專利名稱：：塑料薄膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及由聚丙稀形成的移動(dòng)性好的塑料薄膜及其制造方法。塑料薄膜因其性能優(yōu)越，已被廣泛地用在電容器等工業(yè)產(chǎn)品上。伴隨其需要量的增大，最近，所有加工工序都實(shí)現(xiàn)了高速化生產(chǎn)。但是，伴隨高速化生產(chǎn)，在卷繞等過程中容易發(fā)生S形擺動(dòng)、卷繞跑偏、起皺等現(xiàn)象，成為阻礙生產(chǎn)率提高的主要原因。因此，對(duì)塑料薄膜，既要求高速加工性，又要求卷繞性和移動(dòng)性等重要品質(zhì)。以前，為了對(duì)塑料薄膜進(jìn)行切割，而且為了在卷繞時(shí)防止卷繞跑偏、起皺，曾提出了各種方案。已經(jīng)知道，例如，在特開昭58－16415號(hào)公報(bào)中規(guī)定了蒸鍍面的濕張力，在特開昭60－183449號(hào)公報(bào)中規(guī)定了蒸鍍薄膜的靜摩擦系數(shù)。此外，例如，在特開昭62－20137號(hào)公報(bào)中提出了一種方案，在薄膜蒸鍍工序中，在卷出后使薄膜均勻帶電，而在卷繞前除去靜電。但是，這些先有技術(shù)對(duì)于塑料薄膜中的比較容易卷繞跑偏、起皺、粘連的聚丙稀薄膜來說，例如，在400m／分鐘以上的高速下，其移動(dòng)性能和卷繞性能還不是太好。例如，在特開昭58－16415號(hào)公報(bào)記載的技術(shù)中，因兩面都進(jìn)行了電暈放電處理，故容易起皺，進(jìn)而薄膜之間出現(xiàn)粘連等故障。此外，象特開昭60－183449號(hào)公報(bào)中記載的那樣，只規(guī)定蒸鍍薄膜的靜摩擦系數(shù)，這對(duì)改善大氣中的移動(dòng)性能不適用。無論哪個(gè)提案，特別對(duì)于薄膜厚度在10μm以下的很薄的薄膜和因薄膜材料質(zhì)量的原因而使薄膜的剛性相對(duì)卷繞時(shí)的張力較低的情況，其缺陷是明顯的。此外，象特開昭62－20137號(hào)公報(bào)中記載的那樣，使用在卷出后使薄膜均勻帶電而在卷繞前除去靜電的方法，能夠防止移動(dòng)途中與導(dǎo)輥或圓筒狀桶的相對(duì)滑動(dòng)，能夠改善移動(dòng)時(shí)的S形擺動(dòng)，但因?yàn)閯偤檬窃诰砝@前除去靜電，故作為防止卷繞跑偏的對(duì)策還不夠充分。本發(fā)明是針對(duì)有關(guān)的問題銳意研究的結(jié)果，其目的在于得到一種塑料薄膜，例如聚丙稀薄膜，即使在以400m／分鐘的高速移動(dòng)的情況下，也不發(fā)生任何卷繞跑偏、起皺、粘連的情況。為了解決上述課題，本發(fā)明的塑料薄膜使薄膜表面密密地分布許多微細(xì)的帶正電或負(fù)電的花紋，該帶電花紋的特點(diǎn)是，每100cm2薄膜分別分布1000個(gè)以上的面積在10mm2以下、任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋。此外，本發(fā)明的理想狀態(tài)是，該帶電花紋的平均面積在0．2mm2到1．0mm2的范圍內(nèi)，在薄膜表面任意直徑1cm的圓內(nèi)存在一個(gè)以上的正或負(fù)的帶電區(qū)。此外，特別對(duì)于聚丙稀薄膜，若每100cm2薄膜分別分布2000個(gè)以上的面積在10mm2以下、任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋，進(jìn)而，若每100cm2分布3000個(gè)以上的面積在10mm2以下、任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋，而且該帶正電的花紋的平均面積在0．5mm2以下，則效果更好。此外，本發(fā)明的聚丙稀薄膜的特征在于，一面和另一面的靜摩擦系數(shù)μs在0．2以上，而且，動(dòng)摩擦系數(shù)μd在0．08以上。本發(fā)明的塑料薄膜最好通過對(duì)表面進(jìn)行電暈放電處理來得到。此外，本發(fā)明的塑料薄膜的制造方法是對(duì)薄膜表面進(jìn)行1次以上的電暈放電處理、其中最后一次處理的放電度在4W／cm2以下的塑料薄膜的制造方法。進(jìn)而，上述電暈放電處理最好只對(duì)薄膜的同一面進(jìn)行。圖1是本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)的薄膜上帶電花紋的模式圖。圖2是表示本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)的電暈放電處理方法的裝置的概略構(gòu)成圖。圖3是表示本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)的多次電暈放電處理方法的裝置的概略構(gòu)成圖。作為本發(fā)明的塑料薄膜，可以舉例示出聚酯薄膜、聚丙稀薄膜、聚苯乙稀薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亞胺薄膜、聚苯硫醚薄膜、芳族聚酰胺薄膜和聚乙烯薄膜等。如前所述，聚丙稀薄膜是比較容易發(fā)生卷繞跑偏、起皺、粘連的薄膜，作為本發(fā)明的對(duì)象物，特別有效。本發(fā)明所說的帶電花紋是附在薄膜表面帶正電或負(fù)電的區(qū)域。這樣的帶電花紋可以用粉塵圖形法(靜電學(xué)會(huì)編，靜電手冊(cè)第1版，373頁)看見。粉塵圖形法是使帶電的著色微粒子浮游在帶電體的附近利用靜電力使其附著顯像的方法。粉塵圖形法使用的顯像材料是彩色復(fù)印機(jī)一般使用的粉末調(diào)色劑。粒徑最好是幾μm到幾十μm。此外，作為操作環(huán)境，因粉末的附著力隨周圍濕度變化，故在40～60％的濕度等一定環(huán)境下進(jìn)行評(píng)價(jià)重復(fù)性好。因在薄膜表面存在這樣的帶正電或負(fù)電的花紋，故該薄膜因靜電力的作用容易與其它物體吸附。當(dāng)薄膜與金屬接觸時(shí)，因薄膜帶電電荷與金屬上感應(yīng)的相反極性的電荷而產(chǎn)生吸引力，使薄膜和金屬的接觸部分增大。