1.一種低功率連續(xù)加熱電磁爐，其特征在于，包括電磁加熱單元、紅外加熱單元和MCU，所述MCU包括功率檢測(cè)模塊和功率分配模塊；當(dāng)所述功率檢測(cè)模塊檢測(cè)到用戶輸入的功率低于第一預(yù)定功率值時(shí)，所述功率分配模塊切換至僅啟動(dòng)所述紅外加熱單元加熱；當(dāng)所述功率檢測(cè)模塊檢測(cè)到用戶輸入的功率高于第一預(yù)定功率值時(shí)，所述功率分配模塊切換至啟動(dòng)所述電磁加熱單元和所述紅外加熱單元中的至少一者加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功率連續(xù)加熱電磁爐，其特征在于，所述第一預(yù)定功率值的范圍是800瓦～1100瓦。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功率連續(xù)加熱電磁爐，其特征在于，當(dāng)所述功率檢測(cè)模塊檢測(cè)到用戶輸入的功率高于第一預(yù)定功率值且低于第二預(yù)定功率值時(shí)，所述功率分配模塊切換至僅啟動(dòng)所述電磁加熱單元加熱；當(dāng)所述功率檢測(cè)模塊檢測(cè)到用戶輸入的功率高于第二預(yù)定功率值時(shí)，所述功率分配模塊切換至同時(shí)啟動(dòng)所述電磁加熱單元和所述紅外加熱單元加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低功率連續(xù)加熱電磁爐，其特征在于，所述第二預(yù)定功率值的范圍是1500瓦～1700瓦。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低功率連續(xù)加熱電磁爐，其特征在于，當(dāng)所述功率檢測(cè)模塊檢測(cè)到用戶輸入的功率值大于第二預(yù)定功率值時(shí)，所述功率分配模塊分配給所述電磁加熱單元的加熱功率值小于等于第二預(yù)定功率值，所述功率分配模塊分配給所述紅外加熱單元提供的加熱功率值為用戶輸入的功率值與分配給電磁加熱單元功率值的差值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的低功率連續(xù)加熱電磁爐，其特征在于，所述電磁加熱單元包括諧振電路和電磁驅(qū)動(dòng)電路，所述電磁驅(qū)動(dòng)電路的一端與所述諧振電路連接，另一端與MCU中的電磁 功率調(diào)節(jié)模塊連接，所述電磁功率調(diào)節(jié)模塊根據(jù)所分配的加熱功率值向所述電磁驅(qū)動(dòng)電路輸入第一預(yù)定占空比的PWM信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述紅外加熱單元包括紅外加熱電路和紅外驅(qū)動(dòng)電路；所述紅外加熱電路具有連接在市電零線和火線之間的紅外加熱膜，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路的一端連接在所述紅外加熱膜與市電之間，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路的另一端與所述MCU中的紅外功率調(diào)節(jié)模塊連接，所述紅外功率調(diào)節(jié)模塊根據(jù)所分配的加熱功率值向所述紅外驅(qū)動(dòng)電路輸入第二預(yù)定占空比的PWM信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述電磁加熱單元包括過(guò)零檢測(cè)電路，所述過(guò)零檢測(cè)電路一端與整流后的市電連接，以檢測(cè)市電的過(guò)零信號(hào)，另一端與所述MCU連接；
所述紅外功率調(diào)節(jié)模塊根據(jù)所述過(guò)零檢測(cè)電路所檢測(cè)的過(guò)零信號(hào)在預(yù)定的時(shí)間向所述紅外驅(qū)動(dòng)電路輸入所述第二預(yù)定占空比的PWM信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路包括儲(chǔ)能電容、第一開(kāi)關(guān)、電感和第一二極管，所述儲(chǔ)能電容串聯(lián)在所述紅外加熱膜與市電之間，所述儲(chǔ)能電容與紅外加熱膜連接的一端通過(guò)所述電感與所述第一開(kāi)關(guān)的源極連接，所述儲(chǔ)能電容與所述市電連接的一端通過(guò)第一二極管與所述第一開(kāi)關(guān)的源極連接，所述第一開(kāi)關(guān)的漏極與所述市電連接，所述第一開(kāi)關(guān)的柵極與所述MCU的紅外功率調(diào)節(jié)模塊連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路還包括第二開(kāi)關(guān)和第二二極管，所述電感和所述儲(chǔ)能電容的公共連接端與所述第二開(kāi)關(guān)的漏極連接，市電與所述第二開(kāi)關(guān)的源極連接，所述第二二極管連接在所述第二開(kāi)關(guān)的漏極與所述儲(chǔ)能電容之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)子單元和隔離子單元，所述開(kāi)關(guān)子單元連接在紅外加熱膜與市電之間，所述隔離子單元連接在所述開(kāi)關(guān)子單元與MCU的紅外功率調(diào)節(jié)模塊之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)子單元為雙向可控硅，所述隔離子單元為隔離光耦。