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一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法與流程

文檔序號:12634506閱讀:721來源:國知局
一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法與流程

本發(fā)明屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法。



背景技術(shù):

電磁鐵是通電產(chǎn)生電磁的一種裝置。在鐵芯的外部纏繞與其功率相匹配的導(dǎo)電繞組,這種通有電流的線圈像磁鐵一樣具有磁性,它也叫做電磁鐵。通常條形或蹄形狀,以使鐵芯更加容易磁化。另外,為了使電磁鐵斷電立即消磁,往往采用消磁較快的的軟鐵或硅鋼材料來制做。這樣的電磁鐵在通電時有磁性,斷電后磁就隨之消失。

現(xiàn)有的技術(shù)中,對于電磁特的控制主要是充放磁的控制比較難,現(xiàn)有的技術(shù)中有一種是采用變壓器降壓二極管整流,電路包括整流變壓器,二極管整流模塊,接觸器等,采用該方案的缺點是電控柜體積比較大,電路復(fù)雜,成本比較貴。

另外,在具體的基于電磁鐵的鋼板吸放操作中,不但要實現(xiàn)電磁鐵對鋼板的吸放,還需要充分考慮整個過程的安全性和可靠性,以及如何與行車(又稱天車)配合,以及在出現(xiàn)停電和故障情況下如何保障不發(fā)生安全事故。

因此,有必要設(shè)計一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法,該基于直流電磁鐵的吸放板控制方法易于實施,能實現(xiàn)的吸放板功能。

發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:

一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法,采用吸放板控制系統(tǒng),所述的吸放板控制系統(tǒng)包括控制裝置、行車、吊鉤和電磁鐵;

吊鉤設(shè)置在行車上;電磁鐵設(shè)置在吊鉤上,用于吸放鋼板;

電磁鐵的勵磁和退磁均受控于控制裝置;

所述的控制裝置包括主電路、控制電路和泄放電路;

所述的主電路包括三相不可控整流橋、儲能電容支路、均壓電阻支路和H橋逆變器;

三相不可控整流橋為6個二極管組成的整流橋;

H橋逆變器為由4個IGBT連接而成的2橋臂模塊;

儲能電容支路由2個儲能電容C1和C2串聯(lián)而成;

均壓電阻由2個均壓電阻R2和R3串聯(lián)而成;

三相不可控整流橋的交流側(cè)接三相電源;

三相不可控整流橋的直流側(cè)與儲能電容支路、均壓電阻支路以及H橋逆變器的直流側(cè)并聯(lián);

2個儲能電容的連接點與2個均壓電阻的連接點短接;

H橋逆變器的交流側(cè)(輸出側(cè))為電磁鐵供電;

電磁鐵上并聯(lián)有泄放電路;

控制電路用于控制H橋逆變器中IGBT的通斷;

包括以下三種控制:

(A)勵磁控制

勵磁控制為MCU通過驅(qū)動IGBT為電磁鐵供電,勵磁分為強(qiáng)勵磁和弱勵磁;

弱勵磁電壓0-DC220V(大于0且小于或等于DC220V),強(qiáng)勵磁電壓為DC250-500

勵磁控制用于吸附鋼板;

勵磁控制是指正向勵磁控制,IGBT模塊Q2一直導(dǎo)通,IGBT模塊Q1和Q3交替導(dǎo)通為電磁鐵提供脈沖式的工作電壓;

或者,IGBT模塊Q3一直導(dǎo)通,Q2和Q4交替導(dǎo)通,為電磁鐵提供脈沖式的工作電壓;

(B)退磁控制

退磁控制是指反向勵磁控制,在設(shè)備接收到退磁信號后,電控設(shè)備為電磁鐵提供反向電壓,加快電磁鐵泄放速度,此時,IGBT模塊Q1一直導(dǎo)通,IGBT模塊Q2和Q4交替導(dǎo)通;

或者Q4一直導(dǎo)通,Q1和Q3交替導(dǎo)通。

(C)能量泄放控制

能量泄放控制為MCU控制所有IGBT閉鎖(或稱為阻斷、截止等),通過泄放回路釋放能量;針對有開關(guān)K2的退磁電路,MCU驅(qū)動開關(guān)K2閉合,電磁鐵通過電阻R4和K2泄放原本存儲的能量;或電磁鐵通過二極管D7以R4泄放原本存儲的能量;

