電暈點(diǎn)火裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電暈點(diǎn)火裝置，其具有如已知專利DE 10 2012 108 251 Al中權(quán)利要求I的前序部分中所述的特征。
【背景技術(shù)】
[0002]這種電暈點(diǎn)火裝置的絕緣體的一端部伸出電暈點(diǎn)火裝置的殼體。對(duì)于絕緣體的形狀，特別是其端部，許多變型眾所周知。因此，例如，EP I 869 739 BI公開了一種電暈點(diǎn)火裝置，其隔離器具有一圓柱形端部，US 2010/0175655A1公開了一種電暈點(diǎn)火裝置，其絕緣體具有一形狀為切去頂端的圓錐體的端部，所述切去頂端的圓錐體的錐角為銳角，EP I875 571 BI公開了一種電暈點(diǎn)火裝置，其絕緣體具有一形狀為切去頂端的圓錐體的端部，所述切去頂端的圓錐體的錐角為鈍角，且US 2013/0003251A1公開了一種電暈點(diǎn)火裝置，其絕緣體具有一圓錐形的凹槽，凹槽中設(shè)置有多個(gè)中心電極的點(diǎn)火尖。
[0003]絕緣體對(duì)電暈點(diǎn)火裝置的功能和使用壽命的影響很復(fù)雜。運(yùn)行期間，由于熱應(yīng)力或溫度沖擊可能會(huì)產(chǎn)生燃料殘?jiān)练e以及裂縫，這會(huì)對(duì)電暈點(diǎn)火裝置的功能產(chǎn)生負(fù)面影響。此外，由于絕緣體與插入其中的中心電極熱耦合，絕緣體還影響中心電極的點(diǎn)火尖的溫度，從而也間接地影響點(diǎn)火尖的點(diǎn)火特性和磨損。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目標(biāo)是描述如何改善電暈點(diǎn)火裝置的功能和使用壽命。
[0005]該目標(biāo)通過本發(fā)明所述電暈點(diǎn)火裝置實(shí)現(xiàn)。
[0006]在根據(jù)本發(fā)明的一種電暈點(diǎn)火裝置中，絕緣體插入殼體中，且其一端部在燃燒室側(cè)伸出殼體的前端。該端部在殼體上彎曲成圓頂狀的形式，并完全或部分覆蓋殼體的前端。在殼體的前端，絕緣體的端部因此具有比殼體中的絕緣體更大的寬度。
[0007]絕緣體的這種形狀一方面產(chǎn)生足夠高的表面溫度，以便最大程度地避免燃油殘?jiān)练e，另一方面其能夠?qū)崿F(xiàn)均衡的吸熱和散熱，從而可以避免絕緣體表面上的局部溫度峰值。這是非常重要的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)榫植繙囟确逯诞a(chǎn)生熱應(yīng)力并從而加速形成裂縫，并可能導(dǎo)致不合需要的燃料灼熱點(diǎn)火。
[0008]由于殼體的外部，絕緣體首先變寬并從而覆蓋殼體的前端，還實(shí)現(xiàn)了良好的電氣屏蔽，因此，在中心電極和電暈點(diǎn)火裝置的殼體之間形成不合需要的電弧放電變得很難。
[0009]通過圓頂形的彎曲，避免了絕緣體的外表面上的邊緣和緊縮的曲率半徑，這對(duì)隔離器均勻的表面溫度還有電暈點(diǎn)火裝置的電氣屬性來說是有利的。圓頂狀彎曲具有一頂點(diǎn)，在該頂點(diǎn)處，中心電極伸出絕緣體和一根圓，圓頂狀彎曲從根圓延伸出來。
[0010]在本發(fā)明有利的改進(jìn)中，通過彎曲頂點(diǎn)的絕緣體的圓頂形彎曲的每個(gè)縱向部分在各處具有一曲率半徑，該曲率半徑至少為彎曲的根圓的半徑的三分之一。例如，通過彎曲頂點(diǎn)的絕緣體的圓頂形彎曲的每個(gè)縱向部分在各處可具有一曲率半徑，該曲率半徑至少為彎曲的根圓的半徑的一半或者甚至為彎曲的根圓的半徑的三分之二或更多。
[0011]本發(fā)明進(jìn)一步有利的改進(jìn)為絕緣體的圓頂形彎曲為扁長(zhǎng)的。因此，圓頂形彎曲從根圓的平面至頂點(diǎn)的高度大于根圓的半徑。這能夠?qū)崿F(xiàn)隔離器更高的表面溫度，抵消了燃燒殘?jiān)某练e作用。例如，彎曲的高度可為根圓直徑的60%或更大，特別是70%或更大。彎曲的高度優(yōu)選地對(duì)應(yīng)于絕緣體伸出殼體的長(zhǎng)度。根圓的直徑也優(yōu)選地為絕緣體的最大直徑。
[0012]圓頂形彎曲的高度可能大于根圓的直徑；但是，這并沒有什么優(yōu)勢(shì)。彎曲的高度因此優(yōu)選為小于根圓的直徑，例如，不大于根圓直徑的90%，或者甚至只有根圓直徑的70%或更小。
[0013]本發(fā)明另一個(gè)有利的改進(jìn)為殼體在其前端具有一對(duì)應(yīng)于絕緣體的最大直徑的直徑。因此，絕緣體可與殼體齊平，并在中心電極和殼體之間產(chǎn)生良好的屏蔽。
