專利名稱：使用背光照明照射干涉式調(diào)制器的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
概括地說，本發(fā)明涉及一種照射一顯示器的系統(tǒng)及方法，且更具體而言，本發(fā)明涉及一種使用背光照明及一個(gè)或多個(gè)反射元件來照射一顯示器的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包括微機(jī)械元件、激勵(lì)器及電子元件。微機(jī)械元件可采用沉積、蝕刻或其他可蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的若干部分或可添加若干層以形成電和機(jī)電裝置的微機(jī)械加工工藝制成。一種類型的MEMS裝置被稱為干涉式調(diào)制器。干涉式調(diào)制器可包含一對(duì)導(dǎo)電板，其中之一或二者均可全部或部分地透明及/或?yàn)榉瓷湫?，且在施加一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娦盘?hào)時(shí)能夠相對(duì)運(yùn)動(dòng)。其中一個(gè)板可包含一沉積在一襯底上的靜止層，另一個(gè)板可包含一通過一空氣間隙與該靜止層隔開的金屬隔板。上述裝置具有廣泛的應(yīng)用范圍，且在此項(xiàng)技術(shù)中，利用及/或修改這些類型裝置的特性、以使其性能可用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品及制造目前尚未開發(fā)的新產(chǎn)品將頗為有益。對(duì)于某些應(yīng)用，干涉式調(diào)制器裝置可布置在一陣列配置中，以提供一具有較佳運(yùn)行及性能特性的顯示總成。例如，這些顯示器可具有豐富的色彩特征以及低功率消耗。這種顯示器中的干涉式調(diào)制器裝置通過反射光及產(chǎn)生光學(xué)干涉來工作。干涉式調(diào)制器陣列可通過調(diào)制自陣列反射的環(huán)境光來工作。然而，在不具備環(huán)境光或環(huán)境光不充分時(shí)，需要輔助照明-例如通過背光照明所提供的輔助照明。因此，需要提供照射一干涉式調(diào)制器陣列的系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置均具有多個(gè)方面，任一單個(gè)方面均不能單獨(dú)決定其所期望特性?，F(xiàn)在，對(duì)其更主要的特性進(jìn)行簡要說明，此并不限定本發(fā)明的范圍。在查看這一論述，尤其是在閱讀了標(biāo)題為“具體實(shí)施方式
”的部分之后，人們即可理解本發(fā)明的特征如何提供優(yōu)于其他顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)。一空間光調(diào)制器的一實(shí)施例包括一包含復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件的光調(diào)制陣列，每個(gè)光調(diào)制元件具有一由第一及第二光學(xué)表面所界定的空腔，其中第二光學(xué)表面可相對(duì)于第一光學(xué)表面移動(dòng)。所述光調(diào)制陣列包括至少一個(gè)光學(xué)孔徑區(qū)域。所述光調(diào)制陣列裝置進(jìn)一步包括至少一個(gè)反射元件，該反射元件形成于一襯底與復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件之間且配置成接收穿過所述光學(xué)孔徑區(qū)域的光并將所接收的光的至少一部分反射至所述的空腔。在某些實(shí)施例中由此利于實(shí)現(xiàn)背光照明。
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所述至少一個(gè)反射元件可包含鋁、銀、鈦、金及銅中的至少一種。另外，所述至少一個(gè)反射元件可具有一傾斜表面。所述反射元件可具有一基本上凸出的幾何形狀或一基本上凹入的幾何形狀。另外，所述至少一個(gè)反射元件可包含互連的部分以構(gòu)成一接近復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件延伸的連續(xù)的整體結(jié)構(gòu)?？臻g光調(diào)制器可進(jìn)一步包含一與至少一個(gè)反射元件對(duì)準(zhǔn)的掩膜，以至少部分地遮擋所述至少一個(gè)反射元件的視線。所述掩膜可包含一校準(zhǔn)器的至少一部分，且所述校準(zhǔn)器的所述部分可包含一個(gè)或多個(gè)部分反射性材料層及一個(gè)或多個(gè)間隔層。在某些實(shí)施例中，所述至少一個(gè)反射元件包含至少一成形器件及一位于所述成形器件上的反射材料。光調(diào)制陣列的襯底可包含至少一個(gè)空腔，其中所述至少一個(gè)反射元件形成于所述襯底的所述空腔內(nèi)。所述至少一個(gè)反射元件可包含一懸浮在一基本透明的材料中的基本呈顆粒狀的反射材料。在某些實(shí)施例中，所述復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件包含一金屬層，其中所述金屬層包含復(fù)數(shù)個(gè)透射孔徑。至少某些光調(diào)制元件可彼此分離以在其間形成一光學(xué)孔徑區(qū)域。一種制造一空間光調(diào)制器的方法的一實(shí)施例包括在一襯底上形成至少一個(gè)反射元件，并在位于所述襯底上的所述至少一個(gè)反射元件上方形成復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件，以形成一光調(diào)制陣列。每個(gè)光調(diào)制元件包含可界定一空腔的第一及第二光學(xué)表面，其中所述第二光學(xué)表面可相對(duì)于所述第一光學(xué)表面移動(dòng)。所述光調(diào)制陣列具有至少一個(gè)透射孔徑區(qū)域。 所述至少一個(gè)反射元件配置成接收穿過所述至少一個(gè)孔徑區(qū)域的光并將所接收的光的至少一部分反射至所述空腔內(nèi)。形成所述至少一個(gè)反射元件可包括沉積鋁、銀、鈦、金及銅中的至少一種，且形成所述至少一個(gè)反射元件可包括沉積一種或多種材料以形成一基本上傾斜的表面、一基本上凸出的幾何形狀或一基本上凹入的幾何形狀。在某些實(shí)施例中，形成所述至少一個(gè)反射元件包括在襯底上形成一成形的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，并在所述成形的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上沉積一反射材料。所述方法可進(jìn)一步包括在襯底中形成一空腔，并形成基本上位于所述襯底的所述空腔內(nèi)的所述至少一個(gè)反射元件。形成所述至少一個(gè)反射元件可包括在襯底上沉積一層反射材料、并對(duì)所述層進(jìn)行表面處理以提高所述反射材料的反射率及/或散射。在某些實(shí)施例中,所述方法進(jìn)一步包括在襯底上形成一與所述至少一個(gè)反射元件對(duì)準(zhǔn)的掩蔽器件，以掩蔽所述至少一個(gè)反射元件的可視存在。所述掩蔽器件可包含一由一吸收性材料、一反射材料及一透射材料中的至少一種形成的掩膜。所述掩蔽器件可包含一由炭黑材料、染料、鉻及鑰中的至少一種形成的掩膜層。在某些實(shí)施例中，所述掩蔽器件包含一金屬膜以形成一包含所述金屬膜及所述至少一個(gè)反射元件的校準(zhǔn)器。所述校準(zhǔn)器可配置成在觀察者看來為一預(yù)定的顏色。在所述方法的一實(shí)施例中，形成所述至少一個(gè)反射元件包括在襯底表面上沉積一復(fù)合材料，其中所述復(fù)合材料包含懸浮在一基本透明的材料中的反射顆粒。所述復(fù)合材料可沉積在襯底表面上的離散的位置上，以形成復(fù)數(shù)個(gè)反射元件；或者所述復(fù)合材料可作為一個(gè)連續(xù)的層沉積在襯底表面上，由此形成單個(gè)反射元件結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中，光調(diào)制元件包含一干涉式調(diào)制器元件且光調(diào)制陣列包含一干涉式調(diào)制器陣列。然而，在其他實(shí)施例中，可使用包括其他類型的MEMS結(jié)構(gòu)在內(nèi)的其他類型的光調(diào)制器。一種對(duì)一干涉式調(diào)制器陣列進(jìn)行背光照明的方法的一實(shí)施例包括靠近所述干涉式調(diào)制器陣列的一第一側(cè)布置一光源，并將來自所述光源的光反射至所述干涉式調(diào)制器陣列的一第二對(duì)置側(cè)。在某些實(shí)施例中，利用一個(gè)或多個(gè)布置在一襯底與形成于襯底上的復(fù)數(shù)個(gè)干涉式調(diào)制器元件之間的反射元件來反射光。另外，所述方法可進(jìn)一步包括遮蔽所述一個(gè)或多個(gè)反射元件以便無法看到所述反射元件，且所述遮蔽可包括在所述一個(gè)或多個(gè)反射元件與觀察者之間形成一校準(zhǔn)器的至少一部分。在所述方法的某些實(shí)施例中，利用復(fù)數(shù)個(gè)分立的反射元件來反射光，且可利用一個(gè)或多個(gè)具有傾斜表面的反射元件來反射光?？衫靡粋€(gè)或多個(gè)凸反射元件或一個(gè)或多個(gè)凹反射元件來反射光?？衫靡粋€(gè)或多個(gè)包含鋁、銀、鈦、金或銅中的至少一種的反射元件來反射光。