此外，當(dāng)薄膜之間接觸時(shí)，因薄膜上的極性相反的帶電電荷而產(chǎn)生吸引力，使薄膜之間的接觸部分增大，因摩擦系數(shù)增大，故可以抑制薄膜之間的滑動(dòng)。根據(jù)這樣的原理，難以出現(xiàn)因移動(dòng)中的薄膜和與它接觸的滾筒等之間的滑動(dòng)而引起的S形擺動(dòng)或在滾筒上卷繞時(shí)的卷繞跑偏的現(xiàn)象。特別是，對(duì)于帶電花紋的面積小、正負(fù)帶電花紋緊密地混在一起的薄膜，其效果更明顯。相反，當(dāng)帶電花紋的面積大時(shí)，由于在該部分容易形成放電等靜電欠缺，或者因薄膜的制造工藝和加工工藝設(shè)置的除電器而使帶電容易除去，所以，這時(shí)效果差。本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過賦予特定的帶電花紋可以制造出移動(dòng)性好的薄膜。將每100cm2薄膜面積分布1000個(gè)以上面積在10mm2以下的任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋作為帶電花紋的標(biāo)準(zhǔn)給出。對(duì)帶電花紋個(gè)數(shù)的上限值雖然沒有特別的限制，但最好在30000個(gè)以下。當(dāng)帶電花紋過多時(shí)，薄膜之間的滑動(dòng)性差，對(duì)取出薄膜等操作，有時(shí)難以應(yīng)付，這樣不太好。作為帶電花紋的致密度，上述正和負(fù)的帶電花紋的平均面積最好在0．2mm2到1．0mm2的范圍。進(jìn)而，作為帶正電花紋和帶負(fù)電花紋混合的標(biāo)準(zhǔn)，最好在薄膜表面任意直徑1cm的圓內(nèi)存在各一個(gè)以上的正或負(fù)的帶電區(qū)。例如，圖1的例子表示帶正電花紋21和帶負(fù)電花紋22混合存在于直徑1cm的圓內(nèi)的情況。特別是，對(duì)于容易產(chǎn)生卷繞跑偏、起皺的聚丙稀薄膜，致密帶電花紋的存在效果更加明顯，所以，可以使每100cm2薄膜面積分布2000個(gè)以上面積在10mm2以下的任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋。進(jìn)而，最好使每100cm2薄膜面積分布3000個(gè)以上面積在10mm2以下的任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋。再進(jìn)一步，最好使該帶正電花紋的平均面積在0．5mm2以下。當(dāng)通過后述的電暈放電處理等的放電形成帶電花紋時(shí)，負(fù)的帶電有形成水珠狀花紋的傾向，正的帶電有形成樹枝狀或樹葉狀細(xì)長花紋的傾向。為了使薄膜不容易滑動(dòng)，即為了形成致密的帶電花紋，將該細(xì)長的正的帶電花紋斷開使其變成更加微細(xì)的帶電花紋是有效的，正的帶電花紋的個(gè)數(shù)便成了致密度的有效指標(biāo)。在此，說明帶電花紋的面積和個(gè)數(shù)的測(cè)定方法。薄膜上的帶電花紋的面積和個(gè)數(shù)可以通過使用圖像處理方法求出。下面，記述該方法的一個(gè)例子。(1)用帶正電粉塵(紅)和帶負(fù)電粉塵(蘭)的粉塵圖形法使薄膜帶電可見。(2)對(duì)可見的薄膜進(jìn)行圖象輸入，輸入裝置可用通用的掃描儀或CCD照相機(jī)等攝像裝置。只是，圖像分辨率要在90dpi以上。(3)挑出蘭(或紅)的花紋，將其變換成只抽出正(或負(fù))的花紋的圖象。(4)將(3)的圖象分成灰度等級(jí)，這時(shí)的灰度等級(jí)最好是16級(jí)以上。(5)使(4)的圖象2值化。所謂2值化是將亮度不到90％的作為黑、將其余的作為白來處理，進(jìn)行使正(或負(fù))的帶電花紋為黑、其余部分為白的圖象處理。(6)在某一范圍(例如10cm見方的正方形)內(nèi)測(cè)定帶電花紋的個(gè)數(shù)和各帶電花紋的面積(象素)。這里，對(duì)面積在0．1mm2以下的花紋判斷為圖象處理上的噪聲，不予考慮。(從(3)到(6)的操作可以使用通用的圖象處理軟件。)從根據(jù)(7)(6)得到的數(shù)據(jù)算出花紋數(shù)和花紋平均面積。用上述方法可以得到帶電花紋的個(gè)數(shù)和平均面積的數(shù)據(jù)。帶電花紋根據(jù)其形成機(jī)制，發(fā)現(xiàn)有圓形、橢圓形、樹枝狀、星形等各種各樣的形狀，但什么樣的形狀都可以。此外，通過正負(fù)帶電區(qū)以相同程度的比例混合存在，可以使薄膜的視電位減小。關(guān)于這一點(diǎn)，可以通過下述事實(shí)得到確認(rèn)，即，在用表面電位計(jì)(例如，西多(シシド)電氣(株)制スタチロンDZ)測(cè)定成卷薄膜的表面時(shí)，雖然致密地混合存在有正負(fù)帶電花紋，但表面電位計(jì)的測(cè)定值并不因此而變動(dòng)。當(dāng)是成卷薄膜時(shí)，若表面電位在5KV以下，不容易引起剝離放電等靜電效應(yīng)。對(duì)于象本發(fā)明那樣致密地混合存在有正負(fù)帶電花紋薄膜，也可以實(shí)現(xiàn)這樣的特性。進(jìn)而，當(dāng)把薄膜卷成卷時(shí)，該卷薄膜的表面電位是把1張1張薄膜的帶電電位累加后形成的電位。例如，即使1張薄膜的電位在十幾V以下，通過同極性帶電薄膜的積層，成卷薄膜的表面電位可達(dá)幾十KV以上。因此，從卷成卷時(shí)使其難以產(chǎn)生特定電位分布的目的出發(fā)，最好使薄膜的帶電花紋在其長和寬的方向隨機(jī)分布，沒有特定的周期。進(jìn)而，至于帶電的強(qiáng)度，若帶電太弱，對(duì)S形擺動(dòng)和卷繞跑偏的抑制能力差，若帶電太強(qiáng)，容易引起放電等靜電效應(yīng)。因此，作為帶電強(qiáng)度，帶電電荷密度在0．3～5nC／cm2左右即可。因放電等問題受帶電花紋面積的影響，故帶電花紋的面積在10mm2以下即可。此外，若是10mm2以下，則難以產(chǎn)生放電等問題。帶電電荷量的測(cè)定例如可以通過微小點(diǎn)型表面電位計(jì)進(jìn)行測(cè)定。例如，門羅電子公司的表面電位計(jì)(1－279型)具有直徑1．