專利名稱：一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化學(xué)機械拋光(CMP)領(lǐng)域，特別涉及一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液。
背景技術(shù)：
硅晶片是集成電路(IC)的主要襯底，隨著集成電路集成度的不斷提高，特征尺寸的不斷減小，對硅晶片的加工精度和表面質(zhì)量的要求越來越高。目前，利用化學(xué)機械拋光(CMP)技術(shù)對硅晶片表面進(jìn)行平坦化處理，已成為集成電路制造技術(shù)進(jìn)入深亞微米以后技術(shù)時代必不可少的工藝步驟之一，國內(nèi)外已相繼公開了一批相關(guān)專利技術(shù)，如EP0371147B1、US5352277、CN101671528A、CN102061131A。傳統(tǒng)的CMP系統(tǒng)由以下三部分組成旋轉(zhuǎn)的硅晶片夾持裝置、承載拋光墊的工作臺、拋光液(漿料)供應(yīng)系統(tǒng)。拋光時，旋轉(zhuǎn)的硅晶片以一定的壓力施于隨工作臺一起旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光液在娃晶片與拋光墊之間流動，并在娃晶片表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，娃晶片表面形成的化學(xué)反應(yīng)物由磨料的機械摩擦作用去除。在化學(xué)成膜與機械去膜的交替過程中，通過化學(xué)與機械的共同作用從硅晶片表面去除極薄的一層材料，最終實現(xiàn)超精密表面加工。通常，在工業(yè)中為了實現(xiàn)硅晶片的拋光加工精度，達(dá)到集成電路硅晶片要求的技術(shù)指標(biāo)，需進(jìn)行二步化學(xué)機械拋光(CMP)(粗拋光和精拋光)，在對硅晶片表面進(jìn)行分步化學(xué)機械拋光時，每步拋光所使用的拋光液及相應(yīng)的拋光工藝條件均有所不同，所對應(yīng)的硅晶片各步所要達(dá)到的加工精度也不同。在粗拋光步驟中，除去硅晶片切割和成形殘留下的表面損傷層，加工成鏡面，最后通過對硅晶片進(jìn)行精拋光，從而最大程度上降低表面粗糙度及其他自由微小缺陷。在實際生產(chǎn)中，硅晶片的最終精拋光是表面質(zhì)量的決定性步驟，在精拋光過程中易產(chǎn)生拋光霧和劃痕等缺陷，而產(chǎn)生這些缺陷的原因之一就是顆粒的沉積。顆粒的沉積導(dǎo)致拋光霧和劃痕的產(chǎn)生，引起圖形缺陷、外延缺陷、影響布線的完整性，是高成品率的最大障礙，特別是在硅晶片鍵合時，引入微隙，同時也引起位錯，影響鍵合強度和表層質(zhì)量。因此，有效控制顆粒沉積是檢驗硅晶片精拋光液的重要指標(biāo)之一。目前，通過較好的清洗工藝可以將大部分殘留在硅晶片表面的亞微米和納米顆粒去除，但仍有一些在拋光過程中形成的“頑固”顆粒(一般為小于500nm的顆?；蝾w粒團)無法通過清洗徹底去除。因此，若在拋光過程中就對顆粒殘留進(jìn)行控制，再經(jīng)過后續(xù)清洗過程，沉積在硅晶片表面的顆粒就有希望徹底去除。本發(fā)明的硅晶片精拋光組合液能夠?qū)⒊练e顆粒的大小控制在IOOnm以內(nèi)，并同時實現(xiàn)表面質(zhì)量高，表面粗糙度低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)中硅晶片精拋光液在拋光過程中顆粒沉積的難題，提出了一種拋光娃晶片表面精度聞，顆粒殘留少的娃晶片精拋光組合液。為了實現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明采用了膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒，含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，這些組分有效的抑制了顆粒的沉積，提高了拋光后硅晶片表面的精度和質(zhì)量。本發(fā)明的ー種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液，包括膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒、含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑、堿性化合物、表面活性劑和去離子水；該精拋光組合液的pH值為8 12。本發(fā)明的精拋光組合液的組分配比為
膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒2 13wt%
含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑0. 002 0. 5wt%
堿性化合物0. 5 4wt%
表面活性劑0. 002-0. 5wt%
