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一種溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器的制作方法

文檔序號:12643508閱讀:520來源:國知局

本發(fā)明涉及高溫氣體處理領(lǐng)域,具體而言,涉及一種溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器。



背景技術(shù):

在使用氣化爐的煤氣化過程中,以漿態(tài)或粉態(tài)形式進(jìn)料的含碳物質(zhì),在氣化劑的作用下,發(fā)生部分氧化反應(yīng)生成高溫氣體,部分未被氧化的含碳物質(zhì)與原料中的無機(jī)氧化物在高溫下形成熔融態(tài)的灰渣,即為雜質(zhì)。含雜質(zhì)高溫氣體或者雜質(zhì)裹挾一部分高溫氣體進(jìn)入下游氣體(或雜質(zhì))處理區(qū)?;以跓崴苄誀顟B(tài)時會靠重力通過喉管下流至氣化爐處理區(qū),或者當(dāng)反應(yīng)區(qū)溫度降低時,灰渣流動性將降低,甚至固化封閉喉管;而當(dāng)反應(yīng)區(qū)溫度升高時,灰渣流動性將提高,但也會加大對喉管侵蝕和磨損。進(jìn)入氣化爐處理區(qū)的包含灰渣的合成氣將與水浴直接接觸,當(dāng)接觸面積不足時,合成氣及灰渣不能得到充分冷卻,因其高溫而產(chǎn)生的高熱沖擊將對處理區(qū)結(jié)構(gòu)造成一定的破壞,另外,由于灰渣分布不均勻,部分灰渣也會積聚在喪失水浴保護(hù)的處理區(qū)結(jié)構(gòu)上,造成合成氣流通面積減小,導(dǎo)致合成氣在處理區(qū)流速增高,對合成氣的品質(zhì)造成負(fù)面影響。最常發(fā)生的是氣化爐的縮頸喉管會比氣化爐其他部分有更大的損壞,喉管將趨于因高溫作用產(chǎn)生的燒損或由于灰渣流動產(chǎn)生的磨損以及該處的耐高溫材料因經(jīng)常遭受熱震而被侵蝕掉,從而制約了氣化爐的長周期穩(wěn)定運(yùn)行。

鑒于以上原因,本發(fā)明提供一種溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器,代替?zhèn)鹘y(tǒng)喉管連接反應(yīng)區(qū)和處理區(qū),有效保護(hù)外側(cè)的冷壁免受高溫的侵蝕,提高連通結(jié)構(gòu)的使用壽命。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器,用以連接反應(yīng)區(qū)和處理區(qū),提高連通結(jié)構(gòu)的使用壽命。

為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器,所述連通器的器壁包括冷壁和耐高溫材料,其中,所述冷壁為所述連通器的器壁的最外層,其內(nèi)通冷卻介質(zhì),所述耐高溫材料鋪設(shè)在所述冷壁內(nèi)側(cè);所述連通器自上而下的結(jié)構(gòu)依次是:拱形溢流堰、第一直流段、擴(kuò)口段及第二直流段,所述拱形溢流堰的端面與反應(yīng)區(qū)的內(nèi)壁相接,形成凹陷,當(dāng)熔融態(tài)灰渣沿反應(yīng)區(qū)的內(nèi)壁流下時,積聚在所述凹陷處,直至所述熔融態(tài)灰渣聚積超過所述拱形溢流堰的最高點(diǎn),所述熔融態(tài)灰渣溢過所述拱形溢流堰,沿著所述第一直流段、所述擴(kuò)口段及所述第二直流段流至所述處理區(qū)。

其中,所述擴(kuò)口段的擴(kuò)口角度大于0°且小于180°。

其中,所述拱形溢流堰的端面與反應(yīng)區(qū)的內(nèi)壁相接處低于所述拱形溢流堰的最高點(diǎn)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在:

本發(fā)明的溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器,將反應(yīng)區(qū)和處理區(qū)連通,拱形溢流堰的最高點(diǎn)高于反應(yīng)區(qū)即含雜質(zhì)高溫氣體生成區(qū)與拱形溢流堰端面的交點(diǎn)相鄰的最低點(diǎn),形成凹陷,從而使在含雜質(zhì)高溫氣體生成區(qū)底部保持一定的熔融態(tài)灰渣,當(dāng)熔融態(tài)灰渣聚積到一定量時,自然溢出向下流動,組織熔融態(tài)灰渣的集中、均勻下流,防止在長時間低負(fù)荷運(yùn)行后,負(fù)荷升高時,由于積存在高溫氣體生成區(qū)的灰渣迅速熔化,大量熔融態(tài)灰渣流入下游氣體(或雜質(zhì))處理區(qū)而造成堵塞的情況;溢流堰下方為直段、擴(kuò)口段、直段設(shè)計,由于擴(kuò)口段由呈錐形,便于熔融態(tài)灰渣能很好地與連通器邊緣分離,且不粘附在下游處理區(qū)壁上。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器的縱剖面示意圖。

