本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域,特別涉及一種氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料、其制備方法及應(yīng)用。
背景技術(shù):
氧化亞鈷(CoO)作為典型的過(guò)渡金屬氧化物,與其它過(guò)渡金屬氧化物,如MnO、NiO、FeO等一樣,具有特殊結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。因此,從40年代以來(lái),就引起了人們的廣泛關(guān)注和研究。CoO有兩種典型的穩(wěn)定存在的物相,即呈深黃色的rock-salt相(空間群為Fm3m)和呈綠色的wurtzit相(空間群為P63mc)。CoO是優(yōu)良的磁性材料,在它的尼爾溫度(298K)附近發(fā)生順磁和反磁體的轉(zhuǎn)變。塊狀的CoO材料是絕緣的反鐵磁性材料,但是納米結(jié)構(gòu)的CoO(納米CoO)材料展現(xiàn)出良好的鐵磁性或超順磁性。納米CoO材料具有更好的物理和化學(xué)性能,其在鋰離子電池、電磁波吸收、催化、氣體傳輸及磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備等方面均具有廣泛的應(yīng)用。
在納米CoO材料的諸多應(yīng)用中,電磁波吸收性能、磁性能及催化性能是研究的熱點(diǎn)。一方面,在吸波材料的研究和應(yīng)用上,磁性能良好的納米材料發(fā)揮主導(dǎo)作用。另一方面,CoO廣泛應(yīng)用于催化領(lǐng)域,良好的磁性能可以拓寬其在催化領(lǐng)域的應(yīng)用,有利于催化劑的分離和再利用。
然而,在現(xiàn)有的納米CoO材料中,由于CoO納米晶是磁性納米粒子,很容易團(tuán)聚,嚴(yán)重影響了納米CoO材料的磁性能,進(jìn)而對(duì)納米CoO材料的電磁波吸收性能及催化性能造成了不良影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料、其制備方法及應(yīng)用,以解決現(xiàn)有的納米CoO材料中CoO納米晶容易團(tuán)聚的問(wèn)題。技術(shù)方案如下:
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料,所述石墨烯呈片狀,且所述氧化亞鈷納米晶分散在所述石墨烯上,所述氧化亞鈷納米晶的粒徑為5-8nm,平均粒徑為6nm。
其中,所述氧化亞鈷納米晶為面心立方結(jié)構(gòu)。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了該復(fù)合材料的制備方法,包括:
將氧化石墨加入到油胺中并進(jìn)行分散處理,得到混合液;
將乙酰丙酮鈷及十八胺加入至所述混合液中,在攪拌狀態(tài)下將所述混合液加熱至120-140℃,保溫30分鐘以上,然后繼續(xù)在攪拌狀態(tài)下,加熱至290-310℃,保溫2小時(shí)以上;
加入有機(jī)溶劑將反應(yīng)猝停,分離出反應(yīng)產(chǎn)物,并對(duì)所述反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行洗滌及干燥處理;
其中,所述乙酰丙酮鈷與所述氧化石墨比例為1mol:(20-40)g,所述氧化石墨與所述十八胺的質(zhì)量比為1:(12.5-50),所述油胺與所述氧化石墨的比例為1L:1g。
優(yōu)選的,所述分散處理為超聲分散處理。
優(yōu)選的,所述加熱至290-310℃具體為:加熱至290℃。
優(yōu)選的,所述有機(jī)溶劑為乙醇。
優(yōu)選的,所述洗滌處理為:用正己烷及丙酮進(jìn)行交替洗滌處理。
第三方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了該復(fù)合材料在電磁波吸收領(lǐng)域及催化領(lǐng)域的應(yīng)用。
可見(jiàn),本方案中以石墨烯為基底,通過(guò)熱分解法一步還原得到氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料,CoO納米晶分散均勻,無(wú)團(tuán)聚現(xiàn)象,從而使該復(fù)合材料具有良好的磁性能,同時(shí)改善了該復(fù)合材料的電磁波吸收性能及催化性能。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為氧化石墨(GO)及本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的XRD圖;
圖2為氧化石墨(GO)、石墨烯(GN)及本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的拉曼光譜圖;