75mm的探針開口，當(dāng)探針和測(cè)定表面的間隔為0．5mm時(shí)，可以以直徑2．5mm的點(diǎn)分辨率進(jìn)行測(cè)定。通過用探針和測(cè)定面之間的靜電容量除測(cè)定得到的表面電位(V)，可以求出帶電電荷量。此外，通過用上述帶電花紋的面積除該電荷量，可以求出帶電電荷密度。只是，在上述方法中，雖然不能測(cè)定比上述測(cè)定點(diǎn)小的帶電花紋的帶電電荷密度，但是可以通過將附著的粉塵法顯像材料與可測(cè)定的較大的帶電花紋附著的顯像材料比較進(jìn)行推定。作為帶電的方法可以舉出對(duì)薄膜表面進(jìn)行電暈放電的方法。電暈放電處理裝置例如圖2所示，由高電壓施加電極1、高壓電源4和配極滾筒2構(gòu)成。通過使纏繞在配極滾筒2上的薄膜5暴露在高電壓施加電極1和配極滾筒2之間形成的放電區(qū)內(nèi)，可以對(duì)薄膜表面進(jìn)行改造。在圖2中，6表示軋輥，7表示導(dǎo)輥。高電壓施加電極1有象圖2所示那樣的方柱狀的、絲狀的和板狀的等等形狀。此外，配極滾筒2最好覆蓋絕緣體。若在沒有覆蓋的金屬滾筒上進(jìn)行薄膜的電暈放電處理，在薄膜兩面現(xiàn)出改造效果，最終，當(dāng)從卷成卷的薄膜卷中卷出薄膜時(shí)容易引起粘連，這是不好的。被覆材料3最好是電介質(zhì)，此外，最好是耐熱性、耐久性好的材料。一般使用橡膠或陶瓷。形成上述那樣的帶電花紋可以通過調(diào)整電暈放電處理的供電條件、頻率和電極與薄膜的間隙等條件來實(shí)現(xiàn)。其中，特別是因供電條件的不同可以使帶電花紋的狀態(tài)差別很大。因此，調(diào)整電暈放電處理的供電的方法對(duì)于形成上述那樣的帶電花紋是最簡便和可靠的。在電暈放電處理中，施加電壓的振幅為4～15KV、放電度在4W／cm2以下，對(duì)于形成所要的帶電花紋是理想的條件。當(dāng)放電度超過4W／cm2時(shí)，帶電花紋喪失其致密特性，容易打滑，這是不好的。再有，這里所說的放電度表示放電電極單位面積供給的電功率，可以用下式表示。放電度(W／cm2)＝供給電功率(W)／放電電極的面積(cm2)(1)式(1)中的供給電功率是指向放電電極實(shí)際供給的電功率。供給電功率可以通過將放電電極的瞬時(shí)電壓和瞬時(shí)電流的乘積(瞬時(shí)電功率)對(duì)單位時(shí)間進(jìn)行積分得到。此外，可以使用下面的測(cè)定方法進(jìn)行計(jì)算。使配極滾筒通過電容器接地，將示波器設(shè)定在X－Y工作模式，X軸輸入電極電壓，Y軸輸入電容器的電壓。這時(shí)讀出示波器描計(jì)的李沙育圖形的面積，通過將該值乘以頻率，可以計(jì)算出供給電功率。再有，這里所說的供給電功率一般是指從電源顯示的電源輸出電功率中減去真空管或高頻變壓器等的功率損耗后得到的電功率，是實(shí)際放電的電功率。此外，式(1)中的放電電極的面積是指電極表面放電部分的面積。只是，當(dāng)相對(duì)薄膜的電極面的整個(gè)面都能觀測(cè)到放電光時(shí)，可以將電極投影在薄膜面時(shí)的投影面的面積作為放電電極的面積進(jìn)行計(jì)算。作為標(biāo)準(zhǔn)，在具有圓形截面、且其半徑小于3mm的絲狀電極的情況下，可以用上述簡便的方法求出放電電極的面積。此外，在板電極和棒電極的情況下，當(dāng)產(chǎn)生放電的電極前端部分的曲率半徑小于3mm時(shí)，可以通過對(duì)該電極前端部分求出薄膜面上的投影面的面積來求出放電電極的面積。其余的情況，可以將放電時(shí)發(fā)光區(qū)域的面積作為放電電極的面積進(jìn)行計(jì)算。放電度只有在實(shí)際觀測(cè)到放電時(shí)才被規(guī)定。當(dāng)從未觀測(cè)到放電的狀態(tài)開始慢慢增加施加在電極上的電壓時(shí)，放電開始時(shí)的最小放電度因電極的形狀、間隙、配極滾筒、薄膜特性等條件而異。因此，不能決定最佳放電度的下限值。此外，這時(shí)，電極和薄膜的間隙最好在2mm以下。這是因?yàn)椋撻g隙愈小，附在薄膜上的正負(fù)帶電花紋愈小，能夠緊密的混合在一起，薄膜難以打滑。只是，當(dāng)間隙太小時(shí)，因熱膨脹和滾筒的偏心，使電極與薄膜或配極滾筒接觸，引起薄膜的破裂或電極和配極滾筒的損壞，這是不好的情況。最好確保0．2mm以上的間隙。在本發(fā)明的聚丙稀薄膜中，表面的濕張力最好在34mN／m以上。當(dāng)表面的濕張力不到34mN／m時(shí)，在蒸鍍和印刷等后加工工序中，會(huì)產(chǎn)生一些麻煩。聚丙稀薄膜的濕潤性可以通過電暈放電處理來提高。為了得到表面濕張力在34mN／m以上的薄膜，最好施加放電度在4W／cm2以上的強(qiáng)的電暈放電處理。另一方面，為了利用上述電暈放電處理使薄膜表面形成致密的帶電花紋，最好進(jìn)行放電度在4W／cm2以下的弱的電暈放電處理。因此，當(dāng)要兼顧利用電暈放電產(chǎn)生濕潤性提高的效果和利用電暈放電產(chǎn)生帶電花紋的情況時(shí)，最好進(jìn)行多次電暈放電處理，進(jìn)行1次以上的放電度在4W／cm2以下的處理，再進(jìn)行1次以上的放電度超過4W／cm2的處理。其中，最后1次處理在放電度為4W／cm2以下的條件下進(jìn)行是很有效的。這是因?yàn)?，薄膜表面最終形成帶電花紋是由最后1次電暈放電的處理?xiàng)l件決定的。作為一個(gè)例子，圖3示出進(jìn)行2次放電處理時(shí)的處理方法。在圖3中，上手側(cè)設(shè)置強(qiáng)處理用電極8及其電源10，下手側(cè)設(shè)置弱處理用電極9及其電源11。為了防止粘連，上述電暈放電處理最好只在薄膜的同一面進(jìn)行。特別是當(dāng)考慮起皺和粘連等問題而使薄膜厚度在10μm以下時(shí)，最好在薄膜的同一面上進(jìn)行上述多次電暈放電處理。通過象上述那樣產(chǎn)生帶電使薄膜不容易滑動(dòng)。該薄膜滑動(dòng)的難度可以用摩擦系數(shù)使其定量化。即，本發(fā)明的聚丙稀薄膜的特征是，一面和另一面的靜摩擦系數(shù)μs在0．2以上，而動(dòng)摩擦系數(shù)μd在0．08以上。