退磁控制用于將吸附的鋼板放落。

強(qiáng)勵磁是指主電路輸出DC290V電壓;弱勵磁是指主電路輸出DC220V直流電壓;

在三相不可控整流橋輸出側(cè)的回路上串聯(lián)有軟啟動器;軟啟動器包括并聯(lián)的第一接觸器K1和緩沖電阻R1;第一接觸器受控于控制電路;

通過軟啟動器實現(xiàn)吸放板控制系統(tǒng)的軟啟動。

所述的軟啟動的控制過程為:

啟動時,常開開關(guān)K1斷開,R1串接在主電路中起到限流電容充電保護(hù)作用;

啟動完成后(如啟動開始5秒鐘后,或者,設(shè)備連接市電后,通過電壓檢測板采集母線電壓,將采集到的電壓信號送到MUC控制單元中進(jìn)行處理,監(jiān)測電容充電過程,當(dāng)電容C1 C2充電完成后,表示啟動完成),MCU控制接觸器得電,K1閉合,使得R1短路,則軟啟動完成。

所述的泄放電路為由泄放電阻R4和第二接觸(K2串聯(lián)而成的泄放支路;泄放支路與電磁鐵并聯(lián)。

所述的泄放電路為

由泄放電阻R4和泄放二極管D7串聯(lián)而成的泄放支路;泄放支路與電磁鐵并聯(lián)。

控制電路中集成有MCU;MCU連接有手動開關(guān);

吸放板控制系統(tǒng)還包括用于檢測電磁鐵兩端電壓的電壓檢測卡,電磁鐵兩端電壓作為反饋信號被采集。

MCU與行車控制信號輸出端相連。

4種具體控制工況如下:

(1)一次性吸放板控制

通過手動開關(guān),采用前述的基本控制中的勵磁控制和退磁控制,實現(xiàn)一次性吸放板控制;

(2)分張放板控制

通過操作手動開關(guān)吸附多張鋼板,然后操作另一手動開關(guān),MCU向IGBT發(fā)出短時脈沖封鎖;脈沖封鎖:脈沖封鎖就是不發(fā)脈沖,不勵磁;具體操作時,按下分張放板按鈕后,停止給電磁鐵正向電壓,人工判斷電磁鐵吊起的最底部的鋼板脫落時,松開分張放板按鈕。設(shè)備重新為電磁鐵提供正向電壓。從而使得吸附的最下方的一張或多張鋼板墜落,而其他吸附的鋼板維持吸附;

(3)天車行走連鎖控制

行書即將行走時,行車向MCU發(fā)送有效的行走狀態(tài)信號(低電平或高電平信號),MCU收到該有效的行走狀態(tài)信號后,驅(qū)動IGBT保持勵磁功能,防止電磁鐵吸附的鋼板墜落引發(fā)事故;當(dāng)所述的走狀態(tài)信號失效(如高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖?后,則MCU能執(zhí)行退磁控制;即恢復(fù)正常的控制(即不受行車狀態(tài)干擾的控制);即行車有效狀態(tài)信號能閉鎖MCU的退磁控制功能。

(4)停電保持控制

當(dāng)停電或主電路故障時(通過監(jiān)測整流器輸出側(cè)電壓可判斷存在停電或主電路故障),MCU控制接觸器投入后備電源與三相不可控整流橋輸出側(cè)對接,保障電磁鐵勵磁,防止電磁鐵突然失電而造成鋼板墜落事故。

吸放板控制系統(tǒng)還包括后備電源以及用于投切后備電源的接觸器,接觸器受控于MCU,當(dāng)停電或主電路故障時,MCU控制接觸器投入后備電源,保障電磁鐵勵磁供電,防止電磁鐵突然失電而造成鋼板墜落事故。

MCU連接有遠(yuǎn)程通信模塊,如遠(yuǎn)程通信模塊,如3G,4G通信模塊,遙控信號接收模塊等,用于將相關(guān)參數(shù)傳送到主控室或遠(yuǎn)程設(shè)備,或者接收遙控信號,實現(xiàn)遙控控制等。

MCU連接有鍵盤和顯示屏。

主電路中,各電阻的阻值范圍如下:R1:3.3-4Ω R2,R3:5.1K-6K

系統(tǒng)包括一鍵盤,所述的鍵盤受控于控制板MCU(DSP);所述控制板MCU(DSP)用于控制主回路IGBT模塊;所述主回路包括不可控整流,軟啟動器(上電緩沖回路),儲能電容,均壓電阻,IGBT模塊等;所述電壓檢測卡用于檢測電磁鐵兩端的電壓,實現(xiàn)恒壓控制;所述手動開關(guān)用于給定強(qiáng)勵磁信號、弱磁信號、退磁信號等給到控制板;所述泄放回路主要用于為電磁鐵正向勵磁到反向消磁提供泄放回路,防止報過壓故障。

