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用于高頻技術(shù)的介晶化合物、液晶介質(zhì)和部件的制作方法

文檔序號(hào):3781572閱讀:132來源:國知局
用于高頻技術(shù)的介晶化合物、液晶介質(zhì)和部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含組分A的液晶介質(zhì),所述組分A由一種或多種式X的化合物組成,其中參數(shù)具有在權(quán)利要求書中或者文中給出的含義,以及涉及相應(yīng)的新型介晶化合物及其制備方法。同樣地,本發(fā)明涉及這些液晶介質(zhì)的用途,特別是在用于高頻技術(shù)的部件中的用途,并涉及含有根據(jù)本發(fā)明介質(zhì)的這類部件,以及涉及這些部件的生產(chǎn)和用途。根據(jù)本發(fā)明的部件特別適用于在微波和毫米波區(qū)域中的移相器,用于微波和毫米波陣列天線并非常特別用于所謂的可調(diào)諧“反射陣列”。
【專利說明】用于高頻技術(shù)的介晶化合物、液晶介質(zhì)和部件
發(fā)明領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶介質(zhì),特別是用于高頻技術(shù)、尤其是用于高頻器件的部件的液晶介質(zhì),所述器件特別是天線、尤其是用于千兆赫茲區(qū)域和萬億赫茲區(qū)域的,其在微米波或毫米波區(qū)域操作。這些部件使用特別的介晶、優(yōu)選液晶的化合物或者由其構(gòu)成的液晶介質(zhì),例如用于可調(diào)諧相控陣天線或者基于“反射陣列”的微波天線的可調(diào)諧單元(Zellen)的微波的相位移。此外,本發(fā)明涉及新型介晶化合物。
[0002]現(xiàn)有技術(shù)和待解決的技術(shù)問題
[0003]長期以來已經(jīng)將液晶介質(zhì)用于電光顯示器(IXD)中以顯示信息。
[0004]在中心亞苯基環(huán)上具有額外的烷基取代的、亦稱為三苯基二乙炔的雙二苯乙炔(Bistolan-)化合物,已充分為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知。
[0005]例如,ffu,S.-T.,Hsu,C.-S.和 Shyu,K.-F.,Appl.Phys.Lett.,74(3),(1999),第
344-346頁公開了下式的各種具有側(cè)甲基的液晶雙二苯乙炔化合物:
[0006]
【權(quán)利要求】
1.液晶介質(zhì),特征在于,它包含組分A,所述組分A包含一種或多種式X的化合物,
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶介質(zhì),特征在于,所述組分A包含一種或多種選自式X-1和Χ-2化合物的化合物
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,其包含組分F,所述組分F包含一種或多種式I的化合物
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,所述組分A包含一種或多種選自式1-1至1-4化合物的化合物
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,所述組分F包含一種或多種如權(quán)利要求4所述的式1-2和/或1-3和/或式1-4的化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,所述組分F包含一種或多種如權(quán)利要求4所述的式1-1的化合物,其中X11表示H。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,所述組分F包含一種或多種如權(quán)利要求4所述的式1-1的化合物,其中X11表示F。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,除了組分A之外,它額外包含一種或多種選自下列組分,組分B至E的組分: -強(qiáng)介電正性組分,組分B,其具有10或者更大的介電各向異性, -強(qiáng)介電負(fù)性組分,組分C,其具有5或者更大的介電各向異性, -組分D,其具有在大于-5.0至小于10.0范圍內(nèi)的介電各向異性并且由具有7個(gè)或更多個(gè)五元或六元環(huán)的化合物組成,和 -組分E,其同樣具有在大于-5.0至小于10.0范圍內(nèi)的介電各向異性并且由具有最多6個(gè)五元或六元環(huán)的化合物組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的液晶介質(zhì),特征在于,它包含組分B。
10.根據(jù)權(quán)利要求8和9至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,它包含組分D。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì),特征在于,它包含一種或多種式VI的化合物

12.制備根據(jù)權(quán)利要求1至11的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)的方法,特征在于,將一種或多種如權(quán)利要求1所述的式X化合物與一種或多種其它化合物和/或與一種或多種添加劑混合。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至11的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)在用于高頻技術(shù)的部件中的用途。
14.用于高頻技術(shù)的部件,特征在于,它含有根據(jù)權(quán)利要求1至11的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)。
15.微波天線陣列,特征在于,它包含一個(gè)或多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求14的部件。
16.用于調(diào)諧微波天線陣列的方法,特征在于,將根據(jù)權(quán)利要求14的部件電尋址。
17.式X的化合物
18.制備式X的化合物的方法
19.式X的化合物在液晶混合物中的用途,
【文檔編號(hào)】C09K19/18GK103443245SQ201280014523
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2012年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月24日
【發(fā)明者】真邊篤孝, C·雅斯佩, V·賴芬拉特, E·蒙特內(nèi)格羅, D·保盧特, D·克拉斯 申請人:默克專利股份有限公司
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