本發(fā)明涉及組合物和使用該組合物的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光元件(以下也稱作“發(fā)光元件”)由于發(fā)光效率高、驅(qū)動(dòng)電壓低，因而能夠適宜地用于顯示器和照明的用途，正在進(jìn)行積極的研究開發(fā)。作為發(fā)光元件的發(fā)光層中可使用的材料，例如提出了含有下述式所示的磷光發(fā)光性化合物(a)和磷光發(fā)光性化合物(c)的組合物、以及含有下述式所示的磷光發(fā)光性化合物(a)、磷光發(fā)光性化合物(b)和磷光發(fā)光性化合物(c)的組合物(專利文獻(xiàn)1)。需要說(shuō)明的是，該磷光發(fā)光性化合物(b)具有的苯基吡啶配體是不具有芳基和一價(jià)雜環(huán)基的配體。另外，該磷光發(fā)光性化合物(c)具有的苯基異喹啉配體是不具有芳基和一價(jià)雜環(huán)基的配體。【化1】現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開第2009/116414號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，使用上述組合物制造的發(fā)光元件存在驅(qū)動(dòng)電壓高的問(wèn)題。因此，本發(fā)明的目的在于提供對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓低的發(fā)光元件的制造有用的組合物。本發(fā)明的目的還在于提供含有該組合物的發(fā)光元件。用于解決問(wèn)題的手段本發(fā)明提供以下的[1]～[14]。[1]一種組合物，其含有式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物?！净?】[式中，m1表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。n1表示1以上的整數(shù)，n2表示0以上的整數(shù)，n1+n2為2或3，在m1為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n1+n2為3，在m1為鈀原子或鉑原子的情況下，n1+n2為2。e1和e2各自獨(dú)立地表示碳原子或氮原子。需要說(shuō)明的是，e1和e2中的至少一方為碳原子。環(huán)r1表示五元的芳香族雜環(huán)，該環(huán)可以具有取代基。在存在多個(gè)該取代基的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在存在多個(gè)環(huán)r1的情況下，它們可以相同也可以不同。環(huán)r2表示芳香族烴環(huán)或芳香族雜環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。在存在多個(gè)該取代基的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)r2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。需要說(shuō)明的是，由環(huán)r1和環(huán)r2構(gòu)成的配體為由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成的配體，并且選自環(huán)r1和環(huán)r2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-s)所示的基團(tuán)。a1-g1-a2表示陰離子性的二齒配體。a1和a2各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子，這些原子可以為構(gòu)成環(huán)的原子。g1表示單鍵、或者與a1和a2一起構(gòu)成二齒配體的原子團(tuán)。在a1-g1-a2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]【化3】[式中，ar1s表示芳基，該基團(tuán)可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基，該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。n1s表示0以上且10以下的整數(shù)。ar2s表示亞芳基，該基團(tuán)可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基，該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。在ar2s存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]【化4】[式中，m2表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。n3表示1以上的整數(shù)，n4表示0以上的整數(shù)，n3+n4為2或3，在m2為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n3+n4為3，在m2為鈀原子或鉑原子的情況下，n3+n4為2。e4表示碳原子或氮原子。環(huán)l1表示六元的芳香族雜環(huán)、該環(huán)可以具有取代基。在存在多個(gè)該取代基的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)l1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。環(huán)l2表示芳香族烴環(huán)或芳香族雜環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。在存在多個(gè)該取代基的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。在環(huán)l2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。環(huán)l1可具有的取代基與環(huán)l2可具有的取代基可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。需要說(shuō)明的是，由環(huán)l1和環(huán)l2構(gòu)成的配體為由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成的配體，并且選自環(huán)l1和環(huán)l2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)。a3-g2-a4表示陰離子性的二齒配體。a3和a4各自獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子，這些原子可以為構(gòu)成環(huán)的原子。g2表示單鍵、或者與a3和a4一起構(gòu)成二齒配體的原子團(tuán)。在a3-g2-a4存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]【化5】[式中，ar1t表示芳基，該基團(tuán)可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基，該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。n1t表示0以上且10以下的整數(shù)。ar2t表示亞芳基，該基團(tuán)可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基，該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。在ar2t存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。][2]如[1]所述的組合物，其中，上述式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物為式(1-a)所示的磷光發(fā)光性化合物。【化6】[式中，m1、n1、n2、e1和a1-g1-a2表示與上文相同的含義。e11a、e12a、e13a、e21a、e22a、e23a和e24a各自獨(dú)立地表示氮原子或碳原子。在e11a、e12a、e13a、e21a、e22a、e23a和e24a存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。在e11a、e12a和e13a為氮原子的情況下，r11a、r12a和r13a可以存在也可以不存在。在e21a、e22a、e23a和e24a為氮原子的情況下，r21a、r22a、r23a和r24a不存在。r11a、r12a、r13a、r21a、r22a、r23a和r24a各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價(jià)雜環(huán)基或取代氨基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在r11a、r12a、r13a、r21a、r22a、r23a和r24a存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。r11a和r12a、r12a和r13a、r21a和r22a、r22a和r23a、以及r23a和r24a各組可以鍵合并與各組所鍵合的原子一起形成環(huán)。需要說(shuō)明的是，選自r11a、r12a、r13a、r21a、r22a、r23a和r24a中的至少1個(gè)為上述式(1-s)所示的基團(tuán)。環(huán)r1a表示由氮原子、e1、e11a、e12a和e13a構(gòu)成的三唑環(huán)或二唑環(huán)。環(huán)r2a表示由兩個(gè)碳原子、e21a、e22a、e23a和e24a構(gòu)成的苯環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)。][3]如[2]所述的組合物，其中，上述式(1-a)所示的磷光發(fā)光性化合物為式(1-a1)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(1-a2)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(1-a3)所示的磷光發(fā)光性化合物或式(1-a4)所示的磷光發(fā)光性化合物?！净?】[式中，m1、n1、n2、r11a、r12a、r13a、r21a、r22a、r23a、r24a和a1-g1-a2表示與上文相同的含義。][4]如[1]～[3]中任一項(xiàng)所述的組合物，其中，上述式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物為式(2-b)所示的磷光發(fā)光性化合物。【化8】[式中，m2、n3、n4和a3-g2-a4表示與上文相同的含義。e11b、e12b、e13b、e14b、e21b、e22b、e23b和e24b各自獨(dú)立地表示氮原子或碳原子。在e11b、e12b、e13b、e14b、e21b、e22b、e23b和e24b存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。在e11b、e12b、e13b、e14b、e21b、e22b、e23b和e24b為氮原子的情況下，r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b不存在。r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。r11b和r12b、r12b和r13b、r13b和r14b、r11b和r21b、r21b和r22b、r22b和r23b、以及r23b和r24b各組可以鍵合并與各組所鍵合的原子一起形成環(huán)。需要說(shuō)明的是，選自r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b中的至少1個(gè)為上述式(1-t)所示的基團(tuán)。環(huán)l1b表示由氮原子、碳原子、e11b、e12b、e13b和e14b構(gòu)成的吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)。環(huán)l2b表示由兩個(gè)碳原子、e21b、e22b、e23b和e24b構(gòu)成的苯環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)。][5]如[4]所述的組合物，其中，上述式(2-b)所示的磷光發(fā)光性化合物為式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(2-b2)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(2-b3)所示的磷光發(fā)光性化合物或式(2-b4)所示的磷光發(fā)光性化合物?！净?】【化10】[式中，m2、n3、n4、a3-g2-a4、r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b表示與上文相同的含義。r15b、r16b、r17b和r18b各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在r15b、r16b、r17b和r18b存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。r15b和r16b、r16b和r17b、以及r17b和r18b各組可以鍵合并與各組所鍵合的原子一起形成環(huán)。需要說(shuō)明的是，選自r11b、r12b、r13b、r14b、r21b、r22b、r23b和r24b中的至少1個(gè)為上述式(1-t)所示的基團(tuán)。][6]如[1]～[5]中任一項(xiàng)所述的組合物，其中，上述式(1-s)所示的基團(tuán)為式(1-s1)所示的基團(tuán)?！净?1】[式中，n1s表示與上文相同的含義。r1s和r2s各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)r1s可以相同也可以不同。存在的多個(gè)r2s可以相同也可以不同。][7]如[6]所述的組合物，其中，上述式(1-s1)所示的基團(tuán)為式(1-s1-1)所示的基團(tuán)、式(1-s1-2)所示的基團(tuán)、式(1-s1-3)所示的基團(tuán)或式(1-s1-4)所示的基團(tuán)。【化12】[式中，r11s、r12s、r13s、r14s、r15s、r16s、r17s、r18s、r19s、r20s、r21s、r22s、r23s、r24s和r25s各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)可以具有取代基。][8]如[1]～[7]中任一項(xiàng)所述的組合物，其中，上述式(1-t)所示的基團(tuán)為式(1-t1)所示的基團(tuán)?！净?3】[式中，n1t表示與上文相同的含義。r1t和r2t各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)r1t可以相同也可以不同。存在的多個(gè)r2t可以相同也可以不同。][9]如[8]所述的組合物，其中，上述式(1-t1)所示的基團(tuán)為式(1-t1-1)所示的基團(tuán)、式(1-t1-2)所示的基團(tuán)、式(1-t1-3)所示的基團(tuán)或式(1-t1-4)所示的基團(tuán)?！净?4】[式中，r11t、r12t、r13t、r14t、r15t、r16t、r17t、r18t、r19t、r20t、r21t、r22t、r23t、r24t和r25t各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)可以具有取代基。][10]如[1]～[9]中任一項(xiàng)所述的組合物，其中，上述式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為380nm以上且小于495nm，上述式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為495nm以上且小于750nm。[11]如[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的組合物，其還含有式(h-1)所示的化合物?！净?5】[式中，arh1和arh2各自獨(dú)立地表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。nh1和nh2各自獨(dú)立地表示0或1。在nh1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。存在的多個(gè)nh2可以相同也可以不同。nh3表示0以上的整數(shù)。lh1表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、或者-[c(rh11)2]nh11-所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在lh1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。nh11表示1以上且10以下的整數(shù)。rh11表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)rh11可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。lh2表示-n(-lh21-rh21)-所示的基團(tuán)。在lh2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。lh21表示單鍵、亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。rh21表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。][12]如[1]～[10]中任一項(xiàng)所述的組合物，其還含有包含式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物?！净?6】[式中，ary1表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。][13]如[1]～[12]中任一項(xiàng)所述的組合物，其還含有選自空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發(fā)光材料、抗氧化劑和溶劑中的至少1種的材料。[14]一種發(fā)光元件，其含有[1]～[12]中任一項(xiàng)所述的組合物。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓低的發(fā)光元件的制造有用的組合物。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供含有該組合物的發(fā)光元件。具體實(shí)施方式<共通的術(shù)語(yǔ)的說(shuō)明>在本說(shuō)明書中共通使用的術(shù)語(yǔ)只要沒(méi)有特別記載就是以下的含義。me表示甲基，et表示乙基，bu表示丁基，i-pr表示異丙基，t-bu表示叔丁基。氫原子也可以為氘原子，還可以為氕原子。表示金屬絡(luò)合物的式中，表示與中心金屬的鍵合的實(shí)線是指共價(jià)鍵或配位鍵?！案叻肿踊衔铩笔侵妇哂蟹肿恿糠植记揖郾揭蚁Q算的數(shù)均分子量為1×103～1×108的聚合物。高分子化合物可以是嵌段共聚物、無(wú)規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一種，也可以為其它的形態(tài)。若聚合活性基團(tuán)原樣殘留，則在將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時(shí)發(fā)光特性或亮度壽命有可能下降，因而高分子化合物的末端基團(tuán)優(yōu)選為穩(wěn)定的基團(tuán)。該末端基團(tuán)優(yōu)選為與主鏈進(jìn)行共軛鍵合的基團(tuán)，例如可以舉出：經(jīng)由碳-碳鍵與芳基或一價(jià)雜環(huán)基鍵合的基團(tuán)?！暗头肿踊衔铩笔侵笡](méi)有分子量分布且分子量為1×104以下的化合物?！敖Y(jié)構(gòu)單元”是指在高分子化合物中存在有1個(gè)以上的單元?！巴榛笨梢允侵辨満椭ф溨械娜我环N。直鏈的烷基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為1～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。支鏈的烷基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。烷基可以具有取代基，烷基例如可以舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-丁基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3，7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團(tuán)，例如可以舉出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3，5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基。“環(huán)烷基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～50，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～20。環(huán)烷基可以具有取代基，環(huán)烷基例如可以舉出環(huán)己基、環(huán)己基甲基、環(huán)己基乙基。“芳基”是指從芳香族烴除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子1個(gè)后余下的原子團(tuán)。芳基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～20，更優(yōu)選為6～10。芳基可以具有取代基，芳基例如可以舉出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團(tuán)?！巴檠趸笨梢允侵辨満椭ф溨械娜我环N。直鏈的烷氧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為1～40，優(yōu)選為4～10。支鏈的烷氧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～40，優(yōu)選為4～10。烷氧基可以具有取代基，烷氧基例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基團(tuán)?！碍h(huán)烷氧基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～40，優(yōu)選為4～10。環(huán)烷氧基可以具有取代基，環(huán)烷氧基例如可以舉出環(huán)己氧基?！胺佳趸钡奶荚訑?shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～48。芳氧基可以具有取代基，芳氧基例如可以舉出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、氟原子等取代后的基團(tuán)?！皃價(jià)雜環(huán)基”(p表示1以上的整數(shù))是指，從雜環(huán)式化合物除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個(gè)氫原子后余下的原子團(tuán)。p價(jià)雜環(huán)基之中，優(yōu)選為從芳香族雜環(huán)式化合物除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中p個(gè)氫原子后余下的原子團(tuán)即“p價(jià)芳香族雜環(huán)基”。“芳香族雜環(huán)式化合物”是指，噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜環(huán)戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜環(huán)戊二烯等雜環(huán)自身表現(xiàn)芳香性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼雜環(huán)戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等雜環(huán)自身雖然不表現(xiàn)芳香性但是在雜環(huán)上稠合有芳環(huán)的化合物。一價(jià)雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～60，優(yōu)選為4～20。