本發(fā)明的靜摩擦系數(shù)μs和動(dòng)摩擦系數(shù)μd指的是，將薄膜裁成寬度方向10cm×長度方向7．5cm大小的長方形，將2張這樣的的薄膜重疊，使電暈放電處理面和非處理面接觸。使這樣2張薄膜中的1張薄膜沿寬度方向滑動(dòng)，同時(shí)，用U量規(guī)檢測(cè)以150mm／分的速度抻開時(shí)的靜摩擦阻力(g)和動(dòng)摩擦阻力(g)，再用100除該檢測(cè)出的值所得到的值。聚丙稀薄膜在靜摩擦系數(shù)μs不到0．2時(shí)，在剪裁和重新卷起來的加工中容易產(chǎn)生卷繞跑偏，這樣不好。此外，當(dāng)靜摩擦系數(shù)太大時(shí)，容易起皺。靜摩擦系數(shù)的值最好在0．3以上2以下。此外，當(dāng)動(dòng)摩擦系數(shù)μd不到0．08時(shí)，在剪裁和重新卷起來的加工中容易產(chǎn)生卷繞跑偏，這樣不好。此外，當(dāng)靜摩擦系數(shù)太大時(shí)，容易起皺。動(dòng)摩擦系數(shù)的值最好在0．1以上1．5以下。此外，本發(fā)明的聚丙稀薄膜的表面電位的絕對(duì)值最好在5KV以下。若超過5kv，容易起皺，有時(shí)，在加工中還會(huì)產(chǎn)生靜電故障。最好在0．1KV以上4KV以下。再有，最好不要使正負(fù)極性混在一起。此外，本發(fā)明的聚丙稀薄膜表面的中心線平均粗細(xì)Ra最好在0．02μm以上0．5μm以下。若不到0．02μm，容易起皺，同時(shí)，因卷起時(shí)排除空氣的能力差故容易出現(xiàn)卷繞跑偏。另一方面，若超過0．5μm，則容易出現(xiàn)卷繞跑偏。所以，最理想的是在0．03μm以上0．3μm以下。對(duì)本發(fā)明的薄膜的厚度沒有特別限定，但從容易制造的角度出發(fā)，聚丙稀薄膜最好是2～60μm左右，聚酯薄膜最好是0．5～500μm左右。此外，因有時(shí)受薄膜剛性的影響，故象以用于電容器為代表那樣，采用30μm以下的薄的薄膜比較合適。此外，本發(fā)明的聚丙稀薄膜寬度從卷繞加工時(shí)排除空氣的能力等方面來看，10mm以上2000mm以下則更合適。構(gòu)成本發(fā)明的聚丙稀薄膜的聚合物除聚丙稀的同聚物之外，也可以是丙烯和其它的α－稀羥(例如，乙稀、丁稀等)的共聚合物，此外，還可以是聚丙稀和其它的α－稀羥聚合物(例如，聚乙烯、聚丁稀等)的混合物。用于本發(fā)明的聚丙稀薄膜的聚丙稀樹脂的等規(guī)度最好在96％以上。此外，本發(fā)明的聚丙稀薄膜的延伸方法可以是拉幅法、充氣法中的任何一種方法?？梢允且惠S延伸，也可以是二軸延伸。二軸延伸時(shí)，可以是逐次二軸延伸，要以是同時(shí)二軸延伸。只是，當(dāng)用于電容器薄膜時(shí)，因要求厚度薄和厚度不均勻度小，故最好是拉幅法二軸延伸。再有，電暈放電處理的環(huán)境氣體可以是空氣，也可以是一氧化炭等其它氣體。此外，在聚丙稀薄膜制膜后的任何工序中，作為進(jìn)行靜電除去處理時(shí)的靜電除去方法，可以列舉交流式靜電除去裝置、交流式送風(fēng)除電器和導(dǎo)電布等方法。此外，雖然執(zhí)行時(shí)可以適當(dāng)選擇靜電除去裝置的組合、靜電除去的次數(shù)和時(shí)間順序，但對(duì)薄膜進(jìn)行電暈放電處理時(shí)希望在電暈放電處理剛剛結(jié)束后進(jìn)行靜電除去。通過這樣的靜電除去可以使薄膜整體電位下降，而且，對(duì)于本發(fā)明列舉的正負(fù)帶電致密地混合存在的帶電花紋，使用這些一般的靜電除去裝置的組合，不能消除干凈。再有，在這里列舉的靜電除去裝置和除電器之中，一般使用的裝置的原理是，因在針狀或細(xì)絲狀電極等的前端的電暈放電而產(chǎn)生離子，利用該離子中和薄膜的帶電，但這樣的靜電除去裝置和除電器是與上述的電暈放電不同的裝置。通常的電暈放電處理裝置的構(gòu)成象圖2所示那樣，接地電極經(jīng)作為被處理物的薄膜與高電壓施加電極對(duì)向配置，利用該兩電極間的高頻電場(chǎng)產(chǎn)生電暈放電。電暈放電處理是通過使薄膜暴露在發(fā)光的放電環(huán)境中去處理薄膜表面。因此，高電壓施加電極和薄膜之間的間隔小，通常在10mm以下。另一方面，利用電暈放電的靜電除去裝置不是將薄膜暴露在發(fā)光的放電區(qū)域內(nèi)，高電壓施加電極和薄膜之間的間隔大，通常在10mm以上。此外，通常的構(gòu)成在薄膜背后不配置對(duì)向電極。根據(jù)這樣的差別，可以區(qū)別電暈放電處理裝置和靜電除去裝置。此外，本發(fā)明的聚丙稀薄膜也可以金屬化。作為金屬化方法，可以舉例示出真空蒸鍍法和濺射法，特別是從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，真空蒸鍍法是很合適的。作為這時(shí)使用的金屬，可以舉出鋁、鋅、銅、錫、銀、鎳和鈷的單體或它們的混合物等。下面，示出一例本發(fā)明的理想薄膜的制造方法。將等規(guī)度在95％以上的聚丙稀樹脂供給190～270℃溫度下的擠壓機(jī)并使其熔融，利用切有縫隙的T型模具將其擠壓成片狀，在20～100℃、最好是40～90℃溫度的冷卻滾筒中冷卻固化。這時(shí)，通過選擇冷卻滾筒的溫度，可以調(diào)節(jié)表面的粗糙度。其次，在110～150℃的溫度下沿長度方向延伸o3～6倍。這時(shí)，通過選擇延伸溫度，可以調(diào)節(jié)表面粗糙度。接著，在150～170℃的溫度下沿寬度方向延伸o7～12倍。然后，在150～170℃的溫度下進(jìn)行熱處理。然后，在對(duì)薄膜的一個(gè)面進(jìn)行了電暈放電之后，進(jìn)而，在比剛才處理的強(qiáng)度低的強(qiáng)度下，對(duì)同一面進(jìn)行電暈放電處理并用卷繞機(jī)卷起來。這時(shí)應(yīng)注意不要使電暈放電處理漏到對(duì)面去。進(jìn)而，這時(shí)，使用設(shè)置在距電暈放電面30～200mm處的交流式靜電除去裝置，用5～12KV的輸出對(duì)該面進(jìn)行除電。用切條機(jī)將這樣得到的薄膜裁斷。這時(shí)，在卷繞部(上卷部)使用設(shè)置在距薄膜50～300mm處的交流式送風(fēng)型除電器，用5～12KV的輸出除去靜電。