【附圖說明】
[0014]本發(fā)明進(jìn)一步的細(xì)節(jié)和優(yōu)勢(shì)將通過參照附圖的說明性的實(shí)施例進(jìn)行描述。相同和相應(yīng)的組件采用相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。附圖中:
[0015]圖1所示為一種電暈點(diǎn)火裝置的縱截面圖的原理圖；和
[0016]圖2所示為圖1的細(xì)節(jié)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]圖1中以縱向部分示意性地表示的電暈點(diǎn)火裝置產(chǎn)生電暈放電，在發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室內(nèi)點(diǎn)燃燃料。電暈點(diǎn)火裝置具有一外殼1，在前端通過一隔離器2封閉。一中心電極3伸出絕緣體2的前端，所述中心電極3具有一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)火尖。中心電極3連同絕緣體2和外殼I形成一電容器，所述電容器與一線圈4串聯(lián)連接，所述線圈4連接至中心電極3。該電容和線圈4為一電諧振電路的一部分。通過激勵(lì)該諧振電路，可在中心電極3的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)火尖處產(chǎn)生電暈放電。
[0018]圖2所示為縱向截面圖中電暈點(diǎn)火裝置的前端。絕緣體2的一端部2a伸出殼體I的前端。該端部2a在殼體I上彎曲為一圓頂形的形式。因此，絕緣體2在殼體I的外部變寬，并覆蓋殼體I的前端，即其前面。因此，絕緣體2的最大寬度對(duì)應(yīng)于殼體I在前殼體端部處的寬度。
[0019]絕緣體2的圓頂形彎曲具有一頂點(diǎn)，在該頂點(diǎn)處，中心電極3伸出絕緣體2。圓頂形彎曲從底部或根圓5延伸出來，清晰起見，圖2中繪制為虛線。在根圓處，圓頂形彎曲具有其最大的直徑，且因此絕緣體2具有其最大的寬度。
[0020]圖2中所示的縱截面通過絕緣體2的圓頂形彎曲的頂點(diǎn)。該縱截面的彎曲的輪廓2c具有一在彎曲頂點(diǎn)和彎曲根圓之間不斷改變的曲率半徑。在頂點(diǎn)處，曲率半徑為最小值，且朝向根圓嚴(yán)格單調(diào)地增大。輪廓2c的曲率半徑在任何位置至少為圓頂形彎曲的根圓的半徑的一半。例如，在根圓和頂點(diǎn)之間，輪廓2c的曲率半徑在任何位置可為至少根圓半徑的60%，特別地為至少三分之二或更多。絕緣體2可關(guān)于其縱軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
[0021]在所示的實(shí)施例中，曲率不斷改變。但是，圓頂形彎曲也可由直紋曲面組成。在這種情況下，曲率半徑直到根圓嚴(yán)格單調(diào)地增大。
[0022]絕緣體2的圓頂形彎曲的縱向部分的輪廓2c可為例如橢圓形的或者拋物線形的。
[0023]圓頂形彎曲從絕緣體2的根圓至頂點(diǎn)的高度對(duì)應(yīng)于絕緣體2伸出殼體I的長(zhǎng)度。在所示示例性的實(shí)施例中，絕緣體2伸出殼體I 一長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度大于絕緣體2的最大寬度的一半，因此大于根圓的半徑。例如，彎曲的高度可為絕緣體2的最大寬度的60%或更大。特別有利地，在所示示例性的實(shí)施例中，彎曲的高度可為絕緣體2的最大寬度的70%或更大。在所示示例性的實(shí)施例中，彎曲的高度小于根圓的直徑，且為例如絕緣體2的最大寬度的90%或更小。特別有利地，彎曲的高度可為絕緣體2的最大寬度的80%或更小。
[0024]殼體I具有一端部，所述端部的外表面與絕緣體2的圓頂形彎曲齊平。在其根圓處，彎曲可相切地連接至該端部的外表面。殼體I的該前端部的形狀可為圓柱形或者在其外側(cè)略微變尖。在殼體I的前端處，殼體的外直徑對(duì)應(yīng)于絕緣體2的外直徑，并從而對(duì)應(yīng)于根圓的直徑。
