技術(shù)特征：

1.一種CMP用研磨液，用于對(duì)絕緣材料進(jìn)行研磨，所述CMP用研磨液含有滿足下述條件(A)和(B)的氧化鈰粒子、下述通式(1)所表示的4-吡喃酮系化合物、以及水，

條件(A)：所述氧化鈰粒子的平均粒徑R為大于或等于50nm且小于或等于300nm，

條件(B)：由使所述氧化鈰粒子為具有所述平均粒徑R的圓球狀粒子時(shí)該圓球狀粒子的比表面積S1和通過(guò)BET法測(cè)定的所述氧化鈰粒子的比表面積S2給出的圓球度S2/S1為小于或等于3.15，

[化1]

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自獨(dú)立地為氫原子或1價(jià)的取代基。

2.一種CMP用研磨液，用于對(duì)絕緣材料進(jìn)行研磨，所述CMP用研磨液含有滿足下述條件(A)和(B)的氧化鈰粒子、下述通式(1)所表示的4-吡喃酮系化合物、具有芳香環(huán)和聚氧化烯鏈的高分子化合物、陽(yáng)離子性聚合物、以及水，

條件(A)：所述氧化鈰粒子的平均粒徑R為大于或等于50nm且小于或等于300nm，

條件(B)：由使所述氧化鈰粒子為具有所述平均粒徑R的圓球狀粒子時(shí)該圓球狀粒子的比表面積S1和通過(guò)BET法測(cè)定的所述氧化鈰粒子的比表面積S2給出的圓球度S2/S1為小于或等于3.15，

[化2]

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自獨(dú)立地為氫原子或1價(jià)的取代基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CMP用研磨液，pH小于8.0。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的CMP用研磨液，CMP用研磨液中的所述氧化鈰粒子的界達(dá)電位為正。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的CMP用研磨液，所述4-吡喃酮系化合物為選自由3-羥基-2-甲基-4-吡喃酮、5-羥基-2-(羥甲基)-4-吡喃酮和2-乙基-3-羥基-4-吡喃酮組成的組中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的CMP用研磨液，其進(jìn)一步含有碳原子數(shù)2～6的飽和單羧酸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMP用研磨液，所述飽和單羧酸為選自由乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、戊酸、異戊酸、新戊酸、2-甲基丁酸、己酸、2-甲基戊酸、4-甲基戊酸、2,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、2,2-二甲基丁酸和3,3-二甲基丁酸組成的組中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的CMP用研磨液，其進(jìn)一步含有pH調(diào)節(jié)劑。

9.一種研磨方法，其為對(duì)表面具有絕緣材料的基板進(jìn)行研磨的研磨方法，所述研磨方法具備使用權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的CMP用研磨液對(duì)所述絕緣材料進(jìn)行研磨的工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨方法，所述基板的所述表面具有T字形狀或格子形狀的凹部或凸部。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的研磨方法，所述基板為具有存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體基板。