一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基，一價(jià)雜環(huán)基例如可以舉出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及這些基團(tuán)中的氫原子被烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基等取代后的基團(tuán)?！胞u素原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。“氨基”可以具有取代基，氨基優(yōu)選為取代氨基。氨基所具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基。取代氨基例如可以舉出：二烷基氨基、二環(huán)烷基氨基和二芳基氨基。氨基例如可以舉出二甲氨基、二乙氨基、二苯基氨基、雙(4-甲基苯基)氨基、雙(4-叔丁基苯基)氨基、雙(3，5-二叔丁基苯基)氨基?！跋┗笨梢允侵辨満椭ф溨械娜我环N。直鏈的烯基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～30，優(yōu)選為3～20。支鏈的烯基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～30，優(yōu)選為4～20?！碍h(huán)烯基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～30，優(yōu)選為4～20。烯基和環(huán)烯基可以具有取代基，例如可以舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及這些基團(tuán)具有取代基的基團(tuán)。“炔基”可以是直鏈和支鏈中的任一種。炔基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內(nèi)，通常為2～20，優(yōu)選為3～20。支鏈的炔基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內(nèi)，通常為4～30，優(yōu)選為4～20。“環(huán)炔基”的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子在內(nèi)，通常為4～30，優(yōu)選為4～20。炔基和環(huán)炔基可以具有取代基，例如可以舉出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及這些基團(tuán)具有取代基的基團(tuán)?！皝喎蓟笔侵笍姆枷阕鍩N除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子直接鍵合的氫原子2個(gè)后余下的原子團(tuán)。亞芳基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～30，更優(yōu)選為6～18。亞芳基可以具有取代基，亞芳基例如可以舉出亞苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基、以及這些基團(tuán)具有取代基的基團(tuán)，優(yōu)選為式(a-1)～式(a-20)所示的基團(tuán)。亞芳基包括多個(gè)這些基團(tuán)鍵合的基團(tuán)?！净?7】【化18】【化19】【化20】[式中，r和ra各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基。存在的多個(gè)r和ra各自可以相同也可以不同，ra彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。]二價(jià)雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～60，優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為4～15。二價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基，二價(jià)雜環(huán)基例如可以舉出從吡啶、二氮雜苯、三嗪、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑除去與構(gòu)成環(huán)的碳原子或雜原子直接鍵合的氫原子之中2個(gè)氫原子后的二價(jià)基團(tuán)，優(yōu)選為式(aa-1)～式(aa-34)所示的基團(tuán)。二價(jià)雜環(huán)基包括多個(gè)這些基團(tuán)鍵合成的基團(tuán)?！净?1】【化22】【化23】【化24】【化25】【化26】【化27】[式中，r和ra表示與上文相同的含義。]“交聯(lián)基”是指通過(guò)供于加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應(yīng)等可生成新的鍵的基團(tuán)，優(yōu)選為由交聯(lián)基a組的式(xl-1)～(xl-17)所示的交聯(lián)基。(交聯(lián)基a組)【化28】[式中，rxl表示亞甲基、氧原子或硫原子，nxl表示0～5的整數(shù)。在rxl存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，在nxl存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。*1表示鍵合位置。這些交聯(lián)性基團(tuán)可以具有取代基。]“取代基”表示鹵素原子、氰基、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基或環(huán)炔基。取代基可以是交聯(lián)基。<磷光發(fā)光性化合物>“磷光發(fā)光性化合物”是指顯示磷光發(fā)光性的化合物，優(yōu)選為顯示來(lái)自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物。該顯示來(lái)自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物具有中心金屬原子和配體。中心金屬原子例示出：在絡(luò)合物中存在自旋軌道相互作用，能夠發(fā)生單重態(tài)狀態(tài)與三重態(tài)狀態(tài)間的系間竄越的原子序數(shù)40以上的金屬原子。該金屬原子例示出釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子和鉑原子。配體例示出：在與中心金屬原子之間形成選自配位鍵和共價(jià)鍵中的至少1種鍵的中性或陰離子性的單齒配體、或者中性或陰離子性的多齒配體。中心金屬原子與配體之間的鍵例示出金屬-氮鍵、金屬-碳鍵、金屬-氧鍵、金屬-磷鍵、金屬-硫鍵和金屬-鹵素鍵。多齒配體通常是指2齒以上且6齒以下的配體。磷光發(fā)光性化合物能夠從aldrich、luminescencetechnologycorp.、americandyesource等獲得。另外，作為上述以外的獲得方法，也可以通過(guò)“journaloftheamericanchemicalsociety，vol.107，1431-1432(1985)”、“journaloftheamericanchemicalsociety，vol.106，6647-6653(1984)”、國(guó)際公開第2004/026886號(hào)、國(guó)際公開第2006/121811號(hào)、國(guó)際公開第2011/024761號(hào)、國(guó)際公開第2007/097153號(hào)等文獻(xiàn)中記載的公知方法進(jìn)行制造。磷光性發(fā)光化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)可以如下進(jìn)行評(píng)價(jià)：使磷光發(fā)光性化合物溶于二甲苯、甲苯、氯仿、四氫呋喃等有機(jī)溶劑，制備稀薄溶液(1×10-6～1×10-3重量％左右)，在室溫測(cè)定該稀薄溶液的pl譜，由此進(jìn)行測(cè)定。使磷光發(fā)光性化合物溶解的有機(jī)溶劑優(yōu)選為二甲苯。<式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物>本發(fā)明的組合物含有式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物。式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物為由作為中心金屬的m1、以后綴n1規(guī)定其數(shù)量的配體和以后綴n2規(guī)定其數(shù)量的配體構(gòu)成的磷光發(fā)光性化合物。出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，m1優(yōu)選為銥原子或鉑原子，更優(yōu)選為銥原子。在m1為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n1優(yōu)選為2或3，更優(yōu)選為3。在m1為鈀原子或鉑原子的情況下，n1優(yōu)選為2。e1和e2優(yōu)選為碳原子。環(huán)r1優(yōu)選為具有2個(gè)以上且3個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的五元的芳香族雜環(huán)，更優(yōu)選為二唑環(huán)或三唑環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，選自環(huán)r1和環(huán)r2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-s)所示的基團(tuán)。環(huán)r2優(yōu)選為五元或六元的芳香族烴環(huán)、或者五元或六元的芳香族雜環(huán)，更優(yōu)選為六元的芳香族烴環(huán)或六元的芳香族雜環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選為六元的芳香族烴環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，在環(huán)r2為六元的芳香族雜環(huán)的情況下，e2為碳原子。另外，選自環(huán)r1和環(huán)r2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-s)所示的基團(tuán)。環(huán)r2例如可以舉出苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、菲環(huán)、吡啶環(huán)、二氮雜苯環(huán)和三嗪環(huán)，優(yōu)選苯環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)，更優(yōu)選苯環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，選自環(huán)r1和環(huán)r2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-s)所示的基團(tuán)?！坝森h(huán)r1和環(huán)r2構(gòu)成的配體為由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成的配體”是指，環(huán)r1和環(huán)r2由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成環(huán)，并且該環(huán)具有的取代基由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成。由環(huán)r1和環(huán)r2構(gòu)成的配體優(yōu)選為由選自氫原子、碳原子、氮原子和氧原子中的原子構(gòu)成的配體，更優(yōu)選為由氫原子、碳原子和氮原子構(gòu)成的配體?！斑x自環(huán)r1和環(huán)r2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-s)所示的基團(tuán)”是指，在存在的多個(gè)環(huán)之中，與構(gòu)成至少1個(gè)環(huán)的碳原子或氮原子直接鍵合的氫原子的一部分或全部經(jīng)式(1-s)所示的基團(tuán)取代。式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物中存在多個(gè)環(huán)r1和環(huán)r2的情況下(即n1為2或3的情況下)，存在的多個(gè)環(huán)r1和環(huán)r2之中，至少1個(gè)環(huán)具有式(1-s)所示的基團(tuán)即可，優(yōu)選的是：存在的多個(gè)環(huán)r1的全部、存在的多個(gè)環(huán)r2的全部、或者存在的多個(gè)環(huán)r1和環(huán)r2的全部具有式(1-s)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選的是：存在的多個(gè)環(huán)r1的全部具有式(1-s)所示的基團(tuán)。優(yōu)選環(huán)r1具有式(1-s)所示的基團(tuán)。環(huán)r1和環(huán)r2可具有的取代基(與式(1-s)所示的基團(tuán)不同)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或取代氨基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，特別優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。環(huán)r1可具有的取代基(與式(1-s)所示的基團(tuán)不同)存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，為了式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)成為短波長(zhǎng)，優(yōu)選不形成環(huán)。環(huán)r2可具有的取代基(與式(1-s)所示的基團(tuán)不同)存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，為了式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)成為短波長(zhǎng)，優(yōu)選不形成環(huán)。[式(1-s)所示的基團(tuán)]ar1s所示的芳基優(yōu)選為苯基、萘基、蒽基、菲基、二氫菲基、芴基或芘基，更優(yōu)選苯基、萘基或芴基，進(jìn)一步優(yōu)選苯基，這些基團(tuán)可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基。該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。ar1s優(yōu)選為苯基，該苯基可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基。該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。n1s為0以上且5以下的整數(shù)，更優(yōu)選為0以上且2以下的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為0或1。ar2s所示的亞芳基優(yōu)選為亞苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基或二基，更優(yōu)選亞苯基、萘二基或芴二基，進(jìn)一步優(yōu)選亞苯基，這些基團(tuán)可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基。該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。ar2s優(yōu)選為亞苯基，該亞苯基可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基。該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。ar1s和ar2s可具有的取代基優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，更優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。ar1s和ar2s可具有的取代基進(jìn)一步可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或取代氨基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基。ar1s和ar2s可具有的取代基(即，烷基、環(huán)烷基、烷氧基和環(huán)烷氧基)優(yōu)選不具有進(jìn)一步的取代基。為了含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，式(1-s)所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(1-s1)所示的基團(tuán)。r1s和r2s優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，更優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r1s和r2s可具有的取代基優(yōu)選烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或取代氨基，更優(yōu)選烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選烷基或環(huán)烷基。r1s和r2s優(yōu)選不具有取代基。存在的多個(gè)r1s和存在的多個(gè)r2s之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。為了含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，式(1-s1)所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(1-s1-1)所示的基團(tuán)、式(1-s1-2)所示的基團(tuán)、式(1-s1-3)所示的基團(tuán)或式(1-s1-4)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(1-s1-1)所示的基團(tuán)或式(1-s1-2)所示的基團(tuán)。r11s～r25s優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，更優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r11s～r25s可具有的取代基優(yōu)選烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或取代氨基，更優(yōu)選烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選烷基或環(huán)烷基。r11s～r25s優(yōu)選不具有取代基。r11s～r15s之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r11s、r13s和r15s之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r16s～r25s之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r18s、r21s和r25s之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。式(1-s)所示的基團(tuán)例如可以舉出式(1-s-1)～(1-s-30)所示的基團(tuán)，優(yōu)選為式(1-s-1)～(1-s-23)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(1-s-1)～(1-s-19)所示的基團(tuán)。【化29】【化30】【化31】【化32】rs表示甲基、乙基、異丙基、叔丁基、己基、2-乙基己基、環(huán)己基、甲氧基、2-乙基己氧基或環(huán)己基氧基，優(yōu)選為甲基、乙基、異丙基、叔丁基、己基或2-乙基己基。在rs存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。[陰離子性的二齒配體]a1-g1-a2所示的陰離子性的二齒配體和后述的a3-g2-a4所示的陰離子性的二齒配體例如可以舉出下述所示的配體?！净?3】【化34】[式中，*表示與m1或后述的m2鍵合的部位。]a1-g1-a2所示的陰離子性的二齒配體和后述的a3-g2-a4所示的陰離子性的二齒配體可以為下述所示的配體?！净?5】[式中，*表示與m1或后述的m2鍵合的部位。rl1表示氫原子、烷基、環(huán)烷基或鹵素原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)rl1可以相同也可以不同。rl2表示烷基、環(huán)烷基或鹵素原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。]出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1-a)所示的磷光發(fā)光性化合物。在環(huán)r1a為二唑環(huán)的情況下，優(yōu)選e11a為氮原子的咪唑環(huán)、或者e12a為氮原子的咪唑環(huán)，更優(yōu)選e11a為氮原子的咪唑環(huán)。在環(huán)r1a為三唑環(huán)的情況下，優(yōu)選e11a和e12a為氮原子的三唑環(huán)、或者e11a和e13a為氮原子的三唑環(huán)，更優(yōu)選e11a和e12a為氮原子的三唑環(huán)。在e11a為氮原子且r11a存在的情況下，r11a優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或式(1-s)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在e11a為碳原子的情況下，r11a優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在e12a為氮原子且r12a存在的情況下，r12a優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或式(1-s)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在e12a為碳原子的情況下，r12a優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在e13a為氮原子且r13a存在的情況下，r13a優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或式(1-s)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在e13a為碳原子的情況下，r13a優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在環(huán)r1a具有式(1-s)所示的基團(tuán)的情況下，優(yōu)選r11a或r12a為式(1-s)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選r11a為式(1-s)所示的基團(tuán)。在環(huán)r2a為吡啶環(huán)的情況下，優(yōu)選e21a為氮原子的吡啶環(huán)、e22a為氮原子的吡啶環(huán)、或者e23a為氮原子的吡啶環(huán)，更優(yōu)選e22a為氮原子的吡啶環(huán)。在環(huán)r2a為嘧啶環(huán)的情況下，優(yōu)選e21a和e23a為氮原子的嘧啶環(huán)、或者e22a和e24a為氮原子的嘧啶環(huán)，更優(yōu)選e22a和e24a為氮原子的嘧啶環(huán)。環(huán)r2a優(yōu)選為苯環(huán)。r21a、r22a、r23a和r24a優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或式(1-s)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為氫原子或式(1-s)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在環(huán)r2a具有式(1-s)所示的基團(tuán)的情況下，優(yōu)選r22a或r23a為式(1-s)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選r22a為式(1-s)所示的基團(tuán)。r11a和r12a、r12a和r13a、r21a和r22a、r22a和r23a、以及r23a和r24a各組可以鍵合并與各組所鍵合的原子一起形成環(huán)，為了式(1-a)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)成為短波長(zhǎng)，優(yōu)選不形成環(huán)。