專利名稱：：用于陶瓷離子傳輸膜的混合式導電立方鈣鈦礦的制作方法本專利申請是1996年12月31日提交的題為“帶機械增強構件的固體電解質膜”的美國專利申請系列號08/775663的部分繼續(xù)申請。該系列號在本文全文中引入作為參考。本發(fā)明涉及固體電解質離子傳輸膜(iontranspoftmembrane)要用到的陶瓷組合物。更具體地說，本發(fā)明涉及含有兩種系元素和兩種過渡金屬元素的氧化物的鈣鈦礦結構。該組合物為缺氧型，并在很寬的溫度范圍內保持著立方結構。本發(fā)明是在美國政府支持下按由“標準和工藝國家研究所”提供的合作協(xié)議號70NANB5H1065完成的。美國政府對本發(fā)明享受一定的權利。從含氧氣流中分離氧是許多工業(yè)化大生產操作中的一項處理步驟。分離氧的一種方法是利用混合導體陶瓷材料。無孔的陶瓷膜元件不能透過其它物種，但能選擇性地透過氧離子和電子。適用的陶瓷包括混合導體鈣鈦礦和雙相金屬-金屬氧化物的結合物。美國專利5,702,959(Mazanec等)、5,712,220(Carolan等)和5,733,435(Prasad等)中公開了一些示例性的陶瓷組合物，所有這些專利的全文在此引入作為參考。這些膜元件具有氧選擇性。“氧選擇性”意指只有氧離子能透過膜傳輸，而排斥其它元素和它們的離子。固體電解質膜是用無機氧化物制造的，典型的無機氧化物是由鈣或釔穩(wěn)定的鋯或類似的具有瑩石或鈣鈦礦結構的氧化物。在題為“固體電解質膜氣體分離的反應性清洗”的、Prasad等人的歐洲專利申請No.778,069中，描述了這些膜在氣體凈化中的使用。在溫度范圍為450℃至1200℃、氧的分壓占優(yōu)勢的情況下，當膜元件兩面保持化學電位差時，陶瓷膜元件就有能力傳輸氧離子和電子。該化學電位差是借助于在離子傳輸膜兩面保持氧分壓的正比率而建立起來的。在暴露于含氧氣體的膜的陰極側，氧的分壓(PO2)被保持在高于回收傳輸過來的氧的陽極側的氧分壓。這一PO2的正比率可借助于<p>眾所周知，線性磁場梯度(Gx、Gy和Gz)中的缺陷在重建圖像中產生后生物。例如，一個眾所周知的問題是，由梯度脈沖所產生的渦流會使磁場發(fā)生畸變并產生圖像后生物。補償這種渦流誤差的方法也已為公共所知，例如公開于美國專利US-4698591；4950994和5226418中。另外眾所周知的是，在整個成像體積內，梯度可能并不完全一致，這可引起圖像失真。補償這種非一致性的方法眾所周知，例如在美國專利US-4591789中有述。除了未補償的渦流誤差和未被校正的梯度非一致性誤差之外，可假定磁場梯度(Gx、Gy和Gz)產生正如所設計那樣的線性磁場，由此對NMR數據進行準確的空間編碼。利用這些梯度，按照慣例將位置(x，y，z)處的整個磁場定為B0+Gxx+Gyy+Gzz，通常將該磁場的方向取作沿Z軸方向。但是，這樣描述并不完全正確。只要施加一線性磁場梯度，整個磁場就偏離Z軸，且其幅值表現(xiàn)為高階空間依賴性(x2，y2，z2，x2z，…)。這些現(xiàn)象是麥克斯韋方程的直接后果，麥克斯韋方程要求整個磁場滿足以下兩個條件和。稱作“麥克斯韋項”(或麥克斯韋場)的高階磁場表示一基本的物理效應，而與渦流或硬件設計和制造中的機械誤差無關。盡管麥克斯韋項為人所知已達至少十年，可是由于它們在傳統(tǒng)成像條件下的微小后果，所以很大程度上早已忽略了它們對成像的影響。通過改變梯度波形來抑制FSE方法中因麥克斯韋項而產生的圖像后生物。在切片選擇方向上需要的地方使梯度波形關于再聚焦脈沖對稱，而對于不要求這種對稱性的地方的第一再聚焦脈沖來說，調整其中一個擠壓梯度脈沖的大小以消除因自平方麥克斯韋項(即x2，y2或z2)引起的后生物。