專利名稱：包括插件的封裝器件和將管芯附接到襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及包括用于增加粘合劑厚度的插件(interposer)的封裝器件和將管芯附接到襯底的方法。
背景技術(shù)：
在許多應(yīng)用中，半導(dǎo)體管芯可用粘合劑層附接到封裝襯底上以形成封裝器件。圖I示出封裝器件10的剖面，該器件包括封裝襯底11、粘合劑層12和管芯13。在管芯附接處理中，粘合劑層12的厚度是影響封裝器件10性能的重要參數(shù)。在 多數(shù)情況下，期望粘合劑層12是薄的以提供良好的熱傳導(dǎo)性或電傳導(dǎo)性或者良好的機(jī)械穩(wěn)定性。粘合劑層12的標(biāo)準(zhǔn)厚度可處于從10 μ m到大約50 μ m的范圍內(nèi)。通過控制所分配的粘合劑量、所分配的粘合劑的幾何形狀以及在管芯附接處理中使用的壓力量，在制造環(huán)境中容易地復(fù)制該厚度范圍。然而，在某些特殊情況下，更厚的粘合劑層12是優(yōu)選的。一個示例是在封裝微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)的情況下。更厚的粘合劑層12將使管芯13與封裝襯底11更好地隔離，從而例如降低組裝引起的壓力。在某些情況下，還希望提供更厚的粘合劑層12作為封裝襯底11與管芯13之間的襯墊，例如以至少部分地吸收封裝襯底11所暴露于的振動并且使這種振動與管芯13隔離。這可能是例如當(dāng)管芯13包括聲諧振器或聲換能器(例如壓電MEMS超聲換能器，其可以包括麥克風(fēng)、壓力傳感器、慣性傳感器等)時的情況下。當(dāng)更厚的粘合劑層被應(yīng)用時，諸如粘合劑滲出、管芯傾斜以及粘合線可變性之類的技術(shù)問題使得處理難以控制。用于增加的粘合劑層厚度的替代解決方案包括諸如珠子之類的墊片。該解決方案在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中已經(jīng)得到證實(shí)，但是由于與批量制造中的可變性控制相關(guān)聯(lián)的技術(shù)困難，該解決方案未曾在商業(yè)產(chǎn)品中發(fā)揮作用。圖2是包括封裝襯底11、粘合劑層22和管芯13的封裝器件20的剖面。封裝器件20的粘合劑層22的厚度B2顯著厚于封裝器件10的粘合劑層12的厚度B I，尤其相對于封裝襯底11的厚度A和管芯13的厚度C。如圖2可見，當(dāng)層22變得過厚時，管芯13可能在粘合劑層22上不受控地傾斜。管芯13的一部分還可能沉入或陷入粘合劑層22，這可能導(dǎo)致粘合劑材料滲出到管芯13與封裝襯底11之間的空間之外，包括例如滲出到管芯13的上表面上，粘合劑材料在管芯13的上表面上可能損壞或者負(fù)面地影響管芯13的性能。因此，需要這樣一種裝置其中，管芯可以以受控方式(該方式能避免不受控的管芯傾斜和粘合劑滲出)附接到封裝襯底，而管芯與封裝襯底之間具有更大空間或間隙，還需要一種封裝管芯的方法，該方法可以提供管芯與封裝襯底之間的更大空間或間隙并且避免不受控的管芯傾斜和粘合劑滲出。

發(fā)明內(nèi)容
在示例實(shí)施例中，一種封裝管芯的方法包括提供不導(dǎo)電的插件，所述不導(dǎo)電插件具有基本上平坦的相對的第一和第二表面，其中所述第一和第二表面彼此平行；將所述不導(dǎo)電插件附接到封裝襯底的第一表面，其中第一粘合劑層位于所述封裝襯底的第一表面與所述不導(dǎo)電插件的第一表面之間；使所述第一粘合劑層硬化以將所述不導(dǎo)電插件粘合到所述封裝襯底；將微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)管芯附接到所述不導(dǎo)電插件的第二表面，其中第二粘合劑層位于所述管芯的后表面與所述不導(dǎo)電插件的第二表面之間；以及使所述第二粘合劑層硬化以將所述MEMS管芯粘合到所述不導(dǎo)電插件。