1.一種電磁加熱設(shè)備，其特征在于，包括：
電磁加熱單元、紅外加熱單元和MCU，
所述MCU與所述電磁加熱單元和紅外加熱單元連接，以控制所述電磁加熱單元和所述紅外加熱單元單獨(dú)加熱或者同時(shí)加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述MCU包括檢鍋模塊和功率分配模塊；
當(dāng)所述檢鍋模塊沒有檢測(cè)到烹飪器具存在時(shí)，所述功率分配模塊向所述紅外加熱單元和所述電磁加熱單元分配的加熱功率均為零；當(dāng)所述檢鍋模塊檢測(cè)到烹飪器具存在時(shí)，所述功率分配模塊向所述紅外加熱單元和所述電磁加熱單元中的至少一者分配加熱功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述電磁加熱單元包括：
諧振電路，所述諧振電路包括開關(guān)元件、諧振電容和諧振電感，所述諧振電容和諧振電感并聯(lián)，所述諧振電容和諧振電感的其中一個(gè)公共連接端與整流后的市電連接，另一個(gè)公共連接端與所述開關(guān)元件的集電極連接；
電磁驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路的一端與所述MCU中的電磁功率調(diào)節(jié)模塊連接，另一端與所述開關(guān)元件的基極連接；
諧振同步檢測(cè)電路，一端與所述開關(guān)元件的集電極連接，以檢測(cè)所述開關(guān)元件集電極的電壓，另一端與所述MCU的連接；
在所述MCU向所述電磁驅(qū)動(dòng)電路發(fā)送檢鍋脈沖后，所述檢鍋模塊根據(jù)所述諧振同步檢測(cè)電路所輸出的電壓翻轉(zhuǎn)次數(shù)是否低于預(yù)定的次數(shù)來(lái)判斷所述烹飪器具是否存在。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述MCU包括材質(zhì)檢測(cè)模塊和功率分配模塊，當(dāng)所述材質(zhì)檢測(cè)模塊檢測(cè)到鐵質(zhì)磁性的烹飪器具時(shí)，所述功率分配模塊切換至啟動(dòng)所述電磁加熱單元和/或所述紅外加熱單元加熱所述烹飪器具；當(dāng)所述材質(zhì)檢測(cè)模塊檢測(cè)到非鐵質(zhì)磁性的烹飪器具時(shí)，所述功率分配模塊切換至啟動(dòng)所述紅外加熱單元加熱所述烹飪器具。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述MCU包括加熱切換提醒模塊，所述加熱切換提醒模塊根據(jù)材質(zhì)檢測(cè)模塊所檢測(cè)到的烹飪器具材質(zhì)，提醒用戶選擇相應(yīng)的加熱單元加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：
所述電磁加熱單元包括：
諧振電路，所述諧振電路包括開關(guān)元件、諧振電容和諧振電感，所述諧振電容和諧振電感并聯(lián)，所述諧振電容和諧振電感的其中一個(gè)公共連接端與整流后的市電連接，另一個(gè)公共連接端與所述開關(guān)元件的集電極連接；
電磁驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路的一端與所述MCU連接，另一端與所述開關(guān)元件的基極連接；
諧振同步檢測(cè)電路，一端與所述開關(guān)元件的集電極連接，以檢測(cè)所述開關(guān)元件集電極的電壓，另一端與所述MCU連接；
在所述MCU向所述電磁驅(qū)動(dòng)電路發(fā)送檢鍋脈沖后，所述材質(zhì)檢測(cè)模塊通過檢測(cè)所述諧振同步檢測(cè)電路輸出的相鄰翻轉(zhuǎn)電壓的間隔時(shí)間來(lái)判斷所述烹飪器具的材質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于，所述紅外加熱單元包括紅外加熱電路和紅外驅(qū)動(dòng)電路；所述紅外加熱電路具有連接在市電零線和火線之間的紅外加熱膜，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路的一端連接在所述紅外加熱膜與市電之間，所述紅外驅(qū)動(dòng)電路的另一端與所述MCU中的紅外功率調(diào)節(jié)模塊連接，所述紅外功率調(diào)節(jié)模塊根據(jù)所分配的加熱功率值向所述紅外驅(qū)動(dòng)電路輸入第二預(yù)定占空比的PWM信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述電磁加熱單元還包括過零檢測(cè)電路，所述過零檢測(cè)電路一端與整流后的市電連接，以檢測(cè)市電的過零信號(hào)，另一端與所述MCU連接；
所述MCU根據(jù)所述過零檢測(cè)電路所檢測(cè)的過零信號(hào)在預(yù)定的時(shí)間向所述紅外驅(qū)動(dòng)電路輸入所述預(yù)定占空比的PWM信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述紅外驅(qū)動(dòng)電路包括儲(chǔ)能電容、第一開關(guān)、電感和第一二極管，所述儲(chǔ)能電容串聯(lián)在所述紅外加熱膜與市電之間，所述儲(chǔ)能電容與紅外加熱膜連接的一端通過所述電感與所述第一開關(guān)的源極連接，所述儲(chǔ)能電容與所述市電連接的一端通過第一二極管與所述第一開關(guān)的源極連接，所述第一開關(guān)的漏極與所述市電連接，所述第一開關(guān)的柵極與所述MCU的紅外功率調(diào)節(jié)模塊連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述紅外驅(qū)動(dòng)電路還包括第二開關(guān)和第二二極管，所述電感和所述儲(chǔ)能電容的公共連接端與所述第二開關(guān)的漏極連接，市電與所述第二開關(guān)的源極連接，所述第二二極管連接在所述第二開關(guān)的漏極與所述儲(chǔ)能電容之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁加熱設(shè)備，其特征在于：所述紅外驅(qū)動(dòng)電路包括連接在紅外加熱膜與市電之間的雙向可控硅，以及連接在所述雙向可控硅與MCU紅外功率調(diào)節(jié)模塊之間的隔離光耦。