本實(shí)用新型涉及散熱
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種納米碳涂層散熱片。
背景技術(shù)：
：隨著電子器件大功率和微型化的發(fā)展趨勢(shì)，高效散熱已經(jīng)成為制約器件性能和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵瓶頸?，F(xiàn)有技術(shù)采用在電子器件表面通過(guò)導(dǎo)熱雙面膠或者其他粘一層散熱片實(shí)現(xiàn)散熱。現(xiàn)有技術(shù)中普遍的散熱片裸材、表面發(fā)黑處理；裸材及發(fā)黑只能帶來(lái)外觀上的美觀效果，而在散熱方面帶來(lái)不了提升效果；并且發(fā)黑處理對(duì)環(huán)境污染極大，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于散熱效率較低及表面涂層附著性能差，針對(duì)于工作頻率高CUP的電子產(chǎn)品，不能滿足該電子產(chǎn)品的散熱，電子產(chǎn)品的工作溫度較高，影響電子產(chǎn)品及電子元器件使用壽命與工作效率，并且表面發(fā)黑的散熱效果差，表面涂層工藝不環(huán)保，制造成本高的缺點(diǎn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種納米碳涂層散熱片，該納米碳涂層散熱片包括金屬層，在金屬層下表面的導(dǎo)熱雙膠面層，在金屬層上表面為載體層，在載體層上面還有一層碳納米管輻射層；該載體層將納米碳納米管輻射層與金屬層粘結(jié)一起，并將金屬層的熱量傳導(dǎo)到碳納米管輻射層，碳納米管輻射層通過(guò)紅外熱輻射和熱對(duì)流的雙重作用將電子器件的熱量帶走。該納米碳涂層散熱片尤其是針對(duì)現(xiàn)有輕薄的電子產(chǎn)品和在真空環(huán)境中使用的電子產(chǎn)品，可以在極小的密閉的空間環(huán)境中通過(guò)熱輻射進(jìn)行熱交換，提高電子產(chǎn)品的散熱效率，降低電子產(chǎn)品的CPU及整機(jī)的工作環(huán)境溫度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案：該納米碳涂層散熱片包括金屬層，在金屬層下表面的導(dǎo)熱雙膠面層，在金屬層上表面的載體層，在載體層上面還有一層碳納米管輻射層，其中載體層為超細(xì)碳管顆粒、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩(wěn)定劑的混合物層，該載體層將碳納米管輻射層與金屬層粘結(jié)一起，并將金屬層的熱量傳導(dǎo)到碳納米管輻射層；優(yōu)選的，金屬層為銅箔；優(yōu)選的，金屬層為鋁箔。優(yōu)選的，金屬層為銅鋁合金；優(yōu)選的，碳納米管的D50為4-15nm。優(yōu)選的，超細(xì)碳球顆粒的D50為0.1~0.3um。本實(shí)用新型有益效果是：該納米碳涂層散熱片采用金屬層與碳納米管輻射層結(jié)合的方式散熱。利用金屬高的熱導(dǎo)率，將芯片等器件熱量快速傳導(dǎo)到金屬層，并將熱量均勻化，為了更好實(shí)現(xiàn)熱傳遞，在金屬層下表面設(shè)置一層導(dǎo)熱雙面膠，將金屬層與芯片等器件緊密貼合，減小接觸熱阻。現(xiàn)有技術(shù)中散熱片能夠有效熱傳導(dǎo)，但是裸材及發(fā)黑的金屬散熱器難以將熱量散發(fā)出去，尤其是在密閉空間和真空環(huán)境中，通過(guò)載體層在金屬上表面粘結(jié)了一層具有高輻射特性的碳納米管輻射層，該碳納米管輻射層通過(guò)輻射和對(duì)流方式將熱量散發(fā)出去。尤其是針對(duì)密閉空間和真空環(huán)境中的熱對(duì)流缺失，通過(guò)熱輻射的作用更能將電子產(chǎn)品的CPU及整機(jī)內(nèi)部的工作環(huán)境溫度降低。附圖說(shuō)明圖1為該納米碳涂層散熱片結(jié)構(gòu)示意圖。圖例解釋?zhuān)?——碳納米管輻射層；2——載體層；3——金屬層；4——導(dǎo)熱雙面膠層。