本申請涉及一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法和裝置，屬于玻璃燒結(jié)。

背景技術(shù)：

1、玻璃燒結(jié)作業(yè)的過程中，燒結(jié)件經(jīng)過燒結(jié)后的精度會因為燒結(jié)溫度和燒結(jié)工裝等技術(shù)問題造成燒結(jié)后精度較低，且會影響到燒結(jié)后的尺寸，尤其是針對需要應(yīng)用在航天、軍工和一些精密微小的電器件中的精密零件，燒結(jié)后的尺寸如果發(fā)生改變，其精度會變得很差，使整個工裝在燒結(jié)過程中的合格率低下，很難滿足當(dāng)前的技術(shù)需求。因此，一種新的玻璃燒結(jié)中心定位的方法和裝置成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置和方法，該方法通過制備基板層和蓋板層將若干個電子元器件形成一組并將其包裹起來進行燒制。

2、本申請?zhí)峁┝艘环N玻璃燒結(jié)中心定位的裝置，包括基板層、用于放置待燒結(jié)的電子元器件，所述基板層設(shè)置有下沉孔，所述下沉孔的輪廓形狀與所述待燒結(jié)的電子元器件的下半部分相適配；

3、蓋板層，安裝在所述基板層的上端，所述蓋板層設(shè)置有上沉孔，所述上沉孔的輪廓形狀與所述待燒結(jié)的電子元器件的上半部分相適配；

4、所述基板層與所述蓋板層可拆卸連接；

5、外置的相機識別裝置，用于定位測量上沉孔和下沉孔之間的中心位置重合度。

6、可選的，所述基板層的低端設(shè)置有若干個第一中心標點，所述蓋板層的頂端設(shè)置有若干個第二中心標點；

7、所述第一中心標點的位置與下沉孔的中心位置設(shè)置在同一垂直延伸線上，所述第二中心標點的位置與上沉孔的中心位置設(shè)置在同一垂直延伸線上。

8、可選的，所述第一中心標點和第二中心標點通過激光刻蝕出十字標記，且在兩個十字標記的中心點位置刻蝕出圓形標點，兩個所述圓形標點的直徑相同。

9、可選的，所述相機識別裝置5包括攝像機、圖片識別模塊、距離測量模塊和圖層覆蓋模塊9；

10、所述攝像機用于拍攝所述基板層和蓋板層底端的圖片；

11、所述圖片識別模塊用于將兩個圖片識別為兩個圖層；

12、所述圖層覆蓋模塊9用于將兩個所述圖層進行重疊覆蓋，并對比兩個圖層上的所述圓形標點上的重合度。

13、本申請還提供了一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法，用于電子元器件生產(chǎn)過程中的燒結(jié)工裝的制備方法，采用前述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置進行使用，包括以下步驟：

14、步驟一：沉孔尺寸確定，根據(jù)電子元器件的外部尺寸設(shè)計用于放置電子元器件的上沉孔和下沉孔的尺寸；

15、步驟二：定位工裝的尺寸確定，將上沉孔均勻排布在基板層上，將下沉孔均勻排布在蓋板層上，使每一個所述上沉孔的位置和所述下沉孔的位置相貼合；

16、步驟三：制作蓋板層和基板層，根據(jù)設(shè)計尺寸和結(jié)構(gòu)并使用等靜壓石墨材料進行車銑，得到預(yù)制燒結(jié)工裝；

17、步驟四：表面硬化，將預(yù)制燒結(jié)工裝的基板層和蓋板層使用清洗液進行泡制和刷洗，泡洗時間小于10min，將泡洗后的預(yù)制燒結(jié)工裝放入燒結(jié)爐中進行燒結(jié)，燒結(jié)爐中溫度為：800-900℃，燒結(jié)時間為：20mm/min，燒結(jié)完成后形成燒結(jié)工裝；

18、步驟五：中心刻蝕，將步驟四中做過表面硬化的基板層的每一個下沉孔的中心底面刻蝕中心標點，將做過表面硬化的蓋板層的每一個上沉孔的中心頂面刻蝕中心標點；

19、步驟六：中心定位測量，將步驟五中刻蝕完成的中心標點通過相機識別裝置5進行基板層和蓋板層之間的重合度測量；

20、步驟七：測量匹配，將需要進行燒結(jié)的電子元器件放入燒結(jié)工裝中進行誤差測量，其高度和至今的誤差小于0.05mm，則所述燒結(jié)工裝制備完成，否則重復(fù)步驟一至四，并重新進行測量匹配。