去離子水余量；所述的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒的兩者比例為12 400: I。所述的膠體ニ氧化硅的平均粒徑為18 80nm。所述的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒的水溶性聚合物為瓜爾膠、黃原膠、海藻酸鈉、羧甲基淀粉、醋酸纖維素、羧甲基纖維素、磺酸こ基纖維素、羧甲基羥こ基纖維素、甲基纖維素、羧こ基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羥丁基甲基纖維素、羥こ基纖維素、脂類改性的羥こ基纖維素或脂類改性的羥丙基纖維素中的ー種或幾種。所述的所述含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑為，聚こ烯醇、聚こ烯醇與聚苯こ烯嵌段共聚物、聚こニ醇、聚氧化こ烯、聚氧化こ烯和環(huán)氧こ烷-環(huán)氧丙烷嵌段共聚物、聚丙烯酸、甲基胺、ニ甲基胺、三甲基胺、こ基胺、ニこ基胺、三こ基胺、異丙醇胺、四こ基胺、ニこ基三胺、三こ基四肢、羥こ基こニ胺、六亞甲基ニ胺、ニ亞こ基三胺、三亞こ基四肢、こ醇胺、ニこ醇胺、三こ醇胺中的ー種或幾種。所述的堿性化合物為，氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉、氨水、氨基丙醇、四甲基氫氧化銨、四こ基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三甲基羥こ基氫氧化銨、ニ甲基ニ羥こ基氫氧化銨、無水哌嗪或六水哌嗪中的ー種或幾種。所述的表面活性劑為非離子表面活性剤、陰離子表面活性劑或陽離子表面活性劑中的ー種或幾種。所述的非離子表面活性劑為聚ニ甲基硅氧烷、聚氧こ烯(9)月桂醇醚、脂肪醇聚氧こ烯醚、壬基酚聚氧こ烯醚、辛基酚聚氧こ烯醚、聚氧丙烯聚氧こ烯嵌段共聚物中的ー種或幾種；陰離子表面活性劑為十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基磺酸鈉，a-烯烴磺酸鈉、丁ニ酸ニ異辛酯磺酸鈉、脂肪醇(10)聚氧こ烯、脂肪醇聚氧こ烯醚硫酸鈉中的ー種或幾種；陽離子表面活性劑為十四烷基ニ甲基芐基氯化銨、十二烷基三甲基氯化銨、瓜耳膠羥丙基三甲基氯化銨、溴化十二烷基三甲基銨、溴化十二烷基ニ甲基芐基銨中的ー種或幾種。所述的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒5. 1005wt%，其中，膠體ニ氧化硅5wt%，水溶性聚合物為瓜爾膠0. 005wt%和羥こ基纖維素0. Iwt% ;表面保護(hù)劑為三こ基胺0. 04Wt%，表面活性劑為脂肪醇聚氧こ烯醚0. 004Wt%，堿性化合為物氨水I. Owt %，余量為去離子水。一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟按比例稱取膠體二氧化硅和水溶性聚合物，按物理共混方式將兩者混合均勻，并用攪拌器勻速攪拌，制備出膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒；
將膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒分散于去離子水中，并用攪拌器充分?jǐn)嚢?加入含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，在攪拌器中使其與復(fù)合磨粒充分混合；依次加入表面活性劑和堿性化合物，并將精拋光組合液pH調(diào)節(jié)至8 12 ;用孔徑為O. 5μπι以下的濾芯對精拋光組合液進(jìn)行過濾，去除精拋光組合液中的大顆粒雜質(zhì)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比有如下優(yōu)點I)本發(fā)明的精拋光組合液中的膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒，使水溶性聚合物均勻的包裹在二氧化膠體二氧化硅的表面，提高了二氧化膠體二氧化硅的附著力，形成一種有機包裹無機的核殼結(jié)構(gòu)，有效的抑制顆粒沉積，減少硅晶片表面和拋光墊中的殘留；2)本發(fā)明的精拋光組合液通過添加含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，降低了硅晶片表面顆粒沉積的牢固度，使殘留在硅晶片表面的顆粒更易被拋光液帶走，有利于拋光后硅晶片和拋光墊的清洗；3)本發(fā)明的精拋光組合液所用原料易得，無污染，符合環(huán)保要求且容易進(jìn)行大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中使用普通二氧化硅溶膠，未添加水溶性聚合物和含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，精拋光后硅晶片的原子力顯微鏡(AFM)照片(比較例5)。圖2為本發(fā)明精拋光組合液中采用了膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒，添加了含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，但各組分匹配較差時精拋光后硅晶片的AFM照片(實施例2)。圖3為本發(fā)明精拋光組合液中采用了膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒，添加了含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，且各組分匹配較好時精拋光后硅晶片的AFM照片(實施例6)。
具體實施例方式下面通過具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述，當(dāng)然無論如何不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液，包括膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒、含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑、堿性化合物、表面活性劑和去離子水；該精拋光組合液的PH值為8 12。其中，膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒的重量百分比含量為2 13wt%，含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑的重量百分比含量為O. 002 0. 5wt%，堿性化合物的重量百分比含量為0. 5 4wt%，表面活性劑的重量百分比含量為