圖I為一等角圖，其顯示一干涉調(diào)制器顯示器的一實(shí)施例的一部分，其中一第一干涉調(diào)制器的一可移動(dòng)反射層處于一釋放位置，且一第二干涉調(diào)制器的一可移動(dòng)反射層處于一受激勵(lì)位置。圖2為一系統(tǒng)方框圖，其顯示一包含一 3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一實(shí)施例。圖3為圖I所示干涉式調(diào)制器的一實(shí)例性實(shí)施例的可移動(dòng)鏡位置與所施加電壓的關(guān)系圖。圖4為一組可用于驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器顯示器的行和列電壓的示意圖。圖5A及圖5B顯示可用于向圖2所示3X3干涉式調(diào)制器顯示器寫入一顯示數(shù)據(jù)中貞的行和列信號(hào)的一實(shí)例性時(shí)序圖。圖6A為一圖I所示裝置的剖面圖。圖6B為一干涉式調(diào)制器的一替代實(shí)施例的一剖面圖。圖6C為一干涉式調(diào)制器的另一替代實(shí)施例的一剖面圖。圖7為一干涉式調(diào)制器陣列的一平面圖，其顯示用于驅(qū)動(dòng)所述干涉式調(diào)制器陣列的電極。圖8A為一干涉式調(diào)制器陣列的一實(shí)施例的一平面圖，所述干涉式調(diào)制器陣列包含復(fù)數(shù)個(gè)被孔徑區(qū)域分開的干涉式調(diào)制器元件。圖SB為圖8A所示干涉式調(diào)制器陣列的一剖面圖，其顯示一由背光照明元件進(jìn)行照射。圖9A為一反射元件的一實(shí)施例的剖面圖，所述反射元件包含多于一種材料。圖9B為一形成于一空腔中的凸反射元件的一實(shí)施例的一剖面圖。圖9C為一形成于一空腔中的凹反射元件的一實(shí)施例的一剖面圖。圖10為一反射元件及一配置成對(duì)觀察者掩藏所述反射元件的掩膜的一剖面圖。圖11為一干涉式調(diào)制器陣列的一平面圖，其顯示一圖案化成形成復(fù)數(shù)個(gè)從中透射光的光學(xué)孔徑區(qū)域的上部電極層。
圖12A及12B為系統(tǒng)方塊圖，其顯示一包含復(fù)數(shù)個(gè)干涉式調(diào)制器的視覺顯示裝置的一實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式如下文所更全面論述，在某些較佳實(shí)施例中，在一個(gè)顯示器中可集成一個(gè)或多個(gè)反射元件，以將來自一背光燈的光導(dǎo)引至附近的干涉式調(diào)制器元件。一干涉式調(diào)制器陣列可包括一個(gè)或多個(gè)從中傳播來自一背光照明源的光照的孔徑區(qū)域。舉例而言，所述孔徑區(qū)域可位于相鄰的干涉式調(diào)制器元件之間。所述一個(gè)或多個(gè)反射元件形成于一襯底與所述干涉式調(diào)制器陣列之間。所述反射元件可定位成接收穿過所述孔徑區(qū)域的光并將所接收的光反射至所述干涉式調(diào)制器的光學(xué)空腔內(nèi)。所述反射元件可根據(jù)需要具有可對(duì)光進(jìn)行導(dǎo)引的彎曲表面或傾斜表面。所述反射元件可包含反射材料，例如招或銀。在某些實(shí)施例中，所述反射元件可包含一基體材料，例如一光阻劑和一反射性覆蓋材料(例如鋁或銀)。這些反射元件可形成于襯底之上或襯底之中且通過平面化被覆蓋。利用這些反射元件可提高背光照明的效率。這些反射元件還可防止光通過顯示器的正面泄露。以下詳細(xì)說明涉及本發(fā)明的某些具體實(shí)施例。不過，本發(fā)明可通過許多種不同的方式實(shí)施。在本說明中，會(huì)參照附圖，在附圖中，相同的部件自始至終使用相同的編號(hào)標(biāo)識(shí)。 根據(jù)以下說明容易看出，本發(fā)明可在任一配置用于顯示圖像-無論是動(dòng)態(tài)圖像(例如視頻) 還是靜態(tài)圖像(例如靜止圖像)，無論是文字圖像還是圖片圖像-的裝置中實(shí)施。更具體而言，本發(fā)明可在例如(但不限于)以下等眾多種電子裝置中實(shí)施或與這些電子裝置相關(guān)聯(lián): 移動(dòng)電話、無線裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式計(jì)算機(jī)或便攜式計(jì)算機(jī)、GPS接收器/導(dǎo)航器、照像機(jī)、MP3播放器、攝像機(jī)、游戲機(jī)、手表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如測(cè)距儀顯示器等)、駕駛艙控制裝置及/或顯示器、攝像機(jī)景物顯示器(例如車輛的后視攝像機(jī)顯示器)、電子照片、電子告示牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝及美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如在一件珠寶上顯示圖像)。與本文所述MESE裝置具有類似結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于非顯示應(yīng)用，例如用于電子切換裝置。圖I中顯示一個(gè)含有一干涉式MEMS顯示元件的干涉式調(diào)制器顯示器實(shí)施例。在這些裝置中，像素處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)。在亮(“開(on)”或“打開(open)”)狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的一大部分反射至用戶。在處于暗(“關(guān)(off)”或“關(guān)閉(closed)”) 狀態(tài)下時(shí)，顯示元件幾乎不向用戶反射入射可見光。視不同的實(shí)施例而定，可顛倒“on”及 “off”狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可配置成主要在所選色彩下反射，以除黑色和白色之外還可實(shí)現(xiàn)彩色顯示。圖I為一等角圖，其顯示一視覺顯示器的一系列像素中的兩相鄰像素，其中每一像素包含一 MEMS干涉式調(diào)制器。在某些實(shí)施例中，一干涉式調(diào)制器顯示器包含一由這些干涉式調(diào)制器構(gòu)成的行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包括一對(duì)反射層，該對(duì)反射層定位成彼此相距一可變且可控的距離，以形成一至少具有一個(gè)可變尺寸的光學(xué)諧振空腔。在一實(shí)施例中，其中一個(gè)反射層可在兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在本文中稱為釋放狀態(tài)的第一位置上，該可移動(dòng)層的位置距離一固定的局部反射層相對(duì)遠(yuǎn)。在第二位置上，該可移動(dòng)層的位置更近地靠近該局部反射層。根據(jù)可移動(dòng)反射層的位置而定，從這兩個(gè)層反射的入射光會(huì)以相長或相消方式干涉，從而形成各像素的總體反射或非反射狀態(tài)。
在圖I中顯示的像素陣列部分包括兩個(gè)相鄰的干涉調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)的干涉式調(diào)制器12a中，顯示一可移動(dòng)的高度反射層14a處于一釋放位置，該釋放位置距一固定的局部反射層16a—預(yù)定距離。在右側(cè)的干涉式調(diào)制器12b中，顯示一可移動(dòng)的高度反射層14b處于一受激勵(lì)位置處，該受激勵(lì)位置靠近固定的局部反射層16b。固定層16a、16b導(dǎo)電、局部透明且局部為反射性，并可通過例如在一透明襯底20 上沉積將一個(gè)或多個(gè)各自為鉻及氧化銦錫的層而制成。所述各層被圖案化成平行條帶，且可形成一顯示裝置中的行電極，如將在下文中所進(jìn)一步說明?？梢苿?dòng)層14a、14b可形成為由沉積在支柱18頂部的一或多個(gè)沉積金屬層(與行電極16a、16b正交)及一沉積在支柱 18之間的中間犧牲材料構(gòu)成的一系列平行條帶。在犧牲材料被蝕刻掉以后，這些可變形的金屬層與固定的金屬層通過一規(guī)定的氣隙19隔開。這些可變形層可使用一具有高度導(dǎo)電性及反射性的材料(例如鋁)，且該些條帶可形成一顯示裝置中的列電極。在未施加電壓時(shí),空腔19保持位于層14a、16a之間，且可變形層處于如圖I中像素12a所示的一機(jī)械弛豫狀態(tài)。然而，在向一所選行和列施加電位差之后，在所述行和列電極相交處的對(duì)應(yīng)像素處形成的電容器變成充電狀態(tài)，且靜電力將這些電極拉向一起。如果電壓足夠高，則可移動(dòng)層發(fā)生形變，并被壓到固定層上(可在固定層上沉積一介電材料(在該圖中未示出)，以防止短路，并控制分隔距離)，如圖I中右側(cè)的像素12b所示。無論所施加的電位差極性如何，該行為均相同。由此可見，可控制反射與非反射像素狀態(tài)的行/列激勵(lì)與傳統(tǒng)的LCD及其他顯示技術(shù)中所用的行/列激勵(lì)在許多方面相似。圖2至圖5顯示一個(gè)在一顯示應(yīng)用中使用一干涉調(diào)制器陣列的實(shí)例性過程及系統(tǒng)。