本發(fā)明涉及電磁爐加熱技術(shù)，尤其涉及一種電磁加熱設(shè)備。

背景技術(shù)：

目前的電磁爐，由于只包含有單一的電磁加熱方法，因此其應(yīng)用受到限制。首先，目前的電磁爐只能對鐵磁性鍋具進(jìn)行加熱，對于陶瓷鍋和鋁鍋等非鐵磁性材料的鍋具無法加熱或加熱效果很差。其次，前的電磁爐工作時(shí)加熱諧振頻率為18K-30K。人耳能夠聽到的頻率范圍20-20000赫茲。電磁爐工作在高功率(2100W)時(shí)，頻率會(huì)低至18000赫茲，進(jìn)入了人耳能夠聽到的范圍。而且加熱功率大的時(shí)候加熱電流也會(huì)較大，造成鍋具會(huì)有輕微的震動(dòng)，造成聲音也比較大。最后，現(xiàn)在市面上的電磁爐控制方案絕大部分都是單管并聯(lián)諧振方案。這種方案IGBT開關(guān)頻率和LC諧振頻率一致時(shí)，才能夠?qū)崿F(xiàn)IGBT的C極電壓過零點(diǎn)導(dǎo)通。當(dāng)電磁爐工作在低功率的時(shí)候，IGBT會(huì)出現(xiàn)比較嚴(yán)重的硬開情況(IGBT導(dǎo)通時(shí)電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于0V，比如100V)，這樣會(huì)造成IGBT的損耗較大，溫升較高，縮短IGBT壽命。因此無法實(shí)現(xiàn)連續(xù)低功率加熱。目前的單管并聯(lián)諧振方案的電磁爐，在加熱功率小于1000W時(shí)，采取調(diào)功加熱的方式，即大功率(如1300W)加熱一段時(shí)間，停止加熱一段時(shí)間，再加熱一段時(shí)間，再停止一段時(shí)間。這種間歇加熱的方式，使鍋具溫度及鍋里的食物變化很大，在一些煲湯及需要連續(xù)較低溫度控制的場合無法使用或者使用效果較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就是提供一種電磁加熱設(shè)備，其不僅包括電磁加熱的線圈盤，還包括紅外加熱組件，從而可以避免單一 的電磁加熱方法對電磁爐應(yīng)用的限制。

(二)技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種電磁加熱設(shè)備，包括：

面板，位于烹飪器具的下方，用于支撐所述烹飪器具；

線圈盤，位于所述面板的下方，用于對所述烹飪器具進(jìn)行電磁加熱；

紅外加熱組件，用于對所述烹飪器具進(jìn)行紅外加熱；

電控板，與所述線圈盤和所述紅外加熱組件電連接，用于控制所述線圈盤和所述紅外加熱組件的加熱。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件安裝在所述面板上。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件安裝在面板靠近所述線圈盤一側(cè)的表面，紅外加熱組件包括紅外加熱膜和熱反射膜，所述紅外加熱膜附著在面板上，所述熱反射膜附著在所述紅外加熱膜上。

優(yōu)選地，紅外加熱組件還包括隔熱膜，所述隔熱膜附著在熱反射膜上。

優(yōu)選地，所述線圈盤上設(shè)有檢測烹飪器具底部溫度的熱敏溫度傳感器，所述紅外加熱組件上開設(shè)有供所述熱敏溫度傳感器穿過的通孔，以使得所述熱敏溫度傳感器與所述面板直接接觸。

優(yōu)選地，所述面板與所述線圈盤之間的距離為8mm～11mm。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件安裝在所述烹飪器具的外表面。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件安裝在所述烹飪器具側(cè)壁的外表面。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件包括紅外加熱膜和第一電絕緣膜，所述紅外加熱膜附著在所述烹飪器具的外表面，所述第一電絕緣膜附著在所述紅外加熱膜上。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件包括紅外加熱膜、第一電絕緣膜和第二電絕緣膜，所述第二電絕緣膜附著在烹飪器具的外表面，所述紅外加熱膜附著在所述第二電絕緣膜上，所述第一電絕緣膜附著在所述紅 外加熱膜上。

