專利名稱：粉碎裝置及粉碎方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及粉碎裝置及粉碎方法。
背景技術(shù)：
已知存在利用樹脂制的密封材料覆蓋(密封)半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)而成的半導(dǎo)體組件。例如通過傳遞模塑成型等對樹脂組成物進行成型而形成半導(dǎo)體組件的密封材料。在制造該樹脂組成物的過程中，混煉多種材料并使其硬化，進而利用粉碎機對對該硬化后的混煉物進行粉碎(例如參照專利文獻I)。專利文獻I所述的粉碎機具備供所述混煉物投入的殼體(容器)；旋轉(zhuǎn)刃，該旋轉(zhuǎn)刃在殼體內(nèi)被支承為能夠旋轉(zhuǎn)，對所述混煉物進行粉碎；以及調(diào)整粉碎物的粒度的網(wǎng)篩。如果利用具有此類結(jié)構(gòu)的粉碎機粉碎所述混煉物，則該粉碎物在正被粉碎的過程中例如會因 與旋轉(zhuǎn)刃的摩擦等而被加熱，從而再次帶有粘性。因此，存在粉碎后的混煉物附著、殘留于旋轉(zhuǎn)刃這樣的問題。專利文獻I :日本特開平11 - 189705號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供粉碎裝置及粉碎方法，在利用一對輥粉碎樹脂組成物時，能夠可靠地防止該粉碎后的樹脂組成物附著、殘留于各輥的外周面。該目的通過下述(I) (17 )的本發(fā)明得以實現(xiàn)。(I)—種粉碎裝置，其特征在于，具備粉碎機構(gòu)，該粉碎機構(gòu)具有并列設(shè)置的一對輥，在該一對輥之間對硬質(zhì)的樹脂組成物進行壓潰、粉碎；以及冷卻單元，該冷卻單元對所述被粉碎的樹脂組成物進行冷卻。(2)根據(jù)上述(I)所記載的粉碎裝置，所述各輥分別形成為具有中空部的圓筒狀，所述冷卻單元構(gòu)成為分別向所述各輥的中空部供給制冷劑。(3)根據(jù)上述(2)所記載的粉碎裝置，所述制冷劑在所述各輥的中空部中沿其長邊方向流動，所述冷卻單元具有促進部件，該促進部件被分別插入到所述各輥的中空部而促進所述制冷劑的流動。(4)根據(jù)上述(2)或(3)所記載的粉碎裝置，所述制冷劑的溫度為15°C以下。(5)根據(jù)上述(I)至(4)中任意項所記載的粉碎裝置，所述冷卻單元具有腔室，在所述樹脂組成物被粉碎的期間內(nèi)，在該腔室中將該樹脂組成物分別收納于所述一對輥并對該樹脂組成物供給冷氣。(6)根據(jù)上述(5)所記載的粉碎裝置，所述腔室中設(shè)置有至少兩個供給口，從該至少兩個供給口供給所述冷氣并使該至少兩個供給口隔著所述一對輥相互對置。(7)根據(jù)上述(5)或(6)所記載的粉碎裝置，所述冷氣的溫度為15°C以下。(8)根據(jù)上述(I)至(7)中任意項所記載的粉碎裝置，所述各輥各自至少其外周面由陶瓷構(gòu)成。
(9)根據(jù)上述(8)所記載的粉碎裝置，所述各輥分別具有芯部，該芯部呈圓柱狀或圓筒狀，由金屬材料構(gòu)成；以及外層，該外層設(shè)置于該芯部的外周部，由所述陶瓷構(gòu)成。(10)根據(jù)上述(I)至(9)中任意項所記載的粉碎裝置，所述粉碎機構(gòu)構(gòu)成為所述一對輥彼此的軸間距離可變。(11)根據(jù)上述(10)所記載的粉碎裝置，對于所述一對輥中的一方的輥，限制其在相對于其軸正交的方向上移動，另一方的輥能夠在相對于其軸正交的方向上移動，所述粉碎機構(gòu)具有施力部，該施力部對所述另一方的棍朝向所述一方的棍施力；以及限制部，該限制部克服該施力部的作用力以限制所述另一方的輥朝向所述一方的輥的移動界限。(12)根據(jù)上述(I)至(11)中任意項所記載的粉碎裝置，所述各輥分別具有外徑變化部，該外徑變化部的外徑沿長邊方向而異。 (13)根據(jù)上述(12)所記載的粉碎裝置，所述外徑變化部是其外徑從所述輥的長邊方向的中央部朝向端部逐漸增大的部分。(14)根據(jù)上述(12)所記載的粉碎裝置，所述外徑變化部是其外徑從所述輥的長邊方向的中央部朝向端部逐漸減小的部分。( 15)根據(jù)上述(I)至(14)中任意項所記載的粉碎裝置，使即將被該粉碎裝置粉碎之前的所述樹脂組成物成型為片狀。( 16)根據(jù)上述(I)至(15)中任意項所記載的粉碎裝置，所述樹脂組成物成為構(gòu)成IC組件的外裝部的模塑部。(17)—種粉碎方法，其特征在于，在并列設(shè)置的一對輥間將硬質(zhì)的樹脂組成物壓潰、粉碎并對該樹脂組成物進行冷卻。