圖2為一系統(tǒng)方框圖，該圖顯示一可體現(xiàn)本發(fā)明各方面的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例。在該實(shí)例性實(shí)施例中，所述電子裝置包括一處理器21-其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器，例如 ARM、Pent ium 、Pent ium II 、Pentium 111 、Pentium IV 、Pent ium Pro、8051、MIPS 、Power PC 、ALPHA ,或任何專用微處理器，例如數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器或可編程門陣列。按照業(yè)內(nèi)慣例，可將處理器21配置成執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件模塊。 除執(zhí)行一個(gè)操作系統(tǒng)外，還可將該處理器配置成執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)頁瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其他軟件應(yīng)用程序。在一實(shí)施例中，處理器21還配置成與一陣列控制器22進(jìn)行通信。在一實(shí)施例中， 該陣列控制器22包括向一像素陣列30提供信號(hào)的一行驅(qū)動(dòng)電路24及一列驅(qū)動(dòng)電路26。 圖I中所示的陣列剖面圖在圖2中以線1-1示出。對(duì)于MEMS干涉式調(diào)制器，所述行/列激勵(lì)協(xié)議可利用圖3所示的這些裝置的滯后性質(zhì)。其可能需要例如一 10伏的電位差來使一可移動(dòng)層自釋放狀態(tài)變形至受激勵(lì)狀態(tài)。然而，當(dāng)所述電壓自該值降低時(shí)，在所述電壓降低回至10伏以下時(shí)，所述可移動(dòng)層將保持其狀態(tài)。在圖3的實(shí)例性實(shí)施例中，在電壓降低至2 伏以下之前，可移動(dòng)層不會(huì)完全釋放。因此，在圖3所示的實(shí)例中，存在一大約為3-7伏的電壓范圍，在該電壓范圍內(nèi)存在一施加電壓窗口，在該窗口內(nèi)所述裝置穩(wěn)定在釋放或受激勵(lì)狀態(tài)。在本文中將其稱為“滯后窗口”或“穩(wěn)定窗口”。對(duì)于一具有圖3所示滯后特性的顯示陣列而言，行/列激勵(lì)協(xié)議可設(shè)計(jì)成在行選通期間，向所選通行中將被激勵(lì)的像素施加一約10伏的電壓差，并向?qū)⒈会尫诺南袼厥┘右唤咏麿伏的電壓差。在選通之后，向像素施加一約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差，以使其保持在行選通使其所處的任何狀態(tài)。在被寫入之后， 在該實(shí)例中，每一像素均承受一處于3-7伏“穩(wěn)定窗口”內(nèi)的電勢(shì)差。該特性使圖I所示的像素設(shè)計(jì)在相同的所施加電壓條件下穩(wěn)定在一既有的激勵(lì)狀態(tài)或釋放狀態(tài)。由于干涉式調(diào)制器的每一像素，無論處于激勵(lì)狀態(tài)還是釋放狀態(tài)，基本上均是一由所述固定反射層及移動(dòng)反射層所構(gòu)成的電容器，因此，該穩(wěn)定狀態(tài)可在一滯后窗口內(nèi)的電壓下得以保持而幾乎不消耗功率。如果所施加的電位恒定，則基本上沒有電流流入像素。 在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所期望的一組受激勵(lì)像素確定一組列電極而形成一顯示幀。此后，將一行脈沖施加于第I行的電極，從而激勵(lì)與所確定的列線對(duì)應(yīng)的像素。此后，將所確定的一組列電極變成與第二行中所期望的一組受激勵(lì)像素對(duì)應(yīng)。此后，將一脈沖施加于第2行的電極，從而根據(jù)所確定的列電極來激勵(lì)第2行中的相應(yīng)像素。第I 行的像素不受第2行的脈沖的影響，因而保持其在第I行的脈沖期間所設(shè)定到的狀態(tài)?？砂错樞蛐苑绞綄?duì)全部系列的行重復(fù)上述步驟，以形成所述的幀。通常，通過以某一所期望幀數(shù)/秒的速度重復(fù)該過程來刷新及/或更新這些幀。還有很多種用于驅(qū)動(dòng)像素陣列的行及列電極以形成顯示幀的協(xié)議為人們所熟知，且可與本發(fā)明一起使用。圖4及圖5顯示一種用于在圖2所示的3x3陣列上形成一顯示幀的可能的激勵(lì)協(xié)議。圖4顯示一組可用于具有圖3所示滯后曲線的像素的可能的行及列電壓水平。在圖4 的實(shí)施例中，激勵(lì)一像素包括將相應(yīng)的列設(shè)定至-Vbias，并將相應(yīng)的行設(shè)定至+ Λ V-其可分別對(duì)應(yīng)于_5伏及+5伏。釋放像素則是通過將相應(yīng)的列設(shè)定至+Vbias并將相應(yīng)的行設(shè)定至相同的+ Λ V、由此在所述像素兩端形成一 O伏的電勢(shì)差來實(shí)現(xiàn)。在那些其中行電壓保持O伏的行中，像素穩(wěn)定于其最初所處的狀態(tài)，而與該列處于+Vbias還是-Vbias無關(guān)。圖5Β為一顯示一系列行及列信號(hào)的時(shí)序圖，該些信號(hào)施加于圖2所示的3X3陣列，其將形成圖5Α所示的顯示布置，其中受激勵(lì)像素為非反射性。在寫入圖5Α所示的幀之前，像素可處于任何狀態(tài)，在該實(shí)例中，所有的行均處于O伏，且所有的列均處于+5伏。在這些所施加電壓下，所有的像素穩(wěn)定于其現(xiàn)有的受激勵(lì)狀態(tài)或釋放狀態(tài)。在圖5Α所示的幀中，像素(1，1)、(1,2), (2,2), (3,2)及(3，3)受到激勵(lì)。為實(shí)現(xiàn)這一效果，在第I行的行時(shí)間將第I列及第2列設(shè)定為-5伏，將第3列設(shè)定為+5伏。此不會(huì)改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)，因?yàn)樗邢袼鼐３痔幱?-7伏的穩(wěn)定窗口內(nèi)。此后，通過一自 O伏上升至5伏然后又下降回至O伏的脈沖來選通第I行。由此激勵(lì)像素(1，1)和(1，2) 并釋放像素(1，3)。陣列中的其他像素均不受影響。為將第2行設(shè)定為所期望狀態(tài)，將第2 列設(shè)定為_5伏，將第I列及第3列被設(shè)定為+5伏。此后，向第2行施加相同的選通脈沖將激勵(lì)像素(2，2)并釋放像素(2，I)和(2，3)。同樣，陣列中的其他像素均不受影響。類似地，通過將第2列和第3列設(shè)定為-5伏，并將第I列設(shè)定為+5伏對(duì)第3行進(jìn)行設(shè)定。第3 行的選通脈沖將第3行像素設(shè)定為圖5Α所示的狀態(tài)。在寫入幀之后，行電位為0，而列電位可保持在+5或-5伏，且此后顯示將穩(wěn)定于圖5Α所示的布置。應(yīng)了解，可對(duì)由數(shù)十或數(shù)百個(gè)行和列構(gòu)成的陣列使用相同的程序。還應(yīng)了解，用于實(shí)施行和列激勵(lì)的電壓的定時(shí)、順序及電平可在以上所述的一般原理內(nèi)變化很大，且上述實(shí)例僅為實(shí)例性，任何激勵(lì)電壓方法均可與本發(fā)明一起使用。按照上述原理運(yùn)行的干涉式調(diào)制器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可千變?nèi)f化。例如，圖6A-6C顯示移動(dòng)鏡結(jié)構(gòu)的三種不同實(shí)施例。圖6Α為圖I所示實(shí)施例的剖面圖，其中在正交延伸的支撐件18上沉積一金屬材料條帶14。在圖6Β中，可移動(dòng)反射材料14僅在隅角處在系鏈32上連接至支撐件。在圖6C中，可移動(dòng)反射材料14懸吊在一可變形層34上。由于反射材料14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及所用材料可在光學(xué)特性方面得到優(yōu)化，且可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和所用材料可在所期望機(jī)械特性方面得到優(yōu)化，因此該實(shí)施例具有優(yōu)點(diǎn)。在許多公開文件中，包括例如第2004/0051929號(hào)美國公開申請(qǐng)案中，描述了各種不同類型干涉裝置的生產(chǎn)。可使用很多種人們所熟知的技術(shù)來制成上述結(jié)構(gòu)，此包括一系列材料沉積、圖案化及蝕刻步驟。干涉式調(diào)制器，例如包含在(例如)一構(gòu)成一空間光調(diào)制器的干涉式調(diào)制器陣列中的干涉式調(diào)制器，在本文中也可稱為“干涉式調(diào)制器元件”。圖7為一位于一基本透明的襯底554 (例如玻璃)上的實(shí)例干涉式調(diào)制器陣列500 的俯視圖。在如上所述的一種工藝中，將多個(gè)材料層圖案化以形成如在圖7中所示的下部電極列550A-C和上部電極行552A-C。雖然在圖7中看不到，但在行電極552A-C與列電極 550A-C的交叉部位處形成由上部鏡面和下部鏡面(未示出)界定的光學(xué)空腔或校準(zhǔn)器。