[0025]在所示的實(shí)施例中，中心電極3具有多個(gè)點(diǎn)火尖3a?；旧?，一個(gè)點(diǎn)火尖就足夠了。具有多個(gè)伸出絕緣體2的點(diǎn)火尖3a的中心電極3具有更大量地產(chǎn)生電暈放電的優(yōu)勢(shì)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電暈點(diǎn)火裝置，包括 一絕緣體⑵； 一殼體(I)，所述殼體在前端通過所述絕緣體(2)封閉； 一中心電極(3)，所述中心電極伸出絕緣體(2)的前端，并具有至少一個(gè)點(diǎn)火尖(3a); 其中，絕緣體⑵伸出殼體(I)，且在殼體⑴外部變寬； 其特征在于:絕緣體(2)在殼體(I)的前端以圓頂形彎曲的形式彎曲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:絕緣體(2)的圓頂形彎曲的縱截面具有一在彎曲的頂點(diǎn)和彎曲的根圓(5)之間變化的曲率半徑，其中曲率半徑在任何位置處都至少為圓頂形彎曲的根圓(5)的半徑的三分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:絕緣體(2)的圓頂形彎曲的縱截面具有一在彎曲的頂點(diǎn)和彎曲的根圓(5)之間變化的曲率半徑，其中曲率半徑在任何位置處都至少為圓頂形彎曲的根圓(5)的半徑的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:曲率半徑從彎曲的頂點(diǎn)至彎曲的根圓(5)單調(diào)地增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:曲率半徑從彎曲的頂點(diǎn)至彎曲的根圓(5)嚴(yán)格單調(diào)地增大。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:在彎曲的頂點(diǎn)處，中心電極⑶伸出絕緣體(2)。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:絕緣體(2)伸出殼體(I) 一長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度大于絕緣體(2)的最大寬度的一半。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:絕緣體(2)伸出殼體(I) 一長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度介于絕緣體(2)的最大寬度的60%至90%之間。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:絕緣體(2)伸出殼體(I) 一長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度介于絕緣體(2)的最大寬度的70%至80%之間。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:絕緣體(2)的圓頂形彎曲的縱截面具有橢圓形或拋物線形的輪廓。
11.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:殼體(I)具有一直徑，該直徑對(duì)應(yīng)于絕緣體(2)的最大直徑。
12.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:殼體(I)具有一端部，所述端部的外表面與絕緣體(2)的彎曲齊平，其中所述彎曲在其根圓(5)處相切地連接至殼體(I)的端部的外表面。
13.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電暈點(diǎn)火裝置，其特征在于:一線圈設(shè)置于殼體⑴中，所述線圈連接至中心電極(3)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電暈點(diǎn)火裝置，包括一絕緣體(2)，一殼體(1)，所述殼體在其前端由絕緣體(2)封閉，一中心電極(3)，所述中心電極伸出絕緣體(2)的前端，并具有至少一個(gè)點(diǎn)火尖(3a)，其中絕緣體(2)伸出殼體(1)，且在殼體(1)的外部變寬。根據(jù)本發(fā)明，絕緣體(2)在殼體(1)的前端以圓頂形彎曲的形式彎曲。
【IPC分類】H01T13-46, F02P23-04, H01T13-50
【公開號(hào)】CN104747343
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410564526
【發(fā)明人】S·博內(nèi), T·施蒂費(fèi)爾, J·魏森巴赫爾
【申請(qǐng)人】博格華納路德維希堡有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2014年10月21日
【公告號(hào)】DE102014112674A1, US20150116888