該類型介質(zhì)特別用于具有基于ECB效應(yīng)的有源矩陣尋址的電光顯示器并用于IPS(平面內(nèi)切換)顯示器或FFS(邊緣場切換)顯示器。
電控雙折射,ECB效應(yīng)亦或DAP(配向相變形)效應(yīng)的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,"Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)發(fā)表了論文。
J.Robert和F.Clerc(SID 80Digest Techn.Papers(1980),30),J.Duchene(Displays 7(1986),3)以及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)的論文顯示液晶相必須具有高數(shù)值的彈性常數(shù)K3/K1比、高數(shù)值的光學(xué)各向異性△n和△ε≤-0.5的介電各向異性值以適用于基于ECB效應(yīng)的高信息顯示器元件?;贓CB效應(yīng)的電光學(xué)顯示器元件具有垂面邊緣配向(VA技術(shù)=垂直配向)。負(fù)介電液晶介質(zhì)也可用于使用所謂的IPS或FFS效應(yīng)的顯示器。
除了IPS(平面內(nèi)切換)顯示器(例如:Yeo,S.D.,論文15.3:"An LC Display for the TV Application",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.758&759)和長久已知的TN(扭轉(zhuǎn)向列)顯示器之外,使用ECB效應(yīng)的顯示器,如例如在MVA(多域垂直配向,例如:Yoshide,H.等,論文3.1:"MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,第6至9頁,和Liu,C.T.等,論文15.1:"A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第750至753頁)、PVA(圖案化垂直配向,例如:Kim,Sang Soo,論文15.4:"Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第760至763)、ASV(先進(jìn)超視角,例如:Shigeta,Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi,論文15.2:"Development of High Quality LCDTV",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第754至757頁)模式中的所謂的VAN(垂直配向向列)顯示器,自身已確立為當(dāng)今最重要的三種較新型液晶顯示器之一,特別是對于電視應(yīng)用而言。該技術(shù)以一般形式進(jìn)行比較,例如,在Souk,Jun,SID Seminar 2004,seminar M-6:"Recent Advances in LCD Technology",Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26,和Miller,Ian,SID Seminar 2004,seminar M-7:"LCD-Television",Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中。雖然現(xiàn)代ECB顯示器的響應(yīng)時間已通過在超速驅(qū)動下的尋址方法得以顯著改進(jìn),例如:Kim,Hyeon Kyeong等,論文9.1:"A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,第106至109頁,但獲得視頻兼容響應(yīng)時間,特別是在灰階切換的情況下,仍為尚未得到滿意解決的問題。
該效應(yīng)在電光顯示器元件中的工業(yè)應(yīng)用需要LC相,其必須滿足多種要求。此處尤為重要的是化學(xué)抗?jié)瘛⒖諝夂臀锢碛绊?,例如熱、紅外線、可見光和紫外輻射以及直流和交流電場。
此外,工業(yè)可用LC相需要在適合的溫度范圍和低粘度下具有液晶中間相。
迄今公開的具有液晶中間相的系列化合物均不包括符合全部這些要求的單一化合物。因此,通常制備2-25種,優(yōu)選3-18種化合物的混合物以獲得可用作LC相的物質(zhì)。然而,還沒有可能以該方式容易地制備最優(yōu)相,因為目前還沒有可用的具有顯著負(fù)介電各向異性和適當(dāng)長期穩(wěn)定性的液晶材料。
已知矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)。可用于單像素單轉(zhuǎn)換的非線性元件為,例如,有源元件(即晶體管)。隨后使用術(shù)語“有源矩陣”,其中以下兩種類型可存在區(qū)別:
1.位于硅晶片(作為基板)上的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管
2.位于玻璃板(作為基板)上的薄膜晶體管(TFT)。
在類型1的情況下,所用的電光效應(yīng)通常為動態(tài)散射或賓主效應(yīng)。使用單晶硅作為基板材料限制了顯示器的尺寸,因為多個部分顯示器的平滑模塊化裝配在接合處存在問題。
在更加有前景的類型2(其為優(yōu)選的)的情況下,所用的電光效應(yīng)通常為TN效應(yīng)。
兩種技術(shù)之間存在區(qū)別:包含化合物半導(dǎo)體,例如,CdSe的TFT,或基于多晶或無定形硅的TFT。后一技術(shù)正于全球范圍內(nèi)集中研發(fā)中。
TFT矩陣應(yīng)用于顯示器一個玻璃板的內(nèi)側(cè),同時另一個玻璃板于其內(nèi)側(cè)攜帶透明反電極。與像素電極的尺寸相比,TFT非常小并且對影像無實質(zhì)的不利影響。該技術(shù)也可擴(kuò)展至能全色可行(fully colour-capable)的顯示器,其中紅、綠和藍(lán)色過濾器的鑲嵌以如此方式設(shè)置以致過濾器元件相對于每個可轉(zhuǎn)換像素。
術(shù)語“MLC顯示器”在此處覆蓋具有集成非線性元件的任何矩陣顯示器,即除了有源矩陣外,還有具有無源元件的顯示器,例如可變電阻或二極管(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。
該類型MLC顯示器特別適用于TV應(yīng)用(例如袖珍TV)或用于汽車或飛行器構(gòu)造中的高信息顯示器。除了關(guān)于對比度的角度依賴性和響應(yīng)時間的問題之外,由于液晶混合物不足夠高的比電阻,MLC顯示器也存在問題[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,9月,1984:A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,第141頁,Paris;STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,9月,1984:Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,第145頁,Paris]。隨著電阻的降低,MLC顯示器的對比度變差。由于顯示器內(nèi)表面的相互作用,液晶混合物的比電阻通常在MLC顯示器的壽命下降,因而高(初始)電阻對于經(jīng)長期運行后必須具有可接受電阻值的顯示器而言非常重要。
因而仍然非常需要具有快速響應(yīng)時間同時具有寬工作溫度范圍和低閾值電壓的MLC顯示器,在其輔助下可產(chǎn)生多種灰階。
經(jīng)常使用的MLC-TN顯示器的缺點在于它們比較低的對比度、相對高的視角依賴性和難于在這些顯示器中產(chǎn)生灰階。
VA顯示器具有顯著更好的視角依賴性并因此主要用于電視和監(jiān)控器。然而,此處仍然需要改進(jìn)響應(yīng)時間,特別是對于具有大于60Hz幀速度(圖像改變頻率/重復(fù)率)的電視應(yīng)用。然而,必須同時不影響例如低溫穩(wěn)定性的性能。
本發(fā)明基于提供基于ECB效應(yīng)或IPS或FFS效應(yīng)的液晶混合物,特別是用于監(jiān)控器和TV應(yīng)用的液晶混合物的目的,所述液晶混合物不具有以上所述缺點,或僅具有減少程度的以上所述缺點。特別地,對于監(jiān)控器和電視而言必須確保它們也在非常高和非常低的溫度下工作并同時具有非常短的響應(yīng)時間和同時具有改進(jìn)的可靠性行為,特別是展示出長期運行后無圖像殘留或顯著降低的圖像殘留。
令人驚訝地,如果將式I的化合物用于液晶混合物,特別是具有負(fù)介電各向異性、優(yōu)選用于VA、IPS和FFS顯示器、此外用于PM(無源矩陣)-VA顯示器的LC混合物中,可降低旋轉(zhuǎn)粘度γ1和彈性常數(shù)K33的比(γ1/K33)和由此改進(jìn)響應(yīng)時間。
令人驚訝地,式I的化合物同時具有非常低的旋轉(zhuǎn)粘度和高的介電各向異性絕對值。因此可以制備具有非常短響應(yīng)時間、同時具有良好相性能和良好低溫行為的液晶混合物,優(yōu)選VA、IPS和FFS混合物。
因此本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1包含式I的化合物的的液晶介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選地展示出非常寬的向列相范圍、以及≥68℃、優(yōu)選≥70℃的清亮點、非常有利的電容閾值值、相對高的保持率值和同時非常良好的-20℃和-30℃下的低溫穩(wěn)定性、以及低的旋轉(zhuǎn)粘度值和短的響應(yīng)時間。此外,根據(jù)本發(fā)明的混合物的特征在于:除了改進(jìn)旋轉(zhuǎn)粘度γ1,還可觀察到相對高的彈性常數(shù)值K33以改進(jìn)響應(yīng)時間。
根據(jù)本發(fā)明混合物的一些優(yōu)選的實施方案闡述于下。
式I的化合物優(yōu)選以基于整個混合物以≥1wt%,優(yōu)選≥3wt%的量用于液晶介質(zhì)。特別優(yōu)選的是包含5-30wt%,非常特別優(yōu)選5-15wt%的式I的化合物的液晶介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)的優(yōu)選實施方案闡述于下:
