本實(shí)用新型涉及窯具領(lǐng)域，尤其涉及一種可變尺寸的陶瓷燒制支架。

背景技術(shù)：

陶瓷產(chǎn)品在燒制過程中多采用窯具燒制支架進(jìn)行支撐，利用窯具將燒制空間分為多層，而大多數(shù)窯具支架一般為全面板式支架，不僅體積容量無法改變，而且由于燒制支架整體體積大，制備時(shí)使用較多原料，而且在燒制陶瓷產(chǎn)品過程中支架本身吸收大量熱量造成窯內(nèi)能量浪費(fèi)。在需要燒制不同尺寸的瓷器時(shí)需分別制備不同尺寸的窯具支架，費(fèi)時(shí)費(fèi)工。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種可變尺寸的陶瓷燒制支架。

本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用以下技術(shù)方案：一種可變尺寸的陶瓷燒制支架，其特征在于，包括座體、立柱和頂針，所述座體有兩個(gè)，所述立柱有三根，兩個(gè)所述座體的位置上下相對(duì)平行，所述座體的外端開有三處T型凹槽，所述T型凹槽的兩側(cè)的凹槽壁頂部分別開有相對(duì)應(yīng)的定位齒，所述定位齒中設(shè)有一根可取出的檔桿，所述檔桿的兩端分別位于所述T型凹槽兩側(cè)相對(duì)應(yīng)的定位齒中，所述立柱的兩端均設(shè)有與所述T型凹槽相匹配的T型頭，所述立柱的頂端和底端的T型頭分別位于上下兩個(gè)所述座體的T型凹槽中，且所述立柱可在所述座體的T型凹槽中滑動(dòng)，所述立柱的內(nèi)側(cè)沿高度方向開有多個(gè)針孔，所述頂針為多個(gè)，所述頂針的一端插于所述針孔中。

特別的，所述座體的形狀為Y型、T型中的一種。

特別的，所述針孔為雙列設(shè)置。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型能夠調(diào)節(jié)三根立柱之間的間距從而可以用于支撐不同尺寸的瓷器，實(shí)現(xiàn)“一架多能”，從而能夠減少成本投入，同時(shí)，頂針式支架體積小，能夠避免自身吸收過多熱量，并且頂針設(shè)置為雙列，能夠穩(wěn)固地承托坯件，頂針式支架與坯件的接觸為點(diǎn)接觸，可以使支撐部位的接觸面積盡可能的小，最終陶瓷產(chǎn)品上的瑕疵較小，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的未插入頂針的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的立柱與座體的連接處的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型的立柱的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1-座體；2-立柱；3-T型凹槽；4-針孔；5-頂針；6-T型頭；7-定位齒；8-檔桿；

以下將結(jié)合本實(shí)用新型的實(shí)施例參照附圖進(jìn)行詳細(xì)敘述。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明：

如圖1、2、3所示，一種可變尺寸的陶瓷燒制支架，包括座體1、立柱2和頂針5，所述座體1有兩個(gè)，所述立柱2有三根，兩個(gè)所述座體1的位置上下相對(duì)平行，所述座體1的外端開有三處T型凹槽3，所述T型凹槽3的兩側(cè)的凹槽壁頂部分別開有相對(duì)應(yīng)的定位齒7，所述定位齒7中設(shè)有一根可取出的檔桿8，所述檔桿8的兩端分別位于所述T型凹槽3兩側(cè)相對(duì)應(yīng)的定位齒7中，所述立柱2的兩端均設(shè)有與所述T型凹槽3相匹配的T型頭6，所述立柱2的頂端和底端的T型頭6分別位于上下兩個(gè)所述座體1的T型凹槽3中，且所述立柱2可在所述座體1的T型凹槽3中滑動(dòng)，所述立柱2的內(nèi)側(cè)沿高度方向開有多個(gè)針孔4，所述頂針5為多個(gè)，所述頂針5的一端插于所述針孔4中。

特別的，所述座體1的形狀為Y型、T型中的一種。

特別的，所述針孔4為雙列設(shè)置。

本實(shí)用新型工作時(shí)，通過移動(dòng)柱體2從而使三個(gè)柱體2之間的距離與待燒制的坯件的大小相匹配，然后將檔桿8卡在相應(yīng)的定位齒7中，對(duì)立柱2起到限位作用，頂針5插在真空4中用以承托待燒制坯件。

上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了示例性描述，顯然本實(shí)用新型具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。