其次，說明本發(fā)明使用的測(cè)定方法和評(píng)估方法。(1)帶電花紋的個(gè)數(shù)、平均面積(1)利用粉塵圖形法使薄膜的帶電可見。這里為了判別正負(fù)帶電，使用了顏色不同的帶正電的樹脂粉末(紅)和帶負(fù)電的樹脂粉末(蘭)。這里使用的樹脂粉末是下面的規(guī)格，在濕度50％的環(huán)境下進(jìn)行了粉塵圖形法的可視化處理。帶正電的樹脂粉末顏色；紅色粒徑重量平均粒徑14．8μm(6μm以下0．2％重量，25μm以上1．8％重量)比電荷－1．2μC／g帶負(fù)電的樹脂粉末顏色；蘭色粒徑重量平均粒徑12．5μm(6μm以下0．8％重量，20μm以上1．6％重量)比電荷－23．1μC／g再有，這里所示的樹脂粉末的平均粒徑是用COULTER公司制的MULTISIZERⅡ、使用直徑100μm的小孔管測(cè)定的值。此外，比電荷是利用吹除法帶電量測(cè)量裝置(東芝化學(xué)制TB－500型)測(cè)定的值。具體地說，將被測(cè)定粉末與鐵粉載體(粉末公司的TSV－200R)以119的重量比混合，將利用球磨機(jī)攪拌5分鐘后的粉末樣品放入上述帶電量測(cè)定裝置的測(cè)定室內(nèi)，只放入0．2g，吹風(fēng)壓0．5Kg／cm2，吹風(fēng)時(shí)間60秒，使用400格的不銹鋼網(wǎng)格作為網(wǎng)格屏，將這樣測(cè)定的值用粉末的重量去除(0．28×1／20＝0．01g)，求出所得的值。(2)用彩色掃描儀讀取可視化處理后的薄膜，并轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。分辨率是300dpi，RGB各256級(jí)。使用的掃描儀是德國LinotypeHell公司(HeidelbergPrepress公司)的蘭寶石。(3)使用圖片處理軟件(PhotoShopver．3．0J)將該圖象數(shù)據(jù)區(qū)分成蘭(正)和紅(負(fù))的圖象。區(qū)分處理使用顏色替換命令，例如，通過將紅色區(qū)域替換成白色，就只留下藍(lán)色花紋。這時(shí)，替換色的中心色和容許范圍設(shè)定如下。紅色的指定RGB＝198，31，60，容許范圍200藍(lán)色的指定RGB＝20，70，170，容許范圍180(4)其次，使用相同的軟件(PhotoShopver．3．0J)分別將藍(lán)色和紅色圖象變換成灰度等級(jí)，然后使其變成2值化數(shù)據(jù)。2值化是將亮度不到90％的變換成黑，大于90％的變換成白。這樣一來，可以把正(或負(fù))的帶電部變換成黑、其余的是白的圖象。(5)將某任意的黑的象素(帶電部)作為中心象素，調(diào)查周圍的8個(gè)象素，若是黑象素，則把它視為屬于同一塊。該工作對(duì)整個(gè)畫面進(jìn)行。(6)對(duì)于10cm見方的正方形圖象，數(shù)出在(5)中檢測(cè)出的黑象素的塊有多少塊，分別求出各塊的象素個(gè)數(shù)。(7)把面積0．1mm以下的帶電花紋(在圖象上是14個(gè)象素以下的黑象素的塊)判斷位圖象處理上的噪聲，并從數(shù)據(jù)中刪除。(從(5)到(7)的工作使用了德國MVTec公司的圖象處理軟件HALCONver．5)(8)根據(jù)從(7)得到的數(shù)據(jù)算出花紋數(shù)和花紋平均面積。通過上述方法，得到帶電花紋的個(gè)數(shù)和平均面積的數(shù)據(jù)。(2)摩擦系數(shù)將薄膜裁成寬度方向10cm×長度方向7．5cm大小的長方形，將2張這樣的的薄膜重疊，使電暈放電處理面和非處理面接觸。使這樣2張薄膜中的1張薄膜沿寬度方向滑動(dòng)，同時(shí)，用U量規(guī)檢測(cè)以150mm／分的速度抻開時(shí)的靜摩擦阻力(g)和動(dòng)摩擦阻力(g)，再用100除該檢測(cè)出的值，將所得到的值分別作為靜摩擦系數(shù)μs和動(dòng)摩擦系數(shù)μd。測(cè)定次數(shù)為5次，采用其平均值。(3)表面電位在距卷成卷的薄膜表面50mm處，沿該薄膜卷的寬度方向等距離布設(shè)5個(gè)點(diǎn)，用スタチロンDZ(シシド電氣制)測(cè)定這5個(gè)點(diǎn)的表面電位，使用其平均值。(4)中心線平均粗細(xì)Ra按JIS－B－0601標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)定。只是，截止值設(shè)為0．25mm。測(cè)定數(shù)是3，使用其平均值。(5)起皺、卷繞跑偏的發(fā)生率將裁成630mm寬、34000m長的卷成卷的薄膜作為樣品，進(jìn)而，在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的薄膜，在窄幅卷軸上，以400m／分的速度卷繞。根據(jù)下式分別求出起皺、卷繞跑偏的發(fā)生率。起皺發(fā)生率(％)＝發(fā)生起皺的卷軸數(shù)／總卷軸數(shù)(72)×100卷繞跑偏發(fā)生率(％)＝發(fā)生卷繞跑偏的卷軸數(shù)／總卷軸數(shù)(72)×100再有，將發(fā)生率在7％以下的視為合格。(6)濕張力按ASTMD2578進(jìn)行了測(cè)定。下面，根據(jù)實(shí)施例說明本發(fā)明。實(shí)施例1對(duì)PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)薄膜(東レ(株)制“ルツラ－”厚度7μm)的一個(gè)面進(jìn)行電暈放電處理。處理?xiàng)l件如下。放電度2．5W／cm2施加電壓幅度6KV電源頻率42KHz電極形狀將前端半徑為2mm的板電極連成4列電極薄膜間間隙0．8mm薄膜移動(dòng)速度50m／分配極用滾筒在金屬滾筒上覆蓋3mm厚的硅橡膠室溫、濕度20℃、50％使用復(fù)印機(jī)用的帶正電粉末(紅)和帶負(fù)電粉末(蘭)使在該條件下處理過的薄膜的正負(fù)帶電狀態(tài)可視化，帶電花紋的個(gè)數(shù)和面積用上述方法求出。其結(jié)果示于表1。每100cm2薄膜存在面積在10mm2以下的任意形狀的正帶電花紋242個(gè)，負(fù)帶電花紋1203個(gè)。