a)額外包含一種或多種選自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物的液晶介質(zhì),
其中
R2A、R2B和R2C各自彼此獨立地表示H、具有最多15個C原子的烷基或烯基,其為未取代的、被CN或CF3單取代的或被鹵素至少單取代的,其中,在這些基團(tuán)中的一個或多個CH2基團(tuán)還可被-O-、-S-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O(shè)原子不彼此直接連接的方式替代,或具有3-6個C原子的環(huán)烷基,
L1-4各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2,
Z2和Z2’各自彼此獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CH=CHCH2O-,
p表示1或2,
q表示0或1,和
v表示1至6。
在式IIA和IIB化合物中,Z2可具有相同或不同的含義。在式IIB化合物中,Z2和Z2'可具有相同或不同的含義。
在式IIA、IIB和IIC的化合物中,R2A、R2B和R2C各自優(yōu)選表示具有1-6個C原子的烷基,特別是CH3、C2H5、n-C3H7、n-C4H9、n-C5H11。
在式IIA和IIB的化合物中,L1、L2、L3和L4優(yōu)選表示L1=L2=F和L3=L4=F,還有L1=F和L2=Cl,L1=Cl和L2=F,L3=F和L4=Cl,L3=Cl和L4=F。式IIA和IIB中Z2和Z2'優(yōu)選各自彼此獨立地表示單鍵、以及-C2H4-或-CH2O-橋。
如果,在式IIB中,Z2=-C2H4-或-CH2O-,則Z2'優(yōu)選為單鍵,或者如果Z2'=-C2H4-或-CH2O-,則Z2優(yōu)選為單鍵。在式IIA和IIB化合物中,(O)CvH2v+1優(yōu)選表示OCvH2v+1以及CvH2v+1。在式IIC化合物中,(O)CvH2v+1優(yōu)選表示CvH2v+1。在式IIC化合物中,L3和L4優(yōu)選各自表示F。
優(yōu)選的式IIA、IIB和IIC化合物闡述于下:
其中alkyl和alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基。
根據(jù)本發(fā)明的特別優(yōu)選的混合物包含一種或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIB-2、IIB-11、IIB-16和IIC-1的化合物。
整個混合物中式IIA和/或IIB化合物的比例優(yōu)選為至少20wt%。
根據(jù)本發(fā)明的特別優(yōu)選的介質(zhì)包含至少一種式IIC-1化合物,
其中alkyl和alkyl*具有以上所述含義,優(yōu)選量為>3wt%,特別是>5wt%和特別優(yōu)選5-25wt%。
b)額外包含一種或多種式III化合物的液晶介質(zhì),
其中
R31和R32各自彼此獨立地表示具有最多12個C原子的直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基,和
表示
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF=CF-。
優(yōu)選的式III化合物闡述于下:
其中
alkyl和alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含至少一種式IIIa和/或式IIIb的化合物。
在整個混合物中,式III化合物的比例優(yōu)選為至少5wt%。
c)額外包含一種或多種下式的四環(huán)化合物的液晶介質(zhì),
其中
R7-10各自彼此獨立地具有對于權(quán)利要求2中R2A所述含義之一,和
w和x各自彼此獨立地表示1至6。
特別優(yōu)選的是包含至少一種式V-9化合物的混合物。
d)額外包含一種或多種式Y(jié)-1至Y-6化合物的液晶介質(zhì),
其中R14-R19各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的烷基或烷氧基;z和m各自彼此獨立地表示1-6;x表示0、1、2或3。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)特別優(yōu)選包含一種或多種式Y(jié)-1至Y-6化合物,優(yōu)選量為≥5wt%。
e)額外包含一種或多種式T-1至T-21氟化三聯(lián)苯的液晶介質(zhì),
其中
R表示具有1-7個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有2-7個C原子的烯基,和m=0、1、2、3、4、5或6和n表示0、1、2、3或4。
R優(yōu)選表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選以2-30wt%,特別是5-20wt%的量包含式T-1至T-21的三聯(lián)苯。
特別優(yōu)選的是式T-1、T-2、T-20和T-21的化合物。在這些化合物中,R優(yōu)選表示烷基以及烷氧基,其各自具有1-5個C原子。在式T-20的化合物中,R優(yōu)選表示烷基或烯基,特別是烷基。在式T-21的化合物中,R優(yōu)選表示烷基。
如果混合物的△n值≥0.1,則三聯(lián)苯優(yōu)選在根據(jù)本發(fā)明的混合物中采用。優(yōu)選的混合物包含2-20wt%的一種或多種選自化合物T-1至T-21的三聯(lián)苯化合物。
f)額外包含一種或多種式B-1至B-4聯(lián)二苯的液晶介質(zhì),
其中
alkyl和alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基,
alkenyl和alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子的直鏈烯基,和
alkoxy表示具有1-6個C原子的直鏈烷氧基。
在整個混合物中,式B-1至B-4的聯(lián)二苯的比例優(yōu)選為至少3wt%,特別是≥5wt%。
在式B-1至B-4的化合物中,特別優(yōu)選式B-2的化合物。
特別優(yōu)選的聯(lián)二苯為
其中alkyl*表示具有1-6個C原子的烷基。根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)特別優(yōu)選包含一種或多種式B-1a和/或B-2c的化合物。
g)包含至少一種式Z-1至Z-7化合物的液晶介質(zhì),
其中
R表示具有1-7個C原子的直鏈烷基或烷氧基或具有2-7個C原子的烯基,
alkyl表示具有1-6個C原子的烷基,和
(O)alkyl表示烷基或O-烷基。
h)包含至少一種式O-1至O-17化合物的液晶介質(zhì),
其中R1和R2具有對于R2A所指明的含義,和式O-17的化合物與式I的化合物不相同。R1和R2優(yōu)選各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子的直鏈烷基或R1表示具有1-6個C原子的直鏈烷基和R2表示具有2-6個C原子的烯基。
優(yōu)選的介質(zhì)包含一種或多種式O-1、O-3、O-4、O-5、O-9、O-12、O-14、O-15、O-16和/或O-17的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的混合物非常特別優(yōu)選包含式O-9、O-12、O-16和/或O-17的化合物,特別地量為5-30wt%。
優(yōu)選的式O-9和O-17的化合物闡述于下:
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)特別優(yōu)選包含式O-9a和/或式O-9b的三環(huán)化合物以及一種或多種式O-17a至O-17d的雙環(huán)化合物。式O-9a和/或O-9b化合物以及一種或多種選自式O-17a至O-17d雙環(huán)化合物的化合物的總比例優(yōu)選為5-40%,非常特別優(yōu)選為15-35%。
非常特別優(yōu)選的混合物包含化合物O-9a和O-17a:
化合物O-9a和O-17a優(yōu)選以基于整個混合物15-35%,特別優(yōu)選15-25%和尤其優(yōu)選18-22%的濃度存在于混合物中。
非常特別優(yōu)選的混合物包含化合物O-9b和O-17a:
化合物O-9b和O-17a優(yōu)選以基于整個混合物15-35%,特別優(yōu)選15-25%和尤其優(yōu)選18-22%的濃度存在于混合物中。
非常特別優(yōu)選的混合物包含以下三種化合物:
化合物O-9a、O-9b和O-17a優(yōu)選以基于整個混合物15-35%,特別優(yōu)選15-25%和尤其優(yōu)選18-22%的濃度存在于混合物中。
此外,式O-17優(yōu)選的化合物為選自下式化合物的化合物
優(yōu)選在每種情況下,量為≥3wt%,特別是≥10wt%。
i)包含一種或多種式BA的化合物的液晶介質(zhì)
其中
alkenyl和alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2-12個C原子的直鏈烯基,
表示
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF=CF-。
優(yōu)選的式BA化合物闡述于下:
優(yōu)選的混合物包含5-60wt%,優(yōu)選10-55wt%,特別是20-50wt%的式O-17e的化合物。
液晶混合物優(yōu)選還包含化合物O-17e
和化合物O-17i
優(yōu)選總量為3-60wt%。
j)優(yōu)選的根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)包含一種或多種含有四氫化萘基或萘基單元的物質(zhì),例如式N-1至N-5的化合物,
其中R1N和R2N各自彼此獨立地具有對于R2A所述含義,優(yōu)選表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基,和
Z1和Z2各自彼此獨立地表示-C2H4-、-CH=CH-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-、-O(CH2)3-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2-或單鍵。
