專利名稱：生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法。
背景技術(shù)：
具有IO4-IO12 Ω m的比容電阻率(specific volume resistance)值的半導(dǎo)體樹(shù)脂已經(jīng)被用作成像裝置如電子照相復(fù)印機(jī)和靜電存儲(chǔ)設(shè)備中的裝料輥，裝料帶和卸料??；和用于傳輸半導(dǎo)體組件的容器的材料；這利用了如抗靜電性和粉塵吸附抑制性能等功能。賦予具有電絕緣性能的樹(shù)脂半導(dǎo)電性的方法的實(shí)例包括混合樹(shù)脂與導(dǎo)電物質(zhì)如金屬，碳纖維和炭黑的方法。必需的是混合大量的導(dǎo)電物質(zhì)以便賦予半導(dǎo)電性。另ー方面，液晶聚酯已經(jīng)引起作為具有極好的低吸濕性，耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度的材料的注意。因此，液晶聚酯已經(jīng)被廣泛用于各種應(yīng)用中，例如電子精密組件如連接器，薄膜和纖維，并且已經(jīng)進(jìn)行各種研究。有時(shí)期望以高實(shí)用性將半導(dǎo)電性賦予這樣的液晶聚酷。然而，存在這樣的問(wèn)題，當(dāng)試圖通過(guò)常規(guī)方法將半導(dǎo)電性賦予液晶聚酯時(shí)，混合大量導(dǎo)電物質(zhì)引起液晶聚酯的初始的機(jī)械強(qiáng)度和模塑性能的退化。還存在這樣的問(wèn)題，當(dāng)導(dǎo)電物質(zhì)具有不足的分散性時(shí)，所獲得的液晶聚酯組合物很少會(huì)顯示出半導(dǎo)電性。相比之下，公開(kāi)了這樣的技術(shù)，其中將少量的導(dǎo)電的納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料添加到液晶聚酯(參見(jiàn)JP-A_2010-7067(相當(dāng)于美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2009-0294729))。

發(fā)明內(nèi)容
然而，迄今還未知的是含液晶聚酯和納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料的常規(guī)的液晶聚酯組合物，其機(jī)械強(qiáng)度極好并且具有半導(dǎo)電性?？紤]到上述的情況，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明并且其目標(biāo)將是提供ー種用于生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，該液晶聚酯組合物的機(jī)械強(qiáng)度極好并且具有半導(dǎo)電性。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，所述液晶聚酯組合物包括液晶聚酯和納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料，其滿足以下要求(A)，該方法包括以下步驟在1，000-9，000/秒的剪切速率下，熔融-捏合數(shù)量為85-99質(zhì)量份的液晶聚酯和數(shù)量為1-15質(zhì)量份的納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料，基于總計(jì)100質(zhì)量份的液晶聚酯和納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料(A)納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料包括碳部分和中空部分，并且具有這樣的結(jié)構(gòu)，即部分或全部的中空部分被碳部分圍繞。根據(jù)本發(fā)明，有可能提供生產(chǎn)機(jī)械強(qiáng)度極好的且具有半導(dǎo)電性的液晶聚酯組合物的方法。
具體實(shí)施例方式在本發(fā)明中的液晶聚酯是這樣的液晶聚酯，其在熔融狀態(tài)顯示出介晶性 (mesomorphism)并且優(yōu)選地在等于或低于450°C的溫度下熔融。液晶聚酯也可是液晶聚酯酰胺，液晶聚酯醚，液晶聚酯碳酸酷，或液晶聚酯酰亞胺。液晶聚酯優(yōu)選地是全部芳族液晶聚酯，其中僅僅芳族化合物用作原料単體。液晶聚酯的典型實(shí)例包括(I)通過(guò)聚合(縮聚)芳族羥基羧酸，芳族ニ羧酸，和至少ー種選自芳族ニ醇、芳族羥基胺和芳族ニ胺的化合物獲得的液晶聚酷；(II)通過(guò)聚合多種類型芳族羥基羧酸獲得的液晶聚酷；(III)通過(guò)聚合芳族ニ羧酸與至少ー種選自芳族ニ醇、芳族羥基胺和芳族ニ胺的化合物獲得的液晶聚酯；和(IV)通過(guò)聚合聚酯如聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯與芳族羥基羧酸獲得的液晶聚酷。在本文中，部分或全部的芳族羥基羧酸，芳族ニ羧酸，芳族ニ醇，芳族羥基胺和芳族ニ胺可以被分別獨(dú)立地改變?yōu)槠淇删酆系难苌?。具有羧基的化合物如芳族羥基羧酸和芳族ニ羧酸的可聚合的衍生物的實(shí)例包括衍生物(酷)，其中羧基被轉(zhuǎn)化成烷氧基羰基或芳氧基羰基；衍生物(酰基鹵)，其中羧基被轉(zhuǎn)化成鹵代甲?；脱苌?酸酐)，其中羧基被轉(zhuǎn)化成酰氧基羰基。具有羥基的化合物如芳族羥基羧酸，芳族ニ醇和芳族羥胺的可聚合的衍生物的實(shí)例包括衍生物(酰化產(chǎn)物)，其中通過(guò)酰化，羥基被轉(zhuǎn)化成酰氧基。