具體實(shí)施方式下面對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述：以下實(shí)施例中所用的碳納米管、超細(xì)碳球顆粒、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩(wěn)定劑均為滿足性能要求的市售產(chǎn)品。實(shí)施例1按D50為4-15nm的碳納米管、超細(xì)碳球顆粒的D50為0.1~0.3um、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩(wěn)定劑的重量比為5:50:30:6:2.5:2:4.5稱(chēng)取1000g原料，倒入攪拌機(jī)中混合均勻，用無(wú)間隙機(jī)將其熔融擠出，隨后用高速萬(wàn)能粉碎機(jī)將其粉碎，過(guò)篩即得到納米碳粉末涂料。在50um金屬銅箔3上，將納米碳粉末涂料均勻涂覆20-80um，形成混合粉末層，將其移至高溫烘箱中在160-220℃固化5-20分鐘，在重力的作用下環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑和消光劑、穩(wěn)定劑按等會(huì)沉降靠近金屬銅箔3一面形成載體層2，在載體層2的上表面會(huì)形成一層碳納米管層1，在固化后的復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬銅箔一面貼合導(dǎo)熱雙面膠4，即形成了該納米碳涂層散熱片，如圖1所示，在使用過(guò)程中導(dǎo)熱雙面膠4貼合在芯片、CPU等需要散熱的表面，通過(guò)導(dǎo)熱雙面膠4將熱量傳遞給金屬銅箔3，由于銅箔的高導(dǎo)熱率，將熱量迅速散開(kāi)，減小芯片的局部過(guò)熱，同時(shí)通過(guò)載體層2中的超細(xì)碳球顆粒等高導(dǎo)熱物質(zhì)將熱量傳遞給碳納米管輻射層1從而通過(guò)熱輻射和熱對(duì)流作用將熱量散失掉，降低芯片等器件的工作溫度。為了進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型納米碳涂層的散熱效果，選取一種品牌行車(chē)記錄儀；第一種方案在主板頻蔽罩上設(shè)置納米碳涂層散熱片，第二種方案分別在主板頻蔽罩上和主板設(shè)置納米碳涂層散熱片。在環(huán)境溫度為70℃測(cè)得數(shù)據(jù)如下：測(cè)試項(xiàng)目位置未涂覆納米碳涂層散熱片方案一方案二環(huán)境溫度70℃70.2℃70.1℃前屏溫度T192.1℃89.2℃85.3℃后殼溫度T280.5℃75℃74.8℃芯片溫度T393.2℃83.8℃82℃前屏降幅溫度T12.9℃6.8℃后殼降幅溫度T25.5℃5.7℃芯片降幅溫度T39.4℃11.2℃從上表中的數(shù)據(jù)對(duì)比可以看出，使用納米碳涂層能有效降低行車(chē)記錄儀溫度，降低了產(chǎn)品的整體溫度。實(shí)施例2按D50為4-15nm的碳納米管、超細(xì)碳球顆粒的D50為0.1~0.3um、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩(wěn)定劑的重量比為5:50:30:6:2.5:2:4.5稱(chēng)取1000g原料，倒入攪拌機(jī)中混合均勻，用無(wú)間隙機(jī)將其為熔融擠出，隨后用高速萬(wàn)能粉碎機(jī)將其粉碎，過(guò)篩即得到納米碳粉末涂料。在200um金屬鋁箔3上，將納米碳粉末涂料均勻涂覆20-80um，形成混合粉末層，將其移至高溫烘箱中在160-220℃固化5-20分鐘，在重力的作用下環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩(wěn)定劑等會(huì)沉降靠近金屬鋁箔3一面形成載體層2，在載體層2的上表面會(huì)形成一層碳納米管輻射層1，從何形成穩(wěn)定的從上到下的碳納米管輻射層1、載體層2和金屬鋁箔3復(fù)合結(jié)構(gòu)，在固化后的復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬鋁箔一面貼合導(dǎo)熱雙面膠4，即形成了該納米碳涂層散熱片，如圖1所示，在使用過(guò)程中導(dǎo)熱雙面膠4貼合在芯片、CPU等需要散熱的表面，通過(guò)導(dǎo)熱雙面膠4將熱量傳遞給金屬鋁箔3，由于鋁箔的高導(dǎo)熱率，將熱量迅速散開(kāi)，減小芯片的局部過(guò)熱，同時(shí)通過(guò)載體層2中的超細(xì)碳顆粒等高導(dǎo)熱物質(zhì)將熱量傳遞給碳納米管輻射層1從而通過(guò)熱輻射和熱對(duì)流作用將熱量散失掉，降低芯片等器件的工作溫度。