圖I是示出樹脂組成物的制造工序的圖。圖2是本發(fā)明的粉碎裝置的剖視圖。圖3是圖2所示的粉碎裝置的輥的局部縱向剖視圖。圖4是示出本發(fā)明的粉碎裝置的第二實施方式的剖視圖。圖5是本發(fā)明的粉碎裝置(第三實施方式)的輥的俯視圖(局部剖視圖)。圖6是本發(fā)明的粉碎裝置(第四實施方式)的輥的俯視圖(局部剖視圖)。圖7是使用了樹脂組成物的IC組件的局部剖視圖。
具體實施例方式以下，基于附圖所示的優(yōu)選實施方式來詳述本發(fā)明的粉碎裝置及粉碎方法。<第一實施方式>圖I是示出樹脂組成物的制造工序的圖，圖2是本發(fā)明的粉碎裝置的剖視圖，圖3是圖2所示的粉碎裝置的輥的局部縱向剖視圖，圖7是使用了樹脂組成物的IC組件的局部剖視圖。另外，以下為便于說明，將圖2、圖7中(圖4也一樣)的上側(cè)稱為“上”或“上方”，將下側(cè)稱為“下”或“下方”。另外，將圖3中的左側(cè)稱為“左”，將右側(cè)稱為“右”。圖2所示的本發(fā)明的粉碎裝置I是在制造最終構(gòu)成成型體的樹脂組成物時的粉碎工序中所使用的裝置。在說明該粉碎裝置I之前，首先對從原材料開始到制成樹脂組成物為止的整個制造工序進行說明。首先，準備樹脂組成物的原材料亦即各材料。原材料含有樹脂、硬化劑、以及填充材料(微粒子)，根據(jù)需要還含有硬化促進劑與偶聯(lián)劑等。作為樹脂優(yōu)選環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，例如能夠舉出酚醛型、聯(lián)苯型、二環(huán)戊二烯型、三苯基甲烷型以及多芳香族環(huán)型等。作為硬化劑，例如能夠舉出線型酚醛型、芳烷基酚醛型、三苯基甲烷型以及多芳香族環(huán)型等。作為填充材料，例如能夠舉出熔融二氧化硅(粉碎狀、球狀)、結(jié)晶二氧化硅以及氧 化招等。作為硬化促進劑，例如能夠舉出磷化合物、胺類化合物等。作為偶聯(lián)劑，例如能夠舉出硅烷化合物等。另外，原材料可以省略所述材料中的規(guī)定的材料,還可以含有所述材料以外的材料。作為其他材料，例如能夠舉出著色劑、分型劑、低應(yīng)力劑與難燃劑等。作為難燃劑，例如能夠舉出溴代環(huán)氧樹脂、氧化銻、無鹵無銻系等。作為無鹵無銻系的難燃劑，例如能夠舉出有機磷、金屬水化物以及含氮樹脂等。(微粉碎)如圖I所示，對于原材料中的規(guī)定材料，首先通過連續(xù)式旋轉(zhuǎn)球磨機等粉碎裝置進行粉碎(微粉碎)以形成規(guī)定的粒度分布。作為該粉碎的原材料，例如為樹脂、硬化劑、促進劑等的填充材料以外的原材料，但也能夠添加一部分填充材料。(表面處理)對于原材料中的規(guī)定材料例如填充材料的全部或一部分(剩余部分)，能夠?qū)嵤┍砻嫣幚?。作為該表面處理，例如使偶?lián)劑等附著于填充材料的表面。另外，所述微粉碎與表面處理可以同時進行，也可以先進行其中的任意一方。(混合)接下來，利用混合裝置完全混合所述各材料。作為該混合裝置，例如能夠使用具有旋轉(zhuǎn)葉片的高速混合機等。(混煉)接下來，利用混煉裝置對所述混合后的材料進行混煉。作為該混煉裝置，例如能夠使用單軸型混煉擠出機、雙軸型混煉擠出機等擠出混煉機、研磨輥等輥式混煉機。(脫氣)接下來對所述混煉后的材料亦即混煉物(樹脂組成物)進行脫氣。例如能夠通過與混煉裝置的排出所述混煉后的材料的排出口連接的真空泵來進行該脫氣。(片狀化)接下來，通過成型裝置使所述脫氣后的塊狀混煉物成型為片狀，從而得到片狀的材料(以下稱為“片材Q1”)。作為該成型裝置，例如能夠使用具有一對輥、且在這些輥間對混煉物加壓而使其成型為片狀的裝置。(冷卻)