優(yōu)選地，所述紅外加熱組件包括與紅外加熱膜連接的接線端子，所述面板上設(shè)置有用于插接所述接線端子的電源接口。

(三)有益效果

本發(fā)明的電磁加熱設(shè)備，通過增加紅外加熱組件，并采用電控板控制線圈盤和紅外加熱組件的加熱，從而使得電磁加熱設(shè)備可以適用于鐵磁性鍋具以外的其它烹飪器具；此外，本發(fā)明的電磁加熱設(shè)備在加熱功率大時(shí)，還可以降低振動(dòng)和噪音，且可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)低功率加熱。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是一般電磁加熱設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是實(shí)施例一的電磁加熱設(shè)備拆開后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是實(shí)施例一的紅外加熱組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是實(shí)施例一的面板仰視示意圖；

圖5是實(shí)施例二的電磁加熱設(shè)備拆開后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是實(shí)施例二的電磁加熱設(shè)備正視結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗 示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

實(shí)施例一

請參見圖1，本實(shí)施例一提供電磁加熱設(shè)備，包括：面板110，位于烹飪器具的下方，用于支撐烹飪器具；線圈盤130位于面板110的下方，用于對烹飪器具進(jìn)行電磁加熱；紅外加熱組件120，安裝在面板110上，用于對烹飪器具進(jìn)行紅外加熱；電控板160，與線圈盤130和紅外加熱組件120電連接，用于控制線圈盤130和紅外加熱組件120的加熱。

該電磁加熱設(shè)備一般還包括底蓋，底蓋由面板110所封蓋。線圈盤130和電控板160均收容于底蓋內(nèi)，底蓋內(nèi)還收容有散熱風(fēng)扇150和觸控面板140，請參見圖2。

紅外加熱組件120可以安裝在面板110靠近烹飪器具一側(cè)的表面，也可以安裝在面板110靠近線圈盤130一側(cè)的表面，還可以嵌入面板110內(nèi)部。以紅外加熱組件120安裝在面板110靠近線圈盤130一側(cè)的表面為例，紅外加熱組件120包括紅外加熱膜121、熱反射膜122以及隔熱膜123，請參見圖3，顯然圖3中只是示意面板110和紅外加熱膜121、熱反射膜122以及隔熱膜123之間的位置關(guān)系，但是并不構(gòu)成對紅外加熱膜121、熱反射膜122以及隔熱膜123的尺寸的限制。紅外加熱膜121附著在面板110上，熱反射膜122附著在紅外加熱膜121上，隔熱膜123附著在熱反射膜122上。

紅外加熱膜121的形狀可以為矩形，此時(shí)線圈盤130可以內(nèi)切于紅外加熱膜121之內(nèi)，請參見圖4。當(dāng)然紅外加熱膜121也可以呈圓形，并使得線圈盤130外接于紅外加熱膜121之外，然后在紅外加熱膜121四條邊的周圍設(shè)置矩形狀的子紅外加熱膜。此外紅外加熱膜121還可以呈其它形狀。當(dāng)然由于烹飪器具的底部大多為圓形，為了與烹飪器 具底部形狀適配，因此紅外加熱膜121的優(yōu)選形狀為圓形。

本實(shí)施例一提供的紅外加熱膜121也為薄膜式紅外加熱膜，其厚度范圍5um～20um，加熱功率范圍為0.1瓦～15瓦/平方厘米。該薄膜式紅外加熱膜121的一種配方的主要成分為二氧化錫、三氧化二鉻、二氧化錳、三氧化二鎳，該配方的紅外加熱膜121一般通過噴涂方式附著在面板110上。薄膜式紅外加熱膜121另一種配方的主要成分為四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉和二氧化錫，該材質(zhì)的紅外加熱膜121通過PVD沉積方式附著在面板110上。

