1.一種納米晶體溶液的純化裝置，其特征在于，所述純化裝置包括：
溶液槽(1)，所述溶液槽(1)的內壁絕緣，所述溶液槽(1)用于盛放互溶溶劑，所述互溶溶劑與納米晶體溶液互溶，優(yōu)選所述互溶溶劑與所述納米晶體溶液中的溶劑相同；
至少一個過濾器(2)，各所述過濾器(2)的至少一部分放置在所述溶液槽(1)中，所述過濾器(2)用于盛放所述納米晶體溶液，放置在所述溶液槽(1)中的所述過濾器(2)的至少部分表面為納米級的過濾膜(20)；
電極，包括相互隔離設置的正電極(3)與負電極(4)，所述正電極(3)的第一端與所述負電極(4)的第一端分別設置在所述溶液槽(1)中，且具有所述過濾膜(20)的至少部分所述過濾器(2)設置在所述正電極(3)與所述負電極(4)之間，所述正電極(3)的第二端用于連接電源的正極，所述負電極(4)的第二端用于連接電源的負極。
2.根據(jù)權利要求1所述的純化裝置，其特征在于，所述過濾器(2)的表面包括至少兩個相對設置的所述過濾膜(20)，且相對的兩個所述過濾膜(20)分別靠近所述正電極(3)和所述負電極(4)設置，優(yōu)選所述過濾器(2)為六面體過濾器或者圓柱體過濾器。
3.根據(jù)權利要求1所述的純化裝置，其特征在于，所述過濾器(2)具有納米晶體溶液的入口和與所述入口相適配的密封蓋，所述密封蓋可拆卸。
4.根據(jù)權利要求1所述的純化裝置，其特征在于，所述納米晶體溶液包括納米晶體(01)，所述納米晶體(01)包括量子點、一維納米結構、二維納米結構與三維納米結構，所述過濾膜(20)的濾孔的孔徑小于所述納米晶體(01)的最小粒徑，或者所述納米晶體(01)在所述過濾膜(20)的最小投影面積大于所述過濾膜(20)的濾孔的孔面積，優(yōu)選所述過濾膜(20)的濾孔的孔徑在1～20nm之間。
5.一種納米晶體溶液的純化方法，待純化的納米晶體溶液包括納米晶體與雜質離子，其特征在于，所述純化方法包括：
對所述待純化的納米晶體溶液施加電場，使得所述雜質離子定向移動并通過納米級的過濾膜后，得到純化后的納米晶體溶液。
6.根據(jù)權利要求5所述的純化方法，其特征在于，所述電場的強度在0.0001～1000V/cm之間。
7.根據(jù)權利要求6所述的純化方法，其特征在于，所述納米晶體溶液包括納米晶體，所述納米晶體包括量子點、一維納米結構、二維納米結構與三維納米結構，所述過濾膜的濾孔的孔徑小于所述納米晶體的最小粒徑，或者所述納米晶體在所述過濾膜的最小投影面積大于所述過濾膜的濾孔的孔面積，優(yōu)選所述過濾膜的濾孔的孔徑在1～20nm之間。
8.一種納米晶體溶液的純化系統(tǒng)，包括至少一個純化裝置，其特征在于，所述純化裝置為權利要求1至4中任一項所述的純化裝置。
9.根據(jù)權利要求8所述的純化系統(tǒng)，其特征在于，待純化的納米晶體溶液包括納米晶體與雜質離子，所述純化裝置中的溶液槽(1)包括第一入口和第一出口，所述純化系統(tǒng)還包括：
第一輸入管(11)，與所述第一入口相連，用于向所述溶液槽(1)輸入互溶溶劑，所述互溶溶劑與納米晶體溶液互溶，優(yōu)選所述互溶溶劑與所述納米晶體溶液中的溶劑種類相同；以及
第一輸出管(12)，與所述第一出口相連，用于將所述溶液槽(1)中的包括所述雜質離子的所述互溶溶劑輸出。
10.根據(jù)權利要求8所述的純化系統(tǒng)，其特征在于，所述純化裝置中的過濾器(2)包括第二入口和第二出口，所述純化系統(tǒng)還包括：
第二輸入管(21)，與所述第二入口相連，用于向所述過濾器(2)輸入待純化的納米晶體溶液；以及
第二輸出管(22)，與所述第二出口相連，用于將所述過濾器(2)中的純化后的納米晶體溶液輸出。