專利名稱：兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及屬于納米結(jié)構(gòu)制造領(lǐng)域，尤其涉及一種模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物 直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法。
背景技術(shù)：
納米結(jié)構(gòu)制造是納米技術(shù)研究和應(yīng)用的基礎(chǔ)和關(guān)鍵，目前納米結(jié)構(gòu)的制造主要通 過兩種途徑一種是“自上而下(Top-down)”方法(例如電子束直寫、光學(xué)光刻、聚焦粒子 束、刻蝕、納米壓印、軟光刻等)，另一種是“自下而上(Bottom-up)”方法(例如掃描探針顯微 加工、蘸筆納米光刻、生物分子自組裝、模板輔助自組裝等)。嵌段共聚物自組裝是近年發(fā)展 起來的一種自下而上構(gòu)造納米結(jié)構(gòu)新方法。嵌段共聚物(BlockCopolymers)又叫鑲嵌共聚 物，是由不同結(jié)構(gòu)單元組成的均聚鏈段，通過共價(jià)鍵相互結(jié)合成主鏈的共聚物。不同的均聚 鏈段可以為兩種或兩種以上，每鏈段只含一種結(jié)構(gòu)單元，各鏈段的長短沒有嚴(yán)格的限制。因 為嵌段共聚物由熱力學(xué)上互不相容的鏈段通過化學(xué)鍵連接而成，這種結(jié)構(gòu)特點(diǎn)導(dǎo)致嵌段共 聚物不具有共混物的宏觀相分離行為，只能發(fā)生微觀相分離，在介觀尺度上形成豐富多彩 的有序相形態(tài)。這些微觀有序相形態(tài)具有良好的可調(diào)控性及相對容易的制備方法，通過改 變嵌段共聚物的組成、鏈長、施加外場或改變制備方法等可以使嵌段共聚物通過自組裝產(chǎn) 生各種高度有序的介觀圖案。嵌段共聚物的自組裝技術(shù)已經(jīng)成為一種很有潛力的自下而上 的納米結(jié)構(gòu)制造方法。但是，嵌段共聚物自組裝工藝也存在固有的缺陷如果沒有進(jìn)一步的約束，自然狀 態(tài)下自組裝微區(qū)結(jié)構(gòu)沒有首選的取向而形成無序的“指紋”結(jié)構(gòu)。而且，用嵌段共聚物形成 用于不同納米技術(shù)應(yīng)用的周期性納米結(jié)構(gòu)最主要的局限性在于局部自組裝結(jié)構(gòu)是非常精 確的，但很難在大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)長程有序的納米微結(jié)構(gòu)排列。因此，如何低成本，而又簡單易 行地實(shí)現(xiàn)按照人的意志來調(diào)控圖案多樣、有序度高、穩(wěn)定性好的自組裝納米微結(jié)構(gòu)，形成大 面積、長程有序的納米結(jié)構(gòu)，對于進(jìn)一步擴(kuò)展嵌段共聚物自組裝有序納米結(jié)構(gòu)在納米技術(shù) 中的應(yīng)用來說，是個(gè)迫切需要解決的技術(shù)難題。此外，如何將自上而下的電子束直寫、光學(xué) 光刻、納米壓印和刻蝕等方法與自下而上的自組裝方法有機(jī)的結(jié)合起來制備大面積、任意 形狀復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)，也是目前納米制造領(lǐng)域中迫切需要解決的熱點(diǎn)問題和前沿課題。目前嵌段共聚物自組裝主要采用單一外場(電場、表面場、機(jī)械力場等)來調(diào)控嵌 段共聚物自組裝納米結(jié)構(gòu)，促使嵌段共聚物微區(qū)取向排列的是單軸驅(qū)動(dòng)力，這導(dǎo)致自組裝 結(jié)構(gòu)會隨著時(shí)間的推移發(fā)生衰退現(xiàn)象，并且會產(chǎn)生較多缺陷。此外，目前模板誘導(dǎo)嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法還具有以下局限性模 板的重復(fù)使用率低，難以實(shí)現(xiàn)可重復(fù)和一致性納米結(jié)構(gòu)的制造，無法實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)低成本 和批量化的制造。