本實(shí)用新型屬于高分子化合物技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種吸水樹脂液體原料用攪拌罐。

背景技術(shù)：

吸水樹脂是一種新型功能高分子材料，它具有吸收比自身重幾百到幾千倍水的高吸水功能，并且保水性能優(yōu)良，一旦吸水膨脹成為水凝膠時，即使加壓也很難把水分離出來。吸水樹脂具有無毒、對人體無刺激性、無副反應(yīng)、不引起血液凝固等特點(diǎn)，近年來，已被廣泛應(yīng)用于醫(yī)藥領(lǐng)域。例如，用于含水量大、使用舒適的外用軟膏；生產(chǎn)能吸收手術(shù)及外傷出血和分泌液，并可防止化膿的醫(yī)用繃帶及棉球；制造能使水分和藥劑通過而微生物不能透過的抗感染性人造皮膚等。

現(xiàn)有的吸水樹脂的生產(chǎn)加工過程中，因吸水樹脂液體原料中的可溶性固形物含量高，且在生產(chǎn)的過程中優(yōu)選在密閉的環(huán)境當(dāng)中，防止原料被氧化影響吸水樹脂的性能，因此在原料的攪拌混合反應(yīng)過程中，在攪拌罐內(nèi)容易積攢大量的沉淀，混合不均勻，反應(yīng)不穩(wěn)定，生產(chǎn)出產(chǎn)品每批次的性能也就不穩(wěn)定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種采用動態(tài)式加工的吸水樹脂液體原料用攪拌罐，在本實(shí)用新型攪拌罐中，能夠有效否防止物料在反應(yīng)釜底部沉積，同時保證各物料間充分接觸，攪拌均勻，生產(chǎn)出產(chǎn)品穩(wěn)定性好，吸水性能高。

本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種吸水樹脂液體原料用攪拌罐，包括不銹鋼反應(yīng)釜和不銹鋼反應(yīng)池；包括不銹鋼反應(yīng)池以及設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池內(nèi)的多個攪拌葉、驅(qū)動攪拌葉的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述攪拌葉包括基板，所述基板正反兩面的表面設(shè)有第一突塊和第二突塊，所述第一突塊與第二突塊在基板表面依次交錯排布，第一突塊與第二突塊的垂直高度比為2:1-4:1；還包括包裹在不銹鋼反應(yīng)池外的不銹鋼反應(yīng)釜；所述不銹鋼反應(yīng)釜的內(nèi)壁設(shè)有主磁體層；不銹鋼反應(yīng)池的外壁設(shè)有與主磁體層磁極相反的輔磁體層；不銹鋼反應(yīng)池通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在不銹鋼反應(yīng)釜內(nèi)部。

本實(shí)用新型中，攪拌葉在攪拌罐中旋轉(zhuǎn)，原料在攪拌葉表面的突塊的作用力被分散，具體是攪拌葉旋轉(zhuǎn)使將在反應(yīng)釜中產(chǎn)生渦流，而根據(jù)突塊一大一小的排布方式，原料先被垂直高度大的突塊分散至兩端的垂直高度小的突塊，再通過小突塊將被分散的原料徹底分散，同時在攪拌的過程中，突塊的表面會產(chǎn)生許多連續(xù)的小渦流，渦流之間碰撞在反應(yīng)釜中形成湍流，防止原料分層，促進(jìn)不同性質(zhì)的原料之間有充分接觸。不銹鋼反應(yīng)池通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在不銹鋼反應(yīng)釜內(nèi)部，由于二者并非固定連接，一旦攪拌葉對底物進(jìn)行攪拌，使底物形成渦流，可帶動不銹鋼反應(yīng)池發(fā)生一定程度的晃動，促使沉積在不銹鋼反應(yīng)池底部的物質(zhì)與上層物質(zhì)發(fā)生混合，最終提高不銹鋼反應(yīng)池中底物的均勻度。所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)均可選用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。所述主磁體層和輔磁體層均可選用任意一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，如現(xiàn)有的永磁體或電磁體。

進(jìn)一步的，所述吸水樹脂液體原料用攪拌罐還包括設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池內(nèi)的傳動軸，傳動軸的一端與所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)連接，所述攪拌葉呈輻射狀地設(shè)置在傳動軸的另一端。

進(jìn)一步的，所述主磁體層表面設(shè)有內(nèi)凹的曲面；所述主磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)釜底部；輔磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池的底部；所述主磁體層的面積大于輔磁體層。

內(nèi)凹的曲面可以使主磁體層表面產(chǎn)生斥力的面積，確保較重的不銹鋼反應(yīng)池可以懸浮在不銹鋼反應(yīng)釜中；同時內(nèi)凹的曲面可以產(chǎn)生多個方向的斥力，以限制不銹鋼反應(yīng)池的晃動角度。主磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)釜底部，輔磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池的底部，使不銹鋼反應(yīng)池的兩側(cè)沒有阻隔，可以獲得更大的晃動幅度，進(jìn)一步保證加工效率。