所述主回路見圖6所示,所述不可控整流單元包括二極管D1,二極管D2,二極管D3,二級管D4,二級管D5,二極管D6,其中二極管D1和D4,二極管D2和D5,二極管D3和D6分別連接三相電的輸入相電壓;軟啟動器包括直流接觸器K1和上電緩沖電阻R1,其中K1和R1并聯(lián),所述上電緩沖電阻R1連接于二極管D6的陽極和儲能電容C2的負(fù)極;儲能電容包括儲能電容C1和儲能電容C2,其中所述儲能電容C1和儲能電容C2組成串聯(lián)電路;均壓電阻包括R2和R3,R2和R3組成串聯(lián)電路,所述均壓電阻R2和儲能電容C1并聯(lián),所述均壓電阻R3和儲能電容C2并聯(lián);H橋拓?fù)浒↖GBT模塊Q1~Q4。IGBT模塊Q1和IGBT模塊Q3串聯(lián)之后與所述IGBT模塊Q2和IGBT模塊Q4并聯(lián),所述IGBT Q1和IGBT Q3以及IGBT Q2和IGBT Q4之間分別連接電磁鐵輸出端。

有益效果:

本發(fā)明的基于直流電磁鐵的吸放板控制方法,通過控制其輸出電壓的大小,以及通過針對IGBT的PWM控制,能減緩線圈能量沖擊,對于正向勵磁時泄放,以及反向勵磁時泄放沒有太高實時要求的場合,可以使用此方式。其成本相比其傳統(tǒng)方案有顯著的下降,體積比較小,產(chǎn)品在市場上具有較大競爭力。

本發(fā)明構(gòu)建一種控制電磁鐵的裝置相比傳統(tǒng)方案可以降低成本,體積小,控制精度高,保護(hù)性能完善并且具備停電保磁功能,能解決正向勵磁到反向退磁報過壓故障的問題。

本方法具有以下功能:

(1)上電初始化,等待吸料,通過鍵盤由人工輸入設(shè)定參數(shù)。其設(shè)定的參數(shù)包括強(qiáng)勵磁,退磁,弱磁,分張放板,天車行走等參數(shù)的設(shè)置。

(2)強(qiáng)勵磁輸出控制。通過手動開關(guān)給開關(guān)量信號給到控制板來控制IGBT模塊輸出強(qiáng)勵磁信號。裝置輸出DC290V直流電壓,實現(xiàn)電磁鐵強(qiáng)磁輸出。

(3)弱磁輸出控制。通過手動開關(guān)給開關(guān)量信號給到控制板來控制IGBT模塊輸出弱磁信號。裝置輸出DC220V直流電壓,實現(xiàn)電磁鐵弱磁輸出。

(4)退磁輸出控制。通過手動開關(guān)給開關(guān)量信號給到控制板來控制IGBT模塊輸出退磁信號,完成放料。

(5)分張放板控制。通過手動開關(guān)給開關(guān)量信號給到控制板控制IGBT模塊的關(guān)斷。

(6)天車行走信號控制。通過手動開關(guān)給開關(guān)量信號給到控制板,當(dāng)天車行走信號引入后,并且裝置處于運行狀態(tài),此時當(dāng)停止信號接通,裝置不能停止,必須保證運行狀態(tài)。只有當(dāng)天車行走信號解除后,重新接通停止信號接通后,方可完成停機(jī)動作。

(7)停電保磁控制,可以采用備用蓄電池組給電磁鐵繼續(xù)供電,保證電磁鐵所吊運的被吸物不脫落,從而保證現(xiàn)場的其他設(shè)備及人生安全。、

該系統(tǒng)還具有恒壓限流和恒流限壓功能。

所述主回路還包括兩個電流傳感器,所述電流傳感器信號經(jīng)過處理后送到控制板,實時檢測P相和N相電流。

因此,這種吸放板控制系統(tǒng)電路簡潔,功能豐富,該控制方法易于實施,控制時安全可靠性高,適合推廣實施。

附圖說明

圖1為基于直流電磁鐵的吸放板控制系統(tǒng)的總體結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為第一種具有泄放回路主電路原理圖;