盡管納米壓印光刻是一種低成本、高生產(chǎn)率和和高精度納米結(jié)構(gòu)制造方法，但其 目前其面臨1:1壓印模具的制作、套印精度、模具的使用壽命、生產(chǎn)率和缺陷等挑戰(zhàn)性問 題，尤其模具變形、粘附(大的壓印力導(dǎo)致)和充填不完全等是非常棘手的問題。限制了納米壓印技術(shù)的更為廣泛應(yīng)用。因此，迫切需要開發(fā)新的納米結(jié)構(gòu)制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是解決目前嵌段共聚物自組裝制造納米結(jié)構(gòu)生產(chǎn)成本高(模板的 重復(fù)利用率低)、生產(chǎn)效率低(自組裝時(shí)間長)、一致性和可重復(fù)性制造性差，以及難以實(shí)現(xiàn) 大面積、長程有序納米結(jié)構(gòu)的制造的問題，提供一種具有生產(chǎn)成本低、工藝簡單、一致性好、 適合批量化制備大面積、長程有序納米結(jié)構(gòu)的模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米 結(jié)構(gòu)的裝置和方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取如下的技術(shù)解決方案
一種模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置，它包括一個(gè)具有化學(xué)表 面圖形的導(dǎo)電模板、聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯PS-b-PMMA兩嵌段共聚物、導(dǎo)電化的基底 和直流電場，其中兩嵌段共聚物PS-b-PMMA置于導(dǎo)電模板和基底之間，導(dǎo)電模板與直流電 場的陽極連接，基底則與直流電場的陰極連接。所述基底由硅襯底及硅襯底上鋪設(shè)的導(dǎo)電金屬層組成，導(dǎo)電金屬層與直流電場的 陰極連接。所述導(dǎo)電模板由導(dǎo)電層和具有改性的化學(xué)表面圖形的模具組成，導(dǎo)電層與陽極連 接，化學(xué)表面圖形對兩嵌段共聚物PMMA相具有偏好性或浸潤性，而對PS相的浸潤則為中 性。一種模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，它是一種“自上而 下”和“自下而上”相結(jié)合的納米結(jié)構(gòu)制造方法，其具體步驟為
1)制造導(dǎo)電模板；
2)對基底預(yù)處理；
3)在基底上旋涂兩嵌段共聚物PS-b-PMMA；
4)施加直流電場并退火處理直接組裝納米結(jié)構(gòu)；
5)移除導(dǎo)電模板，將導(dǎo)電模板與兩嵌段共聚物分離；
6)深度UV曝光降解PMMA相同時(shí)交聯(lián)固化PS相；
7)去除PMMA相；
8)PS相圖形轉(zhuǎn)移到基底。所述步驟3)中，在基底上旋涂兩嵌段共聚物PS-b-PMMA，其體積分?jǐn)?shù)/為0. 6-0. 8， 其厚度為1-3 ym。所述步驟4)中，在導(dǎo)電模板和基底之間施加垂直于基底的直流電場30 40V/ I； m，其陽極與導(dǎo)電模板相連，陰極與基底相連，并在160°C 190°C下退火8-12小時(shí)，兩嵌 段共聚物發(fā)生微相分離，直接組裝出垂直于基底的層狀納米結(jié)構(gòu)；納米結(jié)構(gòu)的1和_7方向特 征取決于模板上的圖形特征，^向特征形狀的生長通過外加電場和兩嵌段共聚物初始涂層 厚度來控制。所述步驟6)中，采用深紫外光曝光，劑量為25J/cm2，曝光時(shí)間為2_5分鐘，從而在 降解PMMA相同時(shí)交聯(lián)固化PS相。所述步驟7)中，去除PMMA相時(shí)使用冰醋酸浸泡2-4小時(shí)，從而溶解去除分解后的 PMMA 相。