此外，帶電花紋的平均面積正帶電花紋是0．65mm2，負(fù)帶電花紋是0．53mm2。比較例1使用PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)薄膜(東レ(株)制“ルツラ－”厚度7μm)，除電暈放電條件作如下變更之外，與實(shí)施例1相同。放電度5．6W／cm2施加電壓幅度10KV(除上述條件之外，與實(shí)施例1的條件相同)使用復(fù)印機(jī)用的帶正電粉末(紅)和帶負(fù)電粉末(蘭)使在該條件下處理過的薄膜的正負(fù)帶電狀態(tài)可視化，帶電花紋的個(gè)數(shù)和面積用上述方法求出。其結(jié)果示于表1。每100cm2薄膜存在面積在10mm2以下的任意形狀的正帶電花紋85個(gè)，負(fù)帶電花紋42個(gè)。此外，帶電花紋的平均面積正帶電花紋是0．15mm2，負(fù)帶電花紋是0．23mm2。實(shí)施例2使用PP(聚丙稀)薄膜(東レ(株)制“トレファン”BO(未進(jìn)行電暈放電處理)厚度4μm)，除電暈放電條件作如下變更之外，與實(shí)施例1相同。放電度1．9W／cm2施加電壓幅度5．5KV(除上述條件之外，與實(shí)施例1的條件相同)使用彩色復(fù)印機(jī)用的帶正電粉末(紅)和帶負(fù)電粉末(蘭)使在該條件下處理過的薄膜的正負(fù)帶電狀態(tài)可視化，帶電花紋的個(gè)數(shù)和面積用上述方法求出。其結(jié)果示于表1。每100cm2薄膜存在面積在10mm2以下的任意形狀的正帶電花紋5267個(gè)，負(fù)帶電花紋3553個(gè)。此外，帶電花紋的平均面積正帶電花紋是0．38mm2，負(fù)帶電花紋是0．48mm2。這樣出來的薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．49，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．22，是難以滑動(dòng)的薄膜。比較例2使用PP(聚丙稀)薄膜(東レ(株)制“トレファン”BO(未進(jìn)行電暈放電處理)厚度4μm)，除電暈放電條件作如下變更之外，與實(shí)施例1相同。放電度5．6W／cm2施加電壓幅度10KV(除上述條件之外，與實(shí)施例1的條件相同)使用彩色復(fù)印機(jī)用的帶正電粉末(紅)和帶負(fù)電粉末(蘭)使在該條件下處理過的薄膜的正負(fù)帶電狀態(tài)可視化，帶電花紋的個(gè)數(shù)和面積用上述方法求出。其結(jié)果示于表1。每100cm2薄膜存在面積在10mm2以下的任意形狀的正帶電花紋33個(gè)，負(fù)帶電花紋103個(gè)。此外，帶電花紋的平均面積正帶電花紋是0．19mm2，負(fù)帶電花紋是0．23mm2。這樣出來的薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．06，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0，是容易滑動(dòng)的薄膜。實(shí)施例3將等規(guī)度在97％以上的聚丙稀樹脂供給240℃溫度下的擠壓機(jī)并使其熔融，利用切有縫隙的T型模具將其擠壓成片狀，在80℃溫度的冷卻滾筒中冷卻固化。其次，在130℃的溫度下沿長度方向延伸為5倍。接著，在160℃的溫度下沿寬度方向延伸為9倍，并在155℃的溫度下進(jìn)行熱處理。在放電度為2．0W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)這樣得到的聚丙稀薄膜的一個(gè)面進(jìn)行電暈放電處理并注意不要使電暈放電處理漏到對(duì)面去，然后，使用交流式靜電除去裝置KOR型(春日電機(jī)制)，在與薄膜的距離為100mm、9KV輸出的條件下，對(duì)電暈放電處理面進(jìn)行除電，用卷繞機(jī)卷成卷。薄膜厚度是5μm。對(duì)這樣處理的薄膜，在與實(shí)施例1相同的條件下，使其帶電狀態(tài)可視化，帶電花紋的個(gè)數(shù)和面積用上述方法求出。其結(jié)果示于表1。每100cm2薄膜存在面積在10mm2以下的任意形狀的正帶電花紋4494個(gè)，負(fù)帶電花紋2959個(gè)。此外，帶電花紋的平均面積正帶電花紋是0．45mm2，負(fù)帶電花紋是0．70mm2。這樣出來的薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．56，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．28，是難以滑動(dòng)的薄膜。比較例3使用等規(guī)度在97％以上的聚丙稀樹脂，除在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下進(jìn)行電暈放電處理之外，在與實(shí)施例3相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜厚度是5μm。對(duì)這樣處理的薄膜，用與實(shí)施例1相同的方法，使其正和負(fù)各自的帶電狀態(tài)可視化。其結(jié)果示于表1。每100cm2薄膜存在面積在10mm2以下的任意形狀的正帶電花紋312個(gè)，負(fù)帶電花紋254個(gè)。此外，帶電花紋的平均面積正帶電花紋是0．18mm2，負(fù)帶電花紋是0．22mm2。該薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．08，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0，是容易滑動(dòng)的薄膜。實(shí)施例4將等規(guī)度在97％以上的聚丙稀樹脂供給240℃溫度下的擠壓機(jī)并使其熔融，利用切有縫隙的T型模具將其擠壓成片狀，在80℃溫度的冷卻滾筒中冷卻固化。其次，在130℃的溫度下沿長度方向延伸為5倍。接著，在160℃的溫度下沿寬度方向延伸為9倍，并在155℃的溫度下進(jìn)行熱處理。