1.一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜，其特征在于，所述雜化膜的原料按質(zhì)量百分比包括：聚偏氟乙烯為10～18wt％，致孔劑為3～10wt％和正硅酸乙酯TEOS為1～7wt％，余量為硅烷偶聯(lián)劑、水和鹽酸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜，其特征在于，所述致孔劑為聚乙烯吡咯烷酮PVP和氯化鋰LiCl，其中，PVP和LiCl的質(zhì)量比為1:1～5:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜，其特征在于，所述硅烷偶聯(lián)劑為γ―(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷KH560、γ-甲基丙烯酸丙酯基三甲氧基硅烷KH570、3-氨丙基三乙氧基硅烷KH550中的一種；正硅酸乙酯與硅烷偶聯(lián)劑的質(zhì)量比為11:1～17:1。
4.一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜的制備方法，包括：
(1)在10～18wt％聚偏氟乙烯中，加入3～10wt％的致孔劑，溶解在溶劑中，在40～60℃下攪拌，得到聚偏氟乙烯溶液；
(2)將TEOS與硅烷偶聯(lián)劑混合，溶于溶劑中，得到混合溶液；然后攪拌條件下加入到步驟(1)中的聚偏氟乙烯的溶液中，滴入鹽酸，攪拌，60～80℃繼續(xù)攪拌12～24h，將產(chǎn)物取出，靜置脫泡，刮膜，固化24～48h，得到聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜；其中，TEOS的含量為1～7wt％；
上述質(zhì)量百分比為各原料占所有原料質(zhì)量總和的質(zhì)量百分比。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中的溶劑為1-甲基-2-吡咯烷酮NMP和二甲基乙酰胺DMAc；其中，NMP與DMAc的質(zhì)量比為1:1～9:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中溶劑為NMP。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中鹽酸的濃度為0.15～2mol/L；混合溶液中鹽酸的體積分?jǐn)?shù)為0.1～1％。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種聚偏氟乙烯/納米二氧化硅雜化膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中靜置脫泡的時間為12～24h。