盡管在所示的實(shí)施例中，顯示由三個(gè)電極列550A-C和三個(gè)電極行552A-C形成9個(gè)干涉式調(diào)制器元件525，然而更大或更小的陣列500可包含更多或更少的干涉式調(diào)制器。也可具有替代配置。舉例而言，干涉式調(diào)制器元件525不需要為相同的尺寸和形狀，也不需要布置為豎直的列和水平的行。另一種選擇是，在一列電極與一行電極的一給定交叉部位處由干涉式調(diào)制器元件525所占據(jù)的空間可代之以包含復(fù)數(shù)個(gè)尺寸較所示尺寸更小的干涉式調(diào)制器元件。另外，陣列500也可制作有不同的上部機(jī)械電極，例如，每個(gè)干涉式調(diào)制器525對(duì)應(yīng)于一個(gè)上部機(jī)械電極，而不是僅有單個(gè)電極552貫穿一行干涉式調(diào)制器。分立的上部機(jī)械電極可通過(例如)一個(gè)單獨(dú)的層進(jìn)行電接觸。另外，連接一行中各個(gè)調(diào)制器525的電極(例如上部機(jī)械電極552)的某些部分可具有減小的寬度。這些寬度減小的電極部分可在各干涉式調(diào)制器525之間提供較圖7中所示更窄的的連線。如在下文中所更全面論述， 在某些實(shí)施例中，連接各個(gè)調(diào)制器的窄電極部分可位于(例如)干涉式調(diào)制器525的角上。如在圖7中所示，每一列550A-C均電連接至一接觸焊墊556A-C。每一行552A-C 也電連接至一接觸焊墊556D-F。定時(shí)信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)可連接至接觸焊墊556以對(duì)干涉式調(diào)制器陣列進(jìn)行尋址。不過，如上所述，所示實(shí)施例為實(shí)例性的實(shí)施例，因?yàn)橐部墒褂闷渌渲煤驮O(shè)計(jì)-例如不帶有電接點(diǎn)的干涉式調(diào)制器陣列。在某些實(shí)施例中，使用背光照明照射一包含至少一個(gè)例如圖8A所示的干涉式調(diào)制器陣列500的顯示器。在這些配置中，干涉式調(diào)制器陣列500可設(shè)計(jì)成接收來自所述干涉式調(diào)制器陣列的背側(cè)或一不可見側(cè)的光照。在圖8A所示的陣列500中，如在陣列的一非可見側(cè)所見，各干涉式調(diào)制器元件525 之間的間隔574形成光學(xué)孔徑區(qū)域。在圖8A中顯示的干涉式調(diào)制器525部分對(duì)應(yīng)于用于支持如上文根據(jù)圖1-6C所述的上部鏡(未示出)的機(jī)械層570。陣列500制作有上部機(jī)械電極的不同的或分離的部分，舉例而言，每個(gè)干涉式調(diào)制器元件525對(duì)應(yīng)于一個(gè)部分，而不是如圖7所示僅有單個(gè)電極條帶貫穿一行干涉式調(diào)制器。機(jī)械層的這些部分570是分離的，以在其間形成具有光學(xué)透射性的孔徑區(qū)域或空間574。如上所述，各分立的上部機(jī)械電極570可通過(例如)一單獨(dú)的層進(jìn)行電接觸。在圖8A所示的實(shí)例性實(shí)施例中，上部機(jī)械電極570的分立部分在干涉式調(diào)制器 525之間形成一網(wǎng)格狀的成形間距。上部電極層570中的光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574可基本上無材料，且/或者這些光學(xué)孔徑區(qū)域可包含基本上具有光學(xué)透射性的材料。
干涉式調(diào)制器陣列500中的空間或孔徑區(qū)域并不限于在一顯示器的各像素之間形成的那些空間或孔徑區(qū)域，而是還可包括(例如)在與一像素內(nèi)的各子像素元件對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)個(gè)干涉式調(diào)制器元件之間的空間。這些子像素可分別用于在多顏色或灰度顯示器中提供更大的顏色或灰度范圍。在某些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器陣列在一個(gè)或多個(gè)干涉式調(diào)制器元件的機(jī)械層和鏡中包含一個(gè)或多個(gè)光學(xué)透射性孔徑區(qū)域。如上所述，所述一個(gè)或多個(gè)光學(xué)透射性孔徑區(qū)域可基本上無材料，且/或者這些光學(xué)孔徑區(qū)域可包含基本上具有光學(xué)透射性的材料。在一實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器陣列可包含一個(gè)或多個(gè)基本上居中的光學(xué)透射性孔徑區(qū)域。一干涉式調(diào)制器裝置的某些實(shí)施例可包含上述位置和配置的組合形式的光學(xué)透射性孔徑區(qū)域，例如光學(xué)透射性孔徑區(qū)域既位于相鄰干涉式調(diào)制器元件之間，又位于一個(gè)或多個(gè)干涉式調(diào)制器元件的機(jī)械層和鏡中。在一實(shí)施例中,光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574具有一大致恒定的寬度W。寬度w可由最小外形尺寸或制造工藝的其它設(shè)計(jì)規(guī)則確定。通常，不同干涉式調(diào)制器525的機(jī)械層570的相鄰部分間的空間574盡可能小，以避免浪費(fèi)任何像素區(qū)域。然而，寬度w可視(例如)顯示裝置的尺寸和設(shè)計(jì)或其他因素而有所不同，而不受限于本文所描述和顯示的實(shí)施例。舉例而言，機(jī)械層570的不同部分之間的光學(xué)孔徑區(qū)域574可制作成大于最小尺寸，以增加穿過光學(xué)孔徑區(qū)域574以及射入干涉式調(diào)制器元件525的光的量。在不同的實(shí)施例中，孔徑區(qū)域574的寬度介于約2微米和15微米之間，不過寬度也可位于這一范圍以外。另外，孔徑區(qū)域574的長度介于約10微米和100微米之間，不過也可采用這一范圍以外的長度。孔徑區(qū)域574的寬度和長度不必恒定，而是可在整個(gè)陣列范圍內(nèi)變化，以(例如)控制陣列500 中不同位置處的光照明度。相應(yīng)地，干涉式調(diào)制器元件525及機(jī)械層570的對(duì)應(yīng)部分的尺寸和形狀不必一致，而是可以變化。例如，在某些實(shí)施例中，使一個(gè)像素內(nèi)不同子像素的干涉式調(diào)制器元件525的尺寸脈動(dòng)以提供更多的顏色或灰度級(jí)。圖8B為圖8A所示的干涉式調(diào)制器陣列500沿線8B-8B剖切的剖面圖。圖8B顯示一實(shí)施例，其中一背光燈575靠近干涉式調(diào)制器陣列500的一第一不可見側(cè)577布置。該背光源575配置成使光分布于機(jī)械層570的不同部分上并通過光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574。 在某些實(shí)施例中，該背光源575在一個(gè)或多個(gè)維中伸長。不過，圖8B所不的背光源575僅為實(shí)例性，因?yàn)橐部墒褂闷渌愋偷谋彻庠础Ｔ谀承?shí)施例中，背光源575可包含(例如)分立的光源，例如發(fā)光二極管。背光源575還可包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)光體及光學(xué)器件(例如，一配置成從所述發(fā)光體向干涉式調(diào)制器陣列500傳遞或傳播光的波導(dǎo))的組合。一遍布整個(gè)陣列500的光學(xué)透射層可(例如)用作一將光耦合至干涉式調(diào)制器525的波導(dǎo)。發(fā)射體可布置在這一波導(dǎo)的邊緣以將光射入波導(dǎo)中。如在圖SB中所示，在顯示器中包含了一個(gè)或多個(gè)光反射元件572，以將來自背光源575的光導(dǎo)引至各個(gè)干涉式調(diào)制器525中的光學(xué)空腔584。反射元件572配置成反射來自背光源575、穿過干涉式調(diào)制器元件525之間的光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574的光。反射元件具有一反射表面573將光導(dǎo)引至干涉式調(diào)制器525內(nèi)的光學(xué)空腔574。光反射元件572也可稱為一“散射元件”，其中反射元件572進(jìn)一步配置成將光散射或偏轉(zhuǎn)至光學(xué)空腔574內(nèi)以使這些空腔內(nèi)充滿光。