在另一不例實(shí)施例中，一種器件包括微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)管芯,其包括至少一個聲學(xué)組件；封裝襯底，其具有至少一個穿過其中的孔，所述孔被配置為在所述至少一個聲學(xué)組件與所述器件的外部之間傳送聲波；不導(dǎo)電的插件，其被設(shè)置在所述MEMS管芯與所述封裝襯底之間，其中所述不導(dǎo)電插件具有至少一個穿過其中的孔，所述孔被配置為在所述至少一個聲學(xué)組件與所述器件的外部之間傳送聲波；至少第一粘合劑層，其被設(shè)置在所述封裝襯底與所述不導(dǎo)電插件之間；以及至少第二粘合劑層，其被設(shè)置在所述MEMS管芯與所述 不導(dǎo)電插件之間。在又一不例實(shí)施例中，一種器件包括管芯，其具有電子器件與微電機(jī)系統(tǒng)中的至少一個；封裝襯底；不導(dǎo)電的插件，其被設(shè)置在所述管芯與所述封裝襯底之間；至少第一粘合劑層，其被設(shè)置在所述封裝襯底與所述不導(dǎo)電插件之間；以及至少第二粘合劑層，其被設(shè)置在所述管芯與所述不導(dǎo)電插件之間。


當(dāng)與附圖一起閱讀以下詳細(xì)描述時，示例實(shí)施例根據(jù)以下詳細(xì)描述得到最佳理解。注意各種特征不一定是按比例繪制的。事實(shí)上，尺寸為了討論的清楚可能被任意增加或縮小。在可應(yīng)用并且可行的情況下，相似的標(biāo)號指代相似的元素。圖I示出了封裝器件的剖面。圖2示出了具有厚粘合劑層的封裝器件的剖面。圖3示出了包括一個插件的封裝器件的一個實(shí)施例的剖面。圖4示出了包括兩個插件的封裝器件的一個實(shí)施例的剖面。圖5A-5B示出了插件的兩個不同實(shí)施例的平面圖。圖6示出了包括一個插件的封裝器件的另一實(shí)施例的剖面。圖7示出了包括一個插件的封裝器件的另一實(shí)施例的剖面。圖8示出了包括一個插件的封裝器件的另一實(shí)施例的剖面。
具體實(shí)施例方式在以下詳細(xì)描述中，為了說明而非限制目的，闡述了公開具體細(xì)節(jié)的實(shí)施例以提供對根據(jù)本教導(dǎo)的實(shí)施例的透徹理解。然而，已經(jīng)受益于本發(fā)明的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會清楚，脫離在此公開的具體細(xì)節(jié)的根據(jù)本教導(dǎo)的其他實(shí)施例仍在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。另外，對公知的裝置和方法的描述可被省略，以便不使對示例實(shí)施例的描述模糊。這種方法和裝置無疑在本教導(dǎo)的范圍內(nèi)。將會明白，在此使用的術(shù)語只是為了描述具體實(shí)施例，并且并非旨在起限定作用。所定義的術(shù)語不僅是如在本教導(dǎo)的技術(shù)領(lǐng)域中通常理解并接受的該定義術(shù)語的技術(shù)和科學(xué)含義。如在說明書和所附權(quán)利要求書中使用的，術(shù)語“一”和“所述”涵蓋了單數(shù)個指示物和復(fù)數(shù)個指示物兩者的情形，除非上下文清楚地反向規(guī)定。因此，例如，“一器件”涵蓋了一個器件和多個器件。如在說明書和所附權(quán)利要求書中使用的，并且除了其普通意義之外，術(shù)語“基本”或者“基本上”意味著在可接受的限度或程度以內(nèi)。如在說明書和所附權(quán)利要求書中使用的，并且除了其普通意義之外，術(shù)語“大約”意味著對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在可接受的限度或數(shù)量以內(nèi)。例如，“大約相同”意味著本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會認(rèn)為正在比較的物品是相同的。一般而言，明白附圖和在其中示出的各種元素不是按比例繪制的。另外，諸如“之上”、“之下”、“頂部”、“底部”、“上部”、“下部”之類的相對術(shù)語可被用于描述各種元件相對于彼此的關(guān)系，如在附圖中示出。明白這些相對術(shù)語旨在包含除在附圖中示出的朝向之外 的器件和/或元件的不同朝向。例如，如果器件相對于附圖中的視圖被反轉(zhuǎn)，那么被描述為在另一元件“之上”的元件例如現(xiàn)在將在該元件之下。這些專利和專利申請的公開內(nèi)容通過引用被具體包含于此。注意在這些專利和專利申請中描述的組件、材料和制造方法是代表性的，并且想到了本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的視野內(nèi)其他的制造方法和材料。