圖3為氧化石墨(GO)及本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的XPS譜圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的電子顯微鏡圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的微波反射率損耗值與樣品厚度、頻率的關(guān)系圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的磁滯回線圖;
圖7為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料催化還原CO2的電流密度與電位的關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料,其中,石墨烯(GN)呈二維片層狀,氧化亞鈷(CoO)納米晶分散在石墨烯的片層上。該氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中的CoO納米晶為面心立方結(jié)構(gòu),粒徑為5-8nm,平均粒徑約為6nm。
本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了該氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的制備方法,可以包括以下步驟:
將氧化石墨加入到油胺中并進(jìn)行分散處理,得到混合液;
將乙酰丙酮鈷及十八胺加入至所述混合液中,在攪拌狀態(tài)下將所述混合液加熱至120-140℃,保溫30分鐘以上,然后繼續(xù)在攪拌狀態(tài)下,加熱至290-310℃,保溫2小時(shí)以上;
加入有機(jī)溶劑將反應(yīng)猝停,分離出反應(yīng)產(chǎn)物,并對(duì)所述反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行洗滌及干燥處理;
其中,所述乙酰丙酮鈷與所述氧化石墨比例為1mol:(20-40)g,所述氧化石墨與所述十八胺的質(zhì)量比為1:(12.5-50),所述油胺與所述氧化石墨的比例為1L:1g。
石墨烯是由碳原子構(gòu)成的只有一層原子厚度的二維晶體,它的晶格是由六個(gè)碳原子圍成的六邊形。石墨烯是已知的,目前最薄、最堅(jiān)硬的納米材料,其表面積大,質(zhì)量輕,導(dǎo)電性極好,具有良好的柔韌性和耐腐蝕性,使其可以做為基底材料與其他材料進(jìn)行復(fù)合,本發(fā)明中將石墨烯作為基底材料與CoO納米晶進(jìn)行復(fù)合,CoO納米晶能夠高度分散地生長(zhǎng)在石墨烯的二維片層上。
在實(shí)際制備該氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料時(shí),可以先將氧化石墨加入到油胺中并進(jìn)行分散處理,得到混合液。具體的,油胺與氧化石墨的比例可以為1L:1g。該分散處理可以采用超聲分散、機(jī)械攪拌分散處理等分散方式,優(yōu)選為超聲分散處理。當(dāng)該混合液中不存在懸浮物,得到顏色均勻的棕色混合溶液時(shí),說(shuō)明該混合液已經(jīng)分散均勻,便可以停止分散處理。需要說(shuō)明的是,該分散處理為本領(lǐng)域常用的處理方式,在此不做具體說(shuō)明。
進(jìn)一步需要說(shuō)明的是,氧化石墨可以從市場(chǎng)購(gòu)得,也可以通過(guò)現(xiàn)有的制備方法制得,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇,在此不做具體限定。本發(fā)明中所使用的氧化石墨通過(guò)下述改進(jìn)的Hummers方法制得,采用該方法制備的氧化石墨氧化程度高,分散效果好,更利于氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的制備。
具體制備方法如下:
稱取2.5g石墨粉,2.5g硝酸鈉和115mL濃硫酸,置于冰水浴中,在攪拌狀態(tài)下緩慢加入15g KMnO4;大約15分鐘后,撤去冰水浴,放入35℃水浴中,緩慢加入230mL蒸餾水,產(chǎn)物由黑色變?yōu)楹稚?;然后放?8℃油浴中,保溫15分鐘后,撤去油浴,加入700mL溫水,攪拌狀態(tài)下加入50mL雙氧水,產(chǎn)物變?yōu)榻瘘S色;對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行過(guò)濾處理后,用質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為5%的稀HCl溶液洗滌,再用蒸餾水洗滌5-10次,直到濾液中無(wú)SO42-為止;將所得產(chǎn)物于70℃干燥箱中進(jìn)行干燥處理,得到氧化石墨。
在得到上述分散均勻的混合液后,將乙酰丙酮鈷及十八胺加入至該混合液中,在攪拌狀態(tài)下將該混合液加熱至120-140℃,保溫30分鐘以上,然后繼續(xù)在攪拌狀態(tài)下,加熱至290-310℃,保溫2小時(shí)以上。具體的,乙酰丙酮鈷與氧化石墨比例可以為1mol:(20-40)g,優(yōu)選為1mol:20g。氧化石墨與十八胺的質(zhì)量比可以為1:(12.5-50),優(yōu)選為1:12.5。