接著使第一再聚焦RF脈沖之后的擠壓梯度波瓣等于改變后的擠壓梯度波瓣。通過將相位編碼梯度脈沖的幅值在允許施加的時間內減小到可能的最小值而使由于這些脈沖形成的自平方項產生的后生物最小。通過調整讀取梯度的調相前波瓣幅值，消除因讀取梯度形成的自平方麥克斯韋項所產生的后生物。由二次交叉麥克斯韋項(即xz和yz項)產生的后生物通常較小，一般可以利用常規(guī)的FSE相位校正技術消除，如美國專利US-5378985(1995年1月)所述。在二次交叉麥克斯韋項變得較強而無法利用現(xiàn)有<p>Mazenac等揭示出，加入較低濃度的特定過渡金屬元素可以穩(wěn)定鈣鈦礦的立方結構，抑制六角相材料的形成。該晶體結構顯示出在25℃至950℃的范圍內都是穩(wěn)定的。Carolan等的美國專利5,712,220公開了一種對固態(tài)氧分離裝置有效的鈣鈦礦，它的結構可用下式代表LnxA＇x＇A″x″ByB＇y＇B″y″O3-z式中Ln是選自f區(qū)系元素的一種元素；A＇是選自第2類；A″是選自第1、2、3類和f區(qū)系元素；B、B＇和B″是獨立地選自d區(qū)的過渡金屬元素，但鈦和鉻除外；0＜x＜10＜x＇＜10＜x″＜1；0＜y＜1.1；0＜y＇＜1.1；0＜y″＜1.1；x+x＇+x″＝1.0；1.1＞y+y＇+y″＞1.0；以及z是能使化合物變成電中性的一個數字，其中這些元素是IUPAC所正式通過的元素周期表中的元素。Carolen等所公開的結構具有的B(過渡金屬元素)比例(y+y＇+y″/x+x＇+x″)大于1。該結構被揭示出在具有高二氧化碳和水蒸汽分壓的環(huán)境中是很穩(wěn)定的。美國專利5,817,597(Carolen等)公開了一種對固態(tài)氧分離裝置有效的鈣鈦礦，它的結構可用下式代表LnxA＇x＇CoyFey＇Cuy″O3-z其中Ln為選自f區(qū)系元素的一種元素；A′可以是鍶也可以是鈣；x、y、z均大于0；x+x′＝1y+y′+y″＝1；0＜y″＜0.4；以及z是能使物質組分變?yōu)殡娭行缘囊粋€數字。該組分被揭示為在高氧分壓條件下能在氧滲透和抗降解方面取得很好平衡的組分。B-部位(B-site)則依靠與鐵和銅的結合來加以穩(wěn)定。1986年1月30日出版的日本專利公開No.61-21,717中公開了另一種適于用作氧傳輸膜的鈣鈦礦結構。該“公開”公開了一種用作氧傳輸膜的金屬氧化物，其代表結構為La1-xSrxCo1-yFeyO3-δ式中x在0.1與1之間；y在0.05與1之間；以及δ在0.5與0之間。Teraoka在ChemistryLetters(化學通訊，日本化學協(xié)會出版物，1988)上發(fā)表的文章公開了一種適合用作氧傳輸膜的鈣鈦礦結構，并討論了陽離子取代對氧滲透率的影響。一種公開的組分是La0.6Sr0.4Co0.8B′0.2O3，其中B′是選自錳、鐵、鎳、銅、鈷和鉻。在另一個研究領域中，已經發(fā)現(xiàn)鈣鈦礦在接近液氮沸點的溫度下有超導性，即具有事實上無阻力地傳導電子的能力。Genouel等1995年在JournalofSolidStateChemistry(固態(tài)化學雜志)上發(fā)表的一篇文章公開了一種缺氧鈣鈦礦，其代表結構為La0.2Sr0.8Cu0.4M0.6O3-y式中M是選自鈷和鐵；以及y在0.3與0.58之間。Genouel等揭示說，該晶體結構具有高濃度隨機分布的氧空穴，(y)大到0.52，而不是化學計算所預計的0。該參考文獻揭示說，高電導率是與存在著混合價銅(Cu(II)/Cu(III))有關，并報導其電導率超過1000/T＝3(k-1)至1000/T＝10(k-1)的范圍。