圖3示出了封裝器件300的一個實(shí)施例的剖面，該器件包括插件。封裝器件300包括封裝襯底11、第一粘合劑層32、插件30、第二粘合劑層35和管芯13。在某些實(shí)施例中，管芯13可以是半導(dǎo)體管芯，其具有一個或多個電子器件或組件。在某些實(shí)施例中，管芯13可以是MEMS管芯，其具有一個或多個微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)器件。在某些實(shí)施例中，管芯13可包括聲學(xué)組件,例如聲諧振器或聲換能器。在某些實(shí)施例中，管芯13可包括壓電MEMS超聲換能器，其可以包括麥克風(fēng)、壓力傳感器、慣性傳感器
坐寸ο重要的是，插件30是薄的(例如，大約20-500 μ m厚)不導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)提供機(jī)械穩(wěn)定性以及封裝襯底11與管芯13之間的熱隔離和電隔離。因此，插件30不應(yīng)當(dāng)由諸如銅、鋁、鋅或其他金屬之類的可能在薄板形式下容易變形并且可能引入不期望的局部壓力的熱和電傳導(dǎo)材料組成。用于插件30的良好材料的一些示例是陶瓷、氧化鋁、玻璃(例如，硅酸鹽玻璃)、硅、砷化鎵(GaAs)、塑料等。插件30具有第一表面(圖3中的下表面)，該表面通過第一粘合劑層32粘合到封裝襯底11的第一表面；還具有第二表面(圖3中的上表面)，該表面通過第二粘合劑層35粘合到管芯13的第一表面(例如，背面)。有益的是，這些第一表面和第二表面基本上是平坦的。在包括圖3中示出的實(shí)施例在內(nèi)的某些實(shí)施例中，插件30的這些第一和第二表面彼此平行。第一和第二粘合劑層32和35的示例粘合劑材料包括環(huán)氧樹脂、氰基丙烯酸酯、或者具有合適柔性(compliance)和密度特性的彈力計(jì)(elastometer)。合適粘合劑材料的具體示例是HYSOL QMI 547 和ABLEBOND MC723。
封裝襯底11是用于至少部分地封裝管芯13的器件封裝的一部分。在某些實(shí)施例中，封裝襯底被配置為附接到封裝帽(未在圖3中示出)以部分地或完全地將管芯13圍在其中。在某些實(shí)施例中，封裝襯底11被配置為附接到引線框架(未在圖3中示出)以向和/或從管芯13傳送電信號，該信號例如包括電力。在該情況下，封裝器件300可包括一個或多個焊線(未在圖3中示出)以將管芯13的一個或多個焊盤(未在圖3中示出)電連接到引線框架。在圖2中示出的示例實(shí)施例中，第一粘合劑層32具有厚度B I，該厚度與圖I中示出的不例封裝器件10相同。然而,第一粘合劑層32、插件30和第二粘合劑層35的復(fù)合結(jié)構(gòu)的總厚度是B2，該厚度與圖2中示出的示例封裝器件20中的粘合劑厚度相同。然而，鑒于管芯13曾在圖2中示出的示例封裝器件20中的粘合劑層22上不受控地傾斜，在封裝器件300中，借助于插件30所提供的機(jī)械完整性以及對兩個粘合劑層32和35的使用，管芯13相對于封裝襯底11保持基本上不傾斜，粘合劑層32和35各自具有比器件20中粘合劑層22的厚度B2基本上更小(例如，小于厚度B2的值的一半)的厚度。
制造封裝器件300的一種方法如下。用第一粘合劑層32把插件30附接到封裝襯底11的第一表面，其中，第一粘合劑層32位于封裝襯底11的第一表面與插件30的第一表面之間。將插件附接到封裝襯底11的第一表面的過程可包括向插件30上的和/或封裝襯底11的第一表面上的與插件30的各個角相對應(yīng)的區(qū)域施加第一粘合劑材料。第一粘合劑層被硬化(cure)以將插件30粘合到封裝襯底11。另外，用第二粘合劑層35把管芯13附接到插件30的第二表面，其中，第二粘合劑層35位于管芯13的后表面與插件30的第二表面之間。第二粘合劑層被硬化以將管芯13粘合到插件30。其他粘合步驟也可被執(zhí)行，首先將插件30粘合到封裝襯底11然后將插件30粘合到管芯13，或者首先將管芯13粘合到插件30然后將插件30粘合到封裝襯底11。圖4示出了包括兩個插件的封裝器件400的一個實(shí)施例的剖面。封裝器件400包括封裝襯底11、第一粘合劑層32、第一插件30、第二粘合劑層35、第二插件40、第三粘合劑層45以及管芯13。