圖3為第二種具有泄放回路主電路原理圖;

圖4為行車、吊鉤和電磁鐵等設(shè)備的位置關(guān)系示意圖;

圖5為勵磁和退磁時序圖;

圖6為沒有泄放回路的主電路原理圖;

標(biāo)號說明:1-控制裝置,2-行車,3-吊鉤,4-電磁鐵,5-鋼板。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明:

實施例1:如圖1~5,一種基于直流電磁鐵的吸放板控制方法,采用吸放板控制系統(tǒng),所述的吸放板控制系統(tǒng)包括控制裝置1、行車2、吊鉤3和電磁鐵(4);

吊鉤設(shè)置在行車上;電磁鐵設(shè)置在吊鉤上,用于吸放鋼板5;

電磁鐵的勵磁和退磁均受控于控制裝置;

所述的控制裝置包括主電路、控制電路和泄放電路;

所述的主電路包括三相不可控整流橋、儲能電容支路、均壓電阻支路和H橋逆變器;

三相不可控整流橋為6個二極管組成的整流橋;

H橋逆變器為由4個IGBT連接而成的2橋臂模塊;

儲能電容支路由2個儲能電容C1和C2串聯(lián)而成;

均壓電阻由2個均壓電阻R2和R3串聯(lián)而成;

三相不可控整流橋的交流側(cè)接三相電源;

三相不可控整流橋的直流側(cè)與儲能電容支路、均壓電阻支路以及H橋逆變器的直流側(cè)并聯(lián);

2個儲能電容的連接點與2個均壓電阻的連接點短接;

H橋逆變器的交流側(cè)(輸出側(cè))為電磁鐵供電;

電磁鐵上并聯(lián)有泄放電路;

控制電路用于控制H橋逆變器中IGBT的通斷;

包括以下三種控制:

(A)勵磁控制

勵磁控制為MCU通過驅(qū)動IGBT為電磁鐵供電,勵磁分為強(qiáng)勵磁和弱勵磁;

弱勵磁電壓0-DC220V(大于0且小于或等于DC220V),強(qiáng)勵磁電壓為DC250-500

勵磁控制用于吸附鋼板;

勵磁控制是指正向勵磁控制,IGBT模塊Q2一直導(dǎo)通,IGBT模塊Q1和Q3交替導(dǎo)通為電磁鐵提供脈沖式的工作電壓;

或者,IGBT模塊Q3一直導(dǎo)通,Q2和Q4交替導(dǎo)通,為電磁鐵提供脈沖式的工作電壓;

(B)退磁控制

退磁控制是指反向勵磁控制,在設(shè)備接收到退磁信號后,電控設(shè)備為電磁鐵提供反向電壓,加快電磁鐵泄放速度,此時,IGBT模塊Q1一直導(dǎo)通,工GBT模塊Q2和Q4交替導(dǎo)通;

或者Q4一直導(dǎo)通,Q1和Q3交替導(dǎo)通。

(C)能量泄放控制

能量泄放控制為MCU控制所有IGBT閉鎖(或稱為阻斷、截止等),通過泄放回路釋放能量;針對有開關(guān)K2的退磁電路,MCU驅(qū)動開關(guān)K2閉合,電磁鐵通過電阻R4和K2泄放原本存儲的能量;或電磁鐵通過二極管D7以R4泄放原本存儲的能量;

退磁控制用于將吸附的鋼板放落。

強(qiáng)勵磁是指主電路輸出DC290V電壓;弱勵磁是指主電路輸出DC220V直流電壓;

在三相不可控整流橋輸出側(cè)的回路上串聯(lián)有軟啟動器;軟啟動器包括并聯(lián)的第一接觸器(K1)和緩沖電阻(R1);第一接觸器受控于控制電路;

通過軟啟動器實現(xiàn)吸放板控制系統(tǒng)的軟啟動。

所述的軟啟動的控制過程為:

啟動時,常開開關(guān)K1斷開,R1串接在主電路中起到限流電容充電保護(hù)作用;

啟動完成后(如啟動開始5秒鐘后,或者,設(shè)備連接市電后,通過電壓檢測板采集母線電壓,將采集到的電壓信號送到MUC控制單元中進(jìn)行處理,監(jiān)測電容充電過程,當(dāng)電容C1 C2充電完成后,表示啟動完成),MCU控制接觸器得電,K1閉合,使得R1短路,則軟啟動完成。