附圖標(biāo)記說明:1-反應(yīng)區(qū)壁;2-冷壁;3-耐高溫材料;4-固態(tài)灰渣層;5-含雜質(zhì)的高溫氣體;6-拱形溢流堰;7-第一直段;8-擴(kuò)口段;9-第二直段。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1,圖1為本發(fā)明一個實(shí)施例的溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器的縱剖面示意圖。如圖1所示,從形狀結(jié)構(gòu)來說,本發(fā)明的溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器,包括拱形溢流堰6、第一直流段7、擴(kuò)口段8及第二直流段9,拱形溢流堰6的端面與反應(yīng)區(qū)壁1的內(nèi)壁相連,連接面用A表示,拱形溢流堰6的最高點(diǎn)為B,A點(diǎn)低于B點(diǎn),使拱形溢流堰6的端面與反應(yīng)區(qū)壁1在A處形成凹陷,擴(kuò)口段8的擴(kuò)口角度α為0°~180°之間的一個角度;從材料構(gòu)成來說,本發(fā)明的溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器的器壁包括冷壁2和耐高溫材料3,其中,冷壁2為所述連通器的器壁的最外層,冷壁2內(nèi)部通有冷卻介質(zhì),用于冷卻熔融態(tài)的灰渣,冷壁2內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有耐高溫材料3,使熔融態(tài)的灰渣與冷壁2隔開,有效避免灰渣中的腐蝕性物質(zhì)對冷壁2的侵蝕。在冷壁2的冷卻作用下,耐高溫材料3的表層形成固態(tài)灰渣層4。

具體實(shí)施時,如圖1所示,高溫熔融態(tài)的灰渣和合成氣的混合物從反應(yīng)區(qū)流向連通器,一方面,部分混合物隨合成氣一起向下流,由于耐高溫材料3在冷壁2內(nèi)的冷卻介質(zhì)作用下溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于混合物,耐高溫材料3接觸的熔融態(tài)灰渣快速冷卻,流動性迅速喪失,結(jié)成固態(tài)渣層4;另一方面,高溫混合物靠近反應(yīng)區(qū)壁1的地方,大量熔融態(tài)的灰渣在反應(yīng)區(qū)壁1的內(nèi)面附著,并在重力作用下沿反應(yīng)區(qū)壁1的內(nèi)面向下流動,當(dāng)熔融態(tài)的灰渣流至A處時,在A處的凹陷里積聚,直至積聚的熔融態(tài)的灰渣足夠多,熔融態(tài)的灰渣漫過拱形溢流堰6的最高點(diǎn)B點(diǎn),并向下流動,和前述的隨合成氣一起向下流的熔融態(tài)灰渣一起結(jié)成固態(tài)渣層4。由于熔融態(tài)的灰渣在A處的凹陷里積聚,會產(chǎn)生在凹陷里的流動,這樣,A處的凹陷里的熔融態(tài)的灰渣會比較均勻,從而均勻地從B點(diǎn)溢出,使固態(tài)渣層4的形成厚度沿一周分布比較均勻。隨著熔融態(tài)灰渣的不斷堆積,固態(tài)渣層逐漸增厚表面溫度也逐漸增高,當(dāng)熔融態(tài)灰渣的溫度降低梯度不足以使灰渣喪失流動性時,固態(tài)渣層厚度不再增加,最終固態(tài)渣層4將覆蓋耐高溫材料層3,后繼的高溫熔融態(tài)灰渣即在固態(tài)渣層4表面流動,也將不再對連通器產(chǎn)生磨損。

熔融態(tài)灰渣從拱形溢流堰6流下后,依次經(jīng)過第一直流段7、擴(kuò)口段8及第二直流段9流向處理區(qū),第一直流段7有對流下的熔融態(tài)灰渣有緩沖過渡作用,保證熔融態(tài)灰渣均勻進(jìn)入擴(kuò)口段8,擴(kuò)口段8的設(shè)計提高了熔融態(tài)灰渣向下流動的通暢,大大減小連通器堵塞幾率,擴(kuò)口段的擴(kuò)口角度α為0°~180°之間的一個角度,可靈活設(shè)計。

另外,本發(fā)明的溢流型含雜質(zhì)高溫氣體連通器也適用于合成器由下而上的情況。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)施例中的裝置中的模塊可以按照實(shí)施例描述分布于實(shí)施例的裝置中,也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實(shí)施例的一個或多個裝置中。上述實(shí)施例的模塊可以合并為一個模塊,也可以進(jìn)一步拆分成多個子模塊。

最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對其限制;盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。

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