反射元件572可包含(例如)一與干涉式光學(xué)元件525行和列之間的光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574對(duì)準(zhǔn)的網(wǎng)格狀反射元件。整體結(jié)構(gòu)572可(例如)包含與調(diào)制器525的行和列平行對(duì)準(zhǔn)的圓柱狀或伸長的反射部分。圖8B顯示構(gòu)成這一網(wǎng)格狀反射元件572的一部分的圓柱狀或伸長的反射部分的一剖面。圖8B顯示反射元件572的反射表面573配置成將光導(dǎo)引至干涉式調(diào)制器525的光學(xué)空腔內(nèi)?；蛘?，可使用包含(例如)復(fù)數(shù)個(gè)分立結(jié)構(gòu)(例如點(diǎn)或單獨(dú)的伸長部分)的復(fù)數(shù)個(gè)反射元件572。這些分立結(jié)構(gòu)可包含(例如)具有一反射表面的凸塊、凸堆或隆起。反射元件572可定位成一規(guī)則(一致)或不規(guī)則(隨機(jī))布置。反射元件572也可具有更為復(fù)雜的形狀或幾何外形。例如，一網(wǎng)格狀圖案可被分割為列和行以外的其他形狀(例如“ + ” 或“L”形元件)。也可為可或不可共同構(gòu)成一網(wǎng)格狀圖案的其他形狀。然而，如上所述，在某些實(shí)施例中可使用單個(gè)反射元件572。如圖SB所示，反射元件572布置在襯底554上、位于所述襯底與干涉式調(diào)制器元件525之間。反射元件572可具有靠近位于機(jī)械層570的不同部分之間的光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574布置的部分。相應(yīng)地，反射表面573的對(duì)應(yīng)部分靠近光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574。在一實(shí)施例中，反射元件572或其某些部分與孔徑區(qū)域574對(duì)準(zhǔn)，且在自圖8A中所示的非可見側(cè)577觀察時(shí)，可通過孔徑區(qū)域看到反射元件572或其所述部分。反射元件572配置成接收來自靠近干涉式調(diào)制器陣列500的非可見側(cè)或第一側(cè) (其中布置有機(jī)械層570 (使用箭頭577標(biāo)識(shí)))布置的背光源575、并穿過光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574的光，并將所接收的光反射至干涉式調(diào)制器陣列的對(duì)觀察者可見的第二側(cè)579。干涉式調(diào)制器陣列的對(duì)觀察者可見的這一第二側(cè)579與布置有背光源575的干涉式調(diào)制器陣列的第一側(cè)對(duì)置。圖8B還顯示了各個(gè)干涉式調(diào)制器元件525中形成于一自機(jī)械層570伸出的上部鏡571a與一包含(例如)一形成于襯底554上方的金屬層578的下部鏡571b之間的光學(xué)空腔584。如上所述，反射元件572上的反射表面573的形狀配置成將光反射及/ 或散射至光學(xué)空腔584內(nèi)。在圖8B所示的實(shí)施例中，反射元件572具有一基本上相對(duì)于襯底554凸出的剖面。相應(yīng)地，反射元件的剖面在對(duì)置側(cè)上傾斜，其中反射表面573的某些部分朝孔徑區(qū)域 574偏斜并面向鄰近的光學(xué)空腔584。所示的反射表面573是曲面。不過，反射元件572的幾何形狀不限于本文所顯示和描述的形狀，因?yàn)橐埠w其它幾何形狀。例如，反射元件可具有平坦或平面部分，這些平坦或平面部分既可相對(duì)于襯底554傾斜/偏斜也可不傾斜/偏斜。例如，所述剖面可為三角形形狀。也可為其他形狀。所述剖面可(例如)基本上凹陷。 如上所述，反射元件的某些部分可伸長?；蛘撸鱾€(gè)部分不需要伸長，例如在凸堆、凸塊或圓點(diǎn)情況下，在某些實(shí)施例中其可大致為圓周對(duì)稱?；蛘?，反射元件可具有一不均勻的幾何外形。另外，盡管反射表面573顯示為基本上平滑，但是所述反射表面也可凸凹不平。反射表面可為階梯狀或鋸齒狀。如上所述，自反射表面573發(fā)生的反射可為漫反射或鏡面反射。還可對(duì)反射元件進(jìn)行表面處理，以提高反射率和散射屬性。例如,可對(duì)反射表面 573進(jìn)行微蝕刻以產(chǎn)生(例如)更大的表面積、粗糙度及/或隆起，以增強(qiáng)對(duì)光的偏轉(zhuǎn)/散射?；蛘?，可對(duì)反射表面573進(jìn)行微蝕刻以使反射表面573平滑，由此提高光的聚集度并可改善干涉式調(diào)制器陣列的背光照明的均勻度。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)反射元件包含一具有基本上平坦或?yàn)槠矫娴慕Y(jié)構(gòu)和微粗糙度的材料，其中反射元件材料可通過一種工藝沉積和形成于一個(gè)或多個(gè)層中，所述工藝包括(例如)蝕刻、熱退火及/或放射固化。微粗糙度可通過微蝕刻、控制沉積過程、及 /或所述材料的屬性來形成。在其他實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)反射元件572包含一基本上具有光學(xué)透射性的材料及復(fù)數(shù)個(gè)懸浮在透射材料中的反射性顆粒。反射性顆粒較佳地包含一配置成反射及/或散射入射光的材料。如上所述，所述一個(gè)或多個(gè)反射元件可具有一整體結(jié)構(gòu)，例如一連續(xù)的層，且/或所述反射元件可包含復(fù)數(shù)個(gè)分立的結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中，反射層可包含一基本上為網(wǎng)格狀的圖案?？煽刂品瓷湓?72的位置和結(jié)構(gòu)(例如形狀)，以優(yōu)化其將光導(dǎo)引至干涉式調(diào)制器空腔584內(nèi)的功效。在某些實(shí)施例中，光反射兀件572可直接位于光學(xué)孔徑區(qū)域574的下方，當(dāng)然反射元件也可位于其它位置。在一實(shí)施例中，反射元件572足夠?qū)捛页尚螢閷⒒旧纤衼碜员彻鉄?75且穿過孔徑區(qū)域574的光反射至干涉式調(diào)制器陣列元件525的空腔584內(nèi)。在某些實(shí)施例中， 反射元件572的寬度可根據(jù)來自背光燈575且穿過孔徑區(qū)域574的光的角分布的尺寸而變化。對(duì)于一非準(zhǔn)直的背光源(即以一大的角度范圍穿過所述孔)來說，反射元件572的尺寸可隨孔徑區(qū)域至反射元件572的距離而變化。這一距離可由(例如)上部鏡571的厚度、 鏡571與反射元件572之間的間距確定。除通過孔徑區(qū)域射入的光的角度范圍外，孔徑區(qū)域574的寬度(w)也可為一個(gè)因素。如果光以一有限的角度范圍穿過孔徑574，則反射元件可更小。在一實(shí)施例中，反射元件572的寬度基本上大于孔徑區(qū)域574的寬度W，且較佳地大于3w。在一實(shí)施例中，反射元件572伸出對(duì)應(yīng)的孔徑區(qū)域574兩側(cè)一至少為w的距離。太寬的反射元件572雖然能有效地阻斷雜散光，但可減小可用于反射狀態(tài)的像素區(qū)域的大小。因此，在選擇寬反射元件以偏轉(zhuǎn)更多的光與干涉式調(diào)制器元件525可供用于反射狀態(tài)的像素區(qū)域之間存在一個(gè)平衡。反射元件572可具有一約I微米至約10微米的寬度。在其他實(shí)施例中，反射元件572可具有寬度更大或更小的剖面。反射元件572可具有一介于約200埃和約1000埃之間的高度，當(dāng)然高度值也可位于這一范圍之外。高度也可變化，使反射元件572中位于一干涉式調(diào)制器525周圍不同位置處或位于陣列550中不同位置處的不同部分具有不同的高度。反射元件572較佳地包含一種或多種反射材料，且可包含(例如)鋁、銀、鈦、金和銅中的至少一種?？墒褂闷渌牧?。另外，反射元件572既可為鏡面反射光學(xué)元件，也可為漫反射光學(xué)元件。如上所述，反射元件572形成于襯底554之上、介于襯底與干涉式調(diào)制器元件525 之間。襯底554可具有一(例如)約200微米至約2毫米、或約2毫米至約5毫米的厚度， 或可更大或更小。反射元件572覆蓋有一層基本上為光學(xué)透射性的材料，例如一平面化材料582。這個(gè)層可具有一(例如)約I微米的厚度。如上所述的鏡571與反射元件572之間的間距與平面化材料582的厚度相關(guān)。在替代實(shí)施例中可使用其他材料。一個(gè)或多個(gè)均包含光學(xué)空腔584的干涉式調(diào)制器元件525形成于平面化材料582 上。這些干涉式調(diào)制器元件525包含一形成于平面化材料582上的光學(xué)堆疊583，其中光學(xué)堆疊583包含一電極層580、一金屬層578 (例如鉻)、及一介電層或氧化物層576。電極層580包含一導(dǎo)電材料，例如銦化錫(ITO)，或(例如)氧化鋅(ZnO)，且可基本上為光學(xué)透射性或部分透射性。金屬層578可包含一反射性材料，例如鉻。也可使用其他金屬。在各種實(shí)施例中，電極層580具有一足以具有導(dǎo)電性的厚度且金屬層578可具有一足以具有部分反射性的厚度。電極層580和金屬層578可(例如)具有約100埃至約I微米的厚度，且介電層576可具有一約100至2，000埃的厚度。在某些實(shí)施例中，介電層還可包含一多層式介電光學(xué)膜。也可具有其他配置。舉例而言，可除去某些層且可使用附加層。另外，在其他實(shí)施例中，厚度可位于所述范圍之外。如上所述，機(jī)械層570支持一位于電極上的鏡571、金屬、及介電層580、578、576， 以形成空腔584。也可具有其他配置。如上所述，在某些實(shí)施例中，機(jī)械層570和鏡571包含一個(gè)或多個(gè)光學(xué)透射性孔徑區(qū)域，所述一個(gè)或多個(gè)光學(xué)透射性孔徑區(qū)域配置成使來自背光源575的光能夠從其中穿過并進(jìn)入一對(duì)應(yīng)干涉式調(diào)制器元件的空腔內(nèi)。同時(shí)，電極580及 /或金屬層578可包含一基本上為透射性的材料，且/或可包含復(fù)數(shù)個(gè)基本上為透射性的孔徑，以使自一個(gè)或多個(gè)反射元件反射的光能夠透射至一干涉式調(diào)制器元件的空腔內(nèi)。這些器件將在下文中進(jìn)行更為詳細(xì)的論述。