紅外加熱膜121為雙面發(fā)熱，其一面發(fā)熱直接輻射給烹飪器具，另一面的發(fā)熱則通過反射膜的反射重新傳遞給烹飪器具。即熱反射膜122避免了紅外加熱膜121靠近線圈盤130一側(cè)的發(fā)熱白白浪費(fèi)掉，從而提高了紅外加熱膜121的加熱效率。此外，熱反射膜122還避免了紅外加熱膜121向線圈盤130輻射熱量，使得線圈盤130溫度過高，影響線圈盤130的正常工作。本實(shí)施例一中附著在熱反射膜122上的隔熱膜123則進(jìn)一步降低了紅外加熱膜121的發(fā)熱對線圈盤130的輻射影響。當(dāng)然在熱反射膜122本身的隔熱性能比較好的情況下，也可以不設(shè)置隔熱膜123。也即沿著靠近線圈盤130的方向，在所述面板110上依次設(shè)置有紅外加熱膜121、熱反射膜122和隔熱膜123，請進(jìn)一步參見圖3。

為了更進(jìn)一步降低紅外加熱膜121的發(fā)熱對線圈的影響，本實(shí)施例一還控制紅外加熱組件120與線圈盤130的距離，具體的，紅外加熱組件120與線圈盤130的距離范圍為8mm～11mm。紅外加熱組件120與線圈盤130的距離大于這一范圍，則會(huì)影響線圈盤130對烹飪器具的加熱效率。紅外加熱組件120與線圈盤130的距離小于這一范圍，則不能有效的防止紅外加熱膜121發(fā)熱對線圈盤130溫度的影響。

一般而言，線圈盤130上會(huì)安裝熱敏溫度傳感器，熱敏溫度傳感器通過檢測面板110的溫度以間接檢測烹飪器具鍋底的溫度，以達(dá)到防止烹飪器具干燒等功能。為了防止紅外加熱膜121對熱敏溫度傳感 器測溫的影響，紅外加熱膜121的中央開設(shè)供熱敏溫度傳感器穿過的通孔，以使得熱敏溫度傳感器能直接與面板110接觸。通孔直徑大小要保證熱敏溫度傳感器既能準(zhǔn)確烹飪器具的溫度，又能使得熱敏溫度傳感器與紅外加熱膜121保持電絕緣。

此外，本實(shí)施例一中，熱反射膜122可以是在透明的聚酯膜上濺鍍一層金屬或納米級(jí)陶瓷材料得到；隔熱膜123可以由鋁箔貼面、聚乙烯薄膜、纖維編織物和金屬涂膜通過熱熔膠層壓而成。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供電磁加熱設(shè)備，包括：面板210，位于烹飪器具230的下方，用于支撐烹飪器具230；線圈盤240，位于面板210的下方，用于對烹飪器具230進(jìn)行電磁加熱；紅外加熱組件220，安裝在烹飪器具230的外表面，用于對烹飪器具230進(jìn)行紅外加熱；電控板，與線圈盤240和紅外加熱組件220電連接，用于控制線圈盤240和紅外加熱組件220的加熱。

請參見圖5，本實(shí)施例二的該電磁加熱設(shè)備也包括底蓋，且底蓋內(nèi)部的結(jié)構(gòu)可以采取和實(shí)施例一相同的結(jié)構(gòu)，此處不再贅述。此外，本本實(shí)施例二和實(shí)施例一不同之處在于將紅外加熱組件220設(shè)置在噴飪器具的外表面而不是安裝在面板210上。

請參見圖6，紅外加熱組件220包括紅外加熱膜221和第一電絕緣膜222，紅外加熱膜221可以僅附著在烹飪器具230的底壁外表面，也可以僅附著在烹飪器具230的側(cè)壁外表面，還可以附著在烹飪器具230整個(gè)外表面。從降低對面板210的熱影響以及防止紅外加熱膜221磨損的角度考慮，本實(shí)施例二優(yōu)選的方案是將紅外加熱膜221附著在烹飪器具230的側(cè)壁外表面。由于紅外加熱膜221本身是通電的，為了防止紅外加熱膜221與外部的電導(dǎo)體接觸發(fā)生短路，也為了防止用戶不小心接觸紅外加熱膜221觸電，因此在紅外加熱膜221上附著了第一電絕緣膜222。