封裝襯底11、第一粘合劑層32、第一插件30、第二粘合劑層35和管芯13的材料、結(jié)構(gòu)和特性可以與如上面關(guān)于圖3描述的相同，并且因而將不被重復(fù)。另外，第二插件40可以具有與第一插件30相同的材料、結(jié)構(gòu)和特性，并且第三粘合劑層45可以具有與第一和第二粘合劑層32和35相同的材料、結(jié)構(gòu)和特性。器件400可被分階段制造，例如通過將第一插件30粘合到封裝襯底11，然后將第一插件30粘合到第二插件40，再然后將第二插件40粘合到管芯13。這些階段可被按照不同次序執(zhí)行，例如通過首先將第一和第二插件30和40粘合在一起，然后將由此得到的結(jié)構(gòu)粘合到封裝襯底11和管芯13。圖5A-B示出了插件52和54的兩個不同實(shí)施例。插件52具有一個穿過其中的孔，插件54具有多個穿過其中的孔。當(dāng)要被附接到封裝的管芯包括聲學(xué)組件(諸如聲諧振器或聲換能器)時，例如可以使用具有一個或多個穿過其中的孔的插件。在該情況下，這一個或多個孔可以允許聲學(xué)組件所生成的聲波被傳送到封裝器件外部，并且/或者可以允許在封裝器件外部生成的聲波被聲學(xué)組件接收到。除了一個或多個孔之外，插件52和54可以具有與上面關(guān)于圖3討論的插件30相同的材料、結(jié)構(gòu)和特性。具體而言，插件52和54各自包括薄的不導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)當(dāng)在封裝器件中使用時可以提供機(jī)械穩(wěn)定性以及封裝襯底與管芯之間的熱隔離和電隔離。因此，插件52和54不應(yīng)當(dāng)由諸如銅、鋁、鋅或其他金屬之類的熱和電傳導(dǎo)材料組成。圖6示出了包括一個插件的封裝器件600的另一個實(shí)施例的剖面。具體而言，封裝器件600包括封裝襯底61、第一粘合劑層62、插件52、第二粘合劑層65以及管芯13。管芯13和插件52的材料、結(jié)構(gòu)和特性可以與如上面關(guān)于圖3描述的相同，并且因而將不被重復(fù)。另外，第一和第二粘合劑層62和65可以具有與上面描述的第一和第二粘合劑層32和35相同的材料、結(jié)構(gòu)和特性，差異在于粘合劑層62和65僅位于插件52的孔之外的區(qū)域，例如位于插件52的各角。另外，封裝襯底61可以具有與上面描述的封裝襯底11相同的材料、結(jié)構(gòu)和特性，差異在于封裝襯底61具有一般與插件52中的孔對準(zhǔn)的穿過其中的孔。在某些實(shí)施例中，管芯13可以包括諸如聲諧振器或聲換能器之類的聲學(xué)組件。在該情況下，插件52和封裝襯底61中的一個或多個孔可以允許聲學(xué)組件所生成的聲波被傳 送到封裝器件600外部，并且/或者可以允許在封裝器件600外部生成的聲波被聲學(xué)組件接收到。圖7示出了包括一個插件的封裝器件700的又一個實(shí)施例的剖面。封裝器件700包括封裝襯底11、第一粘合劑層32、插件70、第二粘合劑層35以及管芯13。除了插件70不同于插件30之外，封裝器件700與上面描述的封裝器件300相同。插件70包括凸起的邊緣或唇部70a。唇部70a在插件70被粘合到封裝襯底11和/或管芯13時可以為被施加到插件70的粘合劑材料提供某種對流量控制的測量。在其他方面，插件70可以與上面描述的插件30相同。插件30、40、52、54和/或70可以包括未在附圖中示出的其他特征，例如用來改善附著力的粗糙化表面或其他特征。在多數(shù)情況下，使用其中相對的第一和第二表面彼此平行的插件以使得管芯和封裝襯底也將基本上彼此平行將是非常希望乃至關(guān)鍵的。然而，在某些實(shí)施例中可能希望提供管芯與封裝襯底之間的受控傾斜角度。為此，圖8示出了包括一個插件的封裝器件800的另一個實(shí)施例的剖面。封裝器件800包括封裝襯底11、第一粘合劑層32、插件80、第二粘合劑層35以及管芯13。除了插件80之外，封裝器件800與上面描述的封裝器件300相同。插件80具有楔子的形狀。具體而言，插件80具有基本上平坦的相對的第一和第二表面，其中第一和第二表面所在的相應(yīng)平面以預(yù)定的受控角度彼此相交，使得管芯13當(dāng)被組裝到封裝器件800中時相對于封裝襯底11傾斜相同角度。