其中,十八胺作為限域劑和還原劑,一方面用于防止CoO納米晶生長(zhǎng)不均勻,有利于形成單分散的CoO納米晶,另一方面,十八胺作為一種還原劑,可以避免Co3+的生成,同時(shí)還原氧化石墨為石墨烯,利于復(fù)合材料的生成。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)氧化石墨與十八胺的質(zhì)量比為1:12.5時(shí)更有利于復(fù)合材料的生成。
將該混合液加熱至120-140℃,保溫30分鐘以上,可以使CoO納米晶成核并生長(zhǎng),可以理解的是,保溫時(shí)間越長(zhǎng),CoO納米晶成核及生長(zhǎng)的效果越好,但是保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)不僅會(huì)使制備效率降低,還會(huì)增加制備復(fù)合材料的成本。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)將該混合液加熱至120℃,保溫30分鐘時(shí),制備效率高且成本較低,因此優(yōu)選為將該混合液加熱至120℃,保溫30分鐘。
進(jìn)一步,在攪拌狀態(tài)下進(jìn)行加熱及保溫處理可以使乙酰丙酮鈷、氧化石墨及十八胺在油胺中混合的更加均勻,進(jìn)而使反應(yīng)更加均勻,有利于復(fù)合材料的生成。優(yōu)選的,該攪拌狀態(tài)可以為磁力攪拌狀態(tài)。當(dāng)然也可以為其他攪拌方式,只要不影響復(fù)合材料的生成且能夠達(dá)到攪拌目的即可,在此不做具體限定。
同理,在上述保溫處理后,為了進(jìn)一步為CoO納米晶的生長(zhǎng)提供有利環(huán)境,可以繼續(xù)在攪拌狀態(tài)下,加熱至290-310℃,保溫2小時(shí)以上。考慮到制備效率及成本的要求,優(yōu)選為加熱至290℃,保溫2小時(shí)。該攪拌狀態(tài)也可以為磁力攪拌狀態(tài),當(dāng)然也可以為其他攪拌方式,只要不影響復(fù)合材料的生成且能夠達(dá)到攪拌目的即可,在此不做具體限定。
為了制備得到尺寸均勻的CoO納米晶,可以在上述第二次保溫處理后將反應(yīng)猝停。具體可以采用加入有機(jī)溶劑的方式,加入有機(jī)溶劑后可以使混合液迅速降溫,進(jìn)而將反應(yīng)猝停,該有機(jī)溶劑優(yōu)選為乙醇。
將反應(yīng)猝停后,需要進(jìn)行分離處理,即將所制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料與混合液分離開(kāi),可以采用離心或過(guò)濾等方式進(jìn)行分離處理,優(yōu)選為離心分離。分離出產(chǎn)物后,可以對(duì)產(chǎn)物用正己烷及丙酮進(jìn)行交替洗滌處理,然后進(jìn)行干燥處理,得到氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料。對(duì)于洗滌次數(shù),可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際產(chǎn)物情況進(jìn)行選擇,例如可以為3次或4次,在此不做具體限定。對(duì)于干燥處理可以將產(chǎn)物于40℃進(jìn)行真空干燥處理,當(dāng)然也可以采用其它干燥處理方式,在此不做具體限定。
本發(fā)明還提供了由上述方法制得的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料用于吸波領(lǐng)域以及催化領(lǐng)域的用途。
需要說(shuō)明的是,上述分散、攪拌、離心、過(guò)濾、洗滌及干燥處理均為本領(lǐng)域常用的處理方法,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際制備情況進(jìn)行操作,在此不做具體限定及說(shuō)明。
進(jìn)一步需要說(shuō)明的是,在制備該復(fù)合材料過(guò)程中所用到的原料,均可以在市場(chǎng)上購(gòu)得或自制,在此不做具體限定。
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例1
將40mg氧化石墨(GO)加入到40mL油胺中,進(jìn)行超聲分散約2小時(shí)后,得到分散均勻的棕色混合液;
將2mmol乙酰丙酮鈷(Co(acac)2)和0.5g十八胺加入至上述棕色混合液中,在磁力攪拌狀態(tài)下加熱至120℃,保溫30分鐘,然后繼續(xù)在磁力攪拌狀態(tài)下加熱至290℃,保溫2小時(shí);
加入20mL乙醇將反應(yīng)猝停,然后進(jìn)行離心處理,分離出反應(yīng)產(chǎn)物,并用正己烷、丙酮交替洗滌3次后,將產(chǎn)物于40℃進(jìn)行真空干燥。
實(shí)施例2
將40mg氧化石墨(GO)加入到40mL油胺中,進(jìn)行超聲分散約2小時(shí)后,得到分散均勻的棕色混合液;
將1mmol乙酰丙酮鈷(Co(acac)2)和1.4g十八胺加入至上述棕色混合液中,在磁力攪拌狀態(tài)下加熱至135℃,保溫40分鐘,然后繼續(xù)在磁力攪拌狀態(tài)下加熱至300℃,保溫3小時(shí);
