專利名稱：一種冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于多晶硅冷氫化工藝的文丘里洗滌器。
背景技術(shù)：
目前，主流的多晶氫化工藝中分為熱氫化工藝及冷氫化工藝，冷氫化工藝因其較熱氫化工藝能耗更低而具有更廣闊的發(fā)展空間。但冷氫化工藝作為一個(gè)較新的工藝，其工藝過程的實(shí)現(xiàn)使得反應(yīng)氣中夾帶有細(xì)微硅粉，如果不對(duì)硅粉進(jìn)行處理會(huì)堵塞、磨損后續(xù)設(shè)備及管道，為此需要在降低反應(yīng)氣的溫度的同時(shí)除去反應(yīng)氣中夾帶的細(xì)微硅粉，但現(xiàn)有的除塵單元中文丘里洗滌器無法滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其解決了現(xiàn)有除塵單元中文丘里洗滌器無法除去反應(yīng)氣中夾帶的細(xì)微硅粉的技術(shù)問題。本發(fā)明的技術(shù)解決方案:一種冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其特殊之處在于:包括直立管狀殼體和噴淋裝置；所述殼體包括自上而下依次連接的氣體入口 1、接受段5、混合段8、氣體出口9 ;所述接受段的直徑大于混合段直徑；所述噴淋裝置包括設(shè)置在接受段的洗滌液管2和三個(gè)噴頭；所述洗滌液管與外部洗滌液相通，其包括三個(gè)出口，其中一個(gè)出口設(shè)置在接受段上部中軸線處且開口朝下，另外兩個(gè)出口對(duì)稱分布于接受段下部且開口沿水平方向；所述每個(gè)出口設(shè)置一個(gè)噴頭。上述噴淋裝置還包括對(duì)稱設(shè)置在接受段殼體上的兩個(gè)反射板10，所述設(shè)置在接受段下部的兩個(gè)出口分別對(duì)準(zhǔn)一個(gè)反射板。還包括調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)7，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)位于混合段內(nèi)，用于調(diào)節(jié)混合段的流通面積。還包括設(shè)置在接受段和混合段之間的喉部6。上述洗滌液為四氯化硅。本發(fā)明所具有的優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明通過上部噴頭噴出的洗滌液膜后與下部頭噴出的洗滌液的碰撞，可實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣的充分降溫和除塵。2、本發(fā)明可根據(jù)負(fù)荷需要設(shè)計(jì)喉管尺寸來設(shè)計(jì)流通面積。3、本發(fā)明可通過混合段側(cè)面的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)來改變流通面積達(dá)到調(diào)節(jié)負(fù)荷的目的。4、本發(fā)明在入口處采用洗滌液來捕捉硅粉顆粒，減少了硅粉顆粒對(duì)殼體的沖擊磨損。5、本發(fā)明設(shè)置有在接受段和混合段設(shè)置有喉部，通過改變反應(yīng)氣體流速，提高除塵效率。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中接受段的俯視圖；其中:1-氣體入口，2-洗滌液管，3-主噴頭，4-副噴頭、5-接受段，6_喉部，7_調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，8-混合段，9-氣體出口，10-反射板。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明結(jié)構(gòu)如下:I設(shè)備為直立管狀結(jié)構(gòu)，氣體入口 I與氣體出口 9同一軸線；2設(shè)備由接受段5及混合段8組成，其中接受段直徑大于混合段直徑；3在接受段設(shè)置洗滌液管2，洗滌液管端部設(shè)置三個(gè)噴頭，其中上部噴頭與氣體出入口同軸并使得洗滌液由噴頭噴出后覆蓋流通面積；下部?jī)蓚€(gè)噴頭對(duì)稱均布，噴出的洗滌液通過設(shè)備內(nèi)部的反射板10達(dá)到洗漆液撞擊、分散的目的；4接受段與混合段直接連接，根據(jù)負(fù)荷需要可設(shè)置改變流通面積的喉管；5為滿足除塵要求，在混合段側(cè)面設(shè)置有調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)7滿足流通截面積改變的要求，通過改變流通截面積達(dá)到改變氣體流速的目的。