首先，在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)這樣得到的聚丙稀薄膜的一個(gè)面進(jìn)行電暈放電處理并注意不要使電暈放電處理漏到對(duì)面去，接著，在放電度為2．1W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)同一面進(jìn)行電暈放電處理，然后，使用交流式靜電除去裝置KOR型(春日電機(jī)制)，在與薄膜的距離為100mm、9KV輸出的條件下，對(duì)電暈放電處理面進(jìn)行除電，用卷繞機(jī)卷成卷。其次，將這樣卷成卷的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。這時(shí)，使用交流送風(fēng)型靜電器BLL型(春日電機(jī)制)，在與薄膜的距離為150mm、9KV輸出的條件下，對(duì)卷取部進(jìn)行除電。這樣得到的薄膜的厚度是5μm。濕張力是38mN／m。此外，靜摩擦系數(shù)μs是0．32，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．20。表面電位的絕對(duì)值是3．5KV。此外，中心線平均粗細(xì)Ra為電暈放電處理面是0．04μm，另一面是0．08μm。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將這樣得到的薄膜在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的薄膜，在窄幅卷軸上，以400m／min的速度卷繞，評(píng)估起皺、卷繞跑偏的發(fā)生狀況。結(jié)果，起皺和卷繞跑偏的發(fā)生率都為0％。此外，在加工過程中和加工后也沒有發(fā)生粘連。結(jié)果示于表2。實(shí)施例5使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下對(duì)其進(jìn)行電暈放電處理，接著，在放電度為1．3W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)同一面進(jìn)行電暈放電處理，除此之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的濕張力是38mN／m。此外，靜摩擦系數(shù)μs是0．26，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．16。表面電位的絕對(duì)值是3．0KV。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是0％，卷繞跑偏發(fā)生率是1．4％。結(jié)果示于表2。實(shí)施例6使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，除了冷卻滾筒的溫度是20℃之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的濕張力是38mN／m。此外，靜摩擦系數(shù)μs是0．92，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．87。表面電位的絕對(duì)值是3．5KV。此外，Ra是電暈放電處理面，和另一面一樣，都是0．02μm。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是5．6％，卷繞跑偏發(fā)生率是4．2％。結(jié)果示于表2。比較例4使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，只在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下對(duì)其進(jìn)行電暈放電處理，除此之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．08，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0。表面電位的絕對(duì)值是8．0KV。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是2．8％，卷繞跑偏發(fā)生率是15．3％。結(jié)果示于表2。比較例5使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，在放電度為4．8W／cm2的強(qiáng)度下對(duì)其進(jìn)行電暈放電處理，接著，在放電度為4．8W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)同一面進(jìn)行電暈放電處理，除此之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．20，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．02。表面電位的絕對(duì)值是4．0KV。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是2．8％，卷繞跑偏發(fā)生率是16．7％。結(jié)果示于表2。比較例6使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，在放電度為2．1W／cm2的強(qiáng)度下對(duì)其進(jìn)行電暈放電處理，接著，在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)同一面進(jìn)行電暈放電處理，除此之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．12，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．08。表面電位的絕對(duì)值是5．0KV。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是9．7％，卷繞跑偏發(fā)生率是11．1％。結(jié)果示于表2。