式(1-a)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(1-a1)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(1-a2)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(1-a3)所示的磷光發(fā)光性化合物或式(1-a4)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-a1)所示的磷光發(fā)光性化合物或式(1-a3)所示的磷光發(fā)光性化合物。式(1-a1)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-a1-1)～(1-a1-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-a1-1)～(1-a1-16)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-a1-1)～(1-a1-10)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?】式m1n1r11ar13ar21ar22ar23ar24an2a1-g1-a2(1-a1-1)ir3式(1-s-2)mehhhh0-(1-a1-2)ir3式(1-s-9)i-prhhhh0-(1-a1-3)ir3式(1-s-10)mehhhh0-(1-a1-4)ir3式(1-s-11)c3h7hhhh0-(1-a1-5)ir3式(1-s-14)c3h7hhhh0-(1-a1-6)ir3式(1-s-16)meh式(1-s-7)hh0-(1-a1-7)ir3式(1-s-10)mehhmeh0-(1-a1-8)ir3式(1-s-10)meh式(1-s-13)hh0-(1-a1-9)ir3mec3h7h式(1-s-7)hh0-(1-a1-10)ir3mec3h7hh式(1-s-7)h0-【表2】式(1-a2)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-a2-1)～(1-a2-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-a2-1)～(1-a2-16)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-a2-1)～(1-a2-10)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?】式m1n1r12ar13ar21ar22ar23ar24an2a1-g1-a2(1-a2-1)ir3式(1-s-2)mehhhh0-(1-a2-2)ir3式(1-s-9)i-prhhhh0-(1-a2-3)ir3式(1-s-10)mehhhh0-(1-a2-4)ir3式(1-s-11)c3h7hhhh0-(1-a2-5)ir3式(1-s-14)c3h7hhhh0-(1-a2-6)ir3式(1-s-16)meh式(1-s-7)hh0-(1-a2-7)ir3式(1-s-10)mehhmeh0-(1-a2-8)ir3式(1-s-10)meh式(1-s-13)hh0-(1-a2-9)ir3mec3h7h式(1-s-7)hh0-(1-a2-10)ir3mec3h7hh式(1-s-7)h0-【表4】式(1-a3)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-a3-1)～(1-a3-24)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-a3-1)～(1-a3-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-a3-1)～(1-a3-13)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?】【表6】式(1-a4)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-a4-1)～(1-a4-24)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-a4-1)～(1-a4-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-a4-1)～(1-a4-13)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?】【表8】式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(1-a1-1)～(1-a1-19)、式(1-a2-1)～(1-a2-19)、式(1-a3-1)～(1-a3-24)、式(1-a4-1)～(1-a4-24)和式(1-a-1)～(1-a-4)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(1-a1-1)～(1-a1-16)、式(1-a2-1)～(1-a2-16)、式(1-a3-1)～(1-a3-19)或式(1-a4-1)～(1-a4-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(1-a1-1)～(1-a1-10)或式(1-a3-1)～(1-a3-13)所示的磷光發(fā)光性化合物?！净?6】【化37】<式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物>本發(fā)明的組合物含有式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物。式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物為由作為中心金屬的m2、以后綴n3規(guī)定其數(shù)量的配體和以后綴n4規(guī)定其數(shù)量的配體構(gòu)成的磷光發(fā)光性化合物。出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，m2優(yōu)選為銥原子或鉑原子，更優(yōu)選為銥原子。在m2為釕原子、銠原子或銥原子的情況下，n3優(yōu)選為2或3，更優(yōu)選為3。在m2為鈀原子或鉑原子的情況下，n3優(yōu)選為2。e4優(yōu)選為碳原子。環(huán)l1優(yōu)選為具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的六元的芳香族雜環(huán)，更優(yōu)選為具有1個(gè)以上且2個(gè)以下的氮原子作為構(gòu)成原子的六元的芳香族雜環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，選自環(huán)l1和環(huán)l2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)。環(huán)l1例如可以舉出吡啶環(huán)、二氮雜苯環(huán)、喹啉環(huán)和異喹啉環(huán)，優(yōu)選吡啶環(huán)、嘧啶環(huán)、喹啉環(huán)或異喹啉環(huán)，更優(yōu)選吡啶環(huán)、喹啉環(huán)或異喹啉環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，選自環(huán)l1和環(huán)l2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)。環(huán)l2優(yōu)選為五元或六元的芳香族烴環(huán)、或者五元或六元的芳香族雜環(huán)，更優(yōu)選為六元的芳香族烴環(huán)或六元的芳香族雜環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選為六元的芳香族烴環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，在環(huán)l2為六元的芳香族雜環(huán)的情況下，e4為碳原子。另外，選自環(huán)l1和環(huán)l2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)。環(huán)l2例如可以舉出苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、菲環(huán)、吡啶環(huán)、二氮雜苯環(huán)、吡咯環(huán)、呋喃環(huán)和噻吩環(huán)，優(yōu)選苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)，更優(yōu)選苯環(huán)、吡啶環(huán)或嘧啶環(huán)，進(jìn)一步優(yōu)選苯環(huán)，這些環(huán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，選自環(huán)l1和環(huán)l2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)?！坝森h(huán)l1和環(huán)l2構(gòu)成的配體為由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成的配體”是指，環(huán)l1和環(huán)l2由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成環(huán)，并且該環(huán)具有的取代基由選自氫原子、碳原子、氮原子、氧原子和硫原子中的原子構(gòu)成。由環(huán)l1和環(huán)l2構(gòu)成的配體優(yōu)選為由選自氫原子、碳原子、氮原子和氧原子中的原子構(gòu)成的配體，更優(yōu)選為由氫原子、碳原子和氮原子構(gòu)成的配體。“選自環(huán)l1和環(huán)l2中的至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)”是指，存在的多個(gè)環(huán)之中，與構(gòu)成至少1個(gè)環(huán)的碳原子或氮原子直接鍵合的氫原子的一部分或全部經(jīng)式(1-t)所示的基團(tuán)取代。式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物中存在多個(gè)環(huán)l1和環(huán)l2的情況下(即，n3為2或3的情況下)，存在的多個(gè)環(huán)l1和環(huán)l2之中，它們中至少1個(gè)環(huán)具有式(1-t)所示的基團(tuán)即可，優(yōu)選的是存在的多個(gè)環(huán)l1的全部、存在的多個(gè)環(huán)l2的全部、或者存在的多個(gè)環(huán)l1和環(huán)l2的全部具有式(1-t)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選的是存在的多個(gè)環(huán)l1的全部、或者存在的多個(gè)環(huán)l2的全部具有式(1-t)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選的是存在的多個(gè)環(huán)l2的全部具有式(1-t)所示的基團(tuán)。優(yōu)選環(huán)l2具有式(1-t)所示的基團(tuán)。環(huán)l1和環(huán)l2可具有的取代基(與式(1-t)所示的基團(tuán)不同)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基或取代氨基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。環(huán)l1可具有的取代基(與式(1-t)所示的基團(tuán)不同)存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。環(huán)l2可具有的取代基(與式(1-t)所示的基團(tuán)不同)存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同，可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。環(huán)l1可具有的取代基(與式(1-t)所示的基團(tuán)不同)與環(huán)l2可具有的取代基(與式(1-t)所示的基團(tuán)不同)可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)。[式(1-t)所示的基團(tuán)]ar1t所示的芳基的例子和優(yōu)選的范圍與ar1s所示的芳基的例子和優(yōu)選的范圍相同。ar1t優(yōu)選為苯基，該苯基可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基。該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。n1t優(yōu)選為0以上且5以下的整數(shù)，更優(yōu)選為0以上且2以下的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為0或1，特別優(yōu)選為0。ar2t所示的亞芳基的例子和優(yōu)選的范圍與ar2s所示的亞芳基的例子和優(yōu)選的范圍相同。ar2t優(yōu)選為亞苯基，該亞苯基可以具有烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基作為取代基。該烷基、該環(huán)烷基、該烷氧基和該環(huán)烷氧基進(jìn)一步可以具有取代基。ar1t和ar2t可具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍與ar1s和ar2s可具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍相同。ar1t和ar2t可具有的取代基進(jìn)一步可以具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍與ar1s和ar2s可具有的取代基進(jìn)一步可以具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍相同。ar1t和ar2t可具有的取代基(即烷基、環(huán)烷基、烷氧基和環(huán)烷氧基)優(yōu)選不具有進(jìn)一步的取代基。為了含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，式(1-t)所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(1-t1)所示的基團(tuán)。r1t和r2t優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，更優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r1t和r2t可具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍與r1s和r2s可具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍相同。r1t和r2t優(yōu)選不具有取代基。存在的多個(gè)r1t和存在的多個(gè)r2t之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。為了含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，式(1-t1)所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(1-t1-1)所示的基團(tuán)、式(1-t1-2)所示的基團(tuán)、式(1-t1-3)所示的基團(tuán)或式(1-t1-4)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(1-t1-1)所示的基團(tuán)或式(1-t1-2)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(1-t1-1)所示的基團(tuán)。r11t～r25t優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，更優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r11t～r25t可具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍與r11s～r25s可具有的取代基的例子和優(yōu)選的范圍相同。r11t～r25t優(yōu)選不具有取代基。r11t～r15t之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r13t優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r16t～r25t之中，至少1個(gè)優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。r18t優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基或環(huán)烷氧基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。式(1-t)所示的基團(tuán)例如可以舉出式(1-t-1)～(1-s-25)所示的基團(tuán)，優(yōu)選為式(1-t-1)～(1-t-21)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(1-s-1)～(1-s-10)所示的基團(tuán)?！净?8】【化39】【化40】rt表示甲基、乙基、異丙基、叔丁基、己基、2-乙基己基、環(huán)己基、甲氧基、2-乙基己氧基或環(huán)己氧基，優(yōu)選為甲基、乙基、異丙基、叔丁基、己基或2-乙基己基。在rt存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(2-b)所示的磷光發(fā)光性化合物。在環(huán)l1b為嘧啶環(huán)的情況下，優(yōu)選e11b為氮原子的嘧啶環(huán)。r11b、r12b、r13b和r14b優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或式(1-t)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為氫原子或式(1-t)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在環(huán)l1b具有式(1-t)所示的基團(tuán)的情況下，優(yōu)選r11b、r12b或r13b為式(1-t)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選r12b或r13b為式(1-t)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選r13b為式(1-t)所示的基團(tuán)。在環(huán)l2b為吡啶環(huán)的情況下，優(yōu)選e21b為氮原子的吡啶環(huán)、e22b為氮原子的吡啶環(huán)、或者e23b為氮原子的吡啶環(huán)，更優(yōu)選e22b為氮原子的吡啶環(huán)。在環(huán)l2b為嘧啶環(huán)的情況下，優(yōu)選e21b和e23b為氮原子的嘧啶環(huán)、或者e22b和e24b為氮原子的嘧啶環(huán)，更優(yōu)選e22b和e24b為氮原子的嘧啶環(huán)。環(huán)l2b優(yōu)選為苯環(huán)。r21b、r22b、r23b和r24b優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或式(1-t)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為氫原子或式(1-t)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在環(huán)l2b具有式(1-t)所示的基團(tuán)的情況下，優(yōu)選r22b或r23b為式(1-t)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選r22b為式(1-t)所示的基團(tuán)。式(2-b)所示的磷光發(fā)光性化合物優(yōu)選為式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(2-b2)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(2-b3)所示的磷光發(fā)光性化合物或式(2-b4)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物或式(2-b2)所示的磷光發(fā)光性化合物。r15b、r16b、r17b和r18b優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，特別優(yōu)選為氫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-b1-1)～(2-b1-24)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(2-b1-1)～(2-b1-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b1-1)～(2-b1-13)所示的磷光發(fā)光性化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為式(2-b1-1)～(2-b1-10)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?】【表10】式(2-b2)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-b2-1)～(2-b2-22)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(2-b2-1)～(2-b2-17)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b2-1)～(2-b2-12)所示的磷光發(fā)光性化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為式(2-b2-1)～(2-b2-9)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?1】【表12】式(2-b3)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-b3-1)～(2-b3-18)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(2-b3-1)～(2-b3-13)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b3-1)～(2-b3-8)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?3】【表14】式(2-b4)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-b4-1)～(2-b4-19)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(2-b4-1)～(2-b4-14)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b4-1)～(2-b4-9)所示的磷光發(fā)光性化合物?！颈?5】【表16】式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物例如可以舉出式(2-b1-1)～(2-b1-24)、式(2-b2-1)～(2-b2-22)、式(2-b3-1)～(2-b3-18)、式(2-b4-1)～(2-b4-19)和式(2-b-1)～(2-b-2)所示的磷光發(fā)光性化合物，優(yōu)選為式(2-b1-1)～(2-b1-19)、式(2-b2-1)～(2-b2-17)、式(2-b3-1)～(2-b3-13)或式2-b4-1)～(2-b4-14)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b1-1)～(2-b1-10)或式(2-b2-1)～(2-b2-9)所示的磷光發(fā)光性化合物?！净?1】<組合物>本發(fā)明的組合物為具有式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的組合物。在本發(fā)明的組合物中，式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物可以含有單獨(dú)1種，也可以含有2種以上。另外，在本發(fā)明的組合物中，式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物可以含有單獨(dú)1種，也可以含有2種以上。在本發(fā)明的組合物中，通過(guò)調(diào)整式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物的含量與式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的含量的比率，能夠調(diào)整發(fā)光色，也能夠?qū)l(fā)光色調(diào)整為白色。