技術(shù)特征：

1.一種形成光致抗蝕劑浮雕圖像的方法，其包含：

a)在襯底上涂覆包含以下的涂料組合物層：

1)樹(shù)脂；和

2)包含式(I)結(jié)構(gòu)的交聯(lián)劑：

其中在式(I)中：

每個(gè)R獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的雜烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基，

其中至少一個(gè)R基團(tuán)不為氫；

R'和R”各自獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基或任選經(jīng)取代的雜烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基；和

b)在所述涂料組合物層上涂覆光致抗蝕劑組合物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述交聯(lián)劑組分具有至少400道爾頓的分子量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述交聯(lián)劑組分具有小于1500道爾頓的分子量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述交聯(lián)劑組分具有大于250℃的降解溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的方法，其中每一R基團(tuán)不為氫。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的方法，其中一或多個(gè)R基團(tuán)包含任選經(jīng)取代的碳脂環(huán)族部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述光致抗蝕劑組合物用活化輻射成像且所述成像的光致抗蝕劑組合物層經(jīng)顯影，得到光致抗蝕劑浮雕圖像。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述涂料組合物層在涂覆所述光致抗蝕劑組合物層之前經(jīng)熱處理。

9.一種經(jīng)涂布襯底，其包含：

襯底，其上具有：

a)包含以下的涂料組合物：

1)樹(shù)脂；和

2)交聯(lián)劑組分；

b)所述涂料組合物層上的光致抗蝕劑組合物層，

其中在與所述樹(shù)脂反應(yīng)之前的所述交聯(lián)劑組分包含式(I)結(jié)構(gòu)：

其中在式(I)中：

每個(gè)R獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的雜烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基，

其中至少一個(gè)R不為氫；

R'和R”各自獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基或任選經(jīng)取代的雜烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基。

10.一種包含式(I)結(jié)構(gòu)的交聯(lián)劑：

其中在式(I)中：

每個(gè)R獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的雜烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基，

其中至少一個(gè)R基團(tuán)不為氫；

R'和R”各自獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基或任選經(jīng)取代的雜烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基。