反射元件572可利用所屬技術(shù)中已知的復(fù)數(shù)種方法形成，且在下文中將根據(jù)圖 9A-9C對(duì)多種實(shí)例性方法進(jìn)行進(jìn)一步的論述，圖9A-9C顯示了復(fù)數(shù)種實(shí)例性的反射元件結(jié)構(gòu)和配置。在圖9A所示的實(shí)施例中，反射元件572包含一由一基體材料(例如一聚合物) 形成的成形器件，例如一凸塊702。這一成形器件702覆蓋有一包含反射性材料(例如鋁) 的覆蓋層704。鋁層704可反射(例如)波長處于可見范圍中的光?？墒褂贸X之外的其他反射材料，例如銀、鈦、金或銅?？沙练e一層基體材料并對(duì)其進(jìn)行圖案化，以形成凸塊702 或其他所期望的形狀?？蓪⒁粚臃瓷湫圆牧?04沉積在聚合物基體材料上以形成反射性覆蓋層。在圖9B所示的實(shí)施例中，對(duì)襯底554進(jìn)行蝕刻，以形成一具有一基本上為矩形的剖面的空腔706。通過沉積反射性材料(例如金屬)在空腔706內(nèi)形成一反射元件572。可在空腔706內(nèi)形成(例如)一基本上凸出的幾何形狀。在一實(shí)施例中，空腔中具有一基本上凸出的表面，且通過在空腔內(nèi)的所述凸出表面上沉積反射性材料形成一基本上凸出的幾何形狀。也可具有其他幾何形狀。在圖9C所示的實(shí)施例中，在襯底554內(nèi)形成一基本上凹入的空腔708，且在空腔 708內(nèi)沉積一層反射材料，以形成一基本上凹入的反射元件572?；蛘撸稍诓晃挥诳涨粌?nèi)的襯底上形成凹入或凸出的表面形體(例如通過蝕刻襯底)，且可在這一成形的表面形體上沉積反射性材料。如上所述，本文所顯示和論述的反射元件結(jié)構(gòu)、幾何形狀、及位置僅為實(shí)例性，不排除其他結(jié)構(gòu)、幾何形狀、及位置。形成一如上所述反射元件的實(shí)例性方法可包括材料沉積、蝕刻、熱退火、放射固化和其組合。如根據(jù)圖SB所述，反射元件572可覆蓋有厚度約(例如)I微米的平面化材料。平面化材料可使用例如旋涂沉積等方法來涂覆。有數(shù)種光學(xué)透射性旋涂沉積材料可供使用。 這些材料中的許多種可加以“熱煉”以形成一透明的氧化硅材料。這些旋涂沉積材料可自位于 Midland 的 Dow Corning 公司、MI 及日本東京的 Clariant Life Sciences K. K.獲得。 平面化材料也可為例如光阻劑等材料。在平面化材料形成以后，可利用例如化學(xué)機(jī)械研磨等平面化工藝對(duì)平面化材料的表面進(jìn)行平面化。或者，可利用平面化材料以外的其他材料，且可使用多層。圖10顯示一用于一干涉式調(diào)制器陣列的反射元件572的一實(shí)施例，其中使用一掩蔽器件或掩膜來隱藏反射元件572以便看不到反射元件572。在一實(shí)施例中，在玻璃襯底 554上形成一掩膜802并將其覆蓋以一基本上透明的層804。隨后在透明掩膜802上形成反射元件572。較佳地，掩膜802包含一配置成看不到反射元件572的存在的材料。該掩膜802可透明或半透明。掩膜802可包含一吸收性材料、一反射性材料、一透射性材料、或其一組合，且可包含例如鉻(Cr)、鑰(Mo)、炭黑、染料等材料。例如，在某些實(shí)施例中，掩膜 802可包含光阻材料(例如旋涂光阻劑)、聚酰亞胺、光學(xué)酰胺(photoamid)、無機(jī)聚合物、及 /或聚合物材料，這些材料既可固有地基本上呈光學(xué)吸收性或反射性，也可在其中包含例如碳粒子(例如炭黑)、金屬粒子、填料及/或染料等材料，以使掩膜802在可見光譜內(nèi)基本上呈光學(xué)吸收性或反射性。在某些實(shí)施例中，對(duì)這(些)材料進(jìn)行選擇并使其包含在掩膜 892中的量有效地使由此產(chǎn)生的基本上呈光學(xué)吸收性的支持結(jié)構(gòu)具有黑色外觀。也可對(duì)設(shè)計(jì)加以改變。在一實(shí)施例中，掩膜802包含一校準(zhǔn)器或一校準(zhǔn)器的一部分。具體而言，掩膜802 的一實(shí)施例包含一第一部分反射性/部分透射性層-例如一包含(例如)鉻的金屬層、及至少一層空腔或間隔材料-例如氧化物或平面化材料，以形成一包含第一反射(例如金屬) 層和反射兀件572的校準(zhǔn)器。在另一實(shí)施例中，掩膜802進(jìn)一步包含一位于間隔材料與反射元件572之間的第二反射層，其中反射元件572下方的第一反射層及第二反射層形成一校準(zhǔn)器。第一及/或第二校準(zhǔn)器反射層可包含與光學(xué)堆疊583中的金屬層578相同的材料。 在某些實(shí)施例中，校準(zhǔn)器在干涉式調(diào)制器陣列的可見側(cè)或觀看側(cè)產(chǎn)生一預(yù)定的顏色并掩蔽不希望看到的器件。如上所述，可使用背光照明有效地照射干涉式調(diào)制器陣列500。在某些實(shí)施例中， 使光準(zhǔn)直，以使來自背光源575的光具有一有限的角度范圍。較佳地，光在背光源575和陣列500之間筆直地導(dǎo)引。可接受的角度的范圍可取決于結(jié)構(gòu)尺寸的組合。例如，如果孔徑寬度(w)為10微米，反射元件的寬度為30微米，且鏡571與反射元件572之間的距離為I 微米，則陡角度(相對(duì)于襯底的法向?yàn)榇蠼嵌?的光將被阻擋，而其他光將被反射。可以若干種方式使光準(zhǔn)直，此視背光燈的選擇而定。舉例而言，可提供某些將發(fā)出的光限制在一特定角度范圍內(nèi)的背光燈結(jié)構(gòu)?？墒褂猛哥R或其他準(zhǔn)直光學(xué)器件。背光燈575也可使用一濾光器或其他光學(xué)膜來除去位于極限角度處的光。反射元件572將把來自背光燈575的準(zhǔn)直的光傳播至鄰近的干涉式調(diào)制器。由于光將自反射元件以很多個(gè)不同的角度反射，因此光將自單個(gè)反射元件提供至數(shù)個(gè)干涉式調(diào)制器。單個(gè)干涉式調(diào)制器的光也可來自復(fù)數(shù)個(gè)反射元件。不過，背光燈所提供的光并非必須包含準(zhǔn)直光。在圖11中顯示干涉式調(diào)制器陣列的另一個(gè)實(shí)施例的一 SEM圖像。在該干涉式調(diào)制器陣列500中，機(jī)械層570經(jīng)圖案化形成環(huán)繞各個(gè)干涉式調(diào)制器元件525的復(fù)數(shù)個(gè)孔徑區(qū)域574。位于調(diào)制器元件525隅角處的電極層570的狹窄部分提供各干涉式調(diào)制器(例如沿一行的干涉式調(diào)制器)之間的電連接。電極層570的這些狹窄部分靠近圖11中所示的支柱結(jié)構(gòu)599布置。復(fù)數(shù)個(gè)光學(xué)透射性孔徑區(qū)域574使光能夠傳播至例如上所述的反射元件(未示出)。
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圖12A及12B為顯示一顯示裝置2040的一實(shí)施例的系統(tǒng)方塊圖。顯示裝置2040 例如可為蜂窩式電話或移動(dòng)電話。然而，顯示裝置2040的相同組件及其稍作變化的形式也可作為例如電視及便攜式媒體播放器等各種類型顯示裝置的例證。顯不裝置2040包括一外殼2041、一顯不器2030、一天線2043、一揚(yáng)聲器2045、一輸入裝置2048及一麥克風(fēng)2046。外殼2041通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的眾多種制造工藝中的任一種工藝制成,包括注射成型及真空成形。此外,外殼2041可由眾多種材料中的任一種材料制成，包括但不限于塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷、或其一組合。在一實(shí)施例中，外殼2041包括可拆式部分(未圖示)，這些可拆式部分可與其他具有不同顏色的、或包含不同標(biāo)識(shí)、圖片或符號(hào)的可拆式部分換用。實(shí)例性顯示裝置2040的顯示器2030可為眾多種顯示器中的任一種，包括本文所述的雙穩(wěn)顯示器。在其他實(shí)施例中，如業(yè)內(nèi)技術(shù)人員所熟知，顯示器2030包括一平板顯示器，例如如上所述的等離子體顯示器、EL、OLED, STN IXD或TFT IXD，或一非平板顯示器，例如CRT或其他電子管裝置。然而，為便于說明本實(shí)施例，顯示器2030包括一如本文所述的干涉式調(diào)制器顯示器。在圖12B中示意性地顯示實(shí)例性顯示裝置2040的一實(shí)施例的組件。所示實(shí)例性顯示裝置2040包括一外殼2041，并可包括其他至少部分地封閉于其中的組件。例如，在一實(shí)施例中，實(shí)例性顯示裝置2040包括一網(wǎng)絡(luò)接口 2027，網(wǎng)絡(luò)接口 2027包括一耦接至一收發(fā)器2047的天線2043。收發(fā)器2047連接至處理器2021，處理器2021又連接至調(diào)節(jié)硬件 2052。調(diào)節(jié)硬件2052可配置成調(diào)節(jié)一信號(hào)(例如對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件2052連接至一揚(yáng)聲器2045及一麥克風(fēng)2046。處理器2021還連接至一輸入裝置2048及一驅(qū)動(dòng)控制器2029。驅(qū)動(dòng)控制器2029耦接至一幀緩沖器2028并耦接至陣列驅(qū)動(dòng)器2022，陣列驅(qū)動(dòng)器 2022又耦接至一顯示陣列2030。