60℃至-173℃這一溫度范圍對高溫超導體來說是有代表性的超導起始點。當上述公開的鈣鈦礦被用作氧分離機的膜時，分離機通常是工作在900℃至1100℃之間以獲得高的氧通量。在這樣高的溫度下工作對膜以及反應器其它部件的穩(wěn)定性是有害的。因此，就需要有一種鈣鈦礦結構，它能在900℃以下的溫度下從含氧氣流中有效地分離氧，得到較高的氧通量，同時材料還具有機械穩(wěn)定性。本發(fā)明的第一個目的是要提供出一種適合在氧分離機中用作膜元件的陶瓷材料。該陶瓷材料具有立方鈣鈦礦晶體結構，并在溫度低到600℃的情況下具有可測出的氧通量。本發(fā)明的第二個目的是要提供出高機械穩(wěn)定性的陶瓷材料，以避免在應力下破裂。這種應力可能產生于膜元件不同部分之間的溫差，也可能產生于在剛啟動時膜的陰極側的氧濃度高于陽極側的氧濃度。按照本發(fā)明的第一方面，氧分離裝置用的陶瓷膜元件基本上是由顯著的立方鈣鈦礦結構構成的。該種結構在空氣中在溫度范圍為25℃～950℃下基本上是穩(wěn)定的。其結構形式為A1-xA＇xB1-yB＇yO3-z其中A為系元素；A′為適當的系元素摻雜劑；B為選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳和鋅以及它們的混合物，條件是鈷的含量大于0.1，鐵的含量小于0.05；B＇為銅；x在0.4與0.8之間；y在0.1與0.9之間；以及z＞0，并根據化學計算來確定。在第一方面的優(yōu)選實施方案中，A為，A＇為鍶，B為鈷。x在0.6與0.8之間，y在0.1與0.3之間，而z在0.1與0.5之間。按照本發(fā)明的第二方面，膜元件還包括有能增強機械穩(wěn)定性的第二相C。第二方面的結構形式為A1-xA′xB1-yB′yO3-z+C其中C為選自銀、鈀、鉑、金、銠、釕、鎢、鉭、耐熱合金、鐠-銦混合氧化物、鈮-鈦混合氧化物、氧化鎳、氧化鎢、氧化鉭、鈰土、鋯土、鎂氧礦，以及它們的合金或混合物。在該第二方面的一個優(yōu)選實施方案中，C為Ag和Pd的合金，該合金占組合物重量的3％～50％。在Ag/Pd合金中還包括有10％至95％(重量)的鈀。從下面對優(yōu)選實施方案和附圖的描述中，本
技術領域：
的熟練人員將會聯(lián)想起其它的目的、特性和優(yōu)點圖1示出使用按照本發(fā)明的方法制成的膜元件的氧分離機的斷面圖。圖2為X-射線的衍射模型，它示出本發(fā)明的膜元件的立方晶體結構。圖3示出本發(fā)明第一種膜元件的氧通量與溫度的函數關系。圖4示出本發(fā)明第二種膜元件的氧通量與溫度的函數關系。本發(fā)明的組合物是混合的離子型陶瓷，它能選擇性地傳輸氧和電子。請參閱圖1，陶瓷組合物被制成為膜元件10，它是氧分離裝置12的一部分。一種含氧料氣14，例如空氣，被輸入氧分離裝置12的第一側16。膜元件10的一面或兩面被涂上多孔的催化劑18，例如燒結的鎳或鈷。料氣14中所含的氧被吸附到多孔催化劑18內部并在膜元件10的陰極側表面20上離解。氧離子被通過膜元件10從陰極側表面20傳輸到陽極側表面22。在陽極側表面22上，氧離子重新結合成氧，并在過程中釋放出一個電子。這個電子被通過膜元件10從陽極側表面22轉移到陰極側表面20。重新結合成的氧分子在陽極側表面22上從多孔催化劑18中解吸，并被從氧分離裝置12的第二側26上作為成品氣24被回收。成品氣24可以是未反應的氧分子，也可以是與一種過程或燃料氣26進行氧化反應的產物。在本發(fā)明的第一實施方案中，膜元件10是一種陶瓷組合物，它具有顯著的鈣鐵礦結構，該結構在空氣溫度范圍為25℃至950℃的范圍內是穩(wěn)定的。