k)優(yōu)選的混合物包含一種或多種選自式BC的二氟二苯并色滿化合物、式CR的色滿、式PH-1和PH-2的氟化菲、式BF-1和BF-2的氟化二苯并呋喃,和式BS-1和BS-2的氟化二苯并噻吩的化合物,
其中
RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此獨立地具有R2A的含義。c為0、1或2。d為1或2。R1和R2優(yōu)選分別彼此獨立地表示具有1-6或2-6個C原子的烷基、烷氧基、烯基或烯基氧基。
根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選以3-20wt%的量,特別是以3-15wt%的量包含式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1和/或BS-2的化合物。
特別優(yōu)選的式BC、CR、BF和BS的化合物為化合物BC-1至BC-7和CR-1至CR-5,
其中
alkyl和alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個原子的直鏈烷基,
alkenyl和alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子的直鏈烯基,和
alkenyloxy表示具有2-6個C原子的直鏈烯基氧基。
非常特別優(yōu)選包含一種、兩種或三種式BC-2和/或BF-1a的化合物。
l)優(yōu)選的混合物包含一種或多種式In的茚化合物,
其中
R11、R12、R13分別各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子或2-6個C原子的直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基,
R12和R13額外表示鹵素,優(yōu)選F,
表示
i表示0、1或2。
優(yōu)選的式In的化合物為闡述于下的式In-1至In-16的化合物:
特別優(yōu)選的是式In-1、In-2、In-3和In-4的化合物。
式In和子式In-1至In-16的化合物優(yōu)選以≥5wt%,特別是5-30wt%和非常特別優(yōu)選5-25wt%的濃度在根據(jù)本發(fā)明的混合物中采用。
m)優(yōu)選的混合物額外包含一種或多種式L-1至L-11的化合物,
其中
R、R1和R2各自彼此獨立地具有在權(quán)利要求2中對于R2A所述含義,和alkyl表示具有1-6個C原子的烷基。s表示1或2。
特別優(yōu)選式L-1和L-4,特別是L-4的化合物。
式L-1至L-11化合物優(yōu)選以5-50wt%,特別是5-40wt%和非常特別優(yōu)選10-40wt%的濃度使用。
n)所述介質(zhì)額外地包含一種或多種式EY的化合物
其中
R1和R1*各自彼此獨立地具有在權(quán)利要求2中對于R2A所指明的含義,和
L1和L2各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2。
在式EY的化合物中,R1和R1*優(yōu)選表示具有≥2個C原子的烷氧基和L1=L2=F。特別優(yōu)選下式的化合物
o)所述介質(zhì)額外地包含一種或多種選自下式的化合物:
在式Q-1至Q-9的化合物中,RQ和XQ各自彼此獨立地具有權(quán)利要求2中R2A的含義。RQ和XQ優(yōu)選表示具有1-6個C原子,特別是具有2-5個C原子的直鏈烷基。
特別優(yōu)選的混合物概念闡述于下:(所用縮寫在表1-3和表A中解釋。此處n和m各自彼此獨立地表示1-6)。
根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選包含
-式I的化合物與一種或多種式O-17的化合物,優(yōu)選與化合物CCH-23,
和/或
-式I的化合物與CCH-25、CCH-34和/或CCH-35,
和/或
-CPY-n-Om,特別是CPY-2-O2、CPY-3-O2和/或CPY-5-O2,優(yōu)選濃度>5%,特別是10-30%,基于整個混合物,
和/或
-B-nO-Om,優(yōu)選濃度為1-15,
和/或
-CY-n-Om,優(yōu)選CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和/或CY-5-O4,優(yōu)選濃度為>5%,特別是15-50%,基于整個混合物,
和/或
-CCY-n-Om,優(yōu)選CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1和/或CCY-5-O2,優(yōu)選濃度為>5%,特別是10-30%,基于整個混合物,
和/或
-CLY-n-Om,優(yōu)選CLY-2-O4、CLY-3-O2和/或CLY-3-O3,優(yōu)選濃度>5%,特別是10-30%,基于整個混合物,
和/或
-CK-n-F,優(yōu)選CK-3-F、CK-4-F和/或CK-5-F,優(yōu)選>5%,特別是5-25%,基于整個混合物。
此外優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明的的混合物包含以下混合物概念:
(n和m各自彼此獨立地表示1-6。)
-CPY-n-Om和CY-n-Om,優(yōu)選濃度為10-80%,基于整個混合物,
和/或
-CPY-n-Om和CK-n-F,優(yōu)選濃度為10-70%,基于整個混合物,
和/或
-CPY-n-Om和PY-n-Om,優(yōu)選CPY-2-O2和/或CPY-3-O2和PY-3-O2,優(yōu)選濃度為10-40%,基于整個混合物,
和/或
-CPY-n-Om和CLY-n-Om,優(yōu)選濃度為10-80%,基于整個混合物,
和/或
-CC-3-V1,優(yōu)選量為3–15%
和/或
CC-V-V,優(yōu)選量為5–60%
和/或
CC-3-V,優(yōu)選量為5–60%
和/或
PGIY-n-Om,優(yōu)選量為3-15%,
和/或
CC-n-2V1,優(yōu)選量為3-20%。
此外本發(fā)明涉及基于ECB-、VA-、PS-VA、PVA-、PM-VA、SS-VA、IPS-、PS-IPS-、FFS效應(yīng),特別是UB-FFS或PS-FFS-效應(yīng)、具有有源矩陣尋址的電光顯示器,特征在于其含有根據(jù)權(quán)利要求1-14的一項或多項的液晶介質(zhì)作為電介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選具有≤-20℃至≥70℃的向列相,特別優(yōu)選≤-30℃至≥80℃,非常特別優(yōu)選≤-40℃至≥90℃。
表述“具有向列相”此處一方面意指于低溫下于相應(yīng)溫度下未觀察到近晶相和結(jié)晶和另一方面意指自向列相加熱未變得清亮。低溫研究在流動粘度計中、于相應(yīng)溫度下進(jìn)行并通過儲存于具有相應(yīng)于至少100小時電光用途的層厚度的測試盒中檢驗。如果-20℃溫度下相應(yīng)測試盒中的儲存能力為1000h或更多,則該介質(zhì)被稱為于該溫度下穩(wěn)定。在-30℃或-40℃的溫度下,相應(yīng)時間分別為500h或250h。高溫下,清亮點通過傳統(tǒng)方法于毛細(xì)管中測量。
液晶混合物優(yōu)選具有至少60K的向列相范圍和于20℃下最多30mm2·s-1的流動粘度ν20。
液晶混合物中雙折射值△n通常為0.07-0.16,優(yōu)選0.08-0.13。
根據(jù)本發(fā)明的液晶混合物具有-0.5至-8.0的△ε,特別是-2.5至-6.0,其中△ε表示介電各向異性。20℃下旋轉(zhuǎn)粘度γ1優(yōu)選為≤150mPa·s,特別是≤130mPa·s。
根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)具有相對低的閾值電壓值(V0)。其優(yōu)選范圍為1.7V-3.0V,特別優(yōu)選≤2.5V和非常特別優(yōu)選≤2.3V。
對于本發(fā)明,術(shù)語“閾值電壓”涉及電容閾值(V0),也稱作Freedericks閾值,除非另有明確說明。
另外,根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)具有液晶盒中高電壓保持率值。
通常,具有低尋址電壓或閾值電壓的液晶介質(zhì)展示出比具有更高尋址電壓或閾值電壓的那些更低的電壓保持率,反之亦然。
對于本發(fā)明,術(shù)語“正介電化合物”表示具有△ε>1.5的化合物,術(shù)語“中性介電化合物”表示其中-1.5≤△ε≤1.5的那些和術(shù)語“負(fù)介電化合物”表示具有△ε<-1.5的那些。此處,化合物的介電各向異性通過在至少一個測試盒中將10%的化合物溶于液晶主體并測定所得混合物的電容而測定,每種情況下測試盒具有20μm的層厚度并在1kHz下具有垂面和沿面表面取向。測量電壓通常為0.5V-1.0V,但總是低于所研究的各液晶混合物的電容閾值。
本發(fā)明所述全部溫度值以℃表示。
根據(jù)本發(fā)明的混合物適用于全部VA-TFT應(yīng)用,例如,VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物穩(wěn)定VA)、SS(表面穩(wěn)定化)-VA和PS-VA(聚合物穩(wěn)定化VA)。此外它們適用于具有負(fù)△ε的IPS(平面內(nèi)切換)和FFS(邊緣場切換),特別是UB-FFS。
在根據(jù)本發(fā)明的顯示器中的向列液晶混合物通常包含兩種成分A和B,它們由一種或多種單獨的化合物組成。
成分A具有顯著負(fù)的介電各向異性并給予向列相≤-0.5的介電各向異性。除了一種或多種式I的化合物,其優(yōu)選包含式IIA、IIB和/或IIC的化合物、以及式III的化合物。
成分A的比例優(yōu)選為45-100%,特別是60-100%。
對于成分A,優(yōu)選選擇具有△ε≤-0.8值的一種(或多種)單獨的化合物。在整個混合物中A的比例越小,則該值必須越負(fù)。
成分B具有顯著的向列性(nematogeneity)和20℃下不大于30mm2·s-1,優(yōu)選不大于25mm2·s-1的流動粘度。
本領(lǐng)域技術(shù)人員自文獻(xiàn)可知多種適合的物質(zhì)。特別優(yōu)選的是式III的化合物。
成分B中特別優(yōu)選的單個化合物為粘性非常低的向列性液晶,其于20℃下具有不大于18mm2·s-1的流動粘度,優(yōu)選不大于12mm2·s-1。