本實(shí)施例二提供的也為薄膜式紅外加熱膜221，其厚度范圍5um～20um，加熱功率范圍為0.1瓦～15瓦/平方厘米。薄膜式紅外加熱膜221的一種配方的主要成分為二氧化錫、三氧化二鉻、二氧化錳、三氧化二鎳，該配方的紅外加熱膜221一般通過噴涂方式附著在面板210上。薄膜式紅外加熱膜221另一種配方的主要成分為四氯化錫、四氯化鎳、氧化鐵、四氯化鈦、氯化鈉和二氧化錫，該材質(zhì)的紅外加熱膜221通過PVD沉積方式附著在烹飪器具230上。

當(dāng)烹飪器具230的基體材料為非金屬等電絕緣材料時(shí)，比如陶瓷，紅外加熱膜221上的電流不會(huì)因?yàn)榕c烹飪器具230接觸而發(fā)生短路。但當(dāng)烹飪器具230的基體材料為金屬等導(dǎo)電材料時(shí)，比如鋁或者不銹鋼，為防止紅外加熱膜221因與烹飪器具230接觸而發(fā)生短路，本實(shí)施例二進(jìn)一步設(shè)置了第二電絕緣膜223，第二電絕緣膜223直接附著在烹飪器具230的外表面，紅外加熱膜221附著第二電絕緣膜223上，第一電絕緣膜222附著在紅外加熱膜221上。

由于紅外加熱組件220安裝在烹飪器具230的外表面，紅外加熱組件220的供電成為一個(gè)問題。一種解決方案是給紅外加熱組件220配備單獨(dú)的電源，本實(shí)施例二提供的另一種解決方案是在紅外加熱組件220上設(shè)置連接紅外加熱膜221的接線端子250，并在面板210上開設(shè)供該接線端子250插入的電源接口211，即用線圈盤240的電源給紅外加熱組件220供電。這樣不僅避免了另設(shè)一套供電組件，還可以用電磁爐中原來就存在的電控板同時(shí)控制紅外加熱膜221和線圈盤240加熱。

該情況下的電磁加熱設(shè)備的電路及機(jī)械結(jié)構(gòu)能夠兼容現(xiàn)有加熱電路及加熱系統(tǒng)，不用對現(xiàn)有電磁爐電路及機(jī)械結(jié)構(gòu)進(jìn)行大的改動(dòng)就可以實(shí)現(xiàn)電磁及紅外加熱，進(jìn)而提升電磁加熱設(shè)備的性能，提高應(yīng)用范圍及用戶體驗(yàn)。

此外，本實(shí)施例二的第一電絕緣膜222和第二電絕緣膜223可以是氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氮化鋁等制得的無機(jī)電絕緣膜，也可以是 由聚酰亞胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯或聚四氟乙烯等制得的有機(jī)電絕緣膜。

上述實(shí)施例的電磁加熱設(shè)備，通過增加紅外加熱組件，并采用電控板控制線圈盤和紅外加熱組件的加熱，從而使得電磁加熱設(shè)備可以適用于鐵磁性鍋具以外的其它烹飪器具。

進(jìn)一步地，當(dāng)線圈盤以低于某一特定功率值的功率連續(xù)加熱時(shí)，電磁爐IGBT會(huì)出現(xiàn)比較嚴(yán)重的硬開情況，從而造成IGBT的損耗較大、溫升較高、縮短IGBT壽命。而紅外加熱組件的加熱屬于電阻式的加熱，不同于線圈盤的加熱方式，因此可以在低于某一特定功率值的功率值時(shí)連續(xù)加熱。

更進(jìn)一步地，當(dāng)用戶輸入的功率大于一定值時(shí)，如果仍然僅僅只啟動(dòng)電磁線圈盤加熱時(shí)，則電磁爐不僅會(huì)產(chǎn)生較大的噪音，而且電磁爐的IGBT等電子元件更容易受到損壞。故從上述實(shí)施例的電磁加熱設(shè)備，通過在高功率加熱時(shí)組合加熱的方式，也即同時(shí)采用線圈盤和紅外加熱組件進(jìn)行加熱的方式，提高了電磁爐的電子元件的使用壽命，且降低了電磁爐的振動(dòng)噪聲。

以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限制。盡管參照實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行各種組合、修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。