本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，更具體的，涉及一種陶瓷件上聚合物的清洗方法及裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)今6寸半導(dǎo)體晶圓制造工廠的干法氧化層刻蝕機(jī)一般以Lam590和Lam4520為主，其工作原理是向真空環(huán)境的反應(yīng)腔內(nèi)通入反應(yīng)氣體，通過加射頻電源形成等離子體，刻蝕平放在下電極上的硅片形成需要的圖形。同時反應(yīng)過程中生成的副產(chǎn)物一部分沉積在腔體內(nèi)的零件上形成聚合物，為了保證產(chǎn)品良率，設(shè)備人員會定期對反應(yīng)腔內(nèi)的聚合物做清洗。這兩種類型設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)有很多陶瓷件，由于陶瓷件屬于易碎品，所以陶瓷件上聚合物的去除是最讓設(shè)備人員苦惱的事，目前業(yè)界在干法氧化層刻蝕機(jī)反應(yīng)腔內(nèi)陶瓷件上聚合物的清洗方法是：丙酮浸泡+去離子水清洗+異丙醇IPA脫水。

但這種方法對人力，財(cái)力和時間都是極大的浪費(fèi)，同時由于丙酮易揮發(fā)和易燃，在使用過程中也存在很大的潛在性風(fēng)險(xiǎn)。而且浸泡處理后，陶瓷件二次凝結(jié)聚合物附著能力降低，會出現(xiàn)聚合物脫落從而影響產(chǎn)品生產(chǎn)的順利進(jìn)行。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開一種陶瓷件上聚合物的清洗方法及裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)對干法刻蝕機(jī)反應(yīng)腔內(nèi)陶瓷件上的聚合物的清洗中存在的成本高且效率低，以及影響后期產(chǎn)品生產(chǎn)的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陶瓷件上聚合物的清洗方法，包括：

控制一清除裝置與固定的陶瓷件成一預(yù)設(shè)角度，推動所述清除裝置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物；

將已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件進(jìn)行噴砂處理，清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物；

清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)，對陶瓷件進(jìn)行脫水處理，完成所述陶瓷件的清洗。

其中，所述將已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件進(jìn)行噴砂處理，清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物包括：

控制具有一預(yù)設(shè)噴砂粒度的噴砂機(jī)的噴槍對準(zhǔn)所述陶瓷件；

控制所述噴砂機(jī)在第一預(yù)設(shè)時長內(nèi)將噴料噴射到所述陶瓷件，清除所述第二部分聚合物。

其中，所述清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)包括：

控制一清洗裝置蘸取去離子水；

移動所述清洗裝置擦除所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)。

其中，所述對陶瓷件進(jìn)行脫水處理包括：

采用異丙醇IPA對所述陶瓷件進(jìn)行第一次脫水；

控制第一次脫水后的所述陶瓷件進(jìn)入預(yù)設(shè)溫度烘箱進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時長的烘烤處理，完成二次脫水。

其中，所述陶瓷件水平固定在一專用處理臺；其中，所述專用處理臺設(shè)置有能夠通過旋緊固定所述陶瓷件的固定夾具。

其中，所述清除裝置為安裝有刀片的專用刀架。

其中，所述預(yù)設(shè)角度為45度。

其中，所述噴料為石英砂、銅礦砂、鐵砂和海沙中的至少一種。

其中，所述預(yù)設(shè)溫度為80度。

為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種陶瓷件上聚合物的清洗裝置，包括：

第一處理模塊，用于控制一清除裝置與固定的陶瓷件成一預(yù)設(shè)角度，推動所述清除裝置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物；

第二處理模塊，用于將已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件進(jìn)行噴砂處理，清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物；

第三處理模塊，用于清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)，對陶瓷件進(jìn)行脫水處理，完成所述陶瓷件的清洗。