所述的泄放電路為由泄放電阻R4和第二接觸(K2串聯(lián)而成的泄放支路;泄放支路與電磁鐵并聯(lián)。

所述的泄放電路為

由泄放電阻R4和泄放二極管D7串聯(lián)而成的泄放支路;泄放支路與電磁鐵并聯(lián)。

控制電路中集成有MCU;MCU連接有手動開關(guān);

吸放板控制系統(tǒng)還包括用于檢測電磁鐵兩端電壓的電壓檢測卡,電磁鐵兩端電壓作為反饋信號被采集。

MCU與行車控制信號輸出端相連。

4種具體控制工況如下:

(1)一次性吸放板控制

通過手動開關(guān),采用前述的基本控制中的勵磁控制和退磁控制,實現(xiàn)一次性吸放板控制;

(2)分張放板控制

通過操作手動開關(guān)吸附多張鋼板,然后操作另一手動開關(guān),MCU向IGBT發(fā)出短時脈沖封鎖;脈沖封鎖:脈沖封鎖就是不發(fā)脈沖,不勵磁;具體操作時,按下分張放板按鈕后,停止給電磁鐵正向電壓,人工判斷電磁鐵吊起的最底部的鋼板脫落時,松開分張放板按鈕。設(shè)備重新為電磁鐵提供正向電壓。從而使得吸附的最下方的一張或多張鋼板墜落,而其他吸附的鋼板維持吸附;

(3)天車行走連鎖控制

行書即將行走時,行車向MCU發(fā)送有效的行走狀態(tài)信號(低電平或高電平信號),MCU收到該有效的行走狀態(tài)信號后,驅(qū)動IGBT保持勵磁功能,防止電磁鐵吸附的鋼板墜落引發(fā)事故;當(dāng)所述的走狀態(tài)信號失效(如高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖?后,則MCU能執(zhí)行退磁控制;即恢復(fù)正常的控制(即不受行車狀態(tài)干擾的控制);即行車有效狀態(tài)信號能閉鎖MCU的退磁控制功能。

(4)停電保持控制

當(dāng)停電或主電路故障時(通過監(jiān)測整流器輸出側(cè)電壓可判斷存在停電或主電路故障),MCU控制接觸器投入后備電源與三相不可控整流橋輸出側(cè)對接,保障電磁鐵勵磁,防止電磁鐵突然失電而造成鋼板墜落事故。

吸放板控制系統(tǒng)還包括后備電源以及用于投切后備電源的接觸器,接觸器受控于MCU,當(dāng)停電或主電路故障時,MCU控制接觸器投入后備電源,保障電磁鐵勵磁供電,防止電磁鐵突然失電而造成鋼板墜落事故。

MCU連接有遠(yuǎn)程通信模塊,如遠(yuǎn)程通信模塊,如3G,4G通信模塊,遙控信號接收模塊等,用于將相關(guān)參數(shù)傳送到主控室或遠(yuǎn)程設(shè)備,或者接收遙控信號,實現(xiàn)遙控控制等。

如圖1,所述主回路還包括兩個電流傳感器,所述電流傳感器信號經(jīng)過電路處理后送到控制板,實時檢測P相和N相電流。

其中,所述鍵盤為初始化參數(shù)設(shè)置裝置,其設(shè)定的參數(shù)包括強(qiáng)勵磁,退磁,弱磁,分張放板,天車行走等參數(shù)的設(shè)置。

如圖6的主回路中,所述不可控整流單元包括二極管D1,二極管D2,二極管D3,二級管D4,二級管D5,二極管D6,其中二極管D1和D4,二極管D2和D5,二極管D3和D6分別連接三相電的輸入相電壓;軟啟動器包括直流接觸器K1和上電緩沖電阻R1,其中K1和R1正向勵磁狀態(tài)時自動并聯(lián),所述上電緩沖電阻R1連接于二極管D6的陽極和儲能電容C2的負(fù)極;儲能電容包括儲能電容C1和儲能電容C2,其中所述儲能電容C1和儲能電容C2組成串聯(lián)電路;均壓電阻包括R2和R3,R2和R3組成串聯(lián)電路,所述均壓電阻R2和儲能電容C1并聯(lián),所述均壓電阻R3和儲能電容C2并聯(lián);H橋拓?fù)浒↖GBT模塊Q1~Q4。IGBT模塊Q1和IGBT模塊Q3串聯(lián)之后與所述IGBT模塊Q2和IGBT模塊Q4并聯(lián),所述IGBT Q1和IGBT Q3以及IGBT Q2和IGBT Q4之間分別連接電磁鐵輸出端。