加入20mL乙醇將反應(yīng)猝停,然后進(jìn)行離心處理,分離出反應(yīng)產(chǎn)物,并用正己烷、丙酮交替洗滌4次后,將產(chǎn)物于40℃進(jìn)行真空干燥。
實(shí)施例3
將30mg氧化石墨(GO)加入到30mL油胺中,進(jìn)行超聲分散約2小時(shí)后,得到分散均勻的棕色混合液;
將1mmol乙酰丙酮鈷(Co(acac)2)和1.5g十八胺加入至上述棕色混合液中,在磁力攪拌狀態(tài)下加熱至140℃,保溫60分鐘,然后繼續(xù)在磁力攪拌狀態(tài)下加熱至310℃,保溫4小時(shí);
加入20mL乙醇將反應(yīng)猝停,然后進(jìn)行離心處理,分離出反應(yīng)產(chǎn)物,并用正己烷、丙酮交替洗滌5次后,將產(chǎn)物于40℃進(jìn)行真空干燥。
表征與分析
1、X射線衍射(X-ray Diffraction,XRD)分析
采用荷蘭PAN alytical公司生產(chǎn)的X射線粉末衍射儀(型號(hào):X Pert PRO MPD)對(duì)本發(fā)明制備的氧化石墨(GO)及本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的XRD圖如圖1所示。
圖1中(a)為本發(fā)明制備的氧化石墨的XRD圖,由圖可見(jiàn),通過(guò)對(duì)石墨進(jìn)行氧化而得到的GO的層間距為(原始石墨約為),同時(shí)在2θ=10.8°位置有一個(gè)典型的衍射峰,而原始石墨的典型衍射峰(2θ=26.5°)消失,說(shuō)明獲得的GO已經(jīng)被有效的氧化。
圖1中(b)為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的XRD圖,由圖可見(jiàn),本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的衍射峰位于2θ=36.5°、42.3°、61.5°、73.6°及77.0°,通過(guò)與PDF卡號(hào)為48-1719的標(biāo)準(zhǔn)卡片比對(duì),證明獲得的是CoO。進(jìn)一步指標(biāo)化可知,樣品的衍射峰分別對(duì)應(yīng)于(111)、(200)、(220)、(311)及(222)晶面,層間距分別為0.246、0.213、0.151、0.128及0.123nm,對(duì)應(yīng)面心立方結(jié)構(gòu),空間群是Fm3m。同時(shí),在本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中,GO的衍射峰消失,證明不存在GO,這可能與GO被還原成了無(wú)定形的石墨烯(GN)有關(guān)。本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的XRD衍射峰明顯寬化,推測(cè)得到的CoO納米晶尺寸較小。
2、拉曼光譜分析
采用Horiba Jobin Yvon公司生產(chǎn)的拉曼光譜儀(型號(hào):LavRAMAramis)對(duì)本發(fā)明制備的氧化石墨(GO)、本發(fā)明所用的石墨烯(GN)及本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的拉曼光譜圖如圖2所示。其中,圖2中(a)為本發(fā)明制備氧化石墨的拉曼光譜圖,圖2中(b)為本發(fā)明所用的石墨烯的拉曼光譜圖,圖2中(c)為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的拉曼光譜圖。
拉曼光譜圖被廣泛用于檢測(cè)碳材料的結(jié)構(gòu)特征。從天然石墨到氧化石墨再漸變到石墨烯,材料的結(jié)構(gòu)發(fā)生了巨大變化,而這種變化能夠從拉曼光譜圖中表現(xiàn)出來(lái)。在碳材料的拉曼光譜中,分別把拉曼位移在1345cm-1和1570cm-1附近對(duì)應(yīng)的峰,稱為D帶和G帶,它們是碳原子晶體的拉曼特征峰。D帶對(duì)應(yīng)于石墨無(wú)序的sp3雜化碳原子振動(dòng),與混亂度和晶格缺陷有關(guān),G帶對(duì)應(yīng)于二維的六方晶格sp2雜化的碳原子平面振動(dòng),與材料的堆垛結(jié)構(gòu)相關(guān)。
從圖2中(a)可以看出,本發(fā)明制備的氧化石墨的D帶和G帶的強(qiáng)度比,即ID/IG約為0.96:1,已知石墨的ID/IG約為0.27:1,可見(jiàn)隨著含氧官能團(tuán)的引入和sp2雜化碳原子區(qū)域被破壞,氧化石墨晶格缺陷增大,所以其ID/IG比石墨的ID/IG大。從圖2中(b)可以看出,石墨烯的ID/IG約為1.21:1,與本發(fā)明制備的氧化石墨相比,石墨烯的ID/IG有所增大,可能是因?yàn)檫€原過(guò)程中,石墨烯的片層變小所致。從圖2中(c)可以看出,本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的ID/IG約為1.20:1,表明在本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中氧化石墨已經(jīng)被還原了。