成分B為單向轉(zhuǎn)變或互相轉(zhuǎn)變向列相,不具有近晶相并在液晶混合物中降至非常低溫時能夠防止近晶相的出現(xiàn)。例如,如果在每種情況下將多種高向列性材料加入近晶液晶混合物,則這些材料的向列性可通過所實現(xiàn)近晶相的抑制程度來進(jìn)行比較。
混合物也可任選包含成分C,其包含具有△ε≥1.5介電各向異性的化合物。這些所謂的正性化合物通常以基于整個混合物≤20wt%的量存在于負(fù)介電各向異性混合物中。
如果根據(jù)本發(fā)明的混合物包含一種或多種具有△ε≥1.5介電各向異性的化合物,則這些優(yōu)選為一種或多種式P-1和/或P-2的化合物,
其中
R表示各自分別具有1或2至6個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烯基,和
X表示F、Cl、CF3、OCF3、OCHFCF3或CCF2CHFCF3,優(yōu)選F或OCF3。
式P-1和/或P-2化合物優(yōu)選以0.5-10wt%,特別是0.5-8wt%的濃度使用于根據(jù)本發(fā)明的混合物中。
特別優(yōu)選下式的化合物
其優(yōu)選以0.5-3wt%的量使用。
另外,這些液晶相也可包含大于18種成分,優(yōu)選18-25種成分。
除一種或多種式I的化合物之外,該相優(yōu)選還包含4-15種,特別是5-12種,和特別優(yōu)選<10種的式IIA、IIB和/或IIC和任選III的化合物。
除式I的化合物和式IIA、IIB和/或IIC以及任選的式III的化合物之外,也可存在其它成分,例如以最多整個混合物的45%,但優(yōu)選最多35%,特別是最多10%的量存在。
其它成分優(yōu)選選自向列型或向列性物質(zhì),特別是已知物質(zhì),來自氧化偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯(lián)二苯、三聯(lián)苯、苯基或環(huán)己基苯甲酸酯、苯基或環(huán)己基環(huán)己烷羧酸酯、苯基環(huán)己烷、環(huán)己基聯(lián)二苯、環(huán)己基環(huán)己烷、環(huán)己基萘、1,4-雙環(huán)己基聯(lián)二苯或環(huán)己基嘧啶、苯基-或環(huán)己基二氧雜環(huán)己烷、任選鹵化的均二苯代乙烯、芐基苯基醚、二苯乙炔和取代的肉桂酸酯。
適合作為該類型液晶相成分的最重要化合物可以式IV表征
R20-L-G-E-R21 IV
其中L和E各自表示選自1,4-二取代苯和環(huán)己烷環(huán)、4,4’-二取代聯(lián)二苯、苯基環(huán)己烷和環(huán)己基環(huán)己烷體系、2,5-二取代嘧啶和1,3-二氧雜環(huán)己烷環(huán)、2,6-二取代萘、二和四氫化萘、喹唑啉和四氫化喹唑啉的碳環(huán)或雜環(huán)體系,
G表示-CH=CH-、-N(O)=N-、-CH=CQ-、-CH=N(O)-、-C≡C-、-CH2-CH2-、-CO-O-、-CH2-O-、-CO-S-、-CH2-S-、-CH=N-、-COO-Phe-COO-、-CF2O-、-CF=CF-、-OCF2-、-OCH2-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-
或C-C單鍵,Q表示鹵素,優(yōu)選氯,或-CN,且R20和R21各自表示具有最多18個,優(yōu)選最多8個碳原子的烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基,或這些基團(tuán)之一還表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、SF5、OCF3、F、Cl或Br。
在這些化合物的大多數(shù)中,R20和R21彼此不同,這些基團(tuán)之一通常為烷基或烷氧基。所提出的取代基的其它變形也是常見的。許多該類物質(zhì)或其混合物為可商購的。全部這些物質(zhì)可通過文獻(xiàn)已知方法制備。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員不言而喻的是根據(jù)本發(fā)明的VA、IPS或FFS混合物也可包含其中例如H、N、O、Cl和F已被相應(yīng)的同位素替代的化合物。
可聚合化合物,所謂的反應(yīng)性介晶(RM),例如U.S.6,861,107中所公開的,可進(jìn)一步以基于混合物優(yōu)選0.01-5wt%,特別優(yōu)選0.2-2wt%的濃度加入至根據(jù)本發(fā)明的混合物中。這些混合物也可任選包含引發(fā)劑,如U.S.6,781,665中所描述的。引發(fā)劑,例如來自BASF的Irganox-1076,優(yōu)選以0-1%的量加入至包含可聚合化合物的混合物中。該類型混合物可用于所謂的聚合物穩(wěn)定化VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物穩(wěn)定VA),其中反應(yīng)性介晶的聚合意欲發(fā)生于液晶混合物中。前提是液晶混合物自身不包含任何可聚合成分,這些可聚合成分同樣在式M的化合物聚合的條件下聚合。
所述聚合優(yōu)選在以下條件下進(jìn)行:可聚合成分使用在限定時間和施加電壓下(通常10至30V交替電壓,頻率在60Hz至1kHz的范圍內(nèi))限定強(qiáng)度的UV-A燈在盒中聚合。所采用的UV-A燈源通常是具有50mW/cm2強(qiáng)度的金屬-鹵化物蒸汽燈或高壓汞燈。這些是其中例如含有烯基或烯基氧基側(cè)鏈的液晶化合物,例如下式的化合物不聚合的條件。
其中n=2、3、4、5或6,
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中,可聚合化合物選自式M的化合物
RMa-AM1-(ZM1-AM2)m1-RMb M
其中各基團(tuán)具有以下含義:
RMa和RMb各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基,其中基團(tuán)RMa和RMb的至少一個優(yōu)選表示或含有基團(tuán)P或P-Sp-,
P表示可聚合基團(tuán),
Sp表示間隔基團(tuán)或單鍵,
AM1和AM2各自彼此獨立地表示芳基、雜芳基、脂環(huán)基或雜環(huán)基,優(yōu)選具有4-25個環(huán)原子,優(yōu)選C原子,其也包括或可含有稠合環(huán),和其可任選被L單或多取代,
L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx)2、-C(=O)Y1、-C(=O)Rx、-N(Rx)2、任選取代的甲硅烷基、具有6-20個C原子的任選取代的芳基、或具有1-25個C原子的直鏈或支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基,其中,一個或多個H原子還可被F、Cl、P或P-Sp-替代,優(yōu)選P、P-Sp-、H、OH、CH2OH、鹵素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基,
Y1表示鹵素,
ZM1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-、-COO-、-OCO-CH=CH-、CR0R00或單鍵,
R0和R00各自彼此獨立地表示H或具有1-12個C原子的烷基,
Rx表示P、P-Sp-、H、鹵素、具有1-25個C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基,其中,另外,一個或多個不相鄰的CH2基團(tuán)可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O(shè)和/或S原子不彼此直接連接的方式替代,和其中,另外,一個或多個H原子可被F、Cl、P或P-Sp-替代、具有6-40個C原子的任選取代的芳基或芳氧基、或具有2-40個C原子的任選取代的雜芳基或雜芳氧基,
m1表示0、1、2、3或4和
n1表示1、2、3或4,
其中所存在的基團(tuán)RMa、RMb和取代基L的至少一個,優(yōu)選一個、兩個或三個,特別優(yōu)選一個或兩個表示基團(tuán)P或P-Sp-或含有至少一個基團(tuán)P或P-Sp-。
特別優(yōu)選的式M化合物為其中以下的那些
RMa和RMb各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF5或具有1-25個C原子的直鏈或支鏈烷基,其中,一個或多個不相鄰的CH2基團(tuán)還可各自彼此獨立地被-C(R0)=C(R00)-、-C≡C-、-N(R00)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O(shè)和/或S原子不彼此直接連接的方式替代,和其中,一個或多個H原子還可被F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-替代,其中基團(tuán)RMa和RMb的至少一個優(yōu)選表示或含有基團(tuán)P或P-Sp-,
AM1和AM2各自彼此獨立地表示1,4-亞苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、芴-2,7-二基、香豆素、黃酮,其中,這些基團(tuán)中的一個或多個CH基團(tuán)還可被N替代,環(huán)己烷-1,4-二基,其中,一個或多個不相鄰的CH2基團(tuán)還可被O和/或S替代,1,4-亞環(huán)己烯基、二環(huán)[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二環(huán)[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、茚-2,5-二基或八氫-4,7-橋亞甲基茚-2,5-二基,其中全部這些基團(tuán)可為未取代的或被L單或多取代,
L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx)2、-C(=O)Y1、-C(=O)Rx、-N(Rx)2、任選取代的甲硅烷基、具有6-20個C原子的任選取代的芳基、或具有1-25個C原子的直鏈或支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基,其中,一個或多個H原子還可被F、Cl、P或P-Sp-替代,
