技術特征：
1.基于ITO導電玻璃上集成納米增強基底的SERS微流控芯片，其由集成SERS增強基底的ITO基片與PDMS蓋片鍵合而成；其特征在于：在PDMS蓋片上有多條平行微通道，微通道頂面開敞，在與ITO基片鍵合后封閉，每條通道兩端設置與通道尺寸匹配的進液口與出液口；在ITO基片上通過同步電化學沉積集成有SERS增強基底，在對應PDMS蓋片上每條微通道的位置至少形成一個SERS檢測區(qū)；所述SERS檢測區(qū)通過同步電化學沉積有直徑在50～200nm范圍的納米金屬顆粒。2.根據權利要求1所述的基于ITO導電玻璃上集成納米增強基底的SERS微流控芯片，其特征在于，所述微通道寬度為50μm~300μm，深度為5~200μm。3.根據權利要求1所述的基于ITO導電玻璃上集成納米增強基底的SERS微流控芯片，其特征在于，對應同一通道設計的SERS檢測區(qū)相互平行，檢測區(qū)長1mm~10mm。4.權利要求1-3所述的SERS微流控芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）制備帶有多條平行微通道、進液口和出液口的PDMS蓋片；（2）制備集成SERS增強基底的ITO基片：（2.1)采用兩步計時電流沉積方法，以ITO基片為工作電極，直接在其表面電化學沉積制備納米金屬顆粒，得到金、銀或銅金屬納米粒子直徑在50～200nm范圍的增強介質層，形成SERS基底；（2.2）將SERS檢測區(qū)以外的納米增強基底去掉，僅保...