接下來，利用冷卻裝置冷卻片材Ql。由此，片材Ql變?yōu)橛操|(zhì)物質(zhì)，能夠在下一道工序中容易且可靠地進行該片材Ql的粉碎。另外，作為該冷卻裝置，例如能夠使用構(gòu)成為向片材Ql噴射冷氣的裝置。(粉碎)接下來，利用粉碎裝置I進行粉碎以使片材Ql形成規(guī)定的粒度分布，從而得到粉末狀的材料(以下稱“粉體Q2”)。在后文中闡述該粉碎裝置I。(壓片化)接下來，利用成型體制造裝置(壓片裝置)將大量粉體Q2壓縮成型，從而能夠獲得成型體亦即樹脂組成物。如圖7所示，該樹脂組成物例如用于覆蓋(密封)半導(dǎo)體芯片(IC芯片)901，并成為 構(gòu)成半導(dǎo)體組件(IC組件)900的外裝部的模塑部902。通過該模塑部902能夠使半導(dǎo)體芯片901絕緣。另外，為了利用樹脂組成物覆蓋半導(dǎo)體芯片901，例如能夠舉出通過傳遞模塑成型等使樹脂組成物成型進而將該成型后的樹脂組成物作為密封材料來覆蓋半導(dǎo)體芯片901的方法。具有圖7所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件900，多個引線框903從模塑部902突出，各引線框903分別經(jīng)由例如由金等這樣的具有導(dǎo)電性的金屬材料構(gòu)成的金屬線904而與半導(dǎo)體芯片901電連接。另外，可以省略所述壓片化的工序，將粉體Q2作為成型體亦即樹脂組成物。在該情況下，例如能夠通過壓縮成型、注射成型等使密封材料成型。接下來說明粉碎裝置I。圖2所示的粉碎裝置I是執(zhí)行本發(fā)明的粉碎方法的裝置，即壓潰、粉碎片材Ql并進行冷卻的裝置。粉碎裝置I具備粉碎片材Ql的粉碎機構(gòu)2、以及對利用粉碎機構(gòu)2粉碎的片材Ql(粉體Q2)進行冷卻的冷卻單元(冷卻機構(gòu))3。以下說明各部分的結(jié)構(gòu)。粉碎機構(gòu)2具有在水平方向上平行并列設(shè)置的輥4a、4b。在粉碎裝置I中，在輥4a與輥4b之間能夠壓潰、粉碎片材Ql。這樣，粉碎機構(gòu)2成為在輥4a與輥4b之間粉碎片材Ql的機構(gòu)，并具有例如與高速粉碎機(mass colloider)不同的結(jié)構(gòu)。另外,在粉碎機構(gòu)2中，粉碎了片材Ql并使其成型后的粉體Q2的粒度分布構(gòu)成為粒徑0. 2mm以下的占比為20 %以上，粒徑0. 2謹 2. 4mm的占比為50% 80 %，粒徑2. 4mm以上的占比為10 %以下。并且，被粉碎的片材Ql的厚度優(yōu)選為5mm以下,更加優(yōu)選為0. 5mm 3mm。由此,片材Ql易粉碎且易冷卻。并且，為了提高粉碎能力，還可以由本粉碎裝置進行多次粉碎。因為輥4a與輥4b的結(jié)構(gòu)大致相同，因此下面代表性地說明輥4a。如圖2、圖3所示，輥4a具有呈圓筒狀亦即中空的芯部41 ;以及在芯部41的外周面(外周部)411設(shè)置的外層42。在芯部41的兩端部分別形成有其外徑縮徑的縮徑部412 (參照圖3)。而且，各縮徑部412分別插入于軸承43。并且，在輥4a的一方的端部側(cè)連接有馬達(未圖示)。由此，輥4a能夠旋轉(zhuǎn)。此外，還可以使與輥4a連接的馬達之外的其它馬達連接于輥4b的一方的端部側(cè)，并且使輥4a與輥4b轉(zhuǎn)速不同。此外，作為芯部41的構(gòu)成材料，并無特別限定，例如能夠舉出不銹鋼等這樣的各種金屬材料。
在芯部41的外周面411的除形成有縮徑部412的部分以外的區(qū)域，設(shè)置有外層42。外層42的外周面421壓潰片材Ql而制成粉體Q2。該外層42由陶瓷構(gòu)成。作為陶瓷，并無特別限定，例如能夠舉出氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化釔、磷酸鈣等的氧化物陶瓷、氮化硅、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼等的氮化物陶瓷、碳化鎢等碳化物陶瓷、或者將上述這些物質(zhì)中的任意兩種以上的物質(zhì)組合而成的復(fù)合陶瓷。其中特別優(yōu)選含有氧化物系陶瓷的物質(zhì)，更加優(yōu)選氧化鋁。外層42由這樣的陶瓷構(gòu)成，由此即使在壓潰片材Ql時，在片材Ql與外層42的外周面421之間產(chǎn)生摩擦，外周面421受到磨損而使得其局部被除去，被除去的物質(zhì)當然也是陶瓷。與此相對，例如在輥4a的外周面為金屬制的情況下，當壓潰片材Ql時，因前述那樣的磨損而會從該外周面產(chǎn)生金屬粉末，從而會得到混入有該金屬粉末的粉體Q2。然而，在粉碎裝置I中，能夠可靠地防止這樣的金屬粉末混入粉體Q2，并且即使所述除去的陶瓷混入粉體Q2，該粉體Q2也足以能夠被用于半導(dǎo)體組件900的模塑部902。此外，軸承43與各縮徑部412的表面也可以由陶瓷或樹脂等構(gòu)成從而實現(xiàn)非金屬化。
·