其中，所述第二處理模塊包括：

第一處理子模塊，用于控制具有一預(yù)設(shè)噴砂粒度的噴砂機(jī)的噴槍對準(zhǔn)所述陶瓷件；

第二處理子模塊，用于控制所述噴砂機(jī)在第一預(yù)設(shè)時長內(nèi)將噴料噴射到所述陶瓷件，清除所述第二部分聚合物。

其中，所述第三處理模塊包括：

第三處理子模塊，用于控制一清洗裝置蘸取去離子水；

第四處理子模塊，用于移動所述清洗裝置擦除所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)。

其中，所述第三處理模塊包括：

第五處理子模塊，用于采用異丙醇IPA對所述陶瓷件進(jìn)行第一次脫水；

第六控制子模塊，用于控制第一次脫水后的所述陶瓷件進(jìn)入預(yù)設(shè)溫度烘箱進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時長的烘烤處理，完成二次脫水。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例的陶瓷件上聚合物的清洗方法，用一清除裝置清除掉陶瓷件上的第一部分聚合物，即大部分聚合物；然后將削刮后的陶瓷件進(jìn)行了噴砂處理，以致將陶瓷件上剩下部分極少量的肉眼無法觀察到的聚合物通過摩擦力去除；下一步對陶瓷件進(jìn)行清洗，以去除殘留在陶瓷件上的殘余雜質(zhì)，并采用脫水步驟去除清洗該陶瓷件所殘留在陶瓷件上的水分，完成陶瓷件聚合物的清洗流程。對比現(xiàn)有技術(shù)中的用丙酮侵泡10小時左右，更簡單方便，由于不需使用丙酮，節(jié)約了原材料成本和時間，提升了工作效率，規(guī)避了丙酮的潛在性危險(xiǎn)，而且噴砂處理保障了聚合物凝結(jié)面的處理效果，增強(qiáng)了二次聚合物的凝結(jié)穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1表示本發(fā)明實(shí)施例一所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程圖；

圖2表示本發(fā)明實(shí)施例二所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程圖；

圖3表示本發(fā)明實(shí)施例的陶瓷件上聚合物的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明針對現(xiàn)有的干法氧化層刻蝕機(jī)反應(yīng)腔內(nèi)陶瓷件上聚合物的清洗方法存在的成本高且效率低，以及影響后期產(chǎn)品生產(chǎn)的問題，提供一種陶瓷件上聚合物的清洗方法，避免丙酮的使用，提高了安全性和工作效率，減少環(huán)境污染，而且在清除聚合物的同時保證了聚合物凝結(jié)面的處理效果，增強(qiáng)了二次凝結(jié)聚合物的凝結(jié)穩(wěn)定性。。

實(shí)施例一

圖1表示本發(fā)明實(shí)施例一所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程圖。

參見圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的陶瓷件上聚合物的清洗方法包括：

步驟11，控制一清除裝置與固定的陶瓷件成一預(yù)設(shè)角度，推動所述清除裝置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物；

步驟12，將已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件進(jìn)行噴砂處理，清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物；

步驟13，清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)，對陶瓷件進(jìn)行脫水處理，完成所述陶瓷件的清洗。

在步驟11中用一清除裝置清除掉陶瓷件上的第一部分聚合物，即大部分聚合物，該清除裝置可以是刀具，刮具等能夠使聚合物從陶瓷件上刮除的裝置。在步驟12中，將削刮后的陶瓷件進(jìn)行了噴少處理，以致將陶瓷件上剩下部分極少量的肉眼無法觀察到的聚合物通過摩擦力去除，而且噴砂處理后，也增強(qiáng)了之后生產(chǎn)中聚合物的凝結(jié)穩(wěn)定性。在步驟13中，對陶瓷件進(jìn)行清洗，以去除殘留在陶瓷件上的殘余雜質(zhì)，并采用脫水步驟去除清洗該陶瓷件所殘留在陶瓷件上的水分，完成陶瓷件聚合物的清洗流程。

其中，所述陶瓷件水平固定在一專用處理臺；其中，所述專用處理臺設(shè)置有能夠通過旋緊固定所述陶瓷件的固定夾具。

陶瓷件水平放置在專用處理臺上，并通過固定夾具旋緊固定陶瓷件，避免在后期對陶瓷件的各種處理時，陶瓷件的活動影響處理效果。

在本實(shí)施例的上述技術(shù)方案中，清除裝置可以是刀具，刮具等能夠使聚合 物從陶瓷件上剝落的裝置。但考慮到操作過程和最終的效果，優(yōu)選地，所述清除裝置為安裝有刀片的專用刀架。通過該專用刀架刮除陶瓷件上的第一部分聚合物，操作簡單，達(dá)到的效果較佳。

在步驟11中，控制該清除裝置與陶瓷件成一預(yù)設(shè)角度，該預(yù)設(shè)角度使得清除裝置進(jìn)行清除陶瓷件上的聚合物時清除效果最佳，優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)角度為45度。在控制好該預(yù)設(shè)角度后，推動清除裝置，使得清除裝置清除第一部分聚合物。