該膜元件是ABO類型的，并含有特種摻雜劑。該組合物以下述結構來代表A1-xA＇xB1-yB＇yO3-z其中A為系元素，并優(yōu)選為；A＇為適當的摻雜劑，并優(yōu)選為鍶；B為選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鋅以及它們的混合物；B＇為銅x在0.4～0.8的范圍內；y在0.1～0.9的范圍內，以及由于該組合物缺氧，因此z大于0(用化學計算來確定)。當B中包含的鈷的量大于0.1時，鐵的含量應小于0.05，因為增大鐵的取代量將會降低膜的氧離子傳導率。鐵的含量優(yōu)選不大于雜質的水平。在本發(fā)明的一個優(yōu)選方面中，x是在0.6和0.8之間，y是在0.1和0.3之間，z是在0.1和0.5之間。最優(yōu)選的組合物是La0.2Sr0.8Co0.9Cu0.1O3-z盡管本發(fā)明的組合物可用任何適當的方法來制得，但改進的Pechini法(液體混合法)是特別適用的。和鍶的碳酸鹽在2000ml的燒杯中被溶于40ml的HNO3中。作溫和的加熱(最高達50℃)和攪拌對促進溶解有利。隨后在該溶液中加入銅和鈷的硝酸鹽溶液。在該過程中加入約20ml的蒸餾水，以把所有痕量反應劑沖洗到該反應容器中。又加入0.3mol的檸檬酸和0.3mol的乙二醇作為配位劑。每批做成0.2mol所要求的陶瓷材料。各種組分的數量和分子量示于表1中。表1.在La0.2Sr0.8Co0.9Cu0.1O3-z合成中所用各種反應劑的數量然后，該溶液被加熱到低于沸點的溫度，通常加到約90℃，直到亞硝氣開始顯現(xiàn)為止。隨后該溶液被倒入加過熱的瓷盤中并在干燥箱中在180℃下進行干燥至少3小時。這樣得到的是一塊固體泡沫，將它粉碎成粉末并在振動或磨機中在乙醇介質中磨24小時，并使用二氧化鋯作介質。其方法和溫度示于表2。表2.樣品的溫度處理*在加熱和冷卻中在300℃時也保持1小時。在煅燒后，粉末在振動式磨機中干磨4小時。然后該粉末與4％(重量)的聚乙烯醇與水的溶液混合，該溶液用作壓片的粘合劑，每10克粉末中加入0.8克的聚乙烯醇溶液。然后該粉末和粘合劑被放入Spex磨機(紐約州Edison的Spex工業(yè)公司制造)中磨很短時間，用聚甲基丙烯酸甲酯介質來使溶液分散在粉末中。使用直徑為1.5英寸的不銹鋼模子單軸向壓制成片。每片使用9克粉末，所用壓力為2830磅/平方英寸。這些片隨后被用40,000磅/平方英寸的壓力進行等壓壓縮，并在氧氣中進行燒結。這樣得到的樣品片所具有的密度約為理論密度的95％。雖然第一實施方案的陶瓷材料具有氧分離裝置12用的陶瓷膜結構10所需要的許多屬性，但它是脆性的，易于破裂。該種陶瓷膜由于陶瓷在熱循環(huán)中有可能發(fā)生結構破裂而限制了它的實際實用。借助于往制作膜元件10的陶瓷中加入延性金屬作為第二相，就可提高陶瓷膜的機械性能。因為高的氧通量是需要的，因此加入金屬的量應小于滲濾極限。在此滲濾極限被定義為“為形成從陰極側表面20延伸至陽極側表面22的金屬通道而必須摻入陶瓷粉末中的金屬粉末的理論計算量”。通常，這要求存在的金屬第二相的量大于30％(容積)，以形成連續(xù)的第二相。但是，本發(fā)明并不要求有這樣的金屬通道。任何具有高于陶瓷處理溫度的熔點的導電延性金屬都可用作第二相。第二相優(yōu)選選自銀、鈀、鉑、金、銠、釕、鎢、鉭、耐熱合金如鉻鎳鐵合金、哈斯特洛伊耐蝕鎳基合金、蒙乃爾合金和ducrolloy，以及它們的混合物。更優(yōu)選的第二相金屬包括銀、銀鈀合金和耐熱合金。最優(yōu)選的是銀和鈀的合金，其中該合金占整個組合物重量的3％～50％。