專利文獻I (日本特開平11 - 189705號公報)所記載的粉碎機具備供混煉物投入的容器、粉碎混煉物的旋轉(zhuǎn)刃、以及調(diào)整粉碎物的粒度的網(wǎng)篩，該容器、旋轉(zhuǎn)刃以及網(wǎng)篩例如由作為磁性材料的馬氏體系的SUS材料等構(gòu)成。這些結(jié)構(gòu)部件，尤其是網(wǎng)篩在構(gòu)造上難以非金屬化，并且還是因被粉碎物而導(dǎo)致磨損嚴重的部位。因此，在專利文獻I中，為了避免金屬異物的混入，需要利用除鐵裝置而從粉碎后的粉末狀的樹脂組成物中去除磁性粉的工序。與此相對，在本發(fā)明的粉碎裝置I中，無需使用專利文獻I所記載的粉碎機那樣的沖擊式粉碎機所必需的結(jié)構(gòu)部件亦即篩子，因此能夠更可靠地防止在粉碎工序產(chǎn)生的金屬異物的混入。另外，在采用構(gòu)成外層42的陶瓷(非金屬)的情況下，并不局限于500gf的載荷下的維氏硬度Hv(JIS Z 2244中規(guī)定)，例如優(yōu)選為1300以上，更加優(yōu)選為1500 1700。由此,例如能夠可靠地防止外層42破損。如圖2所示，粉碎機構(gòu)2具有分別配置于輥4a側(cè)以及輥4b側(cè)的刮刀44a及44b。在粉體Q2附著、殘留于輥4a的外周面421的情況下，刮刀44a與輥4a的外周面421抵接，由此能夠刮除所述殘留的粉體Q2。與此相同，在粉體Q2附著、殘留于輥4b的外周面421的情況下，刮刀44b也與輥4b的外周面421抵接，由此能夠刮除所述殘留的粉體Q2。如圖2所示，冷卻單元3具備利用液體狀的制冷劑Rl冷卻粉體Q2 (片材Ql)的第一冷卻機構(gòu)5 ;以及利用冷氣R2冷卻粉體Q2 (片材Ql)的第二冷卻機構(gòu)6。第一冷卻機構(gòu)5具有分別向輥4a、4b的芯部41的中空部413供給制冷劑Rl的供給源(未圖示)。作為該供給源，例如能夠構(gòu)成為包括貯存制冷劑Rl的容器、將容器與輥4a、4b的芯部41的中空部413連接的連接管、以及輸送制冷劑Rl的泵。由此，制冷劑Rl能夠分別從中空部413的左端側(cè)朝向右端側(cè)亦即沿其長邊方向通過輥4a、4b的中空部413 (參照圖3)。然而，如前所述，輥4a的芯部41由金屬材料構(gòu)成，外層42由陶瓷構(gòu)成。金屬材料是導(dǎo)熱性高于陶瓷的材料。由此，在輥4a中，能夠通過外層42臨時將經(jīng)由外層42傳導(dǎo)的片材Q1、粉體Q2的熱量吸收,進而經(jīng)由芯部41并通過制冷劑Rl進一步吸收該熱量,從而能夠可靠地冷卻片材Q1、粉體Q2。而且，通過該冷卻，能夠防止粉體Q2例如因與輥4a的外周面421之間的摩擦等而攜帶熱量，或者防止其保持自片材Ql的狀態(tài)起所攜帶的熱量。由此，能夠抑制粉體Q2的粘性，從而能夠可靠地防止該粉體Q2附著、殘留于輥4a的外層42。另外，在棍4a的外層42與棍4b的外層42之間，優(yōu)選設(shè)置0. 5mm 3mm的間隙，更加優(yōu)選設(shè)置Imm 2mm的間隙。由此，能夠使粉碎片材Ql而后所成型的粉體Q2的粒度分布處于期望的范圍內(nèi)。另外，構(gòu)成外層42的陶瓷是熱膨脹系數(shù)低于金屬材料的材料。使用熱膨脹系數(shù)較低的陶瓷并將間隙設(shè)定成處于上述范圍內(nèi)，由此能夠防止因輥4a的外層42與輥4b的外層42熱膨脹而導(dǎo)致各輥外徑擴大接觸、破損，還能夠容易地保持上述間隙。另外，第一冷卻機構(gòu)5具有插入到輥4a的中空部413的促進部件51a、以及插入到輥4b的中空部413的促進部件51b。促進部件51a與促進部件51b的結(jié)構(gòu)相同，因此下面以促進部件51a為代表進行說明。 如圖3所示，促進部件51a具有呈圓柱狀的主體部52、以及向主體部52的外周部突出而形成的突部53。 主體部52在其左端部形成有供制冷劑Rl流入到輥4a的中空部413的流入流路54，在右端部形成有供通過中空部413的制冷劑Rl流出的流出流路55。流入流路54及流出流路55分別由貫通主體部52的貫通孔構(gòu)成。流入流路54具有多個在主體部52的外周部開口的開口部541。流入流路54與中空部413經(jīng)由各開口部541而連通。由此，制冷劑Rl從流入流路54向輥4a的中空部413流入。另外，優(yōu)選各開口部541分別沿主體部52的外周部的周向等間隔地配置。流出流路55具有多個在主體部52的外周部開口的開口部551。