具有氨基的化合物如芳族羥基胺和芳族ニ胺的可聚合的衍生物的實(shí)例包括衍生物(?；a(chǎn)物)，其中通過(guò)?；被晦D(zhuǎn)化成酰胺基。液晶聚酯優(yōu)選地包括由下列的通式(I)表示的重復(fù)單元(以下稱為〃重復(fù)單元
(I)〃)，和更優(yōu)選地包括重復(fù)單元(1)，由下列的通式(2)表示的重復(fù)單元(以下稱為〃重復(fù)単元(2)〃)，和由下列的通式(3)表示的重復(fù)單元(以下稱為〃重復(fù)單元(3)〃)
權(quán)利要求
1.ー種用于生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，該液晶聚酯組合物包括液晶聚酯和納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料，其滿足以下要求(A)，該方法包括以下步驟在1，000-9, 000/秒的剪切速率下熔融-捏合數(shù)量為85-99質(zhì)量份的液晶聚酯和數(shù)量為1-15質(zhì)量份的納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料，基于總計(jì)100質(zhì)量份的液晶聚酯和納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料 (A)納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料包括碳部分和中空部分，并且具有這樣的結(jié)構(gòu)，即部分或全部的中空部分被碳部分圍繞。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的用于生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，其中納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料的碳部分的厚度為1-100納米和中空部分的直徑為O. 5-90納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I的用于生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，其中納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料是通過(guò)包括以下步驟(1)，(2)，(3)和(4)，以這種順序，的方法生產(chǎn)的材料 (1)生產(chǎn)模板催化劑納米顆粒的步驟； (2)在模板催化劑納米顆粒的存在下聚合碳材料前體而在模板催化劑納米顆粒的表面上形成碳材料中間體的步驟； (3)碳化在模板催化劑納米顆粒的表面上形成的碳材料中間體以生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)化的復(fù)合材料的步驟；和 (4)從納米結(jié)構(gòu)化的復(fù)合材料除去模板催化劑納米顆粒以生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求I的用于生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，其中熔融-捏合通過(guò)裝備有回料螺桿的剪切模塑機(jī)進(jìn)行。
全文摘要
目標(biāo)是提供生產(chǎn)機(jī)械強(qiáng)度極好的且具有半導(dǎo)電性的液晶聚酯組合物的方法。本發(fā)明提供生產(chǎn)液晶聚酯組合物的方法，其包括在1,000-9,000/秒的剪切速率下熔融-捏合數(shù)量為85-99質(zhì)量份的液晶聚酯和數(shù)量為1-15質(zhì)量份的納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料的步驟，基于總計(jì)100質(zhì)量份的液晶聚酯和納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料，納米結(jié)構(gòu)化的中空碳材料包括碳部分和中空部分并且具有這樣的結(jié)構(gòu)，即部分或全部的中空部分被碳部分圍繞。
文檔編號(hào)B82Y40/00GK102690503SQ201210075498
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
發(fā)明者前田光男, 原節(jié)幸, 松見(jiàn)泰夫 申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社