技術(shù)總結(jié)
針對(duì)高溫工作、大電流規(guī)格、薄晶片化、小型化、低損耗要求，本發(fā)明提供具有保證高質(zhì)量、高可靠性的半導(dǎo)體元件上的配線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明提供具有以下特征的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，即，包括：絕緣電路基板(13)；安裝在絕緣電路基板上的半導(dǎo)體元件(17)；層疊在絕緣電路基板上的第一絕緣樹(shù)脂層(21)；經(jīng)由窗口部與半導(dǎo)體元件接觸的鍍銅配線(11)，其中，窗口部形成在第一絕緣樹(shù)脂層上并可與半導(dǎo)體元件接觸；以及，層疊以密封所述鍍銅配線的第二絕緣樹(shù)脂層(22)。

技術(shù)研發(fā)人員：小倉(cāng)圭輔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610128625
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.07
技術(shù)公布日：2016.12.07