0.002 0. 5wt%，余量為去離子水。膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒為，采用物理共混的方式將膠體ニ氧化硅和水溶性聚合物按一定比例混合攪拌而成，膠體ニ氧化硅為平均粒徑為18 80nm。其中，膠體ニ氧化硅和水溶性聚合物兩者的比例為12 400:1。所述的水溶性聚合物為瓜爾膠、黃原膠、海藻酸鈉、羧甲基淀粉、醋酸纖維素、羧甲基纖維素、磺酸こ基纖維素、羧甲基羥こ基纖維素、甲基纖維素、羧こ基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羥丁基甲基纖維素、羥こ基纖維素、脂類改性的羥こ基纖維素或脂類改性的羥丙基纖維素中的ー種或幾種。所述的含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑為，聚こ烯醇、聚こ烯醇與聚苯こ烯嵌段共聚物、聚こニ醇、聚氧化こ烯、聚氧化こ烯和環(huán)氧こ烷-環(huán)氧丙烷嵌段共聚物、聚丙烯酸、
甲基胺、ニ甲基胺、三甲基胺、こ基胺、ニこ基胺、三こ基胺、異丙醇胺、四こ基胺、ニこ基三胺、三こ基四肢、羥こ基こニ胺、六亞甲基ニ胺、ニ亞こ基三胺、三亞こ基四肢、こ醇胺、ニこ醇胺、三こ醇胺中的ー種或幾種。所述的堿性化合物為，氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉、氨水、氨基丙醇、四甲基氫氧化銨、四こ基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三甲基羥こ基氫氧化銨、ニ甲基ニ羥こ基氫氧化銨、無水哌嗪或六水哌嗪中的ー種或幾種。堿性化合物對硅晶片表面起到腐蝕的作用，可以通過調(diào)節(jié)堿性化合物的種類及含量調(diào)節(jié)精拋光去除速率，將拋光液的最終PH控制在8 12。所述的表面活性劑為非離子表面活性剤、陰離子表面活性劑或陽離子表面活性劑中的ー種或幾種。其中，非離子表面活性劑為聚ニ甲基硅氧烷、聚氧こ烯(9)月桂醇醚、脂肪醇聚氧こ烯醚、壬基酚聚氧こ烯醚、辛基酚聚氧こ烯醚、聚氧丙烯聚氧こ烯嵌段共聚物中的ー種或幾種；陰離子表面活性劑為十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基磺酸鈉，a-烯烴磺酸鈉、丁ニ酸ニ異辛酯磺酸鈉、脂肪醇(10)聚氧こ烯、脂肪醇聚氧こ烯醚硫酸鈉中的ー種或幾種；陽離子表面活性劑為十四烷基ニ甲基芐基氯化銨、十二烷基三甲基氯化銨、瓜耳膠羥丙基三甲基氯化銨、溴化十二烷基三甲基銨、溴化十二烷基ニ甲基芐基銨中的ー種或幾種。本發(fā)明的ー種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液的制備方法，包括以下步驟 按上述的比例稱取膠體ニ氧化硅和水溶性聚合物，按物理共混方式將兩者混合均勻，并用攪拌器勻速攪拌，制備出百分比含量為2 13wt %的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒；將膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒分散于去離子水中，并用攪拌器充分?jǐn)嚢?加入重量百分比含量為0. 002 0. 5wt%的含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，在攪拌器中使其與復(fù)合磨粒充分混合；依次加入重量百分比含量為0. 002 0. 5wt*%的表面活性劑和重量百分比含量為
0.5 4wt%的堿性化合物，并將精拋光組合液pH調(diào)節(jié)至8 12 ;用孔徑為0. 5pm以下的濾芯對精拋光組合液進(jìn)行過濾，去除精拋光組合液中的大顆粒雜質(zhì)。根據(jù)進(jìn)行拋光后的硅晶片表面粗糙度和表面沉積情況，可將本發(fā)明精拋光組合液稀釋10、20、30、40甚至40倍以上后使用。試驗實施例將配置后的拋光組合液用于拋光實驗，拋光實驗參數(shù)如下拋光機美國CETR-BRUKER公司生產(chǎn)的CP_4型化學(xué)機械拋光實驗機，配有I個拋光頭，可拋I片娃晶片；拋光壓力0.4PSI ；拋光轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)速40轉(zhuǎn)/min ； 拋光硅單晶片規(guī)格P型〈100〉，直徑100mm，電阻率0. I 100 Ω · cm ;拋光時間30min；拋光墊Politex型聚氨酯發(fā)泡固化拋光墊；拋光液流量80ml/min；拋光溫度25° C拋光后硅晶片表面質(zhì)量檢測使用原子力顯微鏡(AFM)檢測拋光后硅晶片的表面粗糙度。實驗所采用的AFM為美國布魯克公司生產(chǎn)的，型號為DMENSION ICON。，探針半徑為10nm，其垂直分辨率為