本發(fā)明的基于模板和電場多場誘導(dǎo)聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)兩 嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，其基本原理是通過具有化學(xué)表面圖形的導(dǎo)電模板 (表面場)和電場共同作用調(diào)控兩嵌段共聚物微相分離的取向和形態(tài)，促使兩嵌段共聚物微 相分離在一定程度上進(jìn)行可控有序的排列，直接組裝出納米結(jié)構(gòu)。與單場調(diào)控技術(shù)相比，施 加兩種外場的組合，用雙軸驅(qū)動(dòng)力來控制嵌段共聚物微區(qū)的取向排列，可以避免自組裝有 序納米微結(jié)構(gòu)的衰退現(xiàn)象，同時(shí)減少了自組裝有序納米結(jié)構(gòu)的許多缺陷，并且可以有效的 縮短自組裝的時(shí)間，實(shí)現(xiàn)大面積、長程有序納米結(jié)構(gòu)的制造。為了實(shí)現(xiàn)模板的復(fù)用以及可重 復(fù)和一致性納米結(jié)構(gòu)的制造，借鑒納米壓印的原理，將模板反置于嵌段共聚物之上，自組裝 完成后模板與嵌段共聚物相互分離(相當(dāng)于納米壓印的脫模)。這一方面實(shí)現(xiàn)模板的復(fù)用， 另一方面由于沒有壓印力的存在，模板與段共聚物粘附性小，易于脫模，避開了納米壓印由 于比較大的壓印力導(dǎo)致的聚合物與模板粘連或粘附，造成脫模困難，以及由于充填不完全 而導(dǎo)致的許多缺陷。這完全不同于納米壓印基于壓力驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致抗蝕劑變形的成形原理，克 服了納米壓印模具與抗蝕劑粘附以及充填不完全等技術(shù)難題。模板和電場誘導(dǎo)嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法如下。整個(gè)裝置由四 部分組成具有化學(xué)表面圖形的導(dǎo)電模板；兩嵌段共聚物PS-b-PMMA ；導(dǎo)電化的基底；直流 電場(其陽極與模板相連，陰極與基底相連)。模板由導(dǎo)電層和具有化學(xué)表面圖形的模具組 成，化學(xué)表面圖形對兩嵌段共聚物PMMA相具有偏好性或良好浸潤性，而對PS相的浸潤則表 現(xiàn)為中性。模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝制造納米結(jié)構(gòu)的具體方法
(1).將兩嵌段共聚物PS-b-PMMA旋涂在導(dǎo)電基底(襯底)之上；隨后在導(dǎo)電模具和襯底 之間施加直流電場，并進(jìn)行退火處理，在模板和電場誘導(dǎo)下兩嵌段共聚物產(chǎn)生微相分離，并 按照設(shè)計(jì)的方向取向和排列，直接組裝出高度有序的納米結(jié)構(gòu)；
(2).將模板移除，然后采用深度UV曝光，降解PMMA相同時(shí)交聯(lián)固化PS相；
(3).去除PMMA相，在PS相上復(fù)制出模板的特征結(jié)構(gòu)。所制作納米結(jié)構(gòu)的1和_7方向特征取決于模板上的圖形特征，名向特征形狀的生 長通過外加電場和兩嵌段共聚物初始涂層厚度來控制。該方法可進(jìn)一步結(jié)合“沉積”、“電鑄”、“刻蝕”、“Lift-off”等工藝將特征圖形轉(zhuǎn)移 到基底或者其它功能材料上，實(shí)現(xiàn)功能納米結(jié)構(gòu)(金屬或非金屬)的制作。本方法的顯著特征是(1)它是一種“自上而下”和“自下而上”相結(jié)合的納米制 造方法；(2)可以實(shí)現(xiàn)大面積、長程有序亞lOnm (Sub-10nm)結(jié)構(gòu)的制造；(3)自組裝時(shí)間 短；模板可以重復(fù)使用(這既實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的可重復(fù)和一致性的制造又極大的降低了生產(chǎn) 成本)；(4)該方法特別適合高密度和周期性陣列納米孔、納米柱以及層狀等納米結(jié)構(gòu)的制 造；(5)具有成本低、一致性和可重復(fù)性好、適合批量化制造的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)工藝路線圖。圖2a是本發(fā)明模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝層狀納米結(jié)構(gòu)的裝置和方 法示意圖。圖2b是本發(fā)明模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝層狀納米結(jié)構(gòu)的裝置和方 法示意圖。