P表示可聚合基團(tuán),
Y1表示鹵素,
Rx表示P、P-Sp-、H、鹵素、具有1-25個C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基,其中,一個或多個不相鄰的CH2基團(tuán)還可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O(shè)和/或S原子不彼此直接連接的方式替代,和其中,一個或多個H原子還可被F、Cl、P或P-Sp-替代,具有6-40個C原子的任選取代的芳基或芳氧基、或具有2-40個C原子的任選取代的雜芳基或雜芳氧基。
非常特別優(yōu)選的是其中RMa和RMb之一或均表示P或P-Sp-的式M的化合物。
用于根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)和PS-VA顯示器或PSA顯示器的合適并優(yōu)選的RM例如選自下式:
其中各基團(tuán)具有以下含義:
P1和P2 各自彼此獨立地表示可聚合基團(tuán),優(yōu)選地具有上下文對于P所述含義之一,特別優(yōu)選丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧雜環(huán)丁基、乙烯氧基或環(huán)氧基,
Sp1和Sp2 各自彼此獨立地表示單鍵或間隔基團(tuán),優(yōu)選具有上下文對于Sp所述含義之一,和特別優(yōu)選-(CH2)p1-、-(CH2)p1-O-、-(CH2)p1-CO-O-或-(CH2)p1-O-CO-O-,其中p1為1-12的整數(shù),和其中在后提及的基團(tuán)中與相鄰環(huán)的連接經(jīng)由O原子發(fā)生,其中基團(tuán)P1-Sp1-和P2-Sp2-之一還可以表示Raa,
Raa 表示H、F、Cl、CN或具有1-25個C原子的直鏈或支鏈烷基,其中,一個或多個不相鄰的CH2基團(tuán)還可各自彼此獨立地被C(R0)=C(R00)-、-C≡C-、-N(R0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O(shè)和/或S原子不彼此直接連接的方式替代,和其中,一個或多個H原子還可被F、Cl、CN或P1-Sp1-替代,特別優(yōu)選具有1-12個C原子的直鏈或支鏈、任選單或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基(其中烯基和炔基具有至少兩個C原子和支鏈基團(tuán)具有至少三個C原子),
R0、R00 各自彼此獨立且每次出現(xiàn)時相同或不同地表示H或具有1-12個C原子的烷基,
Ry和Rz 各自彼此獨立地表示H、F、CH3或CF3,
ZM1 表示-O-、-CO-、-C(RyRz)-或-CF2CF2-,
ZM2和ZM3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-或-(CH2)n-,其中n為2、3或4,
L 在每次出現(xiàn)時相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1-12個C原子的直鏈或支鏈、任選單或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基,優(yōu)選F,
L'和L" 各自彼此獨立地表示H、F或Cl,
r 表示0、1、2、3或4,
s 表示0、1、2或3,
t 表示0、1或2,和
x 表示0或1。
合適的可聚合化合物列于例如表D中。
根據(jù)本申請的液晶介質(zhì)優(yōu)選包含總計0.1-10%,優(yōu)選0.2-4.0%,特別優(yōu)選0.2-2.0%的可聚合化合物。
特別優(yōu)選的是式M和式RM-1至RM-102的可聚合化合物。
根據(jù)本發(fā)明的混合物可進(jìn)一步包含常規(guī)添加劑,例如穩(wěn)定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、納米顆粒、微粒等。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)符合通常的幾何學(xué),如例如EP-A 0 240 379中所描述的。
以下實施例意欲解釋本發(fā)明而非對其進(jìn)行限制。上下文中,百分?jǐn)?shù)數(shù)據(jù)表示重量百分?jǐn)?shù);全部溫度以攝氏度表示。
貫穿本申請,1,4-亞環(huán)己環(huán)和1,4-亞苯基環(huán)描繪于下:
亞環(huán)己基環(huán)為反式-1,4-亞環(huán)己基環(huán)。
貫穿本專利申請和工作實施例,液晶化合物的結(jié)構(gòu)通過縮寫的方式表達(dá)。除非另有說明,依據(jù)表1-3轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)式。全部基團(tuán)CnH2n+1、CmH2m+1和Cm‘H2m‘+1或CnH2n和CmH2m為在每種情況下分別具有n、m、m‘或z個C原子的直鏈烷基基團(tuán)或烯基基團(tuán)。n,m,m‘,z各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12,優(yōu)選1、2、3、4、5或6。表1中編碼各化合物的環(huán)單元,表2中列出橋元和表3中指出了化合物左手側(cè)鏈或右手側(cè)鏈的符號含義。
表1:環(huán)單元
表2:橋元
表3:側(cè)鏈
除式IIA和/或IIB和/或IIC的化合物和一種或多種式I的化合物之外,根據(jù)本發(fā)明的混合物還優(yōu)選包含一種或多種來自以下所指出的表A的化合物。
表A
使用了以下縮寫:
(n,m,m’,z:各自彼此獨立地為1、2、3、4、5或6;
(O)CmH2m+1是指OCmH2m+1或CmH2m+1)
AIK-n-F
AIY-n-Om
AY-n-Om
B-nO-Om
B-n-Om
B(S)-nO-Om
B(S)-n-Om
CB(S)-n-(O)m
CB-n-m
CB-n-Om
PB-n-m
PB-n-Om
BCH-nm
BCH-nmF
CY(Cl,F)-n-Om
CCY-n-Om
CAIY-n-Om
CCY(F,Cl)-n-Om
CCY(Cl,F)-n-Om
CCY-n-m
CCY-V-m
CCY-Vn-m
CCY-n-OmV
CBC-nmF
CBC-nm
CCP-V-m
CCP-Vn-m
CCP-nV-m
CCP-n-m
CPYP-n-(O)m
CYYC-n-m
CCYY-n-(O)m
CCY-n-O2V
CCH-nOm
CY-n-m
CCH-nm
CC-n-V
CC-n-V1
CC-n-Vm
CC-2V-V2
CC-V-V
CC-V-V1
CVC-n-m
CC-n-mV
CCOC-n-m
CP-nOmFF
CH-nm
CEY-n-Om
CEY-V-n
CVY-V-n
CY-V-On
CY-n-O1V
CY-n-OC(CH3)=CH2
CCN-nm
CY-n-OV
CCPC-nm
CCY-n-zOm
CPY-n-Om
CPY-n-m
CPY-V-Om
CQY-n-(O)m
CQIY-n-(O)m
CCQY-n-(O)m
CCQIY-n-(O)m
CPQY-n-(O)m
CPQIY-n-(O)m
CPYG-n-(O)m
CCY-V-Om
CCY-V2-(O)m
CCY-1V2-(O)m
CCY-3V-(O)m
CCVC-n-V
CPYG-n-(O)m
CPGP-n-m
CY-nV-(O)m
CENaph-n-Om
COChrom-n-Om
COChrom-n-m
CCOChrom-n-Om
CCOChrom-n-m
CONaph-n-Om
CCONaph-n-Om
CCNaph-n-Om
CNaph-n-Om
CETNaph-n-Om
CTNaph-n-Om
CK-n-F
CLY-n-Om
CLY-n-m
LYLI-n-m
CYLI-n-m
LY-n-(O)m
COYOICC-n-m
COYOIC-n-V
CCOY-V-O2V
CCOY-V-O3V
COY-n-Om
CCOY-n-Om
D-nOmFF
PCH-nm
PCH-nOm
PGIGI-n-F
PGP-n-m
PGIY-n-Om
PP-n-m
PP-n-Om
PP-n-2V1
PP-n-mVk
PPGU-n-F
PYP-n-mV
PYP-n-m
PYP-n-Om
PPYY-n-m
YPY-n-m
YPY-n-mV
PY-n-Om
PY-n-m
PY-V2-Om
C-DFDBF-n-(O)m
COY-1V-Om
COY-V-Om
CCOY-V-Om
CCOY-1V-Om
B-n-m
DFDBC-n(O)-(O)m
Y-nO-Om
Y-nO-OmV
Y-nO-OmVm'
YG-n-Om
YG-nO-Om
YGI-n-Om
YGI-nO-Om
YY-n-Om
YY-nO-Om
YG-VnO-Om
YG-nO-OmV
YY-VnO-Om
根據(jù)本發(fā)明可使用的液晶混合物以本身常規(guī)的方式制備。通常,將以較小量使用的組分的所需量溶解在構(gòu)成主要成分的組分中,有利地在升高的溫度下進(jìn)行。也可以在有機(jī)溶劑中混合組分的溶液,所述有機(jī)溶劑例如為在丙酮、氯仿或甲醇中,并在充分混合之后再次移除溶劑,例如通過蒸餾。
通過合適的添加劑,根據(jù)本發(fā)明的液晶相以它們可在任意類型例如迄今已經(jīng)公開的ECB-、VAN-、IPS-、GH-或ASM-VA LCD-顯示器中使用的方式來改良。
電介質(zhì)也可進(jìn)一步包含本領(lǐng)域技術(shù)人員已知和描述于文獻(xiàn)中的添加劑,例如UV吸收劑、抗氧化劑、納米顆粒和自由基凈化劑。例如,可加入0-15%多色性染料、穩(wěn)定劑或手性摻雜劑。用于根據(jù)本發(fā)明混合物的合適穩(wěn)定劑特別為表B中所列的那些。
例如,可加入0-15%多色性染料以及可加入導(dǎo)電鹽,優(yōu)選乙基二甲基十二烷基4-己氧基苯甲酸銨、四丁基四苯基硼烷酸銨或冠醚的復(fù)合鹽(參見,例如,Haller等,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,Volume 24,pages 249-258(1973)),以改進(jìn)導(dǎo)電性或可加入物質(zhì)以改進(jìn)介電各向異性、粘性和/或向列相的配向。該類型物質(zhì)描述于,例如,DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430 和28 53 728中。