3、X射線光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)分析
采用XPS光譜儀(型號(hào):ESCALAB 250Xi)對(duì)本發(fā)明制備的氧化石墨(GO)及本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的表面組成及鈷的價(jià)態(tài)進(jìn)行表征測(cè)得的XPS譜圖如圖3所示。
圖3中(a)為本發(fā)明制備的氧化石墨的C1s的XPS圖譜。對(duì)碳材料而言,一般288.9、287.7、286.0及284.7eV分別對(duì)應(yīng)O=C-O、C=O、O-C-O及C-C的結(jié)合能。由圖(a)可見(jiàn),發(fā)明制備的氧化石墨中含有大量含氧官能團(tuán)。
圖3中(b)為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的C1s的XPS圖譜。由圖3中(b)可見(jiàn),在氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中,288.9eV對(duì)應(yīng)的峰消失,287.7及286.0eV左右對(duì)應(yīng)的峰減弱,即本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中幾乎不含O=C-O官能團(tuán),且O=C及O-C-O的含量很少,主要以C-C結(jié)構(gòu)存在。表明本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中,含氧官能團(tuán)被有效地還原了。
圖3中(c)為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的Co 2p的XPS譜圖。圖中780.72eV附近對(duì)應(yīng)的峰屬于鈷的2p3/2峰,同時(shí)伴隨著786.10eV附近對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星峰(satellite peak)。796.73eV附近對(duì)應(yīng)的峰屬于鈷的2p1/2峰,同時(shí)伴隨著802.69eV附近的對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星峰。從圖中可以看出,結(jié)合能差ΔE即鈷的2p3/2峰對(duì)應(yīng)的結(jié)合能796.73eV,與鈷的2p1/2峰對(duì)應(yīng)的結(jié)合能780.72eV的差值為16.01eV。由于當(dāng)ΔE為16eV時(shí),表明是二價(jià)的鈷(CoO);當(dāng)ΔE為15eV時(shí),表明是三價(jià)的鈷(Co2O3);當(dāng)ΔE為15.2eV時(shí),表明是二價(jià)和三價(jià)的鈷的混合價(jià)態(tài),例如Co3O4,所以本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中得到的是二價(jià)鈷,即CoO,不含有三價(jià)鈷。同時(shí),在778.10eV附近沒(méi)有對(duì)應(yīng)的峰,表明本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中不含有金屬Co單質(zhì)。XPS光譜數(shù)據(jù)與XRD數(shù)據(jù)及拉曼光譜數(shù)據(jù)一致,表明氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料能夠通過(guò)本發(fā)明所提供的方法制得。
4、電鏡圖像分析
圖4中(a)為采用Hitachi公司的掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM,型號(hào):S-4800,加速電壓:5kV)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的SEM圖。由圖可見(jiàn),大片的石墨烯負(fù)載著細(xì)小的CoO納米晶,CoO納米晶在石墨烯片層上分散均勻,沒(méi)有明顯團(tuán)聚現(xiàn)象。
圖4中(b)-(d)為采用透射電子顯微鏡對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,TEM)圖。從圖4中(b)-(d)可以看出,本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中的CoO納米晶為球形顆粒,CoO納米晶高密度、單分散地分布在石墨烯的片層上。從圖4中(c)及(d)可以清楚地看到石墨烯的邊緣,幾乎沒(méi)有石墨烯片層的疊加現(xiàn)象,說(shuō)明發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中的石墨烯很薄,且沒(méi)有團(tuán)聚現(xiàn)象。同時(shí),CoO納米晶牢牢地生長(zhǎng)在石墨烯片層上。