發(fā)光元件的發(fā)光色可以通過(guò)對(duì)發(fā)光元件的發(fā)光色度進(jìn)行測(cè)定并求出色度坐標(biāo)(cie色度坐標(biāo))來(lái)確認(rèn)。白色的發(fā)光色是指，例如色度坐標(biāo)的x為0.20～0.50的范圍內(nèi)且色度坐標(biāo)的y為0.20～0.50的范圍內(nèi)，優(yōu)選色度坐標(biāo)的x為0.25～0.40的范圍內(nèi)且色度坐標(biāo)的y為0.25～0.40的范圍內(nèi)。從調(diào)整含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其將發(fā)光色調(diào)整為白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)通常為380nm以上且小于495nm，優(yōu)選為400nm以上且490nm以下，更優(yōu)選為420nm以上且480nm以下。從調(diào)整含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其將發(fā)光色調(diào)整為白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)通常為495nm以上且小于750nm，優(yōu)選為500nm以上且680nm以下，更優(yōu)選為505nm以上且640nm以下。在本發(fā)明的組合物中含有2種以上的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的情況下，從調(diào)整含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其將發(fā)光色調(diào)整為白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選至少2種的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)相互不同，其差優(yōu)選為10～200nm，更優(yōu)選為20～150nm，進(jìn)一步優(yōu)選為40～120nm。在本發(fā)明的組合物中含有2種以上的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物且至少2種的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)不同的情況下，從調(diào)整含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其將發(fā)光色調(diào)整為白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為短波長(zhǎng)側(cè)的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)優(yōu)選為500nm以上且570nm未満，更優(yōu)選為505nm以上且560nm以下。另外，發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)優(yōu)選為570nm以上且680nm以下，更優(yōu)選為590nm以上且640nm以下。從調(diào)整含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的發(fā)光色(尤其將發(fā)光色調(diào)整為白色)的觀點(diǎn)出發(fā)，式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)含量在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)含量設(shè)為100重量份的情況下優(yōu)選為0.01～50重量份，更優(yōu)選為0.05～30重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1～10重量份，特別優(yōu)選為0.5～5重量份。在本發(fā)明的組合物中含有2種以上的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物且至少2種的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)不同的情況下，該2種之中，將發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為短波長(zhǎng)側(cè)的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物設(shè)為100重量份時(shí)，發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的含量通常為1～10000重量份，出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的色再現(xiàn)性優(yōu)異，優(yōu)選為5～1000重量份，更優(yōu)選為10～200重量份。在本發(fā)明的組合物中含有2種以上的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的情況下，出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，優(yōu)選至少1種的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物為式(2-b1)～(2-b4)所示的磷光發(fā)光性化合物，更優(yōu)選為式(2-b1)或(2-b2)所示的磷光發(fā)光性化合物，進(jìn)一步優(yōu)選為式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物。在本發(fā)明的組合物中包含2種以上的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的情況下，出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，至少2種的式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的組合優(yōu)選為選自式(2-b1)～(2-b4)所示的磷光發(fā)光性化合物中的2種的組合，更優(yōu)選為式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物與選自式(2-b2)～(2-b4)所示的磷光發(fā)光性化合物中的1種的組合，進(jìn)一步優(yōu)選為式(2-b1)所示的磷光發(fā)光性化合物與式(2-b2)所示的磷光發(fā)光性化合物的組合。<其他成分>本發(fā)明的組合物可以還含有選自空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發(fā)光材料(與式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物不同)、抗氧化劑和溶劑中的至少1種的材料。[主體材料]本發(fā)明的組合物通過(guò)還含有具有選自空穴注入性、空穴傳輸性、電子注入性和電子傳輸性中的至少1個(gè)功能的主體材料，由此含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓變得更低。在本發(fā)明的組合物中，主體材料可以含有單獨(dú)1種，也可以含有2種以上。本發(fā)明的組合物還含有主體材料的情況下，主體材料的含量在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物、式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物和主體材料的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下通常為1～99重量份，優(yōu)選為10～90重量份，更優(yōu)選為20～80重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為50～70重量份。為了含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，主體材料具有的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)(t1)優(yōu)選為與式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物具有的最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)(t1)同等的能級(jí)、或者更高的能級(jí)。主體材料分類為低分子化合物和高分子化合物。[低分子主體]對(duì)作為主體材料的優(yōu)選的低分子化合物(以下也稱作“低分子主體”)進(jìn)行說(shuō)明。低分子主體優(yōu)選為式(h-1)所示的化合物。arh1和arh2優(yōu)選為苯基、芴基、螺雙芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、吡咯基、吲哚基、氮雜吲哚基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、吩噁嗪基或吩噻嗪基，更優(yōu)選為苯基、螺雙芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基或氮雜咔唑基，進(jìn)一步優(yōu)選為苯基、吡啶基、咔唑基或氮雜咔唑基，特別優(yōu)選為苯基或9h-咔唑-9-基，尤其優(yōu)選為9h-咔唑-9-基，這些基團(tuán)可以具有取代基。arh1和arh2可具有的取代基優(yōu)選為鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷氧基、烷氧基或環(huán)烷氧基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基或環(huán)烷氧基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。nh1優(yōu)選為1。nh2優(yōu)選為0。nh3通常為0以上且10以下的整數(shù)，優(yōu)選為0以上且5以下的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為1以上且3以下的整數(shù)，特別優(yōu)選為1。nh11優(yōu)選為1以上且5以下的整數(shù)，更優(yōu)選為1以上且3以下的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為1。rh11優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為氫原子、烷基或環(huán)烷基，進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子或烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。lh1優(yōu)選為亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基。lh1優(yōu)選為式(a-1)～(a-3)、式(a-8)～(a-10)、式(aa-1)～(aa-6)、式(aa-10)～(aa-21)或式(aa-24)～(aa-34)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-8)、式(a-9)、式(aa-1)～(aa-4)、式(aa-10)～(aa-15)或式(aa-29)～(aa-34)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-8)、式(a-9)、式(aa-2)、式(aa-4)、式(aa-10)～(aa-15)所示的基團(tuán)，特別優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-8)、式(aa-2)、式(aa-4)、式(aa-10)、式(aa-12)或式(aa-14)所示的基團(tuán)，尤其優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(aa-2)、式(aa-4)或式(aa-14)所示的基團(tuán)。lh1可具有的取代基優(yōu)選為鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。lh21優(yōu)選為單鍵或亞芳基，更優(yōu)選為單鍵，該亞芳基可以具有取代基。lh21所示的亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基的定義和例子與lh1所示的亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基的定義和例子同樣。rh21優(yōu)選為芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。rh21所示的芳基和一價(jià)雜環(huán)基的定義和例子與arh1和arh2所示的芳基和一價(jià)雜環(huán)基的定義和例子同樣。rh21可具有的取代基的定義和例子與arh1和arh2可具有的取代基的定義和例子同樣。式(h-1)所示的化合物優(yōu)選為式(h-2)所示的化合物?！净?2】[式中，arh1、arh2、nh3和lh1表示與上文相同的含義。]作為式(h-1)所示的化合物，例示出下述式(h-101)～(h-118)所示的化合物?！净?3】【化44】【化45】【化46】主體材料中使用的高分子化合物例如可以舉出作為后述的空穴傳輸材料的高分子化合物、作為后述的電子傳輸材料的高分子化合物。[高分子主體]對(duì)作為主體化合物的優(yōu)選的高分子化合物(以下也稱作“高分子主體”)進(jìn)行說(shuō)明。高分子主體優(yōu)選為包含式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物。ary1所示的亞芳基更優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-6)-(a-10)、式(a-19)或式(a-20)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-7)、式(a-9)或式(a-19)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。ary1所示的二價(jià)雜環(huán)基更優(yōu)選為式(aa-1)-(aa-4)、式(aa-10)-(aa-15)、式(aa-18)-(aa-21)、式(aa-33)或式(aa-34)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(aa-4)、式(aa-10)、式(aa-12)、式(aa-14)或式(aa-33)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。ary1所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)中的亞芳基和二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍分別與上述的ary1所示的亞芳基和二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍同樣。“至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)”例如可以舉出下述式所示的基團(tuán)，這些可以具有取代基?！净?7】[式中，rxx表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]rxx優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。ary1所示的基團(tuán)可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(y-1)-(y-10)所示的結(jié)構(gòu)單元，從含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的亮度壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為式(y-1)-(y-3)所示的結(jié)構(gòu)單元，從含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的電子傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為式(y-4)-(y-7)所示的結(jié)構(gòu)單元，從含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的空穴傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為式(y-8)-(y-10)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?8】[式中，ry1表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)ry1可以相同也可以不同，相鄰的ry1彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]ry1優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。式(y-1)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(y-1′)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?9】[式中，ry11表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)ry11可以相同也可以不同。]ry11優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，更優(yōu)選為烷基或環(huán)烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。【化50】[式中，ry1表示與上文相同的含義。xy1表示-c(ry2)2-、-c(ry2)＝c(ry2)-或-c(ry2)2-c(ry2)2-所示的基團(tuán)。ry2表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)ry2可以相同也可以不同，ry2彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]ry2優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。xy1中，-c(ry2)2-所示的基團(tuán)中的2個(gè)ry2的組合優(yōu)選為：兩方為烷基或環(huán)烷基；兩方為芳基；兩方為一價(jià)雜環(huán)基；或者一方為烷基或環(huán)烷基而另一方為芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為：一方為烷基或環(huán)烷基而另一方為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的2個(gè)ry2可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，在ry2形成環(huán)的情況下，-c(ry2)2-所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(y-a1)-(y-a5)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(y-a4)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基?！净?1】xy1中，-c(ry2)＝c(ry2)-所示的基團(tuán)中的2個(gè)ry2的組合優(yōu)選為：兩方為烷基或環(huán)烷基；或者一方為烷基或環(huán)烷基而另一方為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。xy1中，-c(ry2)2-c(ry2)2-所示的基團(tuán)中的4個(gè)ry2優(yōu)選為可以具有取代基的烷基或環(huán)烷基。存在的多個(gè)ry2可以相互鍵合并與各自所鍵合的原子一起形成環(huán)，在ry2形成環(huán)的情況下，-c(ry2)2-c(ry2)2-所示的基團(tuán)優(yōu)選為式(y-b1)-(y-b5)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(y-b3)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基?！净?2】[式中，ry2表示與上文相同的含義。]式(y-2)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(y-2′)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?3】[式中，ry11和xy1表示與上文相同的含義。]【化54】[式中，ry1和xy1表示與上文相同的含義。]式(y-3)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(y-3′)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?5】[式中，ry11和xy1表示與上文相同的含義。]【化56】【化57】[式中，ry1表示與上文相同的含義。ry3表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]ry3優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。式(y-4)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(y-4′)所示的結(jié)構(gòu)單元，式(y-6)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(y-6′)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?8】[式中，ry1和ry3表示與上文相同的含義。]【化59】[式中，ry1表示與上文相同的含義。ry4表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。]ry4優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出包含式(y-101)-(y-121)所示的亞芳基的結(jié)構(gòu)單元、包含式(y-201)-(y-206)所示的二價(jià)雜環(huán)基的結(jié)構(gòu)單元、包含式(y-301)-(y-304)所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)的結(jié)構(gòu)單元?！净?0】【化61】【化62】【化63】【化64】【化65】【化66】【化67】【化68】出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，ary1為亞芳基的式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為0.5～80摩爾％，更優(yōu)選為30～60摩爾％。出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的電荷傳輸性優(yōu)異，ary1為二價(jià)雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)的式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為0.5～30摩爾％，更優(yōu)選為3～20摩爾％。式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元在高分子主體中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。出于空穴傳輸性優(yōu)異，高分子主體優(yōu)選還包含下述式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元。【化69】[式中，ax1和ax2各自獨(dú)立地表示0以上的整數(shù)。arx1和arx3各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。arx2和arx4各自獨(dú)立地表示亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、或者至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在arx2和arx4存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。