由于電磁鐵是以一種大的感性設(shè)備,在電磁鐵的正向勵磁/反向消磁過程種,電磁鐵線圈中有很大的儲能。在正向勵磁完成關(guān)斷IGBT時,電磁鐵線圈中通過IGBT模塊Q1和IGBT模塊Q4的反向恢復(fù)二極管回饋到主回路儲能電容中,反之反向消磁操作完成后關(guān)斷IGBT模塊,電磁鐵線圈中儲能通過IGBT模塊Q2和Q3的反向恢復(fù)二極管回饋到主回路儲能電容中,這樣可能會導(dǎo)致報過壓故障。

圖2相比圖6增加了泄放回路,電阻R4和直流接觸器K2串聯(lián),然后與電磁鐵并聯(lián),當(dāng)電磁鐵從正向勵磁到反向消磁過程中,需要正向勵磁PWM關(guān)掉之前提前大概幾百毫秒打開直流接觸器即可,保證正向勵磁/反向消磁過程中,電磁鐵線圈中有很大的儲能通過泄放電阻釋放掉,這樣不會報過壓故障。

按照圖2的泄放回路,這里給出了一種電磁鐵從正向勵磁到反向退磁的時序圖,如圖5所示,T1為正反轉(zhuǎn)死區(qū)時間,一般為幾秒左右,T2為泄放回路接觸打開到PWM關(guān)斷的時間,一般為幾百毫秒左右,T3為PWM關(guān)斷到泄放回路接觸關(guān)斷的時間,一般為幾秒左右,這3個參數(shù)可以由鍵盤來設(shè)置時間。泄放回路阻值一般為線圈等效直流電阻的2-5倍在幾歐~幾十歐以內(nèi),根據(jù)現(xiàn)場調(diào)試鍵盤參數(shù)和泄放回路阻值來保證從正向勵磁到反向退磁不報故障。

如圖2,直流接觸器K1和上電緩沖電阻R1,組成軟啟動器。優(yōu)選此電路。

(1)退磁

K2為繼電器或接觸器的常開開關(guān),由CPU控制。

退磁:IGBT阻斷供電,合上K2,能量泄放。

(2)勵磁

K2斷開,通過IGBT為電磁鐵供電

圖3相比圖2用整流二極管替代直流接觸器,可以解決停電保磁報故障,當(dāng)電磁鐵從正向勵磁到反向消磁過程中,電磁鐵線圈的反向電壓通過泄放回路電阻R4和二極管D7來釋放掉。當(dāng)電磁鐵處于反向消磁時,反向消磁時間一般為幾秒,電磁鐵線圈存儲的能量比較小,不會導(dǎo)致報過壓故障。

如圖3

(1)退磁

退磁:IGBT阻斷供電,電磁鐵、R4和D7(續(xù)流二極管)組成泄放回路,能量泄放。

(2)勵磁

通過IGBT為電磁鐵供電,勵磁時,R4上也消耗能量。

通過上面描述的具體實施方式,可以增加一種解決過壓故障的方式。通過軟件的PWM控制,減緩線圈能量沖擊,對于部分最正向勵磁時泄放,以及反向勵磁時泄放沒有太實時要求的場合,可以使用此方式。

優(yōu)勢:可以通過PWM控制,實現(xiàn)對變頻器電解電容的無過沖,電流緩慢下降,下降時間在2-5秒,反向泄放時,可實現(xiàn)電流下降時間在1-3秒。

劣勢:由于電流下降時間較長,在需要從正向勵磁到反向泄放快速要求的場合,可能不適合。影響操作的實時性。

其控制方法部分工作原理為:

1、正向勵磁時,IGBT模塊Q2一直導(dǎo)通,IGBT模塊Q1和Q3交替導(dǎo)通,為電磁鐵提供工作電壓(或者Q3一直導(dǎo)通,Q2和Q4交替導(dǎo)通)。

2、反向勵磁:反向勵磁:為電磁鐵提供反向電壓,加快放料速度。時,IGBT模塊Q1一直導(dǎo)通,IGBT模塊Q2和Q4交替導(dǎo)通(或者Q4一直導(dǎo)通,Q1和Q3交替導(dǎo)通)。

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