)一步補(bǔ)充，步驟4中，對(duì)結(jié)構(gòu)層刻蝕前，可以采用磨拋減薄工藝，對(duì)其進(jìn)行減薄。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于本發(fā)明與傳統(tǒng)的MEMS器件相比，在原有零部件的基礎(chǔ)上，通過(guò)改進(jìn)工藝，從而增加了 Z方向上的止檔結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)三維方向內(nèi)的過(guò)載限制，本發(fā)明中的加工方法與傳統(tǒng)MEMS器件的生產(chǎn)方向相比，僅僅增加了兩步常規(guī)工藝，即可加工出Z方向的止檔結(jié)構(gòu)，該工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低，可批量生產(chǎn)，并且有效地提高了 MEMS器件的三維抗過(guò)載性能，增強(qiáng)了 MEMS器件的可靠性及安全性。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。圖I是本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意 圖2-1 2-9是本發(fā)明的具體工藝流程圖圖2-1材料準(zhǔn)備；圖2-2a是底座材料制備介質(zhì)層；圖2_2b是蓋帽材料制備介質(zhì)層；圖2_3a是底座刻蝕介質(zhì)層；圖2_3b是蓋帽刻蝕介質(zhì)層；圖2-4a是底座刻蝕淺腔；圖2-4b是蓋帽刻蝕淺腔；圖2-5a是底座刻蝕深腔和形成Z方向止檔；圖2-5b是蓋帽刻蝕深腔和形成Z方向止檔；圖2-6是圓片鍵合；圖2-7是結(jié)構(gòu)層減?。粓D2-8是刻蝕MEMS器件結(jié)構(gòu)和平面內(nèi)止檔；圖2-9是圓片鍵合形成器件；圖中1、底座，2、底座止檔，3、底座介質(zhì)層，4、結(jié)構(gòu)層，5、活動(dòng)結(jié)構(gòu)，6、結(jié)構(gòu)層止檔，7、蓋帽介質(zhì)層，8、蓋帽，9、蓋帽止檔，10、固定結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式根據(jù)附圖I可知，本發(fā)明具體涉及一種具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件，包括底座
I、蓋帽8以及位于底座I和蓋帽8之間的結(jié)構(gòu)層4，底座I、蓋帽8為周邊接觸并鍵合，所述結(jié)構(gòu)層4包括活動(dòng)結(jié)構(gòu)5以及位于活動(dòng)結(jié)構(gòu)5周邊、并且限制活動(dòng)結(jié)構(gòu)5在XY方向運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)層止檔6，所述結(jié)構(gòu)層止檔6固定于結(jié)構(gòu)層4周邊的固定結(jié)構(gòu)10上。本發(fā)明的創(chuàng)新之處為底座I的上表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)5相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有腔體，腔體內(nèi)設(shè)有底座止檔2，所述蓋帽8的下表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)5相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有設(shè)有腔體，腔體內(nèi)設(shè)有蓋帽止檔9。底座止檔2和蓋帽止檔9為為腔體底部豎起的一個(gè)以上的柱體，柱體頂端與活動(dòng)結(jié)構(gòu)5之間設(shè)有間隙，柱體端面的面積不能太大，防止產(chǎn)生吸合效應(yīng)，影響MEMS器件的可靠性。本發(fā)明中的MEMS器件能夠抵抗Z方向的過(guò)載，比如在Z向受到劇烈撞擊，使活動(dòng)結(jié)構(gòu)5在Z方向上的載荷超過(guò)額定載荷，活動(dòng)結(jié)構(gòu)5產(chǎn)生Z向位移，在底座止檔2和蓋帽止檔9的保護(hù)下，其位移量得到了限制，從而避免活動(dòng)結(jié)構(gòu)5因位移過(guò)大而產(chǎn)生損傷，提高可靠性。圖I中，由下至上依次是底座1、MEMS的活動(dòng)結(jié)構(gòu)5和蓋帽8，其中結(jié)構(gòu)5和底座I、蓋帽8均采用圓片鍵合粘接在一起。該器件的生產(chǎn)過(guò)程包括1)底座I和蓋帽8準(zhǔn)備分別在符合要求的圓片上刻蝕出一定深度的腔體，并加工出具有一定高度的Z向止檔結(jié)構(gòu)，作為底座I和蓋帽8的基片；2) —次鍵合將上述具有腔體的底座I和結(jié)構(gòu)層4進(jìn)行圓片鍵合；3)結(jié)構(gòu)層加工基于上述結(jié)構(gòu)，在其腔體上面的結(jié)構(gòu)層4上刻蝕出器件的活動(dòng)部件和X、Y方向的止檔結(jié)構(gòu)；4) 二次鍵合將上述帶有活動(dòng)部件5的基片和蓋帽8的基片對(duì)準(zhǔn)鍵合。該工藝的關(guān)鍵在于，在底座I和蓋帽8準(zhǔn)備過(guò)程中，增加了一次刻蝕工藝，在加工腔體過(guò)程中同時(shí)加工出了 Z方向的止檔結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的工藝進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。I.材料準(zhǔn)備基片準(zhǔn)備，需要準(zhǔn)備3片圓片，其中一片是硅片，作為結(jié)構(gòu)層4;另外兩片可以是硅片，也可以是玻璃片，做為蓋帽8和底座I ;