圖2c是本發(fā)明模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝層狀納米結(jié)構(gòu)的裝置和方 法示意圖。圖3a是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板的結(jié)構(gòu)和制造示意圖。圖3b是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板的結(jié)構(gòu)和制造示意圖。圖3c是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板的結(jié)構(gòu)和制造示意圖。圖3d是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板的結(jié)構(gòu)和制造示意圖。圖3e是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板的結(jié)構(gòu)和制造示意圖。圖3f是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板的結(jié)構(gòu)和制造示意圖。其中，1.導(dǎo)電模板，2.兩嵌段共聚物PS-b-PMMA，21.PS相，22.PMMA相，3.基底， 4.直流電場，5.硅襯底，6.導(dǎo)電金屬層，7具有改性的化學(xué)表面圖形的模具，71.沒有改性的 自組裝單分子層PETS，72.改性后的自組裝單分子層PETS，8.氧化銦錫IT0，9.光刻膠。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖2a_圖2c中，它包括一個(gè)具有化學(xué)表面圖形的導(dǎo)電模板1、兩嵌段共聚物 PS-b-PMMA2、導(dǎo)電化的基底3和直流電場4，其中兩嵌段共聚物PS-b-PMMA2置于導(dǎo)電模板1 和基底3之間，導(dǎo)電模板1與直流電場4的陽極連接，基底3則與直流電場4的陰極連接。其中，基底3由硅襯底5及硅襯底5上鋪設(shè)的導(dǎo)電金屬層6組成，導(dǎo)電金屬層6與 直流電場4的陰極連接。兩嵌段共聚物PS-b_PMMA2由PS相21和PMMA相22組成。導(dǎo)電模板1由氧化銦錫IT08和具有改性的化學(xué)表面圖形的模具7組成，其中具有 改性的化學(xué)表面圖形的模具7由沒有改性的自組裝單分子層PETS71以及改性后的自組裝 單分子層PETS72組成(對圖形區(qū)域進(jìn)行化學(xué)改性處理，使該區(qū)域偏好PMMA相，即對PMMA相 具有良好的浸潤特性，而對PS相的浸潤則表現(xiàn)為中性)?；谀０搴碗妶稣T導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)路線參見 圖1，包括①導(dǎo)電模板1的制造；②基底3預(yù)處理；③在基底3上旋涂兩嵌段共聚物 PS-b-PMMA2 ；④施加直流電場4并退火處理直接組裝納米結(jié)構(gòu)；⑤移除導(dǎo)電模板1 ；⑥深度 UV曝光降解PMMA相22的同時(shí)交聯(lián)PS相21 ；⑦去除兩嵌段共聚物PS-b_PMMA2的PMMA相 22 ；⑧PS相圖形轉(zhuǎn)移到基底或其它功能材料。本發(fā)明以垂直于基底3層狀納米結(jié)構(gòu)的制作為實(shí)施例，圖2a_圖2c是基于本發(fā)明 制造垂直于基底的層狀納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法示意圖。具體的制作工藝步驟
1)導(dǎo)電模板的制造