流出流路55與中空部413經(jīng)由各開口部551而連通。由此，制冷劑Rl從中空部413向流出流路55流出。另外，優(yōu)選各開口部551分別沿主體部52的外周部的周向等間隔地配置。突部53配置于流入流路54的開口部541與流出流路55的開口部551之間。該突部53形成為以主體部52的軸為中心的螺旋狀。另外，促進部件51a的左端部側(cè)或右端部側(cè)與馬達(未圖示)連接。而且，若該馬達進行驅(qū)動，則包括促進部件51a在內(nèi)的輥4a整體能夠繞其軸旋轉(zhuǎn)。通過該旋轉(zhuǎn)，制冷劑Rl被呈螺旋狀的突部53朝向右側(cè)擠壓而不會滯留，能夠從輥4a的中空部413中迅速且可靠地通過，因此能夠有效地發(fā)揮冷卻效果(參照圖3)。這樣，促進部件51a通過液壓使制冷劑Rl呈螺旋狀且遍及整體地通過，由此消除冷卻的不均衡，促進冷卻效率的改善。由此，能夠通過制冷劑Rl高效亦即迅速地吸熱。另外，作為促進部件51a的構(gòu)成材料，并無特別限定，例如能夠采用不銹鋼等之類的各種金屬材料、聚酰胺等之類的各種樹脂材料。對于制冷劑Rl的溫度并無特別限定，例如優(yōu)選為15°C以下，更加優(yōu)選為一5°C 5°C。當片材Ql在即將通過輥4a與輥4b之間以前的溫度例如為10°C以下時，通過使其處于這樣的數(shù)值范圍內(nèi)，能夠不過度且無不足地冷卻片材Ql并將其粉碎，能夠不使其分別附著于輥4a、4b的外周面421從而得到該冷卻狀態(tài)下的粉體Q2。由此，能夠可靠地防止所述粉體Q2殘留于輥4a (輥4b也一樣)的外層42。另外，作為制冷劑R1，并無特別限定，例如能夠舉出水、油、無機載冷液、有機載冷液等。如圖2所示，第二冷卻機構(gòu)6具有腔室61、以及向腔室61內(nèi)供給冷氣R2的供給源(未圖示)。腔室61在片材Ql被粉碎的期間內(nèi)能夠?qū)⒃撈腝l和粉體Q2收納于各輥4a、4b。該腔室61具有主體部62、在主體部62的上部設(shè)置的導(dǎo)入口 63、以及在主體部62的下部設(shè)置的排出口 64。主體部62是形成為具有能夠配置輥4a、4b的程度的大小的箱狀的部分。在主體部62的側(cè)壁621設(shè)置有供給來自所述供給源的冷氣R2的兩個供給口 622a、622b。腔室61被經(jīng)由供給口 622a、622b供給的冷氣R2充滿，從而能夠保持冷卻氣氛。進而基于該冷氣R2的冷卻與基于制冷劑Rl的冷卻相互結(jié)合，由此能夠進一步可靠地防止所述粉體Q2殘留于輥4a及4b的外層42。另外，供給口 622a與供給口 622b在水平方向且與輥4a、4b正交的方向上，在隔著輥4a、4b相互對置的位置設(shè)置有多個。通過這樣的配置，能夠分別從供給口 622a、622b迅速且直接地向片材Ql與輥4a、4b的外周面421噴射冷氣R2 (冷風(fēng))。通過直接向片材Ql噴射冷氣R2 (冷風(fēng))進行冷卻，片材Ql能夠在被粉碎的期間內(nèi)與冷氣R2接觸，從而在被冷 卻的狀態(tài)下成型為粉體Q2。而且，能夠防止該冷卻后的粉體Q2附著、殘留于輥4a、4b的外層42。另外，與此同時，通過直接向輥4a、4b的外周面421噴射冷氣R2 (冷風(fēng))進行冷卻，能夠彌補因外層42 (陶瓷)的導(dǎo)熱性低于芯部41 (金屬)的導(dǎo)熱性而導(dǎo)致的由第一冷卻機構(gòu)5進行的冷卻不充分的缺點。并且，供給口 622a和供給口 622b的配置與數(shù)量并不局限于上述說明，可以配置成僅向片材Ql噴射冷氣R2 (冷風(fēng))，也可以配置成僅向輥4a、4b的外周面421噴射冷氣R2(冷風(fēng))，還可以配置成不向確定的對象物噴射而是將冷氣R2 (冷風(fēng))導(dǎo)入腔室61內(nèi)，只要配置成能夠向腔室61內(nèi)供給冷氣R2即可。這些配置中的任意配置都能夠改善獲得不附著于輥4a、4b的外周面421地處于冷卻狀態(tài)下的粉體Q2的效果。導(dǎo)入口 63是供片材Ql導(dǎo)入的部分。該導(dǎo)入口 63呈筒狀。并且，排出口 64是供粉體Q2被排出的部分。該排出口 64也與導(dǎo)入口 63同樣地呈筒狀。并且，在圖2所示的結(jié)構(gòu)中，腔室61是通過適當?shù)亟M合多個板部件而構(gòu)成的。