21、可選的，所述步驟二中的上沉孔和下沉孔的內(nèi)部形狀與所述電子元器件的外形輪廓和尺寸相適配。

22、可選的，所述步驟三中的等靜壓石墨為高純度石墨材料。

23、可選的，所述步驟四中的清洗液包括脫脂油粉和水，所述脫脂油粉和水的質(zhì)量比范圍為1：10，所述水的溫度為30-50°。

24、可選的，所述步驟六中中心定位測量的方法為：

25、步驟a：通過攝像機拍攝所述基板層的底端形成第一對比圖，拍攝所述蓋板層的頂端形成第二對比圖；

26、步驟b：所述圖片識別模塊將所述第一對比圖和第二對比圖識別為兩個圖層，再通過所述圖層覆蓋模塊9將兩個所述圖層進行重疊覆蓋；

27、步驟c：對比兩個圖層上的所述圓形標點上的重合度，其對比方法為：對比上端、下端、左端和右端的邊框距離，如果距離小于或等于0.02mm，則重合度合格，如果距離大于0.02，則重合度不合格。

28、本申請能產(chǎn)生的有益效果包括：

29、1)本申請所提供的基板層和蓋板層分別設(shè)置沉孔，形成上沉孔和下沉孔，兩個沉孔的內(nèi)部輪廓與電子元器件的外形輪廓之間相適配，使電子元器件在燒結(jié)的過程中保持穩(wěn)定；

30、2)本申請所提供的相機識別裝置，其中包括攝像機、圖片識別模塊、距離測量模塊和圖層覆蓋模塊，使用攝像機拍攝基板層的底端和蓋板層的頂端的圖片，通過圖片識別模塊將圖片轉(zhuǎn)換為圖層，將兩個圖層通過圖層覆蓋模塊進行覆蓋，將覆蓋后的圖層對比每一個重疊在一起的若干組十字標記，將每一組十字標記的上下左右四個邊框的距離進行對比，小于0.02mm則代表基板層和蓋板層的之間的重疊度合格，可以使電子元器件放入其中進行燒制。

技術(shù)特征：

1.一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置，其特征在于，包括基板層(1)、用于放置待燒結(jié)的電子元器件，所述基板層(1)設(shè)置有下沉孔(3)，所述下沉孔(3)的輪廓形狀與所述待燒結(jié)的電子元器件的下半部分相適配；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置，其特征在于，所述基板層(1)的低端設(shè)置有若干個第一中心標點(6)，所述蓋板層(2)的頂端設(shè)置有若干個第二中心標點(7)；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置，其特征在于，所述第一中心標點(6)和第二中心標點(7)通過激光刻蝕出十字標記，且在兩個十字標記的中心點位置刻蝕出圓形標點(8)，兩個所述圓形標點(8)的直徑相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置，其特征在于，所述相機識別裝置(5)包括攝像機(10)、圖片識別模塊(11)、距離測量模塊(12)和圖層覆蓋模塊(9)；

5.一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法，用于電子元器件生產(chǎn)過程中的燒結(jié)工裝的制備方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1至4任一項所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置進行使用，包括以下步驟：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法，其特征在于，所述步驟二中的上沉孔和下沉孔的內(nèi)部形狀與所述電子元器件的外形輪廓和尺寸相適配。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法，其特征在于，所述步驟三中的等靜壓石墨為高純度石墨材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法，其特征在于，所述步驟四中的清洗液包括脫脂油粉和水，所述脫脂油粉和水的質(zhì)量比范圍為1：10，所述水的溫度為30-50°。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種玻璃燒結(jié)中心定位的方法，其特征在于，所述步驟六中中心定位測量的方法為：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種玻璃燒結(jié)中心定位的裝置，包括基板層、用于放置待燒結(jié)的電子元器件，基板層設(shè)置有下沉孔，下沉孔的輪廓形狀與待燒結(jié)的電子元器件的下半部分相適配；蓋板層，安裝在基板層的上端，蓋板層設(shè)置有上沉孔，上沉孔的輪廓形狀與待燒結(jié)的電子元器件的上半部分相適配；基板層與蓋板層可拆卸連接；外置的相機識別裝置，用于定位測量上沉孔和下沉孔之間的中心位置重合度。優(yōu)化了燒結(jié)過程中待燒結(jié)的電子元器件在燒結(jié)裝置中的穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)中心定位的準確性。

技術(shù)研發(fā)人員：楊海濤,張麗,付小龍
受保護的技術(shù)使用者：西安天澤訊達科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19