更優(yōu)選，銀/鈀合金占整個組合物重量的3％～20％。一種優(yōu)選的銀/鈀合金含有10％～95％重量的銀。最優(yōu)選，合金中銀的含量在約50％至95％之間。替代的辦法是，第二相可選用陶瓷，例如鐠-氧化銦混合物、鈮-氧化鈦混合物、氧化鎳、氧化鎢、氧化鉭、鈰土、鋯、鎂氧礦，以及它們的混合物。優(yōu)選的第二相陶瓷是可作為氧化物加入到組合物中而隨后借助于在還原氣中加熱而還原為金屬的那些陶瓷。優(yōu)選的第二相陶瓷的例子有氧化鈦和氧化鎳。按照第二實施方案，膜元件組合物可用下述結構來代表A1-xA′xB1-yB′yO3-z+C其中參數A、A′、B、B′、x、y和z與實施方案1相同，C則選自銀、鈀、鉑、金、銠、釕、鎢、鉭、銀、銀/鈀合金、耐熱合金、鐠-氧化銦混合物、鈮-氧化鈦混合物、氧化鎳、氧化鎢、氧化鉭、鈰土、鋯土、鎂氧礦，以及它們的合金或混合物。一個示例性組合物為La0.2Sr0.8Co0.9Cu0.1O3-z+20％重量的90％Ag/10％Pd盡管該組合物可用任何適當的方法來制備，但改進的液體混合法可作為示例性的方法，在該方法中，組分離子的用熱解重量分析法進行標準化的碳酸鹽和硝酸鹽溶液與檸檬酸、乙二醇和水一起加熱。作為方法之一，將9.1570克的La2(CO3)3和23.6208克的SrCO3加入一個2000ml的燒杯中。往該碳酸鹽中加入約20ml的蒸餾水，隨后再加入約30ml的硝酸，以溶解碳酸鹽。配成的溶液被加熱到約90℃并加攪拌以加速溶解。在碳酸鹽溶解后，立即往燒杯中加入28.7875克的硝酸銅溶液(每molCu2+1439.38克溶液)和91.2116克的硝酸鈷溶液。然后加入57.6克的檸檬酸和18.6克的乙二醇，并使溶液保持在90℃并加攪拌。該前體溶液保持在90℃直到溶液中的亞硝氣全部放出為止，此時該溶液被放進預熱到180℃的陶瓷盤中，并保持此溫度不變12個小時，以形成半硬的聚合物炭焦。然后，該炭焦被混和在乙醇中研磨8小時，乙醇在煅燒前揮發(fā)掉。煅燒分為二步來做。研磨過的炭焦首先以每分鐘0.4℃的速率加熱到300℃，在此過程中一些有機物被燒掉，接著以每分鐘1.7℃的升溫速率加熱到700℃，并在700℃下保持4小時以保證相的形成。鈣鈦礦加合金的復合組合物用下述方法來制備用8.0克所產出的陶瓷與2.0克合金，再加0.5克粘合劑(在水中溶有5％重量的聚乙烯醇)放入研缽中用研桿攪和。大約0.5克的粉末狀復合物被放入直徑0.5英寸的模具中以5,000磅的壓力進行單軸向壓縮。這些樣品被放在氧化鋁耐火墊板頂部預先粗化的La0.2Sr0.8Co0.9Cu0.1O3-z床上，并以每分鐘3℃的速率加熱到燒結溫度。這些材料隨后在空氣中在940℃和1000℃之間燒結4小時。加熱到940℃進行燒結所得到的密度為6.37g/cm3，帶有2.17％的開孔。把燒結溫度提高到960℃使密度增大到6.39g/cm3，使開孔減為0.7％。把燒結溫度提高到980℃，所得到的密度為6.42g/cm3，帶有的開孔為0.6％。但是，有一次燒結溫度提高到了1000℃，金屬就開始從預先粗化的陶瓷床中瀝濾出來，所得到的密度減為6.31g/cm3，而開孔減到0.2％。如上所指出的，燒結必須在低于熔融金屬發(fā)生瀝濾的溫度下進行。本發(fā)明的陶瓷材料用作氧分離機的膜元件的有利之處，從下面的實施例中將會變得更加明顯。實施例1按照上述第一實施方案制成的陶瓷片，用Scintag(加里福尼亞州Cupertino的Scintag公司制造)衍射計(帶有高溫附件)進行了X-射線衍射(XRD)分析，以分析在各種溫度下相的發(fā)展情況。如圖2所示，在40℃和700℃之間的所有溫度下樣品都保持在立方結構下沒有發(fā)生相轉化。