1.一種光降解凈化裝置，其特征在于，所述光降解凈化裝置包括光電轉(zhuǎn)換組件、以及與光電轉(zhuǎn)換組件的正極和負極電性連接的第一電極和第二電極，所述光電轉(zhuǎn)換組件用于將入射光線轉(zhuǎn)換為光生載流子，所述第一電極和/或第二電極為鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極，鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極包括鈦片及形成于鈦片表面的二氧化鈦氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光降解凈化裝置，其特征在于，所述第一電極和第二電極為：
第一電極為鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極，第二電極為碳棒；或，
第一電極為碳棒，第二電極為鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極；或，
第一電極為鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極，第二電極為鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光降解凈化裝置，其特征在于，所述入射光線為自然太陽光或人工光源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光降解凈化裝置，其特征在于，所述光電轉(zhuǎn)換組件為：
一個太陽能電池片；或，
多個串聯(lián)設(shè)置、或并聯(lián)設(shè)置、或混聯(lián)設(shè)置的太陽能電池片。
5.一種如權(quán)利要求1～4中任一項所述的光降解凈化裝置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
S1、取鈦片，經(jīng)酸洗去除表面的氧化層，并進行退火處理，在鈦片表面形成一層致密的二氧化鈦氧化層，作為鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極；
S2、提供一光電轉(zhuǎn)換組件；
S3、在光電轉(zhuǎn)換組件正極和負極分別電性連接第一電極和第二電極，第一電極和/或第二電極為步驟S1制備的鈦-二氧化鈦肖特基結(jié)電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光降解凈化裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟S1中酸洗的試劑是氫氟酸、硝酸和水按1：3：6比例混合的混合酸性試劑，酸洗時間為1～100s。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光降解凈化裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟S1中退火處理在電阻爐中進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光降解凈化裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟S1中退火處理具體為：
將電阻爐中以1～10℃/min的升溫速率加熱至100～500℃，空氣條件下退火1～10h，獲得厚度為100～4000nm的二氧化鈦氧化層。
9.一種如權(quán)利要求1～4中任一項所述的光降解凈化裝置的凈化方法，其特征在于，所述凈化方法包括：
將第一電極和第二電極接入含有有機物的污水中；
采用入射光線照射光電轉(zhuǎn)換組件上，對污水進行光降解。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光降解凈化裝置的凈化方法，其特征在于，所述凈化方法還包括：
在污水中加入氯化鈉，以提高光降解效率。