rx1、rx2和rx3各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在rx2和rx3存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，ax1優(yōu)選為2以下，更優(yōu)選為1。出于含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，ax2優(yōu)選為2以下，更優(yōu)選為0。rx1、rx2和rx3優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。arx1和arx3所示的亞芳基更優(yōu)選為式(a-1)或式(a-9)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(a-1)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。arx1和arx3所示的二價(jià)雜環(huán)基更優(yōu)選為式(aa-1)、式(aa-2)或式(aa-7)-(aa-26)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。arx1和arx3優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。arx2和arx4所示的亞芳基更優(yōu)選為式(a-1)、式(a-6)、式(a-7)、式(a-9)-(a-11)或式(a-19)所示的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。arx2和arx4所示的二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍與arx1和arx3所示的二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍相同。arx2和arx4所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)中的亞芳基和二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍分別與arx1和arx3所示的亞芳基和二價(jià)雜環(huán)基的更優(yōu)選的范圍、進(jìn)一步優(yōu)選的范圍同樣。arx2和arx4所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)可以舉出與式(y)的ary1所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)同樣的二價(jià)基團(tuán)。arx2和arx4優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。arx1～arx4和rx1～rx3所示的基團(tuán)可以具有的取代基優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)進(jìn)一步可以具有取代基。式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元優(yōu)選為式(x-1)-(x-7)所示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(x-1)-(x-6)所示的結(jié)構(gòu)單元，進(jìn)一步優(yōu)選為式(x-3)-(x-6)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?0】【化71】【化72】【化73】[式中，rx4和rx5各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價(jià)雜環(huán)基或氰基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)rx4可以相同也可以不同。存在的多個(gè)rx5可以相同也可以不同，相鄰的rx5彼此可以相互鍵合并與各自所鍵合的碳原子一起形成環(huán)。]出于高分子主體的空穴傳輸性優(yōu)異，式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于高分子主體中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為0.1～50摩爾％，更優(yōu)選為1～40摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～30摩爾％。式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(x1-1)-(x1-11)所示的結(jié)構(gòu)單元，優(yōu)選為式(x1-3)-(x1-10)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?4】【化75】【化76】【化77】【化78】高分子主體中，式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元可以僅包含1種，也可以包含2種以上。高分子主體例如可以舉出表17的高分子化合物(p-1)～(p-6)?！颈?7】[表中，p、q、r、s和t表示各結(jié)構(gòu)單元的摩爾比率。p+q+r+s+t＝100且100≥p+q+r+s≥70。其他結(jié)構(gòu)單元是指，除式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元、式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元以外的結(jié)構(gòu)單元。]高分子主體可以是嵌段共聚物、無(wú)規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一種，也可以是其它的形態(tài)，優(yōu)選為將兩種以上的原料單體共聚而成的共聚物。[高分子主體的制造方法]高分子主體可以使用chemicalreview(chem.rev.)，第109卷，897-1091頁(yè)(2009年)等中記載的公知的聚合方法進(jìn)行制造，可例示通過(guò)suzuki反應(yīng)、yamamoto反應(yīng)、buchwald反應(yīng)、stille反應(yīng)、negishi反應(yīng)和kumada反應(yīng)等使用過(guò)渡金屬催化劑的偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法。上述聚合方法中，投入單體的方法可以舉出：將單體總量一次性投入反應(yīng)體系的方法；將單體的一部分投入并進(jìn)行反應(yīng)后，將其余的單體一次性投入、連續(xù)投入或分批投入的方法；連續(xù)或分批投入單體的方法等。過(guò)渡金屬催化劑可以舉出鈀催化劑、鎳催化劑等。聚合反應(yīng)的后處理單獨(dú)或組合利用公知的方法進(jìn)行，例如：通過(guò)分液除去水溶性雜質(zhì)的方法；在甲醇等低級(jí)醇中加入聚合反應(yīng)后的反應(yīng)液，過(guò)濾析出的沉淀后進(jìn)行干燥的方法等。高分子主體的純度低的情況下，例如可以用重結(jié)晶、再沉淀、利用索氏提取器的連續(xù)萃取、柱色譜等通常的方法進(jìn)行純化。含有溶劑的本發(fā)明的組合物(以下也稱作“墨”)適合于使用旋涂法、噴墨印刷法、噴嘴印刷法等涂布法的發(fā)光元件的制作。墨的粘度可以根據(jù)涂布法的種類進(jìn)行調(diào)整即可，在應(yīng)用于噴墨印刷法等溶液經(jīng)由噴出裝置的涂布法的情況下，出于不易發(fā)生噴出時(shí)的堵塞和飛行彎曲，優(yōu)選在25℃為1～20mpa·s。墨中包含的溶劑優(yōu)選為可溶解或均勻分散墨中的固體成分的溶劑。溶劑例如可以舉出：1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；thf、二氧六環(huán)、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、正己基苯、環(huán)己基苯等芳香族烴系溶劑；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、聯(lián)環(huán)己烷等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、苯乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶劑；乙二醇、甘油、1，2-己二醇等多元醇系溶劑；異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑；二甲亞砜等亞砜系溶劑；n-甲基-2-吡咯烷酮、n，n-二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。溶劑可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。墨中，在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下，溶劑的配合量通常為1000～100000重量份，優(yōu)選為2000～20000重量份。[空穴傳輸材料]空穴傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物，優(yōu)選為高分子化合物，更優(yōu)選為具有交聯(lián)基的高分子化合物。高分子化合物例如可以舉出聚乙烯咔唑及其衍生物；在側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚亞芳基及其衍生物。高分子化合物可以是鍵合有電子接受性部位的化合物。電子接受性部位例如可以舉出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，優(yōu)選為富勒烯。在本發(fā)明的組合物中，在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下，空穴傳輸材料的配合量通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。空穴傳輸材料可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。[電子傳輸材料]電子傳輸材料分類為低分子化合物和高分子化合物。電子傳輸材料可以具有交聯(lián)基。低分子化合物例如可以舉出以8-羥基喹啉為配體的金屬絡(luò)合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯和聯(lián)苯醌、以及它們的衍生物。高分子化合物例如可以舉出聚苯、聚芴、以及它們的衍生物。高分子化合物可以經(jīng)金屬摻雜。在本發(fā)明的組合物中，在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下，電子傳輸材料的配合量通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份。電子傳輸材料可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。[空穴注入材料和電子注入材料]空穴注入材料和電子注入材料各自分類為低分子化合物和高分子化合物?？昭ㄗ⑷氩牧虾碗娮幼⑷氩牧峡梢跃哂薪宦?lián)基。低分子化合物例如可以舉出銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。高分子化合物例如可以舉出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙烯撐、聚亞噻吩基亞乙烯基、聚喹啉和聚喹喔啉、以及它們的衍生物；在主鏈或側(cè)鏈包含芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導(dǎo)電性高分子。在本發(fā)明的組合物中，在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下，空穴注入材料和電子注入材料的配合量各自通常為1～400重量份，優(yōu)選為5～150重量份?？昭ㄗ⑷氩牧虾碗娮幼⑷氩牧细髯钥梢允褂脝为?dú)一種也可以合用兩種以上。[離子摻雜]在空穴注入材料或電子注入材料包含導(dǎo)電性高分子的情況下，導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率優(yōu)選為1×10-5s/cm～1×103s/cm。為了將導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率設(shè)為該范圍，可以在導(dǎo)電性高分子中摻雜適量的離子。摻雜的離子的種類在空穴注入材料的情況下為陰離子，在電子注入材料的情況下為陽(yáng)離子。陰離子例如可以舉出聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。陽(yáng)離子例如可以舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。摻雜的離子可以使用單獨(dú)一種也可以合用兩種以上。[發(fā)光材料]發(fā)光材料(與式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物不同)分類為低分子化合物和高分子化合物。發(fā)光材料可以具有交聯(lián)基。低分子化合物例如可以舉出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以銥、鉑或銪作為中心金屬的三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物。高分子化合物例如可以舉出包含亞苯基、萘二基、芴二基、菲二基、二氫菲二基、式(x)所示的基團(tuán)、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。發(fā)光材料優(yōu)選為三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物或高分子化合物。三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物例如可以舉出以下所示的金屬絡(luò)合物?！净?9】【化80】在本發(fā)明的組合物中，在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下，發(fā)光材料的含量通常為0.001～10重量份。[抗氧化劑]抗氧化劑只要是可溶于與式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物相同的溶劑且不阻礙發(fā)光和電荷傳輸?shù)幕衔锛纯?，例如可以舉出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。在本發(fā)明的組合物中，在將式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物的合計(jì)設(shè)為100重量份的情況下，抗氧化劑的配合量通常為0.001～10重量份?？寡趸瘎┛梢允褂脝为?dú)一種也可以合用兩種以上。<膜>膜含有式(1)所示的磷光發(fā)光性化合物和式(2)所示的磷光發(fā)光性化合物。膜適合作為發(fā)光元件中的發(fā)光層。膜可以使用墨液通過(guò)例如旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴涂涂布法、絲網(wǎng)印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、毛細(xì)管涂布法、噴嘴涂布法等涂布法進(jìn)行制作。膜的厚度通常為1nm～10μm。<發(fā)光元件>本發(fā)明的發(fā)光元件是含有本發(fā)明的組合物的發(fā)光元件。本發(fā)明的發(fā)光元件的構(gòu)成例如具有包含陽(yáng)極和陰極的電極、和設(shè)置于該電極間的含有本發(fā)明的組合物的層。[層構(gòu)成]含有本發(fā)明的組合物的層通常為發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層、電子注入層中的1種以上的層，優(yōu)選為發(fā)光層。這些層分別包含發(fā)光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。這些層可以如下形成：分別使發(fā)光材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料溶于上述的溶劑，制備墨液后使用，使用與上述的膜的制作相同的涂布法進(jìn)行形成。發(fā)光元件在陽(yáng)極與陰極之間具有發(fā)光層。從空穴注入性和空穴傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的發(fā)光元件優(yōu)選在陽(yáng)極與發(fā)光層之間具有空穴注入層和空穴傳輸層中的至少1層，從電子注入性和電子傳輸性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在陰極與發(fā)光層之間具有電子注入層和電子傳輸層中的至少1層?？昭▊鬏攲印㈦娮觽鬏攲?、發(fā)光層、空穴注入層和電子注入層的材料除了本發(fā)明的組合物以外，分別可以舉出上述的空穴傳輸材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、空穴注入材料和電子注入材料等?？昭▊鬏攲拥牟牧?、電子傳輸層的材料和發(fā)光層的材料在發(fā)光元件的制作中各自可溶于在與空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層相鄰的層的形成時(shí)所使用的溶劑的情況下，為了避免該材料溶于該溶劑中，優(yōu)選該材料具有交聯(lián)基。使用具有交聯(lián)基的材料形成各層后，使該交聯(lián)基進(jìn)行交聯(lián)，由此可以使該層不溶化。本發(fā)明的發(fā)光元件中，作為發(fā)光層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層等各層的形成方法，在使用低分子化合物的情況下，例如可以舉出利用粉末的真空蒸鍍法、基于利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法，在使用高分子化合物的情況下，例如可以舉出基于利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法。層疊的層的順序、數(shù)量和厚度考慮發(fā)光效率和亮度壽命進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明的發(fā)光元件具有空穴傳輸層的情況下，用于形成空穴傳輸層的空穴傳輸材料優(yōu)選為包含上述式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元以及選自式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元和式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(以下也稱作“空穴傳輸層的高分子化合物”)或式(z″)所示的低分子化合物，更優(yōu)選空穴傳輸層的高分子化合物。[空穴傳輸層的高分子化合物]空穴傳輸層的高分子化合物可以還包含上述式(y)所示的結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的發(fā)光元件具有使用空穴傳輸層的高分子化合物得到的空穴傳輸層的情況下，該空穴傳輸層可以是原樣包含空穴傳輸層的高分子化合物的層，也可以是包含在分子內(nèi)或在分子間、或者在分子內(nèi)和分子間發(fā)生交聯(lián)的空穴傳輸層的高分子化合物(交聯(lián)體)的層，優(yōu)選為含有空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)體的層?？昭▊鬏攲拥母叻肿踊衔锏慕宦?lián)體也可以為空穴傳輸層的高分子化合物與其他材料在分子間發(fā)生交聯(lián)而成的物質(zhì)。出于空穴傳輸層的高分子化合物的空穴傳輸性優(yōu)異，上述式(x)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于空穴傳輸層的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量，優(yōu)選為1～99摩爾％，更優(yōu)選為10～80摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為20～70摩爾％?！净?1】[式中，na表示0～5的整數(shù)，n表示1～4的整數(shù)。ar1表示芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。la表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、-nr’-所示的基團(tuán)、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。r’表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在la存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。x表示上述式(xl-1)～(xl-17)中任一項(xiàng)所示的交聯(lián)基。在x存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]為了本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，na優(yōu)選為0～3的整數(shù)，更優(yōu)選為0～2的整數(shù)。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，n優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為2。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，ar1優(yōu)選為可以具有取代基的芳香族烴基。ar1所示的芳香族烴基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為6～60，優(yōu)選為6～30，更優(yōu)選為6～18。ar1所示的芳香族烴基的除去n個(gè)取代基后的亞芳基部分優(yōu)選為式(a-1)～式(a-20)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-6)～式(a-10)、式(a-19)或式(a-20)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選為式(a-1)、式(a-2)、式(a-7)、式(a-9)或式(a-19)所示的基團(tuán)。ar1所示的雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為2～60，優(yōu)選為3～30，更優(yōu)選為4～18。ar1所示的雜環(huán)基的除去n個(gè)取代基后的二價(jià)雜環(huán)基部分優(yōu)選為式(aa-1)～(aa-34)所示的基團(tuán)。ar1所示的芳香族烴基和雜環(huán)基可以具有取代基。芳香族烴基和雜環(huán)基可具有的取代基例如可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價(jià)雜環(huán)基和氰基。la所示的亞烷基不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為1～20，優(yōu)選為1～15，更優(yōu)選為1～10。la所示的亞環(huán)烷基不包括取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)，通常為3～20。亞烷基和亞環(huán)烷基可以具有取代基，亞烷基和亞環(huán)烷基例如可以舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞己基、亞環(huán)己基、亞辛基。la所示的亞烷基和亞環(huán)烷基可以具有取代基。亞烷基和亞環(huán)烷基可具有的取代基例如可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、鹵素原子和氰基。la所示的亞芳基可以具有取代基。亞芳基優(yōu)選為亞苯基或芴二基，更優(yōu)選為間亞苯基、對(duì)亞苯基、芴-2，7-二基、芴-9，9-二基。亞芳基可以具有的取代基例如可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、一價(jià)雜環(huán)基、鹵素原子、氰基和選自交聯(lián)基a組的交聯(lián)基。la所示的二價(jià)雜環(huán)基優(yōu)選為式(aa-1)～(aa-34)所示的基團(tuán)。