進(jìn)一步地，步驟12包括：

步驟121，控制具有一預(yù)設(shè)噴砂粒度的噴砂機(jī)的噴槍對準(zhǔn)所述陶瓷件；

步驟122，控制所述噴砂機(jī)在第一預(yù)設(shè)時長內(nèi)將噴料噴射到所述陶瓷件，清除所述第二部分聚合物。

將具有一預(yù)設(shè)噴砂粒度的噴砂機(jī)的噴槍對準(zhǔn)已削刮后的陶瓷件后，控制噴砂機(jī)在第一預(yù)設(shè)時長內(nèi)將噴料噴射到陶瓷件，清除陶瓷件上第二部分聚合物。由于噴砂處理的是陶瓷件，噴砂機(jī)優(yōu)選用60目粒度的，而噴砂處理的時間需要根據(jù)陶瓷件、聚合物等具體情況而定，可由操作人員進(jìn)行設(shè)置。

其中，所述噴料為石英砂、銅礦砂、鐵砂和海沙中的至少一種。

當(dāng)然，噴料的選擇有很多，除了上述幾種之外還有棕剛玉或白剛玉等其它材料，能達(dá)到同樣效果的噴料也是適用本發(fā)明實(shí)施例的，在此不一一列舉。

進(jìn)一步地，步驟13包括：

步驟131，控制一清洗裝置蘸取去離子水；

步驟132，移動所述清洗裝置擦除所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)。

不論削刮掉的還是經(jīng)噴砂處理后的聚合物，還有噴砂處理的噴料作為殘留雜質(zhì)可能殘留在陶瓷件表面上，需要擦除即可。但是為了不引入新的雜質(zhì)，本發(fā)明實(shí)施例中選用經(jīng)處理后的去離子水進(jìn)行擦除，首先控制清洗裝置蘸取去離子水，然后移動該清洗裝置在陶瓷件上擦除殘余雜質(zhì)。

經(jīng)上述步驟后，陶瓷件上的聚合物已經(jīng)清除，但是由于去離子水擦拭后的遺留，該陶瓷件不能直接使用，還需要清除掉去離子水，對陶瓷件進(jìn)行脫水處理。進(jìn)一步地，具體脫水步驟13包括：

步驟133，采用異丙醇IPA對所述陶瓷件進(jìn)行第一次脫水；

步驟134，控制第一次脫水后的所述陶瓷件進(jìn)入預(yù)設(shè)溫度烘箱進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時長的烘烤處理，完成二次脫水。

經(jīng)上述步驟133和134完成兩次脫水后最終就得到了清洗干凈的陶瓷件。

考慮到陶瓷件的材質(zhì)等原因，優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溫度為80度。采用異丙醇IPA對陶瓷件進(jìn)行第一次脫水，將清洗干凈的陶瓷件放入80度的烘烤箱第二預(yù)設(shè)時長進(jìn)行第二次脫水處理。

上述實(shí)施例的陶瓷件上聚合物的清洗方法，對比現(xiàn)有技術(shù)中的用丙酮侵泡10小時左右，更簡單方便，由于不需使用丙酮，節(jié)約了原材料成本和時間，提升了工作效率，規(guī)避了丙酮的潛在性危險(xiǎn)，而且噴砂處理保障了聚合物凝結(jié)面的處理效果，增強(qiáng)了二次聚合物的凝結(jié)穩(wěn)定性。

實(shí)施例二

圖2表示本發(fā)明實(shí)施例二所述的陶瓷件上聚合物的清洗方法的流程圖。

參見圖2所示，陶瓷件上聚合物的清洗方法可包括：

S21，刀片與陶瓷件平面成45度夾角去除聚合物；

在S21中，控制刀片與陶瓷件平面的預(yù)設(shè)角度是45度，當(dāng)然，也可以是其它的角度如30度、40度、50度或55度等，優(yōu)選為45度，此時，操作方便，便于實(shí)施清洗步驟從而達(dá)到較佳的聚合物清洗效果。

S22，用噴砂工藝通過沙粒高密度摩擦把陶瓷件上殘留聚合物去除；

通過S22，將經(jīng)S21后的陶瓷件表面噴砂進(jìn)行聚合物的二次處理，將殘留聚合物通過摩擦力去除，并以此增強(qiáng)之后工作中二次聚合物對陶瓷件的粘附力。