2.底座I制備介質(zhì)層米用介質(zhì)層制備工藝，在底座的上表面制備一層底座介質(zhì)層，其結(jié)構(gòu)如圖2_2a所示；
3.蓋帽2制備介質(zhì)層采用介質(zhì)層制備工藝，在蓋帽的下表面制備一層蓋帽介質(zhì)層，其結(jié)構(gòu)如圖2-2b所示；
4.底座I刻蝕介質(zhì)層利用光刻工藝和刻蝕工藝，將底座I中間的介質(zhì)層刻蝕掉，以便后續(xù)刻蝕腔體，如圖2-3a所示；
5.蓋帽8刻蝕介質(zhì)層利用光刻工藝和刻蝕工藝，將蓋帽8中間的介質(zhì)層刻蝕掉，以便后續(xù)刻蝕腔體，如圖2-3b所示；
6.底座I刻蝕淺腔利用刻蝕工藝在底座I上刻蝕出一個(gè)淺腔，其深度根據(jù)Z方向需要限位的位移決定；如圖2_4a所示；
7.蓋帽8刻蝕淺腔利用刻蝕工藝在蓋帽8上刻蝕出一個(gè)淺腔，其深度根據(jù)Z方向需要限位的位移決定；如圖2-4b所示；
8.底座I刻蝕深腔和制作Z方向止檔通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝，將底座I需要加工腔體的結(jié)構(gòu)刻蝕掉，需要加工止檔位置處的結(jié)構(gòu)則被保留，形成了深腔結(jié)構(gòu)以及位于深腔中的Z方向的底座止檔2，如圖2-5a所示；
9.蓋帽8刻蝕深腔和制作Z方向止檔通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝，將蓋帽8需要加工 腔體的結(jié)構(gòu)刻蝕掉，需要加工止檔位置處的結(jié)構(gòu)則被保留，形成了深腔結(jié)構(gòu)以及位于深腔中的Z方向的蓋帽止檔9，如圖2-5b所示；
10.圓片鍵合采用圓片鍵合工藝，將結(jié)構(gòu)層4和底座I鍵合在一起，底座層有腔體的一面和結(jié)構(gòu)層相對(duì)，如圖2-6所不；
11.結(jié)構(gòu)層4減薄采用磨拋減薄工藝，將結(jié)構(gòu)層4減薄至所需要的厚度，如圖2-7所
示；
12.刻蝕MEMS器件結(jié)構(gòu)利用光刻工藝和刻蝕工藝在結(jié)構(gòu)層4上刻蝕出MEMS器件活動(dòng)結(jié)構(gòu)5和平面內(nèi)結(jié)構(gòu)層止檔6，如圖2-8所示；
13.圓片鍵合采用圓片鍵合工藝，將結(jié)構(gòu)層4和蓋帽8鍵合在一起，形成了具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗高過(guò)載MEMS器件，如圖2-9所示；
14.劃片按照預(yù)先設(shè)定好的劃片槽，將其劃開(kāi)，形成單個(gè)MEMS器件。上述生產(chǎn)工藝中的圓片鍵合工藝，可以是陽(yáng)極鍵合、硅硅鍵合、共晶鍵合、Glassfrit鍵合、聚合物鍵合中的一種。特別的，陽(yáng)極鍵合專指玻璃和硅之間的鍵合，兩種材料的鍵合面之間沒(méi)有任何介質(zhì)，若采用陽(yáng)極鍵合工藝，可以省略工藝步驟中的2飛步，當(dāng)為其他鍵合工藝時(shí)，鍵合接觸面之間需要有相應(yīng)的介質(zhì)層，如氧化層、金屬層、玻璃漿料或者聚合物。上述生產(chǎn)工藝中的步驟11結(jié)構(gòu)層4減薄，是可選工藝，可以根據(jù)所需要的結(jié)構(gòu)層厚度選擇進(jìn)行減薄或者不減薄。本發(fā)明的生產(chǎn)工藝中所述的氧化層層生長(zhǎng)工藝、金屬化工藝、光刻工藝、濕法腐蝕工藝、干法刻蝕工藝、圓片鍵合工藝和磨拋減薄工藝均為微機(jī)械加工工藝技術(shù)領(lǐng)域的常規(guī)加工工藝。
權(quán)利要求
1.ー種具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件，包括底座(I)、蓋帽(8)以及位于底座(I)和蓋帽(8)之間的結(jié)構(gòu)層(4)，所述底座(I)與結(jié)構(gòu)層(4)之間、蓋帽(8)與結(jié)構(gòu)層(4)之間均為周邊鍵合，所述結(jié)構(gòu)層(4)包括活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)以及位于活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)周邊、并且限制活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)XY方向運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)層止檔(6)，所述結(jié)構(gòu)層止檔(6)固定于結(jié)構(gòu)層(4)周邊的固定結(jié)構(gòu)(10)上，其特征在于所述底座(I)的上表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有底座腔體，所述底座腔體內(nèi)設(shè)有底座止檔(2)，所述蓋帽(8)的下表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有蓋帽腔體，所述蓋帽腔體內(nèi)設(shè)有蓋帽止檔(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件，其特征在于所述底座止檔(2)和蓋帽止檔(9)為腔體底部豎起的ー個(gè)以上的柱體，所述柱體頂端與活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)之間留有間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件，其特征在于所述周邊鍵合的鍵合面之間設(shè)有介質(zhì)層。
