技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
壓電微機(jī)械超聲換能器PMUT包含安置于腔上方的膜片，所述膜片包含壓電層堆疊，所述壓電層堆疊包含壓電層、與收發(fā)器電路電耦合的第一電極以及與所述收發(fā)器電路電耦合的第二電極。所述第一電極可安置于所述膜片的第一部分中，且所述第二電極可安置于所述膜片的單獨(dú)的第二部分中。所述第一電極和所述第二電極中的每一者安置于所述壓電層的第一表面上或附近，所述第一表面與所述腔對(duì)置。所述PMUT經(jīng)配置以在第一時(shí)間段期間借助于所述第一電極發(fā)射第一超聲信號(hào)并在第二時(shí)間段期間借助于所述第二電極接收第二超聲信號(hào)，所述第一時(shí)間段與所述第二時(shí)間段至少部分地重疊。

技術(shù)研發(fā)人員：赫瑞什科士·維加伊庫(kù)馬爾·班差瓦加;唐浩延;陸一鵬;寇斯坦丁·狄米綽夫·喬爾杰夫;蘇耶普拉卡什·甘蒂;戴維·威廉·伯恩斯;拉溫德拉·瓦曼·謝諾伊;喬恩·布拉德利·拉斯特;郭乃貴;菲拉斯·薩莫拉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.15
技術(shù)公布日：2017.08.29