表B
表B顯示了通常加入根據(jù)本發(fā)明混合物的可能的摻雜劑。混合物優(yōu)選包含0-10wt%,特別是0.01-5wt%和特別優(yōu)選0.01-3wt%的摻雜劑。如果所述混合物僅包含一種摻雜劑,其以0.01-4wt%的量,優(yōu)選0.1-1.0wt%的量采用。
表C
可例如以0-10wt%的量加入根據(jù)本發(fā)明混合物的穩(wěn)定劑示于下。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)特別優(yōu)選包含770(雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯),優(yōu)選量為0.001-5wt%,基于液晶介質(zhì)。
表D
表D顯示了可優(yōu)選用作根據(jù)本發(fā)明的LC介質(zhì)中反應(yīng)性介晶化合物的示例化合物。如果根據(jù)本發(fā)明的混合物包含一種或多種反應(yīng)性化合物,則它們優(yōu)選以0.01-5wt%的量使用。也可能需要加入引發(fā)劑或兩種或更多種引發(fā)劑的混合物用于聚合。引發(fā)劑或引發(fā)劑混合物優(yōu)選以基于混合物0.001-2wt%的量加入。合適的引發(fā)劑例如為Irgacure(BASF)或Irganox(BASF)。
在優(yōu)選實施方案中,根據(jù)本發(fā)明的混合物包含一種或多種可聚合化合物,優(yōu)選選自式RM-1至RM-102的可聚合化合物。該類型介質(zhì)是適合的,特別是,適合用于PS-FFS和PS-IPS應(yīng)用。表D所示反應(yīng)性介晶之中,特別優(yōu)選化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99和RM-101。
此外,式M和式RM-1至RM-102的反應(yīng)性介晶或可聚合化合物適用作穩(wěn)定劑。在這種情況下,可聚合的化合物不聚合,而相反以>1%的濃度添加至液晶介質(zhì)。
工作實施例:
以下實施例意欲解釋本發(fā)明而非對其進(jìn)行限制。實施例中,m.p.表示熔點和C表示液晶物質(zhì)以攝氏度表示的清亮點;沸騰溫度表示為m.p。此外:C表示晶體固態(tài),S表示近晶相(指數(shù)表示相類型),N表示向列相,Ch表示膽甾相,I表示各向同性相,Tg表示玻璃轉(zhuǎn)變溫度。兩符號之間的數(shù)值表示以攝氏度表示的轉(zhuǎn)變溫度。
用于測定式I的化合物光學(xué)各向異性△n的主體混合物為商購混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介電各向異性△ε使用商購混合物ZLI-2857測定。待研究化合物的物理數(shù)據(jù)獲自主體混合物在加入待研究化合物之后介電常數(shù)的改變并外推至100%所用的化合物。通常,取決于溶解度,將10%待研究化合物溶于主體混合物。
除非另有說明,份數(shù)或百分?jǐn)?shù)數(shù)據(jù)表示以重量計的份數(shù)或以重量計的百分?jǐn)?shù)。
上下文中,符號和縮寫具有以下含義:
Vo 閾值電壓,電容性[V],20℃下,
△n 20℃和589nm下測量的光學(xué)各向異性
△ε 20℃和1kHz下的介電各向異性
cl.p. 清亮點[℃]
K1 彈性常數(shù),20℃下的“斜展”變形[pN]
K3 彈性常數(shù),20℃下的“彎曲”變形[pN]
γ1 20℃下測量的旋轉(zhuǎn)粘度[mPa·s],通過磁場中旋轉(zhuǎn)方法測定,
LTS 低溫穩(wěn)定性(向列相),測試盒中測定。
用于測量所述閾值電壓的顯示器具有間隔為20μm的兩個平面平行的外板和在外板的內(nèi)側(cè)頂部的具有包含SE-1211(Nissan Chemicals)的取向?qū)拥碾姌O層,其影響液晶的垂面取向。
除非另有明確說明,本申請中所有濃度涉及相應(yīng)的混合物或混合物組分。所有物理性質(zhì)根據(jù)“Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals”,Status November 1997,Merck KGaA,Germany測定,并應(yīng)用于20℃的溫度,除非另有說明。
混合物實施例
實施例M1
實施例M2
實施例M3
實施例M4
實施例M5
實施例M6
實施例M7
實施例M8
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M9
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M10
為了制備PS-VA混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
實施例M11
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M12
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M13
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M14
為了制備PS-VA混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
實施例M15
為了制備PS-VA混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M1的混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
實施例M16
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M17
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M18
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M19
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M20
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M21
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M22
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M23
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M2的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M24
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M3的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M25
為了制備PS-VA混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M3的混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
實施例M26
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M3的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M27
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M3的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M28
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M3的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M29
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M3的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M30
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M4的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M31
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M4的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M32
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M4的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M33
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M4的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M34
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M4的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M35
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M4的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M36
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M37
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M38
為了制備PS-VA混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.2%下式可聚合化合物混合
實施例M39
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M40