雖然示例實(shí)施例在此得到公開，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員認(rèn)識到根據(jù)本教導(dǎo)的許多變體是可能的并且仍在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。例如，與上面描述的那些類似的封裝器件可以使用將圖5A-B、7和8中示出的各種特征中的兩個或多個相組合的插件(例如，包括孔和唇部；具有楔子形狀并且包括多個孔；等等)。除了被限制在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)之外，實(shí)施例不受其他限制。
權(quán)利要求
1.ー種方法，包括 提供不導(dǎo)電插件，所述不導(dǎo)電插件具有基本上平坦的、相対的第一和第二表面，其中所述第一和第二表面彼此平行； 用第一粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件附接到封裝襯底的第一表面，所述第一粘合劑層位于所述封裝襯底的第一表面與所述不導(dǎo)電插件的第一表面之間； 使所述第一粘合劑層硬化以將所述不導(dǎo)電插件粘合到所述封裝襯底； 用第二粘合劑層將微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)管芯附接到所述不導(dǎo)電插件的第二表面，所述第二粘合劑層位于所述管芯的后表面與所述不導(dǎo)電插件的第二表面之間；以及使所述第二粘合劑層硬化以將所述MEMS管芯粘合到所述不導(dǎo)電插件。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述不導(dǎo)電插件是氧化鋁襯底。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述不導(dǎo)電插件是玻璃襯底和硅襯底中的ー種。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，將所述不導(dǎo)電插件附接到所述封裝襯底的第一表面的步驟包括向以下各項(xiàng)中的至少ー項(xiàng)上的、與所述不導(dǎo)電插件的各個角相對應(yīng)的區(qū)域施加第一粘合劑材料(I)所述不導(dǎo)電插件、(2)所述封裝襯底的第一表面。
5.ー種器件，包括 微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)管芯,其包括至少一個聲學(xué)組件； 封裝襯底，其具有至少ー個穿過所述封裝襯底的孔，該孔被配置為在所述至少ー個聲學(xué)組件與所述器件的外部之間傳送聲波； 不導(dǎo)電插件，其被設(shè)置在所述MEMS管芯與所述封裝襯底之間，其中，所述不導(dǎo)電插件具有至少ー個穿過該插件的孔，該孔被配置為在所述至少一個聲學(xué)組件與所述器件的外部之間傳送聲波； 至少第一粘合劑層，其被設(shè)置在所述封裝襯底與所述不導(dǎo)電插件之間；以及 至少第二粘合劑層，其被設(shè)置在所述MEMS管芯與所述不導(dǎo)電插件之間。
6.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件包括氧化鋁襯底。
7.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件包括玻璃襯底和硅襯底中的至少ー種
8.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件是第一不導(dǎo)電插件，所述器件還包括 第二不導(dǎo)電插件，其具有至少ー個穿過該插件的孔，該孔被配置為在所述至少ー個聲學(xué)組件與所述器件的外部之間傳送聲波；以及 第三粘合劑層，其被設(shè)置在所述第一不導(dǎo)電插件與所述第二不導(dǎo)電插件之間， 其中，所述第一粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件粘合到所述封裝襯底，并且 其中，所述第二粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件粘合到所述MEMS管芯。