進(jìn)一步的，所述第一突塊與第二突塊的表面為光滑的圓弧面。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面將結(jié)合附圖以及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1

一種吸水樹脂液體原料用攪拌罐，包括不銹鋼反應(yīng)釜1和不銹鋼反應(yīng)池2；包括不銹鋼反應(yīng)池2以及設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2內(nèi)的多個攪拌葉3、驅(qū)動攪拌葉3的驅(qū)動機(jī)構(gòu)4，所述攪拌葉3包括基板31，所述基板31正反兩面的表面設(shè)有第一突塊32和第二突塊33，所述第一突塊與第二突塊在基板表面依次交錯排布，第一突塊與第二突塊的垂直高度比為2:1；還包括包裹在不銹鋼反應(yīng)池2外的不銹鋼反應(yīng)釜1；所述不銹鋼反應(yīng)釜1的內(nèi)壁設(shè)有主磁體層5；不銹鋼反應(yīng)池2的外壁設(shè)有與主磁體層磁極相反的輔磁體層6；不銹鋼反應(yīng)池2通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在不銹鋼反應(yīng)釜1內(nèi)部。

還包括設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2內(nèi)的傳動軸41，傳動軸的一端與所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)4連接，所述攪拌葉3呈輻射狀地設(shè)置在傳動軸的另一端。

所述主磁體層5表面設(shè)有內(nèi)凹的曲面；所述主磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)釜1底部；輔磁體層6設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2的底部；所述主磁體層的面積大于輔磁體層。

所述第一突塊32與第二突塊33的表面為光滑的圓弧面。

實(shí)施例2

一種吸水樹脂液體原料用攪拌罐，包括不銹鋼反應(yīng)釜1和不銹鋼反應(yīng)池2；包括不銹鋼反應(yīng)池2以及設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2內(nèi)的多個攪拌葉3、驅(qū)動攪拌葉3的驅(qū)動機(jī)構(gòu)4，所述攪拌葉3包括基板31，所述基板31正反兩面的表面設(shè)有第一突塊32和第二突塊33，所述第一突塊與第二突塊在基板表面依次交錯排布，第一突塊與第二突塊的垂直高度比為3:1；還包括包裹在不銹鋼反應(yīng)池2外的不銹鋼反應(yīng)釜1；所述不銹鋼反應(yīng)釜1的內(nèi)壁設(shè)有主磁體層5；不銹鋼反應(yīng)池2的外壁設(shè)有與主磁體層磁極相反的輔磁體層6；不銹鋼反應(yīng)池2通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在不銹鋼反應(yīng)釜1內(nèi)部。

還包括設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2內(nèi)的傳動軸41，傳動軸的一端與所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)4連接，所述攪拌葉3呈輻射狀地設(shè)置在傳動軸的另一端。

所述主磁體層5表面設(shè)有內(nèi)凹的曲面；所述主磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)釜1底部；輔磁體層6設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2的底部；所述主磁體層的面積大于輔磁體層。

所述第一突塊32與第二突塊33的表面為光滑的圓弧面。

實(shí)施例3

一種吸水樹脂液體原料用攪拌罐，包括不銹鋼反應(yīng)釜1和不銹鋼反應(yīng)池2；包括不銹鋼反應(yīng)池2以及設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2內(nèi)的多個攪拌葉3、驅(qū)動攪拌葉3的驅(qū)動機(jī)構(gòu)4，所述攪拌葉3包括基板31，所述基板31正反兩面的表面設(shè)有第一突塊32和第二突塊33，所述第一突塊與第二突塊在基板表面依次交錯排布，第一突塊與第二突塊的垂直高度比為4:1；還包括包裹在不銹鋼反應(yīng)池2外的不銹鋼反應(yīng)釜1；所述不銹鋼反應(yīng)釜1的內(nèi)壁設(shè)有主磁體層5；不銹鋼反應(yīng)池2的外壁設(shè)有與主磁體層磁極相反的輔磁體層6；不銹鋼反應(yīng)池2通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在不銹鋼反應(yīng)釜1內(nèi)部。

還包括設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2內(nèi)的傳動軸41，傳動軸的一端與所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)4連接，所述攪拌葉3呈輻射狀地設(shè)置在傳動軸的另一端。

所述主磁體層5表面設(shè)有內(nèi)凹的曲面；所述主磁體層設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)釜1底部；輔磁體層6設(shè)置在不銹鋼反應(yīng)池2的底部；所述主磁體層的面積大于輔磁體層。

所述第一突塊32與第二突塊33的表面為光滑的圓弧面。

以上為本實(shí)用新型的其中具體實(shí)現(xiàn)方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些顯而易見的替換形式均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。特別的，本實(shí)用新型中所有未詳盡描述的技術(shù)方案，均可通過本領(lǐng)域內(nèi)任一現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。