另夕卜，優(yōu)選各板部件分別被絕熱材料覆蓋或者埋設(shè)有絕熱材料。并且，優(yōu)選地，被粉碎的片材Ql以及粉碎后的粉體Q2有可能接觸到的導(dǎo)入口 63、排出口 64及腔室61的內(nèi)壁的至少表面由非金屬例如陶瓷、樹脂等構(gòu)成。這些內(nèi)壁的至少表面由非金屬構(gòu)成，由此即使內(nèi)壁受到磨損而使得其局部被除去進而混入到粉體Q2中，該粉體Q2也足以能被用于半導(dǎo)體組件900的模塑部902。作為供給冷氣R2的供給源，能夠構(gòu)成為包括送出冷氣R2的泵、以及將泵與主體部62的供給口 622a、622b連接的連接管。對于冷氣R2的溫度并無特別限定，例如優(yōu)選為15°C以下，更加優(yōu)選為一 5°C 5°C。對于冷氣R2的濕度也無特別限定，例如優(yōu)選為40%以下，更加優(yōu)選為0 20%。通過設(shè)定成處于這樣的數(shù)值范圍內(nèi)，能夠在低于露點的條件下冷卻片材Q1、粉體Q2，從而能
夠防止其產(chǎn)生結(jié)露。作為冷氣R2，并無特別限定，例如能夠舉出空氣、二氧化碳、或者氮之類的惰性氣體等，從安全方面考慮優(yōu)選為空氣。
<第二實施方式>圖4是示出本發(fā)明的粉碎裝置的第二實施方式的剖視圖。以下參照該圖說明本發(fā)明的粉碎裝置及粉碎方法的第二實施方式，以與前述的實施方式的不同點為中心進行說明，對于同樣的事項省略其說明。除了粉碎機構(gòu)的結(jié)構(gòu)不同以外，其它方面本實施方式與所述第一實施方式均相同。圖4所示的粉碎機構(gòu)2A以其輥4a與輥4b的軸間距離P可變的方式構(gòu)成。以下對此進行說明。輥4a能夠沿相對于其軸正交的方向亦即水平方向(圖4中的左右方向)移動。另 一方面，對棍4b沿相對于其軸正交的方向的移動進行限制。另外，粉碎機構(gòu)2A具有對輥4a朝向輥4b施力的螺旋彈簧(施力部)47、以及限制輥4朝向輥4b的移動界限的臂(限制部)48。對于螺旋彈簧47而言，其一端471與收納將輥4a支承為能夠旋轉(zhuǎn)的軸承43的殼體49抵接，另一端472與設(shè)置于臂48的固定部件482抵接，從而使得該螺旋彈簧47處于壓縮狀態(tài)。由此，能夠朝向輥4b按壓輥4a，從而能夠在輥4a與輥4b之間壓潰片材Ql。臂48在腔室61的側(cè)壁621被支承為能夠沿其長邊方向移動。該臂48的一端部481彎曲成“L”字狀，與殼體49的和螺旋彈簧47的另一端472抵接的部分的相反側(cè)的部分抵接。如前所述，輥4a被螺旋彈簧47施力，臂48的一端部481能夠克服螺旋彈簧47的作用力而限制輥4a向輥4b的移動界限。由此，能夠變更軸間距離P并保持該變更狀態(tài)。并且，通過使固定部件482滑動能夠變更螺旋彈簧47的壓力。另外，還可以在不同的輥設(shè)置構(gòu)成為包括臂48、腔室61的間隙調(diào)整單元、以及構(gòu)成為包括殼體49、螺旋彈簧47、固定部件482的壓力調(diào)整單元(例如，間隙調(diào)整單元設(shè)置于輥4a側(cè)，壓力調(diào)整單元設(shè)置于輥4b側(cè))。在該情況下，在調(diào)整間隙以后，因為不使設(shè)置有間隙調(diào)整單元的一側(cè)的輥進行前后移動，因此例如上述臂48的一端部481的形狀能夠形成為“U”字狀、倒“U”字狀或“口”字狀。通過具有這樣的結(jié)構(gòu)的粉碎機構(gòu)2A，當從片材Ql成型為粉體Q2時，能夠以期望的壓力粉碎該片材Ql而調(diào)整粉體Q2的粒徑。并且，粉碎機構(gòu)2A還可以構(gòu)成為檢測制冷劑Rl的溫度，進而基于其檢測結(jié)果來變更軸間距離P。<第三實施方式>圖5是本發(fā)明的粉碎裝置(第三實施方式)的輥的俯視圖(局部剖視圖)。另外，圖5中(圖6也同樣)以縮短輥的長邊方向并夸大輥的徑向的方式進行示意性的表示，從而長邊方向與徑向的比率與實際狀況有所不同。以下，參照該圖說明本發(fā)明的粉碎裝置及粉碎方法的第三實施方式，以與前述實施方式的不同點為中心進行說明，對于相同事項省略其說明。除粉碎機構(gòu)的各輥的形狀不同以外，在其它方面本實施方式與所述第一實施方式均相同。在圖5所示的粉碎機構(gòu)2B中，輥4a、4b分別在外層42形成有外徑變化部45，該外徑變化部45的外徑沿長邊方向而異，即外徑從輥長邊方向的中央部423朝向各縮徑部412側(cè)(端部)逐漸增大。