為了進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型納米碳涂層的散熱效果，選取一種品牌機(jī)頂合；第一種方案在CPU芯片上粘貼納米碳涂層散熱片20*20mm納米碳鋁箔散熱片，第二種方案在芯片上粘貼一片為30*30mm納米碳鋁箔散熱片，在環(huán)境溫度為25℃測(cè)得數(shù)據(jù)如下：測(cè)試項(xiàng)目位置未涂覆納米碳涂層散熱片方案一方案二環(huán)境溫度25℃25.2℃24.9℃芯片溫度T188.5℃76℃69.9℃芯片溫度降幅T112.5℃18.6℃芯片溫度降幅比列T114.1%21%從上表中的數(shù)據(jù)對(duì)比可以看出，使用納米碳涂層能有效降低CPU芯片溫度，而且使用散熱片面積越大，輻射散熱效果越好。實(shí)施例3按D50為4-15nm的碳納米管、超細(xì)碳球顆粒的D50為0.1~0.3um、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑、消光劑和穩(wěn)定劑的重量比為5:50:30:6:2.5:2:4.5稱(chēng)取1000g原料，倒入攪拌機(jī)中混合均勻，用無(wú)間隙機(jī)將其為熔融擠出，隨后用高速萬(wàn)能粉碎機(jī)將其粉碎，過(guò)篩即得到納米碳粉末涂料。在1mm金屬合金3上，將納米碳粉末涂料均勻涂覆20-80um，形成混合粉末層，將其移至高溫烘箱中在160-220℃固化5-20分鐘，在重力的作用下環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸粘結(jié)劑、硅氧烷流平劑和消光劑、穩(wěn)定劑按等會(huì)沉降靠近金屬鋁箔3一面形成載體層2，在載體層2的上表面會(huì)形成一層碳納米管輻射層1，從而形成穩(wěn)定的從上到下的碳納米管輻射層1、載體層2和金屬合金層3復(fù)合結(jié)構(gòu)，在固化后的復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬合金一面貼合導(dǎo)熱雙面膠4，即形成了該納米碳涂層散熱片，如1所示，在使用過(guò)程中導(dǎo)熱雙面膠4貼合在芯片、CPU等需要散熱的表面，通過(guò)導(dǎo)熱雙面膠4將熱量傳遞給金屬合金層3，由于金屬合金的導(dǎo)熱率較高，能將芯片的熱量迅速散開(kāi)，減小芯片的局部過(guò)溫，同時(shí)通過(guò)載體層2中的超細(xì)碳管顆粒等高導(dǎo)熱物質(zhì)將熱量傳遞給碳納米管輻射層1從而通過(guò)熱輻射和熱對(duì)流作用將熱量散失掉，降低芯片等器件的工作溫度。為了進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型納米碳涂層的散熱效果，選取一種品牌路由器；第一種方案在CPU芯片上設(shè)置25*25mm的納米碳涂層散熱片，第二種方案在芯片上設(shè)置一片為40*40mm的納米碳涂層散熱片，在環(huán)境溫度為25℃測(cè)得數(shù)據(jù)如下：測(cè)試項(xiàng)目位置未涂覆納米碳涂層散熱片方案一方案二芯片溫度T183.8℃70.2℃65℃芯片溫度降幅T113.6℃18.8℃芯片溫度降幅比列T116.2%22.4%從上表中的數(shù)據(jù)對(duì)比可以看出，使用納米碳涂層散熱片能有效降低CPU芯片溫度，而且使用散熱片面積越大，輻射散熱效果越好。最后說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3