圖2中的硅和鉑的峰值分別來自內部標準和樣品持有人。用厚1.0mm、封在帶有銀糊(silverpaste)的氧化鋁試驗池中的燒結盤來測試樣品的氧滲透率。滲透率試驗是作為溫度的函數來進行，使用的料氣為氮中含有20％容積的氧。在料氣進入以前先用氦氣吹洗。使用HewlettPackard5890氣體色譜儀(特拉華州Wilmington的HewlettPackard公司制造)和ServomexSeries1100氧分析儀(英格蘭SussexCrowborough的Servomex有限公司制造)來分析氣體組分和計算氧通量。表3記錄了當使用1.0電子伏特的激活能后，氧通量與溫度的函數關系。表3圖3對表3所記錄的氧通量與現(xiàn)有技術的一種陶瓷膜結構(La.05Sr.95CoO3)進行了比較?，F(xiàn)有技術的組合物直到約900℃以前都沒有傳輸出氧。而本發(fā)明的組合物在溫度低到600℃就己有可測出的氧傳輸，而且在溫度在700和800℃之間就有了商業(yè)可用的氧通量。隨后使該陶瓷結構冷卻到室溫并檢測到了陶瓷的裂紋。實施例2用上述第二實施方案的組合物所做的1mm厚的盤，被封在帶有銀糊的氧化鋁試驗池中，并如上述那樣進行滲透試驗。表4記錄著測得的氧通量。表4</tables>圖4對按照第2實施方案制作的陶瓷材料所測得的氧通量，與按第1實施方案制作的陶瓷材料以及上述現(xiàn)有技術陶瓷材料的相關氧通量進行了比較。雖然加入金屬相使氧通量略有降低，但仍在低到600℃的溫度下測到了氧通量，而商業(yè)有用的氧通量則在低到800℃的溫度下即可獲得。有重要意義的是，在冷卻后，該樣品完整如初，沒有裂紋。權利要求1.一種氧分離裝置用的陶瓷膜元件，它基本上是由顯著的立方鈣鈦礦結構構成的，它在空氣中在溫度范圍為25℃～950℃下基本上是穩(wěn)定的，它可用下述結構來代表A1-xA＇xB1-yB＇yO3-z其中A為系元素；A＇為適當的系元素摻雜劑；B選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳和鋅以及它們的混合物，其中當混合物中鈷的含量大于0.1時，鐵的含量應小于0.05；B＇為銅x在0.4與0.8之間；y在0.1與0.9之間；以及z＞0，并根據化學計算來確定。2.權利要求1的膜元件，其中x在0.6與0.8之間，y在0.1與0.3之間，z在0.1與0.5之間。3.權利要求1的膜元件，其中A為，A＇為鍶，B為鈷。4.權利要求3的膜元件，其中x在0.6與0.8之間，y在0.1與0.3之間，z在0.1與0.5之間。5.權利要求1的膜元件，它還包括以下述結構來代表的CA1-xA＇xB1-yB＇yO3-z+C其中C選自銀、鈀、鉑、金、銠、釕、鎢、鉭；耐熱合金如鉻鎳鐵合金、哈斯特洛伊耐蝕鎳基合金、蒙乃爾合金和ducrolloy；鐠-銦混合氧化物、鈮-鈦混合氧化物、氧化鎳、氧化鎢、氧化鈕、鈰土、鋯土、鎂氧礦；以及它們的混合物。6.權利要求5的膜元件，其中C為選自銀、銀/鈀合金和耐熱合金如鉻鎳鐵合金、哈斯特洛伊耐蝕鎳基合金、蒙乃爾合金和ducrolloy。7.權利要求6的膜元件，其中C為Ag和Pd的合金并占該組合物重量的3％至50％。8.權利要求7的膜元件，其中C為Ag和Pd的合金并占該組合物重量的3％至20％。9.權利要求7的膜元件，其中C含有10％至95％重量的鈀。全文摘要一種氧分離機用的陶瓷材料由式A文檔編號B01J35/00GK1263791SQ0010198公開日2000年8月23日申請日期2000年2月1日優(yōu)先權日1999年2月2日發(fā)明者H·U·安德森,V·斯普倫克勒,I·考斯,C·C·陳申請人:普拉塞爾技術有限公司