在具有這樣的結(jié)構(gòu)的粉碎機構(gòu)2B中，當粉碎片材Ql時，該片材Ql匯集于輥4a、4b的中央部423側(cè)從而在該匯集的部分被粉碎。這樣，能夠防止片材Ql從輥4a、4b溢出而可靠地進行粉碎。<第四實施方式>圖6是本發(fā)明的粉碎裝置(第四實施方式)的輥的俯視圖(局部剖視圖)。以下參照該圖說明本發(fā)明的粉碎裝置及粉碎方法的第四實施方式，以與前述的實施方式的不同點為中心進行說明，對于同樣的事項省略其說明。除了粉碎機構(gòu)的各輥的形狀不同以外，在其它方面本實施方式與所述第一實施方式均相同。在圖6所示的粉碎機構(gòu)2C中，輥4a、4b分別在外層42形成有外徑變化部46，該外徑變化部46的外徑沿長邊方向而異，即外徑從輥長邊方向的中央部423朝向各縮徑部412側(cè)(端部)逐漸減小。在具有這樣的結(jié)構(gòu)的粉碎機構(gòu)2C中，針對片材Ql的壓力在中央部423附近最高，越遠離中央部423越低。由此，粉碎片材Ql而后成型的粉體Q2的粒度分布構(gòu)成為比所述第一實施方式中的粒度分布更廣。在欲以該方式變更粒度分布的構(gòu)成的情況下，例如在欲減少微粉的量并增加粗粉的量等情況下，粉碎機構(gòu)2C較為有效。以上雖然針對圖示的實施方式說明了本發(fā)明的粉碎裝置及粉碎方法，但是本發(fā)明并不局限于此，構(gòu)成粉碎裝置的各部分能夠置換為能夠發(fā)揮同樣功能的任意結(jié)構(gòu)。并且，還可以附加任意的構(gòu)成物。并且，本發(fā)明的粉碎裝置及粉碎方法可以組合所述各實施方式中的任意兩種以上的結(jié)構(gòu)(特征)而成。并且，雖然本發(fā)明的粉碎裝置的粉碎機構(gòu)的各輥分別具有芯部與外層，該外層由陶瓷構(gòu)成，但并不局限于此，輥整體可以均由陶瓷構(gòu)成。并且，雖然本發(fā)明的粉碎裝置的粉碎機構(gòu)的各輥的芯部分別呈圓筒狀，但并不局限于此，例如芯部也可以呈圓柱狀，即芯部可以為實心體。并且，本發(fā)明的粉碎裝置的粉碎機構(gòu)的各輥可以分別在其外周面形成微小的凹凸。由此，能夠防止粉體附著于各輥的外周面。并且，可以在本發(fā)明的粉碎裝置的冷卻單元的腔室內(nèi)設(shè)置使冷氣循環(huán)的循環(huán)風(fēng)扇。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，通過冷卻樹脂組成物能夠防止例如因其與各輥的外周面之間的摩擦等而攜帶熱量。例如在樹脂組成物通過使混煉物冷卻固化而成的情況下，雖然該樹脂組成物會因所述摩擦而再次產(chǎn)生粘性，但卻因被冷卻而能夠抑制粘性。由此，能夠可靠地防止在輥間被粉碎的樹脂組成物附著、殘留于該各輥的外周面。并且，當各輥的至少外周面由陶瓷構(gòu)成時，在粉碎樹脂組成物的過程中，即使在樹脂組成物與各輥的外周面之間產(chǎn)生摩擦，外周面受到磨損而使得局部被除去，該被除去的部分當然也是陶瓷。與此相對，例如當各輥的外周面由金屬構(gòu)成時，在粉碎樹脂組成物的過程中，因前述這樣的磨損而會從該外周面產(chǎn)生金屬粉末，從而會得到混入有該金屬粉末的粉體。然而，在本發(fā)明中，能夠可靠地防止此類金屬粉末混入到粉體中。因此，本發(fā)明具有產(chǎn)業(yè)上的利用 可能性。
權(quán)利要求
1.一種粉碎裝置，其特征在于，具備 粉碎機構(gòu)，該粉碎機構(gòu)具有并列設(shè)置的一對輥，在該一對輥之間將硬質(zhì)的樹脂組成物壓潰、粉碎；以及 冷卻單元,該冷卻單元對所述被粉碎的樹脂組成物進行冷卻。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述各輥分別形成為具有中空部的圓筒狀， 所述冷卻單元構(gòu)成為分別向所述各輥的中空部供給制冷劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述制冷劑在所述各輥的中空部中沿其長邊方向流動， 所述冷卻單元具有促進部件，該促進部件分別插入于所述各輥的中空部而促進所述制冷劑的流動。