一電源2050根據(jù)具體實(shí)例性顯示裝置2040的設(shè)計(jì)的要求為所有組件供電。網(wǎng)絡(luò)接口 2027包括天線2043及收發(fā)器2047，以使實(shí)例性顯示裝置2040可通過網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或多個(gè)裝置通信。在一實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口 2027還可具有某些處理功能，以降低對(duì)處理器2021的要求。天線2043是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的用于發(fā)射及接收信號(hào)的任一種天線。在一實(shí)施例中，所述天線根據(jù)IEEE802. 11標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE 802. 11(a), (b) 或(g))發(fā)射和接收RF信號(hào)。在另一實(shí)施例中，所述天線根據(jù)藍(lán)牙(BLUETOOTH)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射和接收RF信號(hào)。倘若為蜂窩式電話，則該天線被設(shè)計(jì)成接收CDMA、GSM、AMPS或其他用于在無線移動(dòng)電話網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行通信的習(xí)知信號(hào)。收發(fā)器2047對(duì)自天線2043接收的信號(hào)進(jìn)行預(yù)處理，以使其可由處理器2021接收及進(jìn)一步處理。收發(fā)器2047還處理自處理器2021接收到的信號(hào)，以使其可通過天線2043自實(shí)例性顯示裝置2040發(fā)射。在一替代實(shí)施例中，可由一接收器取代收發(fā)器2047。在又一替代實(shí)施例中，可由一圖像源取代網(wǎng)絡(luò)接口 2027，該圖像源可存儲(chǔ)或產(chǎn)生擬發(fā)送至處理器2021的圖像數(shù)據(jù)。例如，該圖像源可為數(shù)字視盤(DVD)或一含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動(dòng)器、或一產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器2021通?？刂茖?shí)例性顯示裝置2040的總體運(yùn)行。處理器2021自網(wǎng)絡(luò)接口 2027或一圖像源接收數(shù)據(jù)(例如壓縮的圖像數(shù)據(jù))，并將該數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成一種易于處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。然后，處理器2021將處理后的數(shù)據(jù)發(fā)送至驅(qū)動(dòng)控制器2029或發(fā)送至幀緩沖器2028進(jìn)行存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常指標(biāo)識(shí)一圖像內(nèi)每一位置處的圖像特征的信息。例如，這些圖像特征可包括顏色、飽和度及灰度級(jí)。在一實(shí)施例中，處理器2021包括一微處理器、CPU或邏輯單元，以控制實(shí)例性顯示裝置2040的運(yùn)行。調(diào)節(jié)硬件2052通常包括用于向揚(yáng)聲器2045發(fā)送信號(hào)及用于自揚(yáng)聲器 2046接收信號(hào)的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件2052可為實(shí)例性顯示裝置2040內(nèi)的離散組件，或者可并入處理器2021或其他組件內(nèi)。驅(qū)動(dòng)控制器2029直接自處理器2021或自幀緩沖器2028接收由處理器2021產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)貙⒃紙D像數(shù)據(jù)重新格式化以便高速傳輸至陣列驅(qū)動(dòng)器2022。 具體而言，驅(qū)動(dòng)控制器2029將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成一具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，以使其具有一適合于掃描顯示陣列2030的時(shí)間次序。然后，驅(qū)動(dòng)控制器2029將格式化后的信息發(fā)送至陣列驅(qū)動(dòng)器2022。盡管驅(qū)動(dòng)控制器2029 (例如IXD控制器)通常是作為一獨(dú)立的集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器2021相關(guān)聯(lián)，然而這些控制器也可按許多種方式進(jìn)行構(gòu)建。 其可作為硬件嵌入于處理器2021中、作為軟件嵌入于處理器2021中、或以硬件形式與陣列驅(qū)動(dòng)器2022完全整合。通常，陣列驅(qū)動(dòng)器2022自驅(qū)動(dòng)控制器2029接收格式化后的信息并將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行的波形，該組平行的波形每秒許多次地施加至來自顯示器的χ-y像素陣列的數(shù)百條、有時(shí)數(shù)千條引線。在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)控制器2029、陣列驅(qū)動(dòng)器2022、及顯示陣列2030適用于本文所述的任一類型的顯不器。例如，在一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)控制器2029為一傳統(tǒng)的顯不控制器或一雙穩(wěn)顯示控制器(例如一干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器2022 為一傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器或一雙穩(wěn)顯示驅(qū)動(dòng)器(例如一干涉式調(diào)制器顯示器)。在一實(shí)施例中，一驅(qū)動(dòng)控制器2029與陣列驅(qū)動(dòng)器2022相整合。這種實(shí)施例在例如蜂窩式電話、手表或其他小面積顯示器等高度集成的系統(tǒng)中很常見。在又一實(shí)施例中，顯示陣列2030為一典型的顯示陣列或一雙穩(wěn)顯示陣列(例如一包含一干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置2048使用戶能夠控制實(shí)例性顯示裝置2040的運(yùn)行。在一實(shí)施例中，輸入裝置2048包括一小鍵盤(例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、一按鈕、一開關(guān)、一觸敏屏幕、 一壓敏或熱敏薄膜。在一實(shí)施例中，麥克風(fēng)2046是實(shí)例性顯示裝置2040的輸入裝置。在使用麥克風(fēng)2046向裝置輸入數(shù)據(jù)時(shí)，可由用戶提供語音命令來控制實(shí)例性顯示裝置2040 的運(yùn)行。電源2050可包含許多種能量存儲(chǔ)裝置，此在業(yè)內(nèi)眾所周知。例如，在一實(shí)施例中， 電源2050為一可再充電的蓄電池，例如一鎳-鎘蓄電池或一鋰離子蓄電池。在另一實(shí)施例中，電源2050是一可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑料太陽能電池及太陽能電池漆。在另一實(shí)施例中，電源2050配置成自墻上的插座接收電力。在某些實(shí)施方案中，控制可編程性如上所述存在于一可位于電子顯示系統(tǒng)中的多個(gè)位置上的驅(qū)動(dòng)控制器中。在某些情形中，控制可編程性存在于陣列驅(qū)動(dòng)器2022中。業(yè)內(nèi)的技術(shù)人員將知，可在任何數(shù)量的硬件及/或軟件組件中以不同的配置實(shí)施上述優(yōu)化。盡管在上文中是說明包含干涉式調(diào)制器元件陣列的空間光調(diào)制器，然而在其他實(shí)施例中，可使用構(gòu)成光調(diào)制陣列的其他類型的光調(diào)制元件。例如，在其他實(shí)施例中可使用其他類型的MEMS結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中還可使用其它并非基于MEMS技術(shù)的類型的結(jié)構(gòu)。
