本發(fā)明涉及一種催化器載體的封裝方法及其后處理組件。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)通常采用將載體與襯墊塞入金屬殼體中，之后采用特制的整形機(jī)對封裝殼體進(jìn)行縮徑整形，最后在其兩端焊接沖壓成型后的端錐進(jìn)行后處理組件的制造。然而，焊接和沖壓端錐需要耗費(fèi)較大工時和成本、傳統(tǒng)殼體整形機(jī)設(shè)備成本投入也較大。另外，在焊接處容易形成失效，從而影響產(chǎn)品的耐久性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種封裝方法簡單且產(chǎn)品性能可靠的催化器載體的封裝方法及其后處理組件。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

作為本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，一種催化器載體的封裝方法，其包括如下步驟：

S1：提供一個中空的一體式殼體；

S2：提供襯墊，并將所述襯墊包裹在催化器載體上；

S3：將包裹有所述襯墊的所述催化器載體塞入所述殼體中；

S4：利用旋壓機(jī)對與所述襯墊相接觸的殼體進(jìn)行旋壓，使所述殼體的直徑縮小到目標(biāo)直徑，并通過壓緊所述襯墊產(chǎn)生的面壓力來保持所述催化器載體在所述殼體里面不軸向串動；

S5：逐漸增加旋壓輪的進(jìn)給量對位于所述襯墊兩側(cè)的殼體進(jìn)行旋壓，并形成端錐；其中所述端錐在所述殼體的徑向上與所述催化器載體不接觸。

作為本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，在步驟S1中，所述殼體呈圓筒狀。

作為本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案，所述催化器載體為陶瓷載體。

本發(fā)明還揭示了一種由上述封裝方法而制成的后處理組件，其中，所述端錐與所述殼體為一體化成型。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明封裝方法中工藝一體化完成，降低了封裝成本、省略了焊接成本、端錐沖壓成本和較長的工時成本。將現(xiàn)有技術(shù)中的焊接連接轉(zhuǎn)為一體式旋壓，可完全避免焊接強(qiáng)度對耐久壽命的削弱，整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及耐久性大幅提高。對封裝來講，與傳統(tǒng)整形工藝對比，GBD控制較為嚴(yán)格，旋壓后殼體的圓度控制更為精確，同時可以避免整形夾具公差所造成的局部整形不到位或整形過量的問題。旋壓后的端錐尺寸和形狀都是由數(shù)控旋壓機(jī)的精度來保證的，相比傳統(tǒng)工藝，其尺寸和形狀公差將顯著地提高。另外，本發(fā)明的封裝方法簡單方便，只需要一臺旋壓機(jī)就可以完成整個系統(tǒng)的加工制造。

附圖說明

圖1是本發(fā)明催化器載體的封裝方法在催化器載體以及襯墊塞入后的剖面示意圖。

圖2是對圖1中的后處理組件進(jìn)行旋壓的剖面示意圖。

圖3是圖2中的后處理組件在旋壓之后的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

請參圖1至圖3所示，本發(fā)明揭示了一種催化器載體的封裝方法，其包括如下步驟：

S1：提供一個中空的一體式殼體1；

S2：提供襯墊2，并將所述襯墊2包裹在催化器載體3上；

S3：將包裹有所述襯墊2的所述催化器載體3塞入所述殼體1中；

S4：利用旋壓機(jī)的旋壓輪4對與所述襯墊2相接觸的殼體1進(jìn)行旋壓，使所述殼體1的直徑由原始的直徑D1縮小到目標(biāo)直徑D2，并通過壓緊所述襯墊2產(chǎn)生的面壓力來保持所述催化器載體3在所述殼體1里面不軸向串動；

S5：通過調(diào)整旋壓深度，逐漸增加旋壓輪4的進(jìn)給量對位于所述襯墊2兩側(cè)的殼體1進(jìn)行旋壓，并形成端錐11；其中所述端錐11在所述殼體1的徑向上與所述催化器載體3不接觸。

在步驟S1中，所述殼體1呈圓筒狀，常用材料為441、409、304等不銹鋼，厚度常見為1.2mm或1.5mm。

所述催化器載體3為陶瓷載體，常見為CCC、UFC、DOC、SCR等。

在步驟S4中，旋壓過程中需要嚴(yán)格計算并控制旋壓深度，因?yàn)樵谛龎哼^程中，襯墊2產(chǎn)生的壓縮力會逐漸增加，若旋壓過量會有催化器載體3被壓碎的風(fēng)險。

在步驟S5中，在從殼體1過度到端錐11旋壓的過程中，要嚴(yán)格控制旋壓角度和旋壓突變的位置，角度不宜過劇烈以免裂紋產(chǎn)生，同時旋壓突變的位置嚴(yán)格禁止與襯墊2的區(qū)域有所重疊。

請參圖3所示，本發(fā)明還涉及一種由上述封裝方法所形成的后處理組件100，其中所述端錐11與所述殼體1為一體化成型。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的封裝方法中工藝一體化完成，降低了封裝成本、省略了焊接成本、端錐沖壓成本和較長的工時成本。將現(xiàn)有技術(shù)中的焊接連接轉(zhuǎn)為一體式旋壓，可完全避免焊接強(qiáng)度對耐久壽命的削弱，整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及耐久性大幅提高。對封裝來講，與傳統(tǒng)整形工藝對比，GBD控制較為嚴(yán)格，旋壓后殼體的圓度控制更為精確，同時可以避免整形夾具公差所造成的局部整形不到位或整形過量的問題。旋壓后的端錐尺寸和形狀都是由數(shù)控旋壓機(jī)的精度來保證的，相比傳統(tǒng)工藝，其尺寸和形狀公差將顯著地提高。另外，本發(fā)明的封裝方法簡單方便，只需要一臺旋壓機(jī)就可以完成整個系統(tǒng)的加工制造。

另外，以上實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而并非限制本發(fā)明所描述的技術(shù)方案，對本說明書的理解應(yīng)該以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員為基礎(chǔ)，盡管本說明書參照上述的實(shí)施例對本發(fā)明已進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員仍然可以對本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換，而一切不脫離本發(fā)明的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進(jìn)，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。