為了容易合成空穴傳輸層的高分子化合物，la優(yōu)選為亞芳基或亞烷基，更優(yōu)選為亞苯基、芴二基或亞烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，x所示的交聯(lián)基優(yōu)選為式(xl-1)、(xl-3)、(xl-7)～(xl-10)、(xl-16)或(xl-17)所示的交聯(lián)基，更優(yōu)選為式(xl-1)、(xl-3)、(xl-9)、(xl-16)或(xl-17)所示的交聯(lián)基，進(jìn)一步優(yōu)選為式(xl-1)、(xl-16)或(xl-17)所示的交聯(lián)基，特別優(yōu)選為式(xl-1)或(xl-17)所示的交聯(lián)基。出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于空穴傳輸層的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為1～90摩爾％，更優(yōu)選為3～75摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～60摩爾％。式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元在空穴傳輸層的高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上?！净?2】[式中，ma表示0～5的整數(shù)，m表示1～4的整數(shù)，c表示0或1。在ma存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。ar3表示芳香族烴基、雜環(huán)基、或者至少1種的芳香族烴環(huán)與至少1種的雜環(huán)直接鍵合的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。ar2和ar4各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。ar2、ar3和ar4各自可以直接或經(jīng)由氧原子或硫原子而與該基團(tuán)所鍵合的氮原子上鍵合的除該基團(tuán)以外的基團(tuán)進(jìn)行鍵合從而形成環(huán)。ka表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、-nr”-所示的基團(tuán)、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。r”表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在ka存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。x’表示上述式(xl-1)～(xl-17)中任一式所示的交聯(lián)基、氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。需要說(shuō)明的是，至少1個(gè)的x’為上述式(xl-1)～(xl-17)中任一式所示的交聯(lián)基。]出于本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，ma優(yōu)選為0～2，更優(yōu)選為0或1，進(jìn)一步優(yōu)選為0。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，m優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為2。為了容易合成空穴傳輸層的高分子化合物且本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，c優(yōu)選為0。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異，ar3優(yōu)選為可以具有取代基的芳香族烴基。ar3所示的芳香族烴基的除去m個(gè)取代基后的亞芳基部分的定義、例子與上述的式(x)中的arx2所示的亞芳基的定義、例子相同。ar3所示的雜環(huán)基的除去m個(gè)取代基后的二價(jià)雜環(huán)基部分的定義、例子與上述的式(x)中的arx2所示的二價(jià)雜環(huán)基部分的定義、例子相同。ar3所示的至少1種的芳香族烴環(huán)與至少1種的雜環(huán)直接鍵合的基團(tuán)的除去m個(gè)取代基后的二價(jià)基團(tuán)的定義、例子與上述的式(x)中的arx2所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)的定義、例子相同。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的亮度壽命優(yōu)異，ar2和ar4優(yōu)選為可以具有取代基的亞芳基。ar2和ar4所示的亞芳基的定義、例子與上述的式(x)中的arx1和arx3所示的亞芳基的定義、例子相同。ar2和ar4所示的二價(jià)雜環(huán)基的定義、例子與上述的式(x)中的arx1和arx3所示的二價(jià)雜環(huán)基的定義、例子相同。ar2、ar3和ar4所示的基團(tuán)可以具有取代基，取代基可以舉出烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價(jià)雜環(huán)基和氰基。ka所示的亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基的定義、例子分別與la所示的亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基的定義、例子相同。為了容易合成空穴傳輸層的高分子化合物，ka優(yōu)選為亞苯基或亞烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。x’所示的交聯(lián)基的定義、例子與上述的x所示的交聯(lián)基的定義、例子相同。出于空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元相對(duì)于空穴傳輸層的高分子化合物中包含的結(jié)構(gòu)單元的合計(jì)量?jī)?yōu)選為1～90摩爾％，更優(yōu)選為3～50摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～20摩爾％。式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元在空穴傳輸層的高分子化合物中可以僅包含1種，也可以包含2種以上。式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(3-1)～式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出式(4-1)～式(4-9)所示的結(jié)構(gòu)單元。這些之中，為了空穴傳輸層的高分子化合物的交聯(lián)性優(yōu)異，優(yōu)選為式(3-1)～式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(3-1)～式(3-15)、式(3-19)、式(3-20)、式(3-23)、式(3-25)或式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，進(jìn)一步優(yōu)選為式(3-1)～式(3-13)或式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元，特別優(yōu)選為式(3-1)～式(3-9)或式(3-30)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?3】【化84】【化85】空穴傳輸層的高分子化合物可以為嵌段共聚物、無(wú)規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一種，可以為其他形態(tài)，優(yōu)選為將兩種以上的原料單體共聚而成的共聚物?？昭▊鬏攲拥母叻肿踊衔锟梢岳门c上述的高分子主體的制造方法同樣的方法進(jìn)行制造。[式(z″)所示的低分子化合物]在本發(fā)明的發(fā)光元件具有使用式(z″)所示的低分子化合物得到的空穴傳輸層的情況下，該空穴傳輸層可以為原樣包含式(z″)所示的低分子化合物的層，也可以為含有在分子內(nèi)或在分子間、或者在分子內(nèi)和分子間發(fā)生交聯(lián)的式(z″)所示的低分子化合物(交聯(lián)體)的層，優(yōu)選為含有式(z″)所示的低分子化合物的交聯(lián)體的層。式(z″)所示的低分子化合物的交聯(lián)體可以為式(z″)所示的低分子化合物與其他材料在分子間發(fā)生交聯(lián)而成的物質(zhì)?！净?6】[式中，mb1和mb2各自獨(dú)立地表示0以上的整數(shù)。存在的多個(gè)mb1可以相同也可以不同。nb1表示0以上的整數(shù)。在nb1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。ar5表示芳香族烴基、雜環(huán)基、或者至少1種的芳香族烴環(huán)與至少1種的雜環(huán)直接鍵合的基團(tuán)，這些基團(tuán)可以具有取代基。在ar5存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。lb1表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基、-nr”’-所示的基團(tuán)、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。r”’表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在lb1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。x”表示上述式(xl-1)～(xl-17)中任一式所示的交聯(lián)基、氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)x”可以相同也可以不同。需要說(shuō)明的是，存在的多個(gè)x”之中，至少1個(gè)為上述式(xl-1)～(xl-17)中任一式所示的交聯(lián)基。]mb1通常為0～10的整數(shù)，為了容易合成空穴傳輸層的低分子化合物，優(yōu)選為0～5的整數(shù)，更優(yōu)選為0～2的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為0或1，特別優(yōu)選為0。mb2通常為0～10的整數(shù)，為了容易合成空穴傳輸層的低分子化合物且本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率更優(yōu)異，優(yōu)選為1～5的整數(shù)，更優(yōu)選為1～3的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為1或2，特別優(yōu)選為1。nb1通常為0～5的整數(shù)，為了容易合成空穴傳輸層的低分子化合物，優(yōu)選為0～4的整數(shù)，更優(yōu)選為0～2的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為0。ar5所示的芳香族烴基的除去nb1個(gè)取代基后的亞芳基部分的定義、例子與上述的式(x)中的arx2所示的亞芳基的定義、例子相同。ar5所示的雜環(huán)基的除去nb1個(gè)取代基后的二價(jià)雜環(huán)基部分的定義、例子與上述的式(x)中的arx2所示的二價(jià)雜環(huán)基部分的定義、例子相同。ar5所示的至少1種的芳香族烴環(huán)與至少1種的雜環(huán)直接鍵合的基團(tuán)的除去nb1個(gè)取代基后的二價(jià)基團(tuán)的定義、例子與上述的式(x)中的arx2所示的至少1種的亞芳基與至少1種的二價(jià)雜環(huán)基直接鍵合的二價(jià)基團(tuán)的定義、例子相同。出于本發(fā)明的發(fā)光元件的外部量子效率優(yōu)異，ar5優(yōu)選為芳香族烴基。lb1所示的亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基的定義、例子分別與la所示的亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、二價(jià)雜環(huán)基的定義、例子相同。為了容易合成空穴傳輸層的低分子化合物，lb1優(yōu)選為亞烷基、亞芳基或氧原子，更優(yōu)選為亞烷基或亞芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為亞苯基、芴二基或亞烷基，特別優(yōu)選為亞苯基或亞烷基，這些基團(tuán)可以具有取代基。x”優(yōu)選為選自交聯(lián)基a組的交聯(lián)基、芳基或一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為式(bx-1)～(bx-13)所示的交聯(lián)基或芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為式(bx-1)、(bx-3)或(bx-9)～(bx-13)所示的交聯(lián)基、苯基、萘基或芴基，特別優(yōu)選為式(bx-1)或(bx-9)所示的交聯(lián)基、苯基或萘基，這些基團(tuán)可以具有取代基?？昭▊鬏攲拥牡头肿踊衔锢缈梢耘e出式(z″-1)～(z″-16)所示的低分子化合物，優(yōu)選為式(z″-1)～(z″-10)所示的低分子化合物，更優(yōu)選為式(z″-5)～(z″-9)所示的低分子化合物?！净?7】【化88】【化89】【化90】【化91】空穴傳輸層的低分子化合物可以從aldrich、luminescencetechnologycorp.、americandyesource等獲得。另外，作為上述以外的獲得方法，例如可以依據(jù)國(guó)際公開第1997/033193號(hào)、國(guó)際公開第2005/035221號(hào)、國(guó)際公開第2005/049548中記載的方法進(jìn)行合成。本發(fā)明的發(fā)光元件具有電子傳輸層的情況下，電子傳輸層中含有的電子傳輸材料優(yōu)選為包含選自式(et-1)所示的結(jié)構(gòu)單元和式(et-2)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(以下也稱作“電子傳輸層的高分子化合物”)。【化92】[式中，ne1表示1以上的整數(shù)。are1表示芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有re1以外的取代基。re1表示式(es-1)所示的基團(tuán)。在re1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]-re3-{(qe1)ne3-ye1(me1)ae1(ze1)be1}me1(es-1)[式中，ne3表示0以上的整數(shù)，ae1表示1以上的整數(shù)，be1表示0以上的整數(shù)，me1表示1以上的整數(shù)。在ne3、ae1和be1存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。需要說(shuō)明的是，在re3為單鍵的情況下，me1為1。另外，選擇ae1和be1使得式(es-1)所示的基團(tuán)的電荷為0。re3表示單鍵、烴基、雜環(huán)基或-o-re3’(re3’表示烴基或雜環(huán)基)，這些基團(tuán)可以具有取代基。qe1表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。在qe1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。ye1表示-co2-、-so3-、-so2-或po32-。在ye1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。me1表示堿金屬陽(yáng)離子、堿土金屬陽(yáng)離子或銨陽(yáng)離子，該銨陽(yáng)離子可以具有取代基。在me1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。ze1表示f-、cl-、br-、i-、oh-、b(re4)4-、re4so3-、re4coo-、no3-、so42-、hso4-、po43-、hpo42-、h2po4-、bf4-或pf6-。re4表示烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在ze1存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]ne1通常為1～4的整數(shù)，優(yōu)選為1或2。are1所示的芳香族烴基或雜環(huán)基優(yōu)選為從1，4-亞苯基、1，3-亞苯基、1，2-亞苯基、2，6-萘二基、1，4-萘二基、2、7-芴二基、3，6-芴二基、2，7-菲二基或2，7-咔唑二基除去與構(gòu)成環(huán)的原子直接鍵合的氫原子ne1個(gè)后的基團(tuán)，可以具有re1以外的取代基。are1可具有的re1以外的取代基可以舉出鹵素原子、氰基、烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基、烷氧基、環(huán)烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基、環(huán)炔基、羧基和式(es-3)所示的基團(tuán)。-o-(cn’h2n’o)nx-cm’h2m’+1(es-3)[式中，n’、m’和nx各自獨(dú)立地表示1以上的整數(shù)。]ne3通常為0～10的整數(shù)，優(yōu)選為0～8的整數(shù)，更優(yōu)選為0～2的整數(shù)。ae1通常為1～10的整數(shù)，優(yōu)選為1～5的整數(shù)，更優(yōu)選為1或2。be1通常為0～10的整數(shù)，優(yōu)選為0～4的整數(shù)，更優(yōu)選為0或1。me1通常為1～5的整數(shù)，優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為0或1。在re3為-o-re3’的情況下，式(es-1)所示的基團(tuán)為下述所示的基團(tuán)。-o-re3’-{(qe1)ne3-ye1(me1)ae1(ze1)be1}me1re3優(yōu)選為烴基或雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為芳香族烴基。re3可具有的取代基可以舉出烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基和式(es-3)所示的基團(tuán)，優(yōu)選為式(es-3)所示的基團(tuán)。qe1優(yōu)選為亞烷基、亞芳基或氧原子，更優(yōu)選為亞烷基或氧原子。ye1優(yōu)選為-co2-、-so2-或po32-，更優(yōu)選-co2-。me1所示的堿金屬陽(yáng)離子例如可以舉出li+、na+、k+、rb+、cs+，優(yōu)選k+、rb+或cs+，更優(yōu)選cs+。me1所示的堿土金屬陽(yáng)離子例如可以舉出be2+、mg2+、ca2+、sr2+、ba2+，優(yōu)選mg2+、ca2+、sr2+或ba2+，更優(yōu)選ba2+。me1優(yōu)選堿金屬陽(yáng)離子或堿土金屬陽(yáng)離子，更優(yōu)選堿金屬陽(yáng)離子。ze1優(yōu)選為f-、cl-、br-、i-、oh-、b(re4)4-、re4so3-、re4coo-或no3-，優(yōu)選為f-、cl-、br-、i-、oh-、re4so3-或re4coo-。re4優(yōu)選為烷基。式(es-1)所示的基團(tuán)例如可以舉出下述式所示的基團(tuán)?！净?3】【化94】[式中，m+表示li+、na+、k+、cs+或n(ch3)4+。在m+存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]【化95】[式中，ne2表示1以上的整數(shù)。are2表示芳香族烴基或雜環(huán)基，這些基團(tuán)可以具有re2以外的取代基。re2表示式(es-2)所示的基團(tuán)。在re2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]-re5-{(qe2)ne4-ye2(me2)ae2(ze2)be2}me2(es-2)[式中，ne4表示0以上的整數(shù)，ae2表示1以上的整數(shù)，be2表示0以上的整數(shù)，me2表示1以上的整數(shù)。在ne4、ae2和be2存在有多個(gè)的情況下，它們各自可以相同也可以不同。需要說(shuō)明的是，在re5為單鍵的情況下，me2為1。另外，選擇ae2和be2使得式(es-2)所示的基團(tuán)的電荷為0。re5表示單鍵、烴基、雜環(huán)基或-o-re5’(re5’表示烴基或雜環(huán)基)，這些基團(tuán)可以具有取代基。qe2表示亞烷基、亞環(huán)烷基、亞芳基、氧原子或硫原子，這些基團(tuán)可以具有取代基。在qe2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。ye2表示-c+re62、-n+re63、-p+re63、-s+re62或-i+re62。re6表示氫原子、烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。存在的多個(gè)re6可以相同也可以不同。在ye2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。me2表示f-、cl-、br-、i-、oh-、b(re7)4-、re75o3-、re7coo-、bf4-、sbcl6-或sbf6-。re7表示烷基、環(huán)烷基或芳基，這些基團(tuán)可以具有取代基。在me2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。ze2表示堿金屬陽(yáng)離子或堿土金屬陽(yáng)離子。在ze2存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]ne2通常為1～4的整數(shù)，優(yōu)選為1或2。are2所示的芳香族烴基或雜環(huán)基優(yōu)選為從1，4-亞苯基、1，3-亞苯基、1，2-亞苯基、2，6-萘二基、1，4-萘二基、2、7-芴二基、3，6-芴二基、2，7-菲二基或2，7-咔唑二基除去與構(gòu)成環(huán)的原子直接鍵合的氫原子ne2個(gè)后的基團(tuán)，更優(yōu)選可以具有re2以外的取代基。are2可具有的re2以外的取代基與are1可具有的re1以外的取代基同樣。ne4通常為0～10的整數(shù)，優(yōu)選為0～8的整數(shù)，更優(yōu)選為0～2的整數(shù)。ae2通常為1～10的整數(shù)，優(yōu)選為1～5的整數(shù)，更優(yōu)選為1或2。be2通常為0～10的整數(shù)，優(yōu)選為0～4的整數(shù)，更優(yōu)選為0或1。me2通常為1～5的整數(shù)，優(yōu)選為1或2，更優(yōu)選為0或1。在re5為-o-re5’的情況下，式(es-2)所示的基團(tuán)為下述所示的基團(tuán)。-o-re5’-{(qe1)ne3-ye1(me1)ae1(ze1)be1}me1re5優(yōu)選為烴基或雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為芳香族烴基。re5可具有的取代基可以舉出烷基、環(huán)烷基、芳基、一價(jià)雜環(huán)基和式(es-3)所示的基團(tuán)，優(yōu)選為式(es-3)所示的基團(tuán)。qe2優(yōu)選為亞烷基、亞芳基或氧原子，更優(yōu)選為亞烷基或氧原子。ye2優(yōu)選為-c+re62、-n+re63、-p+re63或-s+re62，更優(yōu)選為-n+re63。re6優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，更優(yōu)選為氫原子或烷基。me2優(yōu)選為f-、cl-、br-、i-、b(re7)4-、re7so3-、re7coo-、bf4-或sbf6-更優(yōu)選為br-、i-、b(re7)4-、re7coo-或sbf6-。re7優(yōu)選為烷基。ze2所示的堿金屬陽(yáng)離子例如可以舉出li+、na+、k+、rb+、cs+，優(yōu)選為li+、na+或k+。ze2所示的堿土金屬陽(yáng)離子例如可以舉出be2+、mg2+、ca2+、sr2+、ba2+，優(yōu)選為mg2+或ca2+。ze2優(yōu)選為堿金屬陽(yáng)離子。式(es-2)所示的基團(tuán)例如可以舉出下述式所示的基團(tuán)?！净?6】【化97】[式中，x-表示f-、cl-、br-、i-、b(c6h5)4-、ch3coo-或cf3so3-。在x-存在有多個(gè)的情況下，它們可以相同也可以不同。]式(et-1)和式(et-2)所示的結(jié)構(gòu)單元例如可以舉出下述式(et-31)～式(et-34)所示的結(jié)構(gòu)單元?！净?8】【化99】電子傳輸層的高分子化合物可以依據(jù)例如日本特開2009-239279號(hào)公報(bào)、日本特開2012-033845號(hào)公報(bào)、日本特開2012-216821號(hào)公報(bào)、日本特開2012-216822號(hào)公報(bào)、日本特開2012-216815號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。