9.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件具有基本上平坦的、相対的第一和第二表面，所述第一和第二表面彼此平行，所述第一粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件的第一表面與所述封裝襯底粘合。
10.如權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述第二粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件的第二表面與所述MEMS管芯粘合。
11.如權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件的第一和第二表面中的每ー者具有沿著其邊緣的唇部。
12.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述第一粘合劑層和所述第二粘合劑層中的至少一者包括環(huán)氧樹脂、氰基丙烯酸酯和彈カ計(jì)中的ー種。
13.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件具有多個穿過該插件的孔，這些孔被配置成在所述至少一個聲學(xué)組件與所述器件的外部之間傳送聲波。
14.如權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件具有基本上平坦的、相対的第一和第二表面，所述第一和第二表面所在的相應(yīng)平面以ー角度彼此相交，使得所述MEMS管芯相對于所述封裝襯底傾斜所述角度。
15.—種器件,包括 管芯，其具有電子器件和微電機(jī)系統(tǒng)中的至少ー項(xiàng)； 封裝襯底； 不導(dǎo)電插件，其被設(shè)置在所述管芯與所述封裝襯底之間； 至少第一粘合劑層，其被設(shè)置在所述封裝襯底與所述不導(dǎo)電插件之間；以及 至少第二粘合劑層，其被設(shè)置在所述管芯與所述不導(dǎo)電插件之間。
16.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件包括氧化鋁襯底。
17.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件包括玻璃襯底和硅襯底中的至少ー種
18.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件是第一不導(dǎo)電插件，所述器件還包括 第二不導(dǎo)電插件；以及 第三粘合劑層，其被設(shè)置在所述第一不導(dǎo)電插件與所述第二不導(dǎo)電插件之間， 其中，所述第一粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件粘合到所述封裝襯底，并且 其中，所述第二粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件粘合到所述管芯。
19.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件具有基本上平坦的、相対的第一和第二表面，所述第一和第二表面彼此平行，所述第一粘合劑層將所述不導(dǎo)電插件的第一表面與所述封裝襯底粘合。
20.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述不導(dǎo)電插件具有基本上平坦的、相対的第一和第二表面，所述第一和第二表面所在的相應(yīng)平面以ー角度彼此相交，使得所述管芯相對于所述封裝襯底傾斜所述角度。
全文摘要
本發(fā)明公開了包括插件的封裝器件和將管芯附接到襯底的方法。一種器件包括具有電子器件和微電機(jī)系統(tǒng)中的至少一種的管芯、封裝襯底、設(shè)置在管芯與封裝襯底之間的不導(dǎo)電插件、設(shè)置在封裝襯底與不導(dǎo)電插件之間的至少第一粘合劑層，以及設(shè)置在管芯與不導(dǎo)電插件之間的至少第二粘合劑層。
文檔編號B81B7/00GK102815660SQ201210195320
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者阿圖爾·戈?duì)? 歐斯瓦爾多·布卡福斯卡 申請人:安華高科技無線Ip(新加坡)私人有限公司