技術(shù)編號(hào):12165614
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CMP用研磨液和研磨方法。尤其是,本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體設(shè)備制造工序中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中使用的CMP用研磨液和使用該CMP用研磨液的研磨方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,伴隨著半導(dǎo)體設(shè)備的高性能化,在現(xiàn)有技術(shù)的延長(zhǎng)線上的微細(xì)化技術(shù)中,兼顧高集成化和高速化正逐漸達(dá)到極限。因此,作為推進(jìn)半導(dǎo)體元件的微細(xì)化同時(shí)在垂直方向上也進(jìn)行高集成化的技術(shù),開(kāi)發(fā)了將配線多層化的技術(shù)。制造配線經(jīng)多層化的半導(dǎo)體設(shè)備的工藝中,最重要的技術(shù)之一有CMP技術(shù)。CMP技術(shù)是使通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)等形成于基板上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。