[基板/電極]發(fā)光元件中的基板只要是可以形成電極且在形成有機(jī)層時(shí)不發(fā)生化學(xué)性變化的基板即可，例如由玻璃、塑料、硅等材料構(gòu)成的基板。不透明的基板的情況下，位置距基板最遠(yuǎn)的電極優(yōu)選為透明或半透明。陽(yáng)極的材料例如可以舉出導(dǎo)電性的金屬氧化物、半透明的金屬，優(yōu)選為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物等導(dǎo)電性化合物；銀與鈀與銅的復(fù)合體(apc)；nesa、金、鉑、銀、銅。陰極的材料例如可以舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；這些之中的2種以上的合金；這些之中1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金；以及石墨和石墨層間化合物。合金例如可以舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。陽(yáng)極和陰極各自可以為2層以上的層疊結(jié)構(gòu)。[用途]為了使用發(fā)光元件得到面狀的發(fā)光，以面狀的陽(yáng)極與陰極疊合的方式配置即可。為了得到圖案狀的發(fā)光，有在面狀的發(fā)光元件的表面設(shè)置設(shè)有圖案狀的窗的掩模的方法、使欲作為非發(fā)光部的層形成得極端厚而實(shí)質(zhì)上成為不發(fā)光的方法、以圖案狀形成陽(yáng)極或陰極、或者這兩種電極的方法。利用這些中的任一方法形成圖案，以能夠獨(dú)立進(jìn)行開關(guān)(on/off)的方式配置若干電極，由此可得到可以顯示數(shù)字、文字等的分段型的顯示裝置。為了形成點(diǎn)陣顯示裝置，將陽(yáng)極和陰極以共同形成條狀并正交的方式進(jìn)行配置即可。通過(guò)分別涂布多種的發(fā)光色不同的高分子化合物的方法、使用濾色器或熒光轉(zhuǎn)換過(guò)濾器的方法，能夠進(jìn)行部分彩色顯示、多色顯示。點(diǎn)陣顯示裝置也能夠進(jìn)行無(wú)源驅(qū)動(dòng)，也可以與tft等組合進(jìn)行有源驅(qū)動(dòng)。這些顯示裝置可以用于計(jì)算機(jī)、電視、便攜終端等的顯示器。面狀的發(fā)光元件可以適合地用作液晶顯示裝置的背光用的面狀光源、或者面狀的照明用光源。如果使用柔性的基板，則也可以用作曲面狀的光源和顯示裝置。實(shí)施例以下，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。本實(shí)施例中，高分子化合物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(mn)和聚苯乙烯換算的重均分子量(mw)通過(guò)尺寸排阻色譜法(sec)(島津制作所制、商品名：lc-10avp)求出。需要說(shuō)明的是，sec的測(cè)定條件如下所述。[測(cè)定條件]將待測(cè)定的高分子化合物以約0.05重量％的濃度溶于thf，向sec中注入10μl。使用thf作為sec的流動(dòng)相，以2.0ml/分鐘的流量流通。柱使用plgelmixed-b(polymerlaboratories制)。檢測(cè)器使用uv-vis檢測(cè)器(島津制作所制、商品名：spd-10avp)。本實(shí)施例中，nmr的測(cè)定以下述的方法進(jìn)行。使5～10mg的測(cè)定試料溶于約0.5ml的重氯仿(cdcl3)、重四氫呋喃(thf-d8)、重二甲亞砜(dmso-d6)、氘代丙酮(cd3-(c＝o)-cd3)、重n，n-二甲基甲酰胺(dmf-d7)、重甲苯(c6d5-cd3)、重甲醇(cd3od)、重乙醇(cd3cd2od)、重2-丙醇(cd3-cdod-cd3)或重二氯甲烷(cd2cl2)，使用nmr裝置(agilent制、商品名：inova300或mercury400vx)進(jìn)行測(cè)定。本實(shí)施例中，利用分光光度計(jì)(日本分光株式會(huì)社制、fp-6500)在室溫對(duì)磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)定。使用使磷光發(fā)光性化合物以約0.8×10-4重量％的濃度溶于二甲苯而成的二甲苯溶液作為試樣。激發(fā)光使用波長(zhǎng)325nm的uv光。<合成例b1～b6>化合物b1～b6的合成化合物b1依據(jù)美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2014/0151659號(hào)說(shuō)明書中記載的方法進(jìn)行合成?；衔颾2依據(jù)國(guó)際公開第2006/121811號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔颾3依據(jù)國(guó)際公開第2006/121811號(hào)和日本特開2013-048190號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔颾4依據(jù)美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2014/0151659號(hào)說(shuō)明書中記載的方法進(jìn)行合成?；衔颾5和b6依據(jù)日本特開2013-147551號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成?！净?00】【化101】<合成例b7>化合物b7的合成(合成例b7-1)化合物l1的合成【化102】使反應(yīng)容器內(nèi)成為氬氣氣氛后，加入化合物l1-a(5.75g)、吡啶(120ml)和化合物l1-b(13.5g)，在室溫?cái)嚢?6小時(shí)后，對(duì)所得到的反應(yīng)溶液進(jìn)行減壓濃縮由此得到白色固體。將所得到的白色固體加入水中后，進(jìn)行減壓過(guò)濾由此得到固體。將所得到的固體利用硅膠色譜(二氯甲烷)進(jìn)行純化，由此得到了化合物l1-c(14.4g、產(chǎn)率71％、白色固體)。1h-nmr(400mhz、cdcl3)：δ(ppm)＝8.06(t，1h)，7.83(d，1h)，7.69(d，1h)，7.38(t，1h)，7.31(m，1h)，7.17-7.10(m，3h)，2.28(m，6h).使反應(yīng)容器內(nèi)成為氬氣氣氛后，加入化合物l1-c(6.88g)和五氯化磷(4.64g)。向其中滴加磷酰氯(60ml)后，在加熱回流下攪拌16小時(shí)。之后，冷卻至室溫，對(duì)磷酰氯進(jìn)行減壓濃縮。之后，向其中加入2-丙醇(60ml)和化合物l1-d(48ml)，攪拌16小時(shí)。之后，向其中滴加12m的鹽酸，在加熱回流下攪拌20小時(shí)。之后，冷卻至室溫，過(guò)濾除去所析出的黑色固體。在所得到的濾液中加入氫氧化鈉水溶液而將ph設(shè)為12左右后，加入甲苯進(jìn)行萃取。對(duì)所得到的有機(jī)層進(jìn)行減壓濃縮，由此得到黑色油狀物。將所得到的黑色油狀物利用硅膠色譜(乙酸乙酯/二氯甲烷)進(jìn)行純化，由此得到了化合物l1-e(4.73g、產(chǎn)率64％、淡黃色粉末)。重復(fù)進(jìn)行該操作，由此得到所需量的化合物l1-e。1h-nmr(400mhz、cdcl3)：δ(ppm)＝7.69(t，1h)，7.36-7.25(m，3h)，7.17-7.14(m，3h)，7.03(t，1h)，6.93(d，1h)，1.96(s.6h).使反應(yīng)容器內(nèi)成為氬氣氣氛后，加入化合物l1-e(5.70g)、化合物l1-f(16.3g)、三苯基膦(0.91g)、甲苯(30ml)、乙醇(15ml)、2m的碳酸鈉水溶液(30ml)和雙(三苯基膦)二氯化鈀(ii)(0.61g)，在加熱回流下攪拌16小時(shí)。之后，冷卻至室溫，加入甲苯進(jìn)行萃取。將所得到的有機(jī)層利用離子交換水進(jìn)行洗滌后，進(jìn)行減壓濃縮由此得到固體。將所得到的固體利用硅膠色譜(乙酸乙酯/二氯甲烷)進(jìn)行純化，由此得到了化合物l1(9.93g、產(chǎn)率99％)。1h-nmr(400mhz、(cd3)2co-d6)δ(ppm)＝7.82(t，1h)，7.79(dt，1h)，7.75(m，1h)，7.70(m，4h)，7.60(m，4h)，7.52(t，1h)，7.50(d，2h)，7.46(t，1h)，7.30(d，1h)，7.28-7.20(m，3h)，7.18(d，1h)，2.00(s，6h)，1.39(s，18h).(合成例b7-2)化合物b7的合成【化103】使反應(yīng)容器內(nèi)成為氬氣氣氛后，加入化合物l1(1.5g)、氯化銥水合物(400mg)、2-乙氧基乙醇(36ml)和水(18ml)，在加熱回流下攪拌16小時(shí)。之后，冷卻至室溫，對(duì)所得到的反應(yīng)溶液進(jìn)行減壓濃縮。之后，向其中加入水(20ml)，過(guò)濾析出的黃綠色固體，將所得到的固體依次用水和甲醇進(jìn)行洗滌。對(duì)所得到的固體進(jìn)行減壓干燥，由此得到化合物b7-a(1.6g、黃綠色粉末)。使反應(yīng)容器內(nèi)成為氬氣氣氛后，加入化合物b7-a(1.6g)、三氟甲磺酸銀(310mg)、二氯甲烷(57ml)和甲醇(57ml)，在加熱回流下攪拌4小時(shí)。之后，冷卻至室溫，對(duì)溶劑進(jìn)行減壓濃縮。之后，向其中加入乙酰丙酮鈉(0.69g)和乙腈(100ml)，在加熱回流下攪拌16小時(shí)。之后，冷卻至室溫，對(duì)溶劑進(jìn)行減壓濃縮。之后，向其中加入二氯甲烷(100ml)，進(jìn)行過(guò)濾。對(duì)所得到的濾液進(jìn)行減壓濃縮由此得到褐色固體。將所得到的褐色固體利用硅膠柱色譜(二氯甲烷)進(jìn)行純化，由此得到了化合物b7(0.94g、產(chǎn)率57％、黃色粉末)。1h-nmr(400mhz、(cd3)2co-d6)：δ(ppm)＝7.64-7.59(m，10h)，7.56-7.53(m，8h)，7.47(s，6h)，7.42(d，2h)，7.35(d，4h)，7.33(d，2h)，7.04(dd，2h)，6.75(d，2h)，6.55(d，2h)，5.29(s，1h)，2.26(s，6h)，2.15(s，6h)，1.77(s，6h)，1.37(s，36h).化合物b1的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為474nm?；衔颾2的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為469nm。化合物b3的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為471nm。化合物b4的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為469nm?；衔颾5的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為475nm。化合物b6的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為450nm。化合物b7的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為492nm。<合成例g1和g2>化合物g1和g2的合成化合物g1依據(jù)日本特開2013-237789號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飃2根據(jù)國(guó)際公開第2004/026886號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?！净?04】化合物g1的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為508nm。化合物g2的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為518nm。<合成例r1～r3>化合物r1～r3的合成化合物r1根據(jù)國(guó)際公開第2002/44189號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飏2依據(jù)日本特開2006-188673號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飏3依據(jù)日本特開2006-188673號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成。【化105】化合物r1的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為617nm?；衔飏2的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為626nm?；衔飏3的發(fā)光譜的最大峰波長(zhǎng)為619nm。<合成例m1～m8>化合物m1～m8的合成化合物m1依據(jù)日本特開2010-189630號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飉2和化合物m3根據(jù)國(guó)際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飉4和化合物m5根據(jù)國(guó)際公開第2013/146806號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飉6根據(jù)國(guó)際公開第2002/045184號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飉7根據(jù)國(guó)際公開第2005/049546號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?；衔飉8根據(jù)國(guó)際公開第2011/049241號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成?！净?06】【化107】【化108】<合成例p1>高分子化合物hp-1的合成高分子化合物hp-1是使用化合物m1、化合物m2和化合物m3，依據(jù)國(guó)際公開第2013/191088號(hào)中記載的方法進(jìn)行合成的。高分子化合物hp-1的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(mn)和重均分子量(mw)為mn＝8.5×104、mw＝2.2×105。以由投入原料的量求出的理論值計(jì)，高分子化合物hp-1是由化合物m1衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物m2衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物m3衍生的結(jié)構(gòu)單元以50：26：24的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。<合成例p2>高分子化合物htl-1的合成(工序1)使反應(yīng)容器內(nèi)為非活性氣體氣氛后，加入化合物m4(1.07g)、化合物m5(0.198g)、化合物m6(0.919g)、二氯雙[三(2-甲氧基苯基)膦]鈀(1.8mg)和甲苯(50ml)，加熱至100℃。(工序2)在所得到的反應(yīng)液中滴加20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(8.7ml)，回流6小時(shí)。(工序3)之后，向其中加入2-乙基苯硼酸(60.0mg)、20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(8.7ml)和二氯雙[三(2-甲氧基苯基)膦]鈀(1.8mg)，回流16小時(shí)。(工序4)之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃攪拌2小時(shí)。將所得到的反應(yīng)液冷卻后，以3.6重量％鹽酸洗滌2次，以2.5重量％氨水洗滌2次，以水洗滌6次，將所得到的溶液滴加至甲醇中，結(jié)果產(chǎn)生了沉淀。使所得到的沉淀物溶于甲苯，依次利用氧化鋁柱、硅膠柱進(jìn)行通液，由此進(jìn)行純化。將所得到的溶液滴加至甲醇中，進(jìn)行攪拌，結(jié)果產(chǎn)生了沉淀。濾取所得到的沉淀物，進(jìn)行干燥，由此得到了1.14g的高分子化合物htl-1。高分子化合物htl-1的mn為3.6×104，mw為2.0×105。以由投入原料的量求出的理論值計(jì)，高分子化合物htl-1是由化合物m4衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物m5衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物m6衍生的結(jié)構(gòu)單元以40：10：50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。<合成例p3>高分子化合物htl-2的合成使反應(yīng)容器內(nèi)為氮?dú)鈿夥障潞?，加入化合物m1(1.73g)、化合物m7(2.68g)、化合物m8(0.223g)和甲苯(73ml)，加熱至約80℃。之后，向其中加入乙酸鈀(0.77mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(4.90mg)和20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(12.3g)，在回流下攪拌約4小時(shí)。之后，向其中加入苯硼酸(85.6mg)、乙酸鈀(0.72mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(4.89mg)和20重量％四乙基氫氧化銨水溶液(12.3g)，進(jìn)而在回流下攪拌約19.5小時(shí)。之后，向其中加入將n，n-二乙基二硫代氨基甲酸鈉三水合物(0.98g)溶于離子交換水(20ml)而成的溶液，一邊加熱至85℃一邊攪拌2小時(shí)。對(duì)于所得到的有機(jī)層，依次用3.6重量％鹽酸洗滌2次，用2.5重量％氨水洗滌2次，用離子交換水洗滌5次。將所得到的有機(jī)層滴加至甲醇中由此產(chǎn)生沉淀，進(jìn)行濾取、干燥，由此得到了固體。使所得到的固體溶于甲苯，向預(yù)先進(jìn)行過(guò)甲苯的通液的硅膠柱和氧化鋁柱中通液。將所得到的溶液滴加至甲醇中由此產(chǎn)生沉淀，進(jìn)行濾取，進(jìn)行干燥，由此得到了高分子化合物htl-2(2.91g)。高分子化合物htl-2的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(mn)和重均分子量(mw)為mn＝1.9×104、mw＝9.9×104。以由單體的投入量求出的理論值計(jì)，高分子化合物htl-2是由化合物m1衍生的結(jié)構(gòu)單元、由化合物m7衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物m8衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶42.5∶7.5的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。<合成例p4>高分子化合物et1的合成(高分子化合物et1a的合成)高分子化合物et1a是使用依據(jù)日本特開2012-33845號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物et1-1、以及依據(jù)日本特開2012-33845號(hào)公報(bào)中記載的方法合成的化合物et1-2，依據(jù)日本特開2012-33845號(hào)公報(bào)記載的合成方法進(jìn)行合成?！净?09】高分子化合物et1a的mn為5.2×104。以由投入原料的量求出的理論值計(jì)，高分子化合物et1a是由化合物et1-1衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物et1-2衍生的結(jié)構(gòu)單元以50∶50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。(高分子化合物et1的合成)使反應(yīng)容器內(nèi)為非活性氣體氣氛后，加入高分子化合物et1a(200mg)、四氫呋喃(20ml)和乙醇(20ml)，加熱至55℃。之后，向其中加入溶于水(2ml)的氫氧化銫(200mg)，在55℃攪拌6小時(shí)。之后，冷卻至室溫后，進(jìn)行減壓濃縮，由此得到了固體。將所得到的固體用水進(jìn)行洗滌后，進(jìn)行減壓干燥，由此得到了高分子化合物et1(150mg、淡黃色固體)。根據(jù)所得到的高分子化合物et1的nmr譜，確認(rèn)到來(lái)自高分子化合物et1a的乙基酯部位的乙基的信號(hào)完全消失。【化110】<合成例p5>高分子化合物et2的合成(工序1)使反應(yīng)容器內(nèi)為非活性氣體氣氛后，加入化合物et1-2(9.23g)、化合物m1(4.58g)、二氯雙(三鄰甲氧基苯基膦)鈀(8.6mg)、甲基三辛基氯化銨(sigma-aldrich公司制、商品名aliquat336(注冊(cè)商標(biāo)))(0.098g)和甲苯(175ml)，加熱至105℃。(工序2)之后，向其中滴加12重量％碳酸鈉水溶液(40.3ml)，回流29小時(shí)。(工序3)之后，向其中加入苯硼酸(0.47g)和二氯雙(三鄰甲氧基苯基膦)鈀(8.7mg)，回流14小時(shí)。(工序4)之后，向其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃攪拌2小時(shí)。將所得到的反應(yīng)液冷卻后，滴加至甲醇中，結(jié)果產(chǎn)生了沉淀。濾取沉淀物，用甲醇、水進(jìn)行洗滌后，進(jìn)行干燥，使所得固體溶于氯仿，依次通過(guò)預(yù)先進(jìn)行過(guò)氯仿的通液的氧化鋁柱和硅膠柱，由此進(jìn)行純化。將所得到的純化液滴加至甲醇中，進(jìn)行攪拌，結(jié)果產(chǎn)生沉淀。濾取沉淀物，進(jìn)行干燥，由此得到了高分子化合物et2a(7.15g)。高分子化合物et2a的mn為3.2×104、mw為6.0×104。以由投入原料的量求出的理論值計(jì)，高分子化合物et2a為由化合物et1-2衍生的結(jié)構(gòu)單元和由化合物m1衍生的結(jié)構(gòu)單元以50：50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物。(工序5)使反應(yīng)容器內(nèi)為氬氣氣氛下后，加入高分子化合物et2a(3.1g)、四氫呋喃(130ml)、甲醇(66ml)、氫氧化銫一水合物(2.1g)和水(12.5ml)，在60℃攪拌3小時(shí)。(工序6)之后，向其中加入甲醇(220ml)，攪拌2小時(shí)。對(duì)所得到的反應(yīng)混合物進(jìn)行濃縮后，滴加至異丙醇中，進(jìn)行攪拌，結(jié)果產(chǎn)生沉淀。濾取沉淀物，進(jìn)行干燥，由此得到了高分子化合物et2(3.5g)。根據(jù)高分子化合物et2的1h-nmr分析，高分子化合物et2中的乙基酯部位的信號(hào)消失，確認(rèn)反應(yīng)結(jié)束。以由高分子化合物et2a的投入原料的量求出的理論值計(jì)，高分子化合物et2是下述式所示的結(jié)構(gòu)單元和由化合物m1衍生的結(jié)構(gòu)單元以50：50的摩爾比構(gòu)成而成的共聚物?！净?11】高分子化合物et2的元素分析值為c，54.1重量％；h，5.6重量％；n，＜0.3重量％；cs，22.7重量％(理論值：c，57.29重量％；h，5.70重量％；cs，21.49重量％；o，15.52重量％)。<實(shí)施例d1>發(fā)光元件d1的制作和評(píng)價(jià)(發(fā)光元件d1的制作)(陽(yáng)極和空穴注入層的形成)在玻璃基板上通過(guò)濺射法以45nm的厚度賦予ito膜由此形成陽(yáng)極。在該陽(yáng)極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的aq-1200(plextronics公司制)通過(guò)旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛中，在加熱板上于170℃加熱15分鐘，由此形成空穴注入層。(空穴傳輸層的形成)使高分子化合物htl-1以0.7重量％的濃度溶于二甲苯。使用所得到的二甲苯溶液，在空穴注入層上通過(guò)旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩校诩訜岚迳嫌?80℃加熱60分鐘，由此形成空穴傳輸層。(發(fā)光層的形成)使低分子化合物hm-1(luminescensetechnology公司制)、化合物b2、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b2/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)以2.2重量％的濃度溶于甲苯。