圖4中(e)及(f)為采用高分辨電子顯微鏡(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM,型號(hào):JEM-2010,加速電壓:200kV)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的HRTEM圖。由于石墨烯比較薄,容易出現(xiàn)褶皺和團(tuán)聚,但是從圖4中(e)結(jié)合圖4中(c)及(d)可以看出,本發(fā)明制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料中,CoO納米晶的粒徑約為5-8nm,平均粒徑約為6nm。且沒(méi)有發(fā)現(xiàn)石墨烯團(tuán)聚和大面積裸露的現(xiàn)象,也沒(méi)有散落在石墨烯納米片外的CoO納米晶,而是CoO納米晶單分散地生長(zhǎng)在薄薄的石墨烯納米片上,表明生長(zhǎng)在石墨烯上的CoO納米晶起到了阻止石墨烯團(tuán)聚的作用。這也與XRD數(shù)據(jù)一致,XRD圖中沒(méi)有石墨烯重疊的峰。從圖4中(f)可以看出CoO納米晶清晰的晶格,大部分CoO納米晶的晶格間距為0.248nm,與CoO的(111)面對(duì)應(yīng),說(shuō)明立方相的CoO納米晶沿著(111)晶面生長(zhǎng)。
圖4中(g)為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的選區(qū)電子衍射(Selected Area Electron Diffraction,SAED)圖,從圖4中(g)可以看出,本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料具有多個(gè)清晰的衍射環(huán),通過(guò)計(jì)算得知,分別對(duì)應(yīng)CoO納米晶的(111)、(200)、(220)、(311)及(222)晶面,與XRD數(shù)據(jù)相一致。
5、吸波性能結(jié)果
為評(píng)估本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的微波吸收性能,把本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料與石蠟均勻混合(本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料在混合物中的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為60%,石蠟沒(méi)有電磁波吸收性能),組裝成一個(gè)電磁波吸收裝置,該裝置的外徑和內(nèi)徑分別是7.00nm和3.04nm,采用Agilent E8362B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行表征。測(cè)試在固定的頻率和樣品厚度下進(jìn)行,反射損耗值(RL)根據(jù)微波傳輸理論進(jìn)行計(jì)算,公式如下:
RL(dB)=20log|(Zin-Z0)/(Zin+Z0)|
其中,Zin為吸波體的輸入阻抗,Z0為空氣阻抗,μr為相對(duì)磁導(dǎo)率,εr為相對(duì)介電常數(shù),f為微波頻率,d為樣品厚度,c為光速。
圖5為通過(guò)上述電磁波吸收裝置測(cè)得的本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的微波反射率損耗值與樣品厚度的關(guān)系圖。在1.0-18.0GHz頻率范圍內(nèi)測(cè)試了不同樣品厚度的反射損耗值隨頻率的變化關(guān)系。當(dāng)吸波材料的反射損耗值為-10dB時(shí),表示90%的電磁波被吸收,只有10%的電磁波被反射,稱為有效吸收。從圖5可見(jiàn),隨著樣品厚度的增加,出現(xiàn)最小損耗值的吸收頻率向低頻移動(dòng),同時(shí)吸收強(qiáng)度增加,吸收帶增多。通過(guò)調(diào)節(jié)樣品的厚度,樣品在低頻(1-6GHz)、中頻(7-12GHz)及高頻(13-18GHz)的反射損耗值均能夠低于-10dB。
具體的,從圖5中可以看到,當(dāng)樣品厚度為2mm時(shí),最強(qiáng)吸收出現(xiàn)在14.80GHz,反射損耗值為-8.1dB;當(dāng)樣品厚度為3mm時(shí),最強(qiáng)吸收出現(xiàn)在9.32GHz,反射損耗值為-9.5dB;當(dāng)樣品厚度為4mm時(shí),最強(qiáng)吸收出現(xiàn)在6.78GHz,反射損耗值為-9.5dB;當(dāng)樣品厚度大于4mm時(shí),出現(xiàn)多個(gè)最強(qiáng)吸收峰,如樣品厚度為5mm時(shí),最強(qiáng)吸收為4.91GHz,反射損耗值為-10.5dB,以及17.49GHz,反射損耗值為-24.1dB;樣品厚度為6mm時(shí),最強(qiáng)吸收為4.06GHz,反射損耗值為-12.6dB,以及14.43GHz,反射損耗值為-23.8dB;樣品厚度為7mm時(shí),最強(qiáng)吸收為3.38GHz,反射損耗值為-14.3dB,以及12.05GHz,反射損耗值為-28.9dB;樣品厚度為8mm時(shí),最強(qiáng)吸收為2.70GHz,反射損耗值為-15.7dB,以及10.35GHz,反射損耗值為-22.0dB。當(dāng)樣品厚度為9mm時(shí),出現(xiàn)三個(gè)有效吸收峰(RL<-10dB),分別出現(xiàn)在低頻2.36GHz,反射損耗值為-16.7dB、中頻8.99GHz,反射損耗值為-17.5dB以及高頻16.13GHz,反射損耗值為-13.7dB,即樣品厚度為9mm時(shí)在全波段都能達(dá)到有效吸收。