4.一種如權(quán)利要求2所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件的加工方法，其特征在于該加工方法的步驟如下 (1)刻蝕淺腔利用光刻エ藝和刻蝕エ藝，在底座(I)和蓋帽(8)上刻蝕出所述蓋帽腔體和底座腔體，所述蓋帽腔體和底座腔體為淺腔； (2)制作Z方向止檔利用光刻エ藝和刻蝕エ藝，對(duì)底座(I)和蓋帽(8)的淺腔內(nèi)的區(qū)域進(jìn)行選擇性刻蝕，將需要加工止檔位置處的結(jié)構(gòu)保護(hù)，其余區(qū)域刻蝕掉，形成深腔，從而形成由深腔底部豎起的Z方向上的柱體，即為底座止檔(2)和蓋帽止檔(9)； (3)一次鍵合采用圓片鍵合エ藝，將底座(I)有腔體的一面和結(jié)構(gòu)層(4)相対，將底座(I)與結(jié)構(gòu)層鍵合在一起； (4)活動(dòng)結(jié)構(gòu)和平面內(nèi)止檔的加工利用光刻エ藝和刻蝕エ藝，在結(jié)構(gòu)層(4)上刻蝕出活動(dòng)結(jié)構(gòu)(5)和XY平面內(nèi)結(jié)構(gòu)層止檔(6)； (5)二次鍵合采用圓片鍵合エ藝，將結(jié)構(gòu)層(4)和蓋帽(8)鍵合在一起，完成MEMS器件的加工。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件器件的加工方法，其特征在于所述步驟(I)、(2)和(4)中所述的刻蝕エ藝為干法刻蝕エ藝或者濕法腐蝕エ藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件的加工方法，其特征在于所述步驟(3)和步驟(5)中的圓片鍵合エ藝為陽(yáng)極鍵合、硅硅鍵合、共晶鍵合、Glass frit鍵合、聚合物鍵合中的ー種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件的加工方法，其特征在于當(dāng)圓片鍵合エ藝為硅硅鍵合、共晶鍵合、Glass frit鍵合或聚合物鍵合時(shí)，鍵合接觸面之間需要有相應(yīng)的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層為氧化層、金屬介質(zhì)、玻璃漿料或者聚合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件的加工方法，其特征在于所述介質(zhì)層的加工エ藝為 (1)制備介質(zhì)層采用介質(zhì)層制備エ藝，在底座(I)的上表面制備ー層底座介質(zhì)層(3),同時(shí)在蓋帽(8)的下表面制備ー層蓋帽介質(zhì)層(7)，所述介質(zhì)層制備エ藝為氧化層生長(zhǎng)エ藝或者金屬化工藝或其他介質(zhì)層涂覆エ藝中的ー種； (2)刻蝕介質(zhì)層利用光刻エ藝和刻蝕エ藝，將底座(I)和蓋帽(8)上中間部分的介質(zhì)層刻蝕掉，保留四周部分用于圓片鍵合的介質(zhì)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有三維止檔結(jié)構(gòu)的MEMS器件的加工方法，其特征在于步驟(4)中，對(duì)結(jié)構(gòu)層(4)刻蝕前，采用磨拋減薄エ藝，對(duì)其進(jìn)行減薄。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有三維止檔結(jié)構(gòu)的抗過(guò)載MEMS器件及其加工方法，屬于微機(jī)械加工工藝技術(shù)領(lǐng)域。MEMS器件包括底座、蓋帽以及位于底座和蓋帽之間的結(jié)構(gòu)層，底座與結(jié)構(gòu)層之間、蓋帽與結(jié)構(gòu)層之間均為周邊鍵合，底座的上表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有腔體，腔體中設(shè)有底座止檔，蓋帽的下表面、與活動(dòng)結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有腔體，腔體中設(shè)有蓋帽止檔。通過(guò)在底座和蓋帽上刻蝕淺腔、刻蝕深腔、制作Z方向止檔及鍵合完成加工。本發(fā)明中增加了Z方向上的止檔結(jié)構(gòu)，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低，可批量生產(chǎn)，并且有效地提高了MEMS器件的三維抗過(guò)載性能，增強(qiáng)了MEMS器件的可靠性和安全性。
文檔編號(hào)B81B7/00GK102701137SQ20121020294
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月19日
發(fā)明者何洪濤, 徐淑靜, 李博, 楊擁軍 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所