比較例7使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下對(duì)其進(jìn)行電暈放電處理，接著，在放電度為2．1W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)相反面進(jìn)行電暈放電處理，除此之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是0．89，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．75。表面電位的絕對(duì)值是10．2KV。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是18．1％，卷繞跑偏發(fā)生率是0％。再有，當(dāng)將該薄膜裁成寬度為50mm的窄幅時(shí)，發(fā)現(xiàn)在寬度為630mm的卷軸卷繞部上有粘連的傾向。結(jié)果示于表2。比較例8使用等規(guī)度為97％的聚丙稀樹脂，在放電度為9．1W／cm2的強(qiáng)度下對(duì)其進(jìn)行電暈放電處理，接著，在放電度為2．1W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)同一面進(jìn)行電暈放電處理，進(jìn)而，在放電度為2．1W／cm2的強(qiáng)度下，對(duì)相反面進(jìn)行電暈放電處理，除此之外，在和實(shí)施例4相同的條件下得到聚丙稀薄膜。薄膜的厚度是5μm。此外，在和實(shí)施例4相同的條件下將這樣得到的薄膜裁成寬度為630mm、長度為34000m的條。該薄膜的靜摩擦系數(shù)μs是1．06，動(dòng)摩擦系數(shù)μd是0．98。表面電位的絕對(duì)值是11．3KV。進(jìn)而，利用窄幅切條機(jī)將其在寬度方向裁成寬度為50mm的薄膜12條，在長度方向裁成6段長度為5600m的窄幅卷軸，在和實(shí)施例4相同的條件下對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。起皺發(fā)生率是25．0％，卷繞跑偏發(fā)生率是0％。再有，當(dāng)將該薄膜裁成寬度為50mm的窄幅時(shí)，發(fā)現(xiàn)在寬度為630mm的卷軸卷繞部上有粘連的傾向。結(jié)果示于表2。表1<tablesid="table1"num="001"><table>每100cm2的帶電花紋個(gè)數(shù)帶電花紋平均面積正負(fù)正負(fù)單位個(gè)個(gè)mm2mm2實(shí)施例1242212030．650．53實(shí)施例2526735530．380.48實(shí)施例3449429590．450．70比較例185420．150．23比較例2331030．190．23比較例33122540．180．22</table></tables>表2<>*定相反面處理若按照本發(fā)明，能夠得到快速移動(dòng)和卷繞性能好、不容易發(fā)生起皺和卷繞跑偏的塑料薄膜。權(quán)利要求1.一種塑料薄膜，其特征在于每100cm2薄膜分別分布1000個(gè)以上的面積在10mm2以下、任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋。2.權(quán)利要求1記載的塑料薄膜，其特征在于正和負(fù)帶電花紋的平均面積在0．2mm2到1．0mm2的范圍內(nèi)。3.權(quán)利要求1記載的塑料薄膜，其特征在于在薄膜表面任意直徑1cm的圓內(nèi)各存在一個(gè)以上的正或負(fù)的帶電區(qū)。4.由聚丙稀形成的權(quán)利要求1～3任何一項(xiàng)記載的塑料薄膜。5.一種聚丙稀薄膜，其特征在于每100cm2薄膜分別分布2000個(gè)以上的面積在10mm2以下、任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋。6.權(quán)利要求5記載的聚丙稀薄膜，其特征在于每100cm2分布3000個(gè)以上的面積在10mm2以下、任意形狀的帶正電或負(fù)電的花紋，而且，該帶正電的花紋的平均面積在0．5mm2以下。7.一種聚丙稀薄膜，其特征在于一面和另一面之間的靜摩擦系數(shù)μs在0．2以上，而且，動(dòng)摩擦系數(shù)μd在0．08以上。8.權(quán)利要求5或7記載的聚丙稀薄膜，其特征在于表面濕張力在34mN／m以上。9.權(quán)利要求5或7記載的聚丙稀薄膜，其特征在于聚丙稀薄膜的表面電位的絕對(duì)值在5KV以下。10.權(quán)利要求5或7記載的聚丙稀薄膜，其特征在于薄膜表面的中心線平均粗細(xì)Ra在0．02μm以上0．5μm以下。11.權(quán)利要求1或7記載的塑料薄膜，其特征在于通過對(duì)表面進(jìn)行電暈放電處理來得到。12.權(quán)利要求11記載的塑料薄膜，其特征在于只對(duì)薄膜的同一面進(jìn)行電暈放電處理。13.一種塑料薄膜的制造方法，其特征在于對(duì)薄膜表面進(jìn)行1次以上的電暈放電處理，其中最后一次處理的放電度在4W／cm2以下。14.權(quán)利要求13記載的塑料薄膜的制造方法，其特征在于對(duì)薄膜表面進(jìn)行多次電暈放電處理，包括一次以上放電度在4W／cm2以下的處理和一次以上放電度超過4W／cm2的處理，其中最后一次處理的放電度在4W／cm2以下。15.權(quán)利要求13或14記載的塑料薄膜的制造方法，其特征在于電暈放電處理只對(duì)薄膜的同一面進(jìn)行。全文摘要本發(fā)明的課題在于:即使在快速移動(dòng)的情況下,也能得到不容易發(fā)生卷繞跑偏、起皺和粘連的塑料薄膜。本發(fā)明是每100cm文檔編號(hào)B29C59/10GK1278482SQ0011864公開日2001年1月3日申請(qǐng)日期2000年6月19日優(yōu)先權(quán)日1999年6月17日發(fā)明者祝前陽子,森口勇,佐藤誠,大西桂太郎申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社