專利名稱：槽體排液控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種槽體排液控制裝置。
背景技術(shù)：
槽體排液控制裝置的類型很多，是比較成熟的技術(shù)。普遍的排液方式是在槽體底 部開個排液口排液，同時在槽體側(cè)面從上到下引一根溢流管，把溢流液體通過溢流管從側(cè) 面底部排出，但對于在槽體內(nèi)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后易生成固體雜質(zhì)和絮狀懸浮物的槽液，普通 的排液方式不利于固體雜質(zhì)和絮狀懸浮物的排出。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種槽體排液控制裝置，該裝置能夠?qū)⒉蹆?nèi)沉底的固體 雜質(zhì)和漂在液面的絮狀物有效排出，避免影響到槽內(nèi)液體濃度和純度從而對槽內(nèi)發(fā)生的化 學(xué)反應(yīng)造成影響。本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案達(dá)到上述目的一種槽體排液控制裝置，該裝置的槽體底部為圓錐狀，圓錐狀槽體底部與排液口連通，采用這種形狀能使 槽體底部固體雜質(zhì)有效排出；在槽體的上部四周設(shè)有凹槽，所述凹槽與溢流管和溢流口接 通。這樣的結(jié)構(gòu)能使槽內(nèi)液面的絮狀懸浮物通過凹槽排出，保證槽內(nèi)液體的純度，避免對槽 內(nèi)發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)造成影響。所述排液口設(shè)在圓錐槽底的中心位置。本實(shí)用新型的有益效果是由于采用錐形槽底和在槽體頂部設(shè)置凹槽，能夠使槽內(nèi)沉底的固體雜質(zhì)和漂在液 面的絮狀物有效排出，避免影響到槽內(nèi)液體濃度和純度從而對槽內(nèi)發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)造成影 響。

圖1為本實(shí)用新型所述的槽體排液控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步說明。對照圖1，本實(shí)用新型所述的槽體排液控制裝置，由圓錐狀槽底1、排液口 2、溢流 凹槽3、溢流管4和溢流口 5裝配構(gòu)成。所述排液口 2設(shè)在圓錐狀槽底1的中心位置。溢流 凹槽3設(shè)在槽體的上部四周，溢流凹槽3與溢流管4和溢流口 5接通。本實(shí)用新型改進(jìn)的內(nèi)容有圓錐狀槽底1、排液口 2、溢流凹槽3。把原先為長方形水 平的槽底改為圓錐狀，排液口 2的位置移到圓錐槽底的中心，在槽體的上部四周設(shè)有溢流 凹槽3，溢流凹槽3與溢流管4和溢流口 5接通。當(dāng)槽內(nèi)的液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或其他任何原 因產(chǎn)生固體雜質(zhì)時，密度比槽液密度大的雜質(zhì)會沉到圓錐槽底1的中心位置，打開排液口 2即可把槽底的固體雜質(zhì)排出，最大限度保證了槽內(nèi)液體的純度和容量；當(dāng)槽內(nèi)的液體發(fā)生 化學(xué)反應(yīng)或其他任何原因產(chǎn)生雜質(zhì)時，密度小的雜質(zhì)或絮狀物會漂在液面，只要增加槽液 循環(huán)量，槽液即可溢流出槽體，液面上任何位置的雜質(zhì)即會和槽液一起溢流到溢流凹槽3， 凹槽3內(nèi)的雜質(zhì)即可通過溢流管4從溢流口 5排出，最大限度保證了槽內(nèi)液體的純度和容量。
權(quán)利要求1.一種槽體排液控制裝置，其特征在于，該裝置的槽體底部為圓錐狀，圓錐狀槽體底部 與排液口連通，在槽體的上部四周設(shè)有凹槽，所述凹槽與溢流管和溢流口接通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的槽體排液控制裝置，其特征在于，所述排液口設(shè)在圓錐槽底 的中心位置。
專利摘要一種槽體排液控制裝置，該裝置的槽體底部為圓錐狀，圓錐狀槽體底部與排液口連通，使槽體底部固體雜質(zhì)有效排出；在槽體的上部四周設(shè)有凹槽，所述凹槽與溢流管和溢流口接通，使槽內(nèi)液面的絮狀懸浮物通過凹槽排出。采用本實(shí)用新型能夠使槽內(nèi)沉底的固體雜質(zhì)和漂在液面的絮狀物有效排出，避免影響到槽內(nèi)液體濃度和純度從而對槽內(nèi)發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)造成影響。
文檔編號B65D25/38GK201895885SQ201020597878
公開日2011年7月13日 申請日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者楊小飛, 溫連嬌, 胡宇 申請人:廣西賀州市桂東電子科技有限責(zé)任公司