本發(fā)明使用的導(dǎo)電模板1由氧化銦錫IT08和具有改性的化學(xué)表面圖形的模具7組成， 模具化學(xué)表面圖形(表面場)對兩嵌段共聚物PMMA相22具有偏好性或良好浸潤性，而對PS 相21的浸潤則表現(xiàn)為中性。圖3a-圖3f是本發(fā)明具有化學(xué)表面圖形導(dǎo)電模板制造的結(jié)構(gòu) 和制造工藝示意圖。該模板以氧化銦錫(IT0)為導(dǎo)電層，化學(xué)表面圖形以自組裝單分子層 Phenylethyltrichlorosilane (PETS)為基體材料，通過對圖形區(qū)域進(jìn)行化學(xué)改性處理，使 該區(qū)域偏好PMMA相22，即對PMMA相22具有良好的浸潤特性，而對PS相21的浸潤則表現(xiàn) 為中性。模板的具體制造方法(a)圖3a中，以氧化銦錫IT08為基底，在其上形成自組裝單分子層PETS; (b)圖3b中，在自組裝單分子層PETS之上旋涂光刻膠9; (c)圖3c中，電 子束曝光、顯影后得到溝槽裝納米結(jié)構(gòu)圖形；(d)圖3d中，曝光的圖形化學(xué)改性處理，使之 對PMMA相22具有良好的浸潤性(在氧氣環(huán)境中用軟X光照射，曝光圖形被改性，該區(qū)域偏 好PMMA相22)成為改性后的自組裝單分子層PETS72 ； (e)圖3e中，去除光刻膠，未曝光圖 形(沒有改性的自組裝單分子層為PETS71)對兩嵌段共聚物保持中性。制作完成后的模板 俯視圖如圖3f所示。2)基底3預(yù)處理
對于非導(dǎo)電的基底3，需要在其上生成一層導(dǎo)電金屬層6，使基底具有導(dǎo)電性。本實(shí)施 例以包覆金的硅襯底(Gold-coatedsiliconsubstrate)為基底。3 )旋涂兩嵌段共聚物PS-b_PMMA2
在基底3上旋涂兩嵌段共聚物PS-b-PMMA2 (體積分?jǐn)?shù)/為0. 7)，其厚度為1 μ m。4)施加直流電場4并退火處理直接組裝納米結(jié)構(gòu)
在導(dǎo)電模板1和基底3之間施加垂直于基底3的直流電場30V/ym，其陽極與導(dǎo)電模 板1相連，陰極與基底3相連。并在170°C下退火10小時(shí)，兩嵌段共聚物PS-b-PMMA2發(fā)生 微相分離，直接組裝出垂直于基底3的層狀納米結(jié)構(gòu)。5)導(dǎo)電模板移除
導(dǎo)電模板與兩嵌段共聚物PS-b-PMMA2分離，移除模板。6)深度UV曝光降解兩嵌段共聚物PS-b_PMMA2的PMMA相22的同時(shí)交聯(lián)固化PS 相21 ；
深紫外光曝光(劑量為25J/cm2)，在降解PMMA相22同時(shí)交聯(lián)固化PS相21。7)去除 PMMA 相 22
使用冰醋酸浸泡2小時(shí)，溶解去除分解后的PMMA相22。8) PS相圖形轉(zhuǎn)移到基底或其它功能材料
通過“刻蝕”、“沉積”、“電鑄”、“Lift-off”等工藝將特征圖形轉(zhuǎn)移到襯底或者其它功能 材料上，實(shí)現(xiàn)功能納米結(jié)構(gòu)(金屬或非金屬)的制作。本發(fā)明在導(dǎo)電模板1和基底3之間施加的直流電場4范圍是30 40V/ μ m ； 本發(fā)明的還可以使用聚酞亞胺薄膜上真空鍍鋁(AluminizedKapton，Kapton/AI)或者
娃(Silicon)為基底。本發(fā)明使用的退火溫度必須高于兩嵌段共聚物兩分相的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(即對于 PS 是 105°C，PMMA 是 115°C )，退火溫度采用 160°C 190°C。
權(quán)利要求
一種兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征是，它包括一個(gè)具有化學(xué)表面圖形的導(dǎo)電模板、聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯PS-b-PMMA兩嵌段共聚物、導(dǎo)電化的基底和直流電場，其中兩嵌段共聚物PS-b-PMMA置于導(dǎo)電模板和基底之間，導(dǎo)電模板與直流電場的陽極連接，基底則與直流電場的陰極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征是，所述基底 由硅層及硅層上鋪設(shè)的導(dǎo)電金屬層組成，導(dǎo)電金屬層與直流電場的陰極連接。