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述制冷劑的溫度為15°C以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任意項所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述冷卻單元具有腔室，在所述樹脂組成物被粉碎的期間內(nèi)，在該腔室中將該樹脂組成物分別收納于所述一對輥并對該樹脂組成物供給冷氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的粉碎裝置，其特征在于， 在所述腔室設(shè)置有至少兩個供給口，從該至少兩個供給口供給所述冷氣、且該至少兩個供給口隔著所述一對輥相互對置配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述冷氣的溫度為15°C以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任意項所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述各輥各自至少其外周面由陶瓷構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述各輥分別具有芯部，該芯部呈圓柱狀或圓筒狀，由金屬材料構(gòu)成；以及外層，該外層設(shè)置于該芯部的外周部，由所述陶瓷構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9中任意項所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述粉碎機構(gòu)構(gòu)成為所述一對輥彼此的軸間距離可變。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的粉碎裝置，其特征在于， 對于所述一對棍中的一方的棍，限制其在相對于其軸正交的方向上移動，另一方的棍能夠在相對于其軸正交的方向上移動， 所述粉碎機構(gòu)具有施力部，該施力部對所述另一方的棍朝向所述一方的棍施力；以及 限制部，該限制部克服該施力部的作用力以限制所述另一方的輥朝向所述一方的輥的移動界限。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至11中任意項所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述各輥分別具有外徑變化部，該外徑變化部的外徑沿長邊方向而異。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的粉碎裝置，其特征在于， 所述外徑變化部是其外徑從所述輥的長邊方向的中央部朝向端部逐漸增大的部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的粉碎裝置，其特征在于，所述外徑變化部是其外徑從所述輥的長邊方向的中央部朝向端部逐漸減小的部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至14中任意項所述的粉碎裝置，其特征在于，使即將被該粉碎裝置粉碎之前的所述樹脂組成物成型為片狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至15中任意項所述的粉碎裝置，其特征在于，所述樹脂組成物成為構(gòu)成IC組件的外裝部的模塑部。
17.—種粉碎方法,其特征在于，在并列設(shè)置的一對輥間將硬質(zhì)的樹脂組成物壓潰、粉碎并對該樹脂組成物進行冷卻。
全文摘要
本發(fā)明提供粉碎裝置及粉碎方法。粉碎裝置具備粉碎機構(gòu)，該粉碎機構(gòu)具有并列設(shè)置的一對輥，在一對輥之間將硬質(zhì)的樹脂組成物壓潰、粉碎；以及冷卻單元，該冷卻單元對被粉碎的樹脂組成物進行冷卻。在該粉碎裝置中，各輥分別形成為具有中空部的圓筒狀，冷卻單元構(gòu)成為分別向各輥的中空部供給制冷劑。并且，制冷劑在各輥的中空部中沿其長邊方向流動，冷卻單元具有促進部件，該促進部件分別插入于各輥的中空部而促進制冷劑的流動。
文檔編號B29B9/04GK102762347SQ201180009839
公開日2012年10月31日 申請日期2011年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者上田茂久, 野田和男 申請人:住友電木株式會社