眾所周知,當(dāng)吸波材料的反射損耗值達(dá)到-10dB時(shí),這樣的吸波材料就具有實(shí)際的應(yīng)用價(jià)值。另外,隨著吸收劑厚度的增加,其吸收強(qiáng)度增大,并且吸收頻帶向低頻移動(dòng),通過(guò)調(diào)節(jié)樣品的厚度,反射損耗可以覆蓋1-18GHz頻帶,證明本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料可以通過(guò)調(diào)節(jié)厚度來(lái)達(dá)到全波段吸收的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
6、磁性能結(jié)果
采用美國(guó)Quantum Design公司生產(chǎn)的磁化曲線測(cè)試儀器(型號(hào):MPMS-s-SQUID)在外加磁場(chǎng)的磁飽和度約為10KOe條件下對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的磁滯回線圖(M-H回路圖)如圖6所示。其中,M表示磁化強(qiáng)度,H表示磁場(chǎng)強(qiáng)度。
圖6中分別為本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料在室溫(圖中以RT表示)和溫度為2K下測(cè)得的磁滯回線圖。由圖6可見(jiàn),本發(fā)明制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料在室溫和2K溫度下都表現(xiàn)出鐵磁性,其飽和磁化強(qiáng)度分別約為8.2emu/g和8.8emu/g。該飽和磁化強(qiáng)度均遠(yuǎn)大于納米花狀(粒徑為50nm)、八面體納米結(jié)構(gòu)(粒徑為25nm)及納米球狀(粒徑為7nm)的CoO在5K和300K下測(cè)得的飽和磁化強(qiáng)度,同時(shí),大于已報(bào)道的CoO與還原氧化石墨(RGO)形成的納米復(fù)合材料(納米粒徑為20nm)及其在加熱到300℃和400℃后測(cè)得的飽和磁化強(qiáng)度。本發(fā)明制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料的矯頑力在室溫和2K下分別約為0.29Koe和0.38KOe。由此可見(jiàn),本發(fā)明制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料具有良好的磁性能。
7、催化性能結(jié)果
采用線性掃描伏安法測(cè)試儀器(型號(hào):Zahner IM6)在CO2和Ar氛圍中對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行表征測(cè)得的催化CO2的電流密度與電位的關(guān)系圖如圖7所示。
由圖可見(jiàn),在CO2氛圍中對(duì)應(yīng)的電流密度絕對(duì)值明顯大于在Ar氛圍中對(duì)應(yīng)的電流密度絕對(duì)值,這是由于在電解水的同時(shí)也在電解還原CO2,所以電流密度絕對(duì)值會(huì)比僅僅在Ar氛圍中電解水的電流密度絕對(duì)值更大。在CO2氛圍中的起峰電位明顯提前于在Ar氛圍中電解水的起峰電位。而且,隨著電位繼續(xù)升高,電流密度絕對(duì)值繼續(xù)增大,表明本發(fā)明實(shí)施例制備的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料作為催化劑,對(duì)CO2電催化還原有著非常好的催化性能。
可見(jiàn),本方案中以石墨烯為基底,通過(guò)熱分解法一步還原得到氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料,CoO納米晶分散均勻,無(wú)團(tuán)聚現(xiàn)象,從而使該復(fù)合材料在具有良好的磁性能的同時(shí),改善了該復(fù)合材料的吸波性能及催化性能。
以上對(duì)本發(fā)明所提供的氧化亞鈷納米晶-石墨烯復(fù)合材料、其制備方法及應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述,以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其中心思想。應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾,這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。