3.如權(quán)利要求1所述的兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征是，所述導(dǎo)電 模板由導(dǎo)電層和具有改性的化學(xué)表面圖形的模具組成，導(dǎo)電層與陽極連接，化學(xué)表面圖形 對兩嵌段共聚物PMMA相具有偏好性或浸潤性，而對PS相的浸潤則為中性。
4.一種采用權(quán)利要求1所述的兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征是，它 是一種自上而下和自下而上相結(jié)合的納米制造方法，其具體步驟為1)制造導(dǎo)電模板；2)對基底預(yù)處理；3)在基底上旋涂兩嵌段共聚物PS-b-PMMA；4)施加直流電場并退火處理直接組裝納米結(jié)構(gòu)；5)移除導(dǎo)電模板，將導(dǎo)電模板與兩嵌段共聚物分離；6)深度UV曝光降解PMMA相同時(shí)交聯(lián)固化PS相；7)去除PMMA相；8)PS相圖形轉(zhuǎn)移到基底。
5.如權(quán)利要求4所述的模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，其特 征是，所述步驟3)中，在基底上旋涂兩嵌段共聚物PS-b-PMMA時(shí)，其體積分?jǐn)?shù)/為0. 6-0.8， 其厚度為1-3 μ m。
6.如權(quán)利要求4所述的模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，其特 征是，所述步驟4)中，在導(dǎo)電模板和基底之間施加垂直于基底的直流電場30 40V/ μ m，其 陽極與導(dǎo)電模板相連，陰極與基底相連，并在160°C 190°C下退火8-12小時(shí)，兩嵌段共聚 物發(fā)生微相分離，直接組裝出垂直于基底的層狀納米結(jié)構(gòu)；納米結(jié)構(gòu)的1和_7方向特征取決 于模板上的圖形特征，^向特征形狀的生長通過外加電場和兩嵌段共聚物初始涂層厚度來 控制。
7.如權(quán)利要求4所述的模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，其特 征是，所述步驟6)中，采用深紫外光曝光，劑量為25J/cm2，曝光時(shí)間為2-5分鐘，從而在降 解PMMA相同時(shí)交聯(lián)固化PS相。
8.如權(quán)利要求4所述的模板和電場誘導(dǎo)兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的方法，其 特征是，所述步驟7)中，去除PMMA相時(shí)使用冰醋酸浸泡2-4小時(shí)，從而溶解去除分解后的 PMMA 相。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種兩嵌段共聚物直接組裝納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法。整個(gè)裝置包括一個(gè)具有化學(xué)表面圖形的導(dǎo)電模板、兩嵌段共聚物PS-b-PMMA、導(dǎo)電化的基底和直流電場，其中兩嵌段共聚物PS-b-PMMA置于導(dǎo)電模板和基底之間。通過具有化學(xué)表面圖形的導(dǎo)電模板和電場共同作用調(diào)控兩嵌段共聚物微相分離的取向和形態(tài)，促使兩嵌段共聚物微相分離在一定程度上進(jìn)行可控有序的排列，直接組裝出納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)大面積、長程有序Sub-10nm結(jié)構(gòu)的制造，特別適合高密度和周期性陣列納米孔、納米柱以及層狀等納米結(jié)構(gòu)的制造。
文檔編號B82B3/00GK101837950SQ20101017956
公開日2010年9月22日 申請日期2010年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月24日
發(fā)明者丁玉成, 蘭紅波 申請人:山東大學(xué)