S23：用無塵布蘸去離子水把陶瓷件清洗干凈。

該步驟主要去除陶瓷件表面上二次聚合物清除的殘留，可能還有噴砂處理后的噴料，將陶瓷件清洗干凈。

步驟S24：用無塵布蘸IPA對陶瓷件進(jìn)行脫水處理；

步驟S25：清洗干凈的陶瓷件放入80度的烘烤箱15分鐘進(jìn)行脫水處理。

在本步驟中，將清洗干凈的陶瓷件放入80度的烘烤箱15分鐘進(jìn)行脫水處理，而現(xiàn)有技術(shù)在執(zhí)行烘烤步驟時，需要烘烤時間較長，原因就是對于通過清除裝置清除主要部分聚合物的清洗方法來說，沒有對陶瓷件進(jìn)行浸泡的環(huán)節(jié)，沒有進(jìn)行浸泡，陶瓷件中包含的水分就少，需要烘烤的時間相對就短，因此， 節(jié)省了整個清洗的時間，提高了效率。

本發(fā)明通過清除裝置清除掉陶瓷件上的大部分聚合物，并在噴砂處理殘余的聚合物后，用去離子水清洗掉殘余雜質(zhì)，然后用IPA對陶瓷件進(jìn)行脫水處理，并烘烤掉余下水分。對比現(xiàn)有技術(shù)中的用丙酮浸泡10小時左右，節(jié)約了大量的時間和成本。且丙酮屬于化學(xué)溶液，避免使用的同時，提高了安全性以及減少環(huán)境污染的效果。同時，噴砂處理保障了聚合物凝結(jié)面的處理效果，增強(qiáng)了二次聚合物的凝結(jié)穩(wěn)定性。

如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陶瓷件上聚合物的清洗裝置，包括：

第一處理模塊10，用于控制一清除裝置與固定的陶瓷件成一預(yù)設(shè)角度，推動所述清除裝置刮除所述陶瓷件上的第一部分聚合物；

第二處理模塊20，用于將已刮除所述第一部分聚合物的所述陶瓷件進(jìn)行噴砂處理，清除所述陶瓷件上的第二部分聚合物；

第三處理模塊30，用于清洗已清除所述第二部分聚合物的所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)，對陶瓷件進(jìn)行脫水處理，完成所述陶瓷件的清洗。

其中，所述第二處理模塊包括：

第一處理子模塊，用于控制具有一預(yù)設(shè)噴砂粒度的噴砂機(jī)的噴槍對準(zhǔn)所述陶瓷件；

第二處理子模塊，用于控制所述噴砂機(jī)在第一預(yù)設(shè)時長內(nèi)將噴料噴射到所述陶瓷件，清除所述第二部分聚合物。

其中，所述第三處理模塊包括：

第三處理子模塊，用于控制一清洗裝置蘸取去離子水；

第四處理子模塊，用于移動所述清洗裝置擦除所述陶瓷件上的殘余雜質(zhì)。

其中，所述第三處理模塊包括：

第五處理子模塊，用于采用異丙醇IPA對所述陶瓷件進(jìn)行第一次脫水；

第六控制子模塊，用于控制第一次脫水后的所述陶瓷件進(jìn)入預(yù)設(shè)溫度烘箱進(jìn)行第二預(yù)設(shè)時長的烘烤處理，完成二次脫水。

其中，所述陶瓷件水平固定在一專用處理臺；其中，所述專用處理臺設(shè)置有能夠通過旋緊固定所述陶瓷件的固定夾具。

其中，所述清除裝置為安裝有刀片的專用刀架。

其中，所述預(yù)設(shè)角度為45度。

其中，所述噴料為石英砂、銅礦砂、鐵砂和海沙中的至少一種。

其中，所述預(yù)設(shè)溫度為80度。

本發(fā)明實(shí)施例的陶瓷件上聚合物的清洗裝置，對比現(xiàn)有技術(shù)中的用丙酮侵泡10小時左右，更簡單方便，由于不需使用丙酮，節(jié)約了原材料成本和時間，提升了工作效率，規(guī)避了丙酮的潛在性危險(xiǎn)，而且噴砂處理保障了聚合物凝結(jié)面的處理效果，增強(qiáng)了二次聚合物的凝結(jié)穩(wěn)定性。

需要說明的是，該裝置是應(yīng)用了上述陶瓷件上聚合物的清洗方法的裝置，上述陶瓷件上聚合物的清洗方法的實(shí)現(xiàn)方式適用于該裝置，也能達(dá)到相同的技術(shù)效果。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。