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M41
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M42
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M5的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M43
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M6的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M44
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M6的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M45
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M6的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M46
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M7的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M47
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M7的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M48
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M7的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M49
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M7的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M50
實施例M51
實施例M52
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M51的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M53
實施例M54
實施例M55
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M54的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M56
實施例M57
實施例M58
實施例M59
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M58的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M60
實施例M61
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M60的混合物與0.25%下式可聚合化合物混合
實施例M62
實施例M63
實施例M64
實施例M65
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M62的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M66
實施例M67
實施例M68
實施例M69
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M68的混合物與0.3%下式可聚合化合物混合
實施例M70
實施例M71
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M70的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M72
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M70的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M73
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M70的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合。
根據(jù)實施例M73的混合物優(yōu)選適用于PS-VA應(yīng)用,特別是2D和3D TV應(yīng)用。
以上提及的用于PS-VA應(yīng)用的混合物實施例當(dāng)然也適用于PS-IPS和PS-FFS應(yīng)用。
為了改進(jìn)可靠性,根據(jù)實施例M1至M69的混合物可以額外地使用一種或兩種選自以下提及的化合物a)至h)的穩(wěn)定劑穩(wěn)定:
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
其中在每種情況下,穩(wěn)定劑以0.01-0.04%的量加入,基于混合物。
實施例M74
實施例M75
實施例M76
實施例M77
實施例M78
實施例M79
實施例M80
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M60的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M81
實施例M82
實施例M83
實施例M84
實施例M85
實施例M86
實施例M87
實施例M88
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M87的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M89
實施例M90
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M89的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M91
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M89的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M92
實施例M93
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M6的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M94
實施例M95
實施例M96
實施例M95的混合物額外地包含0.001%的下式的化合物
實施例M97
實施例M98
根據(jù)實施例M97的混合物額外地使用0.01%的下式的化合物穩(wěn)定
實施例M99
實施例M100
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M99的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M101
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M77的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M102
實施例M103
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M102的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M104
實施例M105
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M102的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M106
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M7的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M107
實施例M108
實施例M109
實施例M108的混合物額外地包含0.001%的下式的化合物
實施例M110
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M109的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M111
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M108的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M112
實施例M113
實施例M114
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M113的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M115
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M70的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M116
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M113的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M117
實施例M118
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M117的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M119
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M117的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M120
實施例M121