使用所得到的甲苯溶液，在空穴傳輸層上通過(guò)旋涂法以75nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩杏?50℃加熱10分鐘由此形成發(fā)光層。【化112】(電子傳輸層的形成)使高分子化合物et1以0.25重量％的濃度溶于2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液，在發(fā)光層上通過(guò)旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，?30℃加熱10分鐘由此形成電子傳輸層。(陰極的形成)將形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10-4pa以下后，作為陰極，在電子傳輸層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件d1。(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))對(duì)發(fā)光元件d1施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為11.2[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.26，0.47)。<實(shí)施例d2>發(fā)光元件d2的制作和評(píng)價(jià)使用低分子化合物hm-1、化合物b3、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b3/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)代替實(shí)施例d1中的低分子化合物hm-1、化合物b2、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b2/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)，除此以外與實(shí)施例d1同樣地進(jìn)行，得到了發(fā)光元件d2。對(duì)發(fā)光元件d2施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為10.4[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.26，0.48)。<比較例cd1>發(fā)光元件cd1的制作和評(píng)價(jià)使用低分子化合物hm-1、化合物b2、化合物g1和化合物r1(低分子化合物hm-1/化合物b2/化合物g1/化合物r1＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)代替實(shí)施例d1中的低分子化合物hm-1、化合物b2、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b2/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)，除此以外與實(shí)施例d1同樣地進(jìn)行，得到了發(fā)光元件cd1。對(duì)發(fā)光元件cd1施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為11.7[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.29，0.46)?！颈?8】<實(shí)施例d3>發(fā)光元件d3的制作和評(píng)價(jià)(發(fā)光元件d3的制作)(陽(yáng)極和空穴注入層的形成)在玻璃基板上通過(guò)濺射法以45nm的厚度賦予ito膜由此形成陽(yáng)極。在該陽(yáng)極上將作為聚噻吩·磺酸系的空穴注入劑的aq-1200(plextronics公司制)通過(guò)旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜，在大氣氣氛中，在加熱板上于170℃加熱15分鐘由此形成空穴注入層。(空穴傳輸層的形成)使高分子化合物htl-2以0.7重量％的濃度溶于二甲苯。使用所得到的二甲苯溶液，在空穴注入層上通過(guò)旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩校诩訜岚迳嫌?80℃加熱60分鐘，由此形成空穴傳輸層。(發(fā)光層的形成)使高分子化合物hp-1、化合物b1、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)以1.2重量％的濃度溶于甲苯。使用所得到的甲苯溶液，在空穴傳輸層上通過(guò)旋涂法以75nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，?50℃加熱10分鐘由此形成發(fā)光層。(電子傳輸層的形成)使高分子化合物et1以0.25重量％的濃度溶于2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液，在發(fā)光層上通過(guò)旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，?30℃加熱10分鐘由此形成電子傳輸層。(陰極的形成)將形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10-4pa以下后，作為陰極，在電子傳輸層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件d3。(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))對(duì)發(fā)光元件d3施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為8.0[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.25，0.35)。<比較例cd2>發(fā)光元件cd2的制作和評(píng)價(jià)設(shè)為“使高分子化合物hp-1、化合物b6、化合物g1和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b6/化合物g1/化合物r1＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)以1.3重量％的濃度溶于甲苯?！?，來(lái)代替實(shí)施例d3的(發(fā)光層的形成)中的“使高分子化合物hp-1、化合物b1、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)以1.2重量％的濃度溶于甲苯?！?，除此以外與實(shí)施例d3同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd2。對(duì)發(fā)光元件cd2施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為9.4[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.31，0.41)。<實(shí)施例d4>發(fā)光元件d4的制作和評(píng)價(jià)使用高分子化合物hp-1、化合物b1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物r2＝59.6重量％/40.0重量％/0.4重量％)代替實(shí)施例d3中的高分子化合物hp-1、化合物b1、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)，除此以外與實(shí)施例d3同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d4。對(duì)發(fā)光元件d4施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為7.8[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.26，0.31)。<比較例cd3>發(fā)光元件cd3的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b6和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b6/化合物r1＝59.6重量％/40.0重量％/0.4重量％)”代替比較例cd2中的“高分子化合物hp-1、化合物b6、化合物g1和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b6/化合物g1/化合物r1＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與比較例cd2同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd3。對(duì)發(fā)光元件cd3施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為11.7[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.50，0.32)。<比較例cd4>發(fā)光元件cd4的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b5和化合物r3(高分子化合物hp-1/化合物b5/化合物r3＝59.6重量％/40.0重量％/0.4重量％)”代替實(shí)施例d3中的“高分子化合物hp-1、化合物b1、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物g2/化合物r2-62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d3同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd4。對(duì)發(fā)光元件cd4施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為10.1[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.27，0.31)?！颈?9】<實(shí)施例d5>發(fā)光元件d5的制作和評(píng)價(jià)(發(fā)光元件d5的制作)(陽(yáng)極和空穴注入層的形成)在玻璃基板上通過(guò)濺射法以45nm的厚度賦予ito膜由此形成陽(yáng)極。在該陽(yáng)極上通過(guò)旋涂法將作為空穴注入材料的nd-3202(日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)制)以35nm的厚度進(jìn)行成膜。在大氣氣氛中，在加熱板上于50℃加熱3分鐘，進(jìn)而在230℃加熱15分鐘，由此形成空穴注入層。(空穴傳輸層的形成)使高分子化合物htl-2以0.7重量％的濃度溶于二甲苯。使用所得到的二甲苯溶液，在空穴注入層上通過(guò)旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，在加熱板上?80℃加熱60分鐘，由此形成空穴傳輸層。(發(fā)光層的形成)使高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)以1.2重量％的濃度溶于甲苯。使用所得到的甲苯溶液，在空穴傳輸層上通過(guò)旋涂法以75nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩校?50℃加熱10分鐘由此形成發(fā)光層。(電子傳輸層的形成)使高分子化合物et1以0.25重量％的濃度溶于2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液，在發(fā)光層上通過(guò)旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩校?30℃加熱10分鐘由此形成電子傳輸層。(陰極的形成)將形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10-4pa以下后，作為陰極，在電子傳輸層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件d5。(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))對(duì)發(fā)光元件d5施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為8.0[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.24，0.35)。<實(shí)施例d6>發(fā)光元件d6的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b1、化合物g2和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物g2/化合物r1＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d6。對(duì)發(fā)光元件d6施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為8.1[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.26，0.47)。<實(shí)施例d7>發(fā)光元件d7的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g2和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g2/化合物r1＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d7。對(duì)發(fā)光元件d7施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為7.1[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.28，0.48)。<實(shí)施例d8>發(fā)光元件d8的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b1、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d8。對(duì)發(fā)光元件d8施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為7.7[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.26，0.44)。<實(shí)施例d9>發(fā)光元件d9的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d9。對(duì)發(fā)光元件d9施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為7.4[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.28，0.45)。<比較例cd5>發(fā)光元件cd5的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b5、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b5/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd5。對(duì)發(fā)光元件cd5施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為9.1[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.29，0.47)。<比較例cd6>發(fā)光元件cd6的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b6、化合物g2和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b6/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd6。對(duì)發(fā)光元件cd6施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為10.1[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.35，0.52)。<比較例cd7>發(fā)光元件cd7的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b6、化合物g1和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b6/化合物g1/化合物r1＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd7。對(duì)發(fā)光元件cd7施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。6000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為10.8[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.33，0.42)。【表20】<實(shí)施例d10>發(fā)光元件d10的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b1/化合物r2＝59.6重量％/40.0重量％/0.4重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d10。對(duì)發(fā)光元件d10施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。1000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為6.3[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.31，0.32)。<實(shí)施例d11>發(fā)光元件d11的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b4和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物r2＝59.6重量％/40.0重量％/0.4重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d11。對(duì)發(fā)光元件d11施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。1000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為6.1[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.34，0.29)。<比較例cd8>發(fā)光元件cd8的制作和評(píng)價(jià)使用“高分子化合物hp-1、化合物b6和化合物r1(高分子化合物hp-1/化合物b6/化合物r1＝59.6重量％/40.0重量％/0.4重量％)”代替實(shí)施例d5中的“高分子化合物hp-1、化合物b4、化合物g1和化合物r2(高分子化合物hp-1/化合物b4/化合物g1/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d5同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件cd8。對(duì)發(fā)光元件cd8施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。1000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為8.7[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.48，0.31)。【表21】<實(shí)施例d12>發(fā)光元件d12的制作和評(píng)價(jià)(發(fā)光元件d12的制作)(陽(yáng)極和空穴注入層的形成)在玻璃基板上通過(guò)濺射法以45nm的厚度賦予ito膜由此形成陽(yáng)極。在該陽(yáng)極上將作為空穴注入材料的nd-3202(日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)制)通過(guò)旋涂法以35nm的厚度進(jìn)行成膜。在大氣氣氛中，在加熱板上于50℃加熱3分鐘，進(jìn)而在230℃加熱15分鐘，由此形成空穴注入層。(空穴傳輸層的形成)使低分子化合物htl-m1(luminescensetechnology公司制)以0.7重量％的濃度溶于氯苯。使用所得到的氯苯溶液，在空穴注入層上通過(guò)旋涂法以20nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，在加熱板上?80℃加熱60分鐘，由此形成空穴傳輸層?！净?13】(發(fā)光層的形成)使低分子化合物hm-1(luminescensetechnology公司制)、化合物b3、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b3/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)以1.2重量％的濃度溶于甲苯。使用所得到的甲苯溶液，在空穴傳輸層上通過(guò)旋涂法以75nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，?50℃加熱10分鐘由此形成發(fā)光層。(電子傳輸層的形成)使高分子化合物et2以0.25重量％的濃度溶于2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇。使用所得到的2，2，3，3，4，4，5，5-八氟-1-戊醇溶液，在發(fā)光層上通過(guò)旋涂法以10nm的厚度進(jìn)行成膜，在氮?dú)鈿夥罩?，?30℃加熱10分鐘由此形成電子傳輸層。(陰極的形成)將形成有電子傳輸層的基板在蒸鍍機(jī)內(nèi)減壓至1.0×10-4pa以下后，作為陰極，在電子傳輸層上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著在氟化鈉層上蒸鍍鋁約80nm。蒸鍍后，使用玻璃基板進(jìn)行密封，由此制作了發(fā)光元件d12。(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))對(duì)發(fā)光元件d12施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。1000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為6.3[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.34，0.45)。10000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為9.0[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.32，0.46)。<實(shí)施例d13>發(fā)光元件d13的制作和評(píng)價(jià)使用“低分子化合物hm-1、化合物b7、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b7/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”代替實(shí)施例d12中的“低分子化合物hm-1、化合物b3、化合物g2和化合物r2(低分子化合物hm-1/化合物b3/化合物g2/化合物r2＝62.05重量％/37.5重量％/0.25重量％/0.2重量％)”，除此以外與實(shí)施例d12同樣地進(jìn)行，制作了發(fā)光元件d13。(發(fā)光元件的評(píng)價(jià))對(duì)發(fā)光元件d13施加電壓由此觀測(cè)el發(fā)光。1000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為7.4[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.43，0.48)。10000cd/m2時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為11.4[v]、cie色度坐標(biāo)(x，y)為(0.38，0.50)?！颈?2】產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓低的發(fā)光元件的制造有用的組合物。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供含有該組合物的發(fā)光元件。當(dāng)前第1頁(yè)12