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ITO導(dǎo)電玻璃上集成增強(qiáng)基底的SERS微流控芯片及制備方法與流程

文檔序號:11411383閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
一種基于ITO導(dǎo)電玻璃上集成納米增強(qiáng)基底的復(fù)合式多通道SERS微流控芯片及其制備方法。本發(fā)明充分利用ITO導(dǎo)電玻璃表面光滑、導(dǎo)電性好的特性,將其作為SERS微結(jié)構(gòu)的基底表面,采用兩步計時電流沉積方法,通過控制納米顆粒成核與生長過程中的沉積電位與沉積時間,控制納米顆粒形貌與尺寸,可有效制備靈敏度高、穩(wěn)定性好、均勻分布的金屬納米結(jié)構(gòu)SERS基底。進(jìn)一步,將其與含陣列式微通道的PDMS蓋片鍵合,構(gòu)建獲得復(fù)合式、高通量的微流控SERS芯片,該芯片在同一片ITO玻璃上制作形成多個SERS檢測區(qū),其納米增強(qiáng)基底是同步電化學(xué)沉積獲得,其形貌一致性好,信號重現(xiàn)性佳。

技術(shù)研發(fā)人員:徐溢;王蓉;鄭祥權(quán);陳李
受保護(hù)的技術(shù)使用者:重慶大學(xué)
文檔號碼:201510695042
技術(shù)研發(fā)日:2015.10.22
技術(shù)公布日:2017.09.12

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