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M120的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M122
實施例M123
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M122的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M124
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M122的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M125
實施例M126
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M125的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M127
實施例M128
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M127的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M129
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M127的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M130
實施例M131
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.99%的根據(jù)實施例M130的混合物與0.01%的下式的可聚合化合物混合
實施例M132
實施例M133
實施例M134
實施例M135
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M134的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M136
實施例M137
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M136的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M138
為了制備PS-VA混合物,將99.75%的根據(jù)實施例M136的混合物與0.25%的下式的可聚合化合物混合
實施例M139
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M136的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M140
實施例M141
根據(jù)實施例M140的混合物額外地包含0.03%的
實施例M142
實施例M143
實施例M144
實施例M145
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M144的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M146
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M144的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M147
實施例M148
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M147的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M149
實施例M150
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M149的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M151
實施例M152
實施例M153
為了制備PS-FFS混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M152的混合物與0.3%的下式可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M154
實施例M155
根據(jù)實施例M152的混合物額外地包含0.04%的下式化合物
以及0.02%的下式化合物
實施例M156
實施例M157
根據(jù)實施例M156的混合物額外地包含0.03%的下式的化合物
實施例M158
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M156的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物混合
實施例M159
實施例M160
實施例M161
根據(jù)實施例M160的混合物額外地包含0.03%的下式化合物
實施例M162
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M160的混合物與0.3%的下式可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合。
實施例M163
實施例M164
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M163的混合物與0.3%的下式可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合。
實施例M165
根據(jù)實施例M163的混合物額外地包含0.03%的下式化合物
實施例M166
實施例M167
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M166的混合物與0.3%的下式可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M168
實施例M169
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.99%的根據(jù)實施例M168的混合物與0.01%的下式可聚合化合物混合。
實施例M169
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M168的混合物與0.3%的下式可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合。
實施例M170
實施例M171
實施例M172
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.99%的根據(jù)實施例M171的混合物與0.1%的下式的可聚合化合物混合
實施例M173
實施例M174
實施例M175
實施例M176
實施例M177
實施例M178
實施例M179
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M173的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M180
實施例M181
實施例M182
實施例M183
實施例M184
實施例M185
實施例M186
實施例M187
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M186的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M188
實施例M189
實施例M190
實施例M191
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M190的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M192
實施例M193
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M192的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M194
實施例M195
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M194的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M196
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M194的混合物與0.2%的下式的可聚合化合物混合
實施例M197
實施例M198
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M197的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M199
為了制備聚合物穩(wěn)定的LC混合物,將99.8%的根據(jù)實施例M197的混合物與0.2%的下式的可聚合化合物混合
實施例M200
根據(jù)實施例M188的混合物額外地包含0.03%的下式的化合物
實施例M201
根據(jù)實施例M188的混合物額外地包含0.04%的下式的化合物
以及0.02%的下式的化合物
實施例M202
根據(jù)實施例M99的混合物額外地包含0.03%的下式的化合物
實施例M203
根據(jù)實施例M99的混合物額外地包含0.04%的下式的化合物
以及0.02%的下式的化合物
實施例M204
實施例M205
根據(jù)實施例M204的混合物額外地包含0.03%的下式的化合物
實施例M206
實施例M207
實施例M208
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M207的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M209
實施例M210
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M209的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合
實施例M211
為了制備PS-VA混合物,將99.7%的根據(jù)實施例M151的混合物與0.3%的下式的可聚合化合物以及0.001%的Irganox-1076(BASF)混合