業(yè)內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)了解，可作出很多種不同的修改，此并不背離本發(fā)明的精神。因此，應(yīng)清楚地了解，本發(fā)明的形式僅為例示性，并非旨在限制本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種空間光調(diào)制器，其包括一光調(diào)制陣列，其包含復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件，所述復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件中每一光調(diào)制元件均具有第一及第二光學(xué)表面之間的光學(xué)諧振空腔；位于所述光調(diào)制陣列中的光學(xué)孔徑區(qū)域；及至少一個(gè)反射元件，其配置成接收穿過所述光學(xué)孔徑區(qū)域的光并將所述所接收的光的至少一部分反射至至少一個(gè)所述光學(xué)諧振空腔，所述至少一個(gè)反射元件具有一傾斜表面。
2.如權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個(gè)光學(xué)孔徑區(qū)域位于所述光調(diào)制陣列中的一實(shí)質(zhì)上居中的位置處。
3.如權(quán)利要求I所述的裝置，其進(jìn)一步包含一與所述至少一個(gè)反射元件對(duì)準(zhǔn)的掩膜， 以至少部分地遮掩所述至少一個(gè)反射元件的一視線。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述掩膜包含一校準(zhǔn)器的至少一部分。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)器的所述部分包含一個(gè)或多個(gè)部分反射性、部分透射性的材料層及一個(gè)或多個(gè)間隔層。
6.如權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件包含至少一成形器件及一位于所述成形器件上的反射材料。
7.如權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件包含互連的部分，以形成一靠近復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件延伸的連續(xù)的整體結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件包含一金屬層，且其中所述金屬層具有復(fù)數(shù)個(gè)光學(xué)透射性的孔徑。
9.如權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述光調(diào)制元件中的至少某些元件彼此分離，所述光學(xué)孔徑區(qū)域位于被分離的光調(diào)制元件之間。
10.如權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件包含一懸浮在一基本透明的材料中的實(shí)質(zhì)上呈顆粒狀的反射材料。
11.如權(quán)利要求I所述的裝置，其進(jìn)一步包括一顯不器；及與所述顯示器電相通的處理器，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括一驅(qū)動(dòng)電路，其經(jīng)配置以將至少一信號(hào)發(fā)送至所述顯示器。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其進(jìn)一步包括一控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送至所述驅(qū)動(dòng)電路。
14.如權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述傾斜表面是彎曲的。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件具有一實(shí)質(zhì)上凸出的幾何形狀。
16.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件具有一實(shí)質(zhì)上凹入的幾何形狀。
17.如權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件具有相對(duì)于襯底傾斜的平坦或平面部分。
18.—種空間光調(diào)制器，其包括一光調(diào)制陣列，其包含復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件，所述復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件中每一光調(diào)制元件均具有第一光學(xué)表面，第二光學(xué)表面和所述第一及第二光學(xué)表面之間的光學(xué)諧振空腔；使光穿過所述光調(diào)制陣列的光穿過裝置；及光反射裝置，其反射通過所述光穿過裝置穿過的光的至少一部分至至少一個(gè)所述光學(xué)諧振空腔，其中所述至少一個(gè)光反射裝置具有一傾斜表面。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述光穿過裝置包括光學(xué)孔徑區(qū)域，或者所述光反射裝置包括反射元件。
20.如權(quán)利要求18或19所述的裝置，其中所述傾斜表面是彎曲的。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件具有一實(shí)質(zhì)上凸出的幾何形狀。
22.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件具有一實(shí)質(zhì)上凹入的幾何形狀。
23.如權(quán)利要求18或19所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)反射元件具有相對(duì)于襯底傾斜的平坦或平面部分。
24.—種制造一空間光調(diào)制器的方法,其包括形成光調(diào)制陣列，所述光調(diào)制陣列包括復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件，所述復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件中每一光調(diào)制元件均具有第一及第二光學(xué)表面之間的光學(xué)諧振空腔；及光學(xué)孔徑區(qū)域；形成至少一個(gè)反射元件，其配置成接收穿過所述光學(xué)孔徑區(qū)域的光并將所述所接收的光的至少一部分反射至至少一個(gè)所述光學(xué)諧振空腔，所述至少一個(gè)反射元件具有一傾斜表面。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述襯底上形成一與所述至少一個(gè)反射元件對(duì)準(zhǔn)的掩蔽器件，以掩蔽所述至少一個(gè)反射元件。
26.如權(quán)利要求25所述的方法,其中所述掩蔽器件包含一由吸收性材料和一反射性材料中的至少一種形成的掩膜。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中形成所述掩蔽器件包含沉積一金屬膜以形成一包含所述金屬膜和所述至少一個(gè)反射元件的校準(zhǔn)器。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)反射元件包括在所述襯底上形成一成形的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，并在所述成形的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上沉積一反射性材料。
29.如權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)反射元件包括沉積一反射性材料層 '及對(duì)所述反射性材料層進(jìn)行表面處理。
30.如權(quán)利要求24-29中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成所述至少一個(gè)反射元件包括在所述襯底表面上沉積一復(fù)合材料，其中所述復(fù)合材料包含懸浮在一實(shí)質(zhì)上透明的材料中的反射性粒子。
全文摘要
一種使用背光照明照射干涉式調(diào)制器的系統(tǒng)及方法。本發(fā)明揭示一種空間光調(diào)制器及制造一空間光調(diào)制器的方法。空間光調(diào)制器包括一光調(diào)制陣列，其包含復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件，所述復(fù)數(shù)個(gè)光調(diào)制元件中每一光調(diào)制元件均具有第一及第二光學(xué)表面之間的光學(xué)諧振空腔；位于所述光調(diào)制陣列中的光學(xué)孔徑區(qū)域；及至少一個(gè)反射元件，其配置成接收穿過所述光學(xué)孔徑區(qū)域的光并將所述所接收的光的至少一部分反射至至少一個(gè)所述光學(xué)諧振空腔，所述至少一個(gè)反射元件具有一傾斜表面。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102608755SQ20121008000
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2005年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者克拉倫斯·徐, 董明孝 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司