本發(fā)明原理:為了滿足冷氫化工藝去除反應(yīng)氣中夾帶細(xì)微硅粉的要求，本方案中的設(shè)備考慮了反應(yīng)氣的溫度(設(shè)計(jì)溫度550°C )、硅粉顆粒對(duì)設(shè)備的磨損、工藝流程中的壓降((0.08MPa)、材料選擇、洗滌液噴淋等方面問題。設(shè)備滿足冷氫化工藝硅粉顆粒去除的需要，使用液相的四氯化硅作為洗滌液直接對(duì)含硅粉顆粒的氣相進(jìn)行洗滌。高溫含固的反應(yīng)氣由設(shè)備入口進(jìn)行文丘里洗滌器后與主噴頭3噴出的洗滌液膜直接接觸，在反應(yīng)氣對(duì)洗滌液膜沖擊的過程中，反應(yīng)氣中的固體顆粒與洗滌液滴接觸，固體顆粒被洗滌液滴粘濕、包裹、捕捉，反應(yīng)氣穿過主噴頭噴出的洗滌液膜后與副噴頭4噴出的洗滌液進(jìn)行大部分的熱量交換，含固體顆粒的洗滌液進(jìn)一步凝聚而從反應(yīng)氣中去除混合進(jìn)入洗滌液中。含固體顆粒的洗滌液及反應(yīng)氣進(jìn)入較長(zhǎng)的混合段后進(jìn)行進(jìn)一步的熱量交換以及氣液相流動(dòng)的穩(wěn)定 ，最終從設(shè)備出口排出。如需對(duì)負(fù)荷調(diào)節(jié)，可通過混合段側(cè)面的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)改變流通面積達(dá)到調(diào)節(jié)目的。
權(quán)利要求
1.一種冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其特征在于:包括直立管狀殼體和噴淋裝置；所述殼體包括自上而下依次連接的氣體入口(I)、接受段(5)、混合段(8)、氣體出口(9);所述接受段的直徑大于混合段直徑；所述噴淋裝置包括設(shè)置在接受段的洗滌液管(2)和三個(gè)噴頭；所述洗滌液管與外部洗滌液相通，其包括三個(gè)出口，其中一個(gè)出口設(shè)置在接受段上部中軸線處且開口朝下，另外兩個(gè)出口對(duì)稱分布于接受段下部且開口沿水平方向；所述每個(gè)出口設(shè)置一個(gè)噴頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其特征在于:所述噴淋裝置還包括對(duì)稱設(shè)置在接受段殼體上的兩個(gè)反射板(10)，所述設(shè)置在接受段下部的兩個(gè)出口分別對(duì)準(zhǔn)一個(gè)反射板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其特征在于:還包括調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(7)，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)位于混合段內(nèi)，用于調(diào)節(jié)混合段的流通面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其特征在于:還包括設(shè)置在接受段和混合段之間的喉部(6)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，其特征在于:所述洗滌液為四氯化硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種冷氫化工藝用耐磨低阻文丘里洗滌器，包括直立管狀殼體和噴淋裝置，殼體包括自上而下依次連接的氣體入口、接受段、混合段、氣體出口，接受段的直徑大于混合段直徑，噴淋裝置包括設(shè)置在接受段的洗滌液管和三個(gè)噴頭，洗滌液管與外部洗滌液相通，其包括三個(gè)出口，其中一個(gè)出口設(shè)置在接受段上部中軸線處且開口朝下，另外兩個(gè)出口對(duì)稱分布于接受段下部且開口沿水平方向，每個(gè)出口設(shè)置一個(gè)噴頭。本發(fā)明解決了現(xiàn)有除塵單元中文丘里洗滌器無法除去反應(yīng)氣中夾帶的細(xì)微硅粉的技術(shù)問題，可實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣的充分降溫和除塵。
文檔編號(hào)B01D47/10GK103170201SQ20111045316
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者鄧肇冬 申請(qǐng)人:西安航天遠(yuǎn)征流體控制股份有限公司