O.Olnm，掃描頻率為I. 5Hz，掃描范圍IOX 10 μ m2。為避免硅晶片表面存在的附著雜質(zhì)對實驗結(jié)果的影響，在實驗前將硅晶片分別在丙酮、無水乙醇、去離子水中進(jìn)行超聲清洗。根據(jù)AFM檢測情況將拋光片表面顆粒沉積情況分為☆(表面顆粒大小在IOOnm以內(nèi))、〇(表面顆粒大小在250nm以內(nèi))、◎(表面顆粒大小在450nm以內(nèi))、◎◎(表面顆粒大小未得到控制)、由上述實施例可見，在本發(fā)明所述拋光工藝條件下的最佳拋光組合液中各組分含量為含膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒5. 1005wt% (其中含膠體二氧化硅5wt %，含水溶性聚合物瓜爾膠O. 005wt %、羥乙基纖維素O. Iwt %),含表面保護(hù)劑三乙基胺O. 04被％，含表面活性劑脂肪醇聚氧乙烯醚O. 004被％，含堿性化合物氨水I. Owt %，拋光組合液拋光后的硅晶片表面粗糙度低至O. 05nm，表面基本無顆粒殘留。上述實施例充分說明本發(fā)明的拋光組合液是一種性能優(yōu)良的CMP用拋光材料，適合于娃晶片精拋光。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出的是對于本技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出相應(yīng)的調(diào)整和改進(jìn)，這些調(diào)整和改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。下表為各實施例中拋光組合液的組分和含量以及由其進(jìn)行拋光后的娃晶片表面的粗糙度和表面顆粒沉積情況。
權(quán)利要求
1.ー種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液，其特征在于，該精拋光組合液包括膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒、含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑、堿性化合物、表面活性劑和去離子水；該精拋光組合液的pH值為8 12。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的精拋光組合液，其特征在于，該精拋光組合液的組分配比為 膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒2 13wt%含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑0.002 0.5wt%堿性化合物0.5 4wt%表面活性劑0.002 0.5wt% 去離子水余量；所述的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒兩者的比例為12 400 I。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的精拋光組合液，其特征在于所述的ニ氧化硅的平均粒徑為18 80nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的精拋光組合液，其特征在于所述的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒的水溶性聚合物為瓜爾膠、黃原膠、海藻酸鈉、羧甲基淀粉、醋酸纖維素、羧甲基纖維素、磺酸こ基纖維素、羧甲基羥こ基纖維素、甲基纖維素、羧こ基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羥丁基甲基纖維素、羥こ基纖維素、脂類改性的羥こ基纖維素或脂類改性的羥丙基纖維素中的ー種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的精拋光組合液，其特征在于所述的所述含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑為，聚こ烯醇、聚こ烯醇與聚苯こ烯嵌段共聚物、聚こニ醇、聚氧化こ烯、聚氧化こ烯和環(huán)氧こ烷-環(huán)氧丙烷嵌段共聚物、聚丙烯酸、甲基胺、ニ甲基胺、三甲基胺、こ基胺、ニこ基胺、三こ基胺、異丙醇胺、四こ基胺、ニこ基三胺、三こ基四肢、羥こ基こニ胺、六亞甲基ニ胺、ニ亞こ基三胺、三亞こ基四肢、こ醇胺、ニこ醇胺、三こ醇胺中的ー種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的精拋光組合液，其特征在于所述的堿性化合物為，氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉、氨水、氨基丙醇、四甲基氫氧化銨、四こ基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三甲基羥こ基氫氧化銨、ニ甲基ニ羥こ基氫氧化銨、無水哌嗪或六水哌嗪中的ー種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的精拋光組合液，其特征在于所述的表面活性劑為非離子表面活性剤、陰離子表面活性劑或陽離子表面活性劑中的ー種或幾種。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的精拋光組合液，其特征在于所述的非離子表面活性劑為聚ニ甲基硅氧烷、聚氧こ烯(9)月桂醇醚、脂肪醇聚氧こ烯醚、壬基酚聚氧こ烯醚、辛基酚聚氧こ烯醚、聚氧丙烯聚氧こ烯嵌段共聚物中的ー種或幾種；陰離子表面活性劑為十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基磺酸鈉，a-烯烴磺酸鈉、丁ニ酸ニ異辛酯磺酸鈉、脂肪醇(10)聚氧こ烯、脂肪醇聚氧こ烯醚硫酸鈉中的ー種或幾種；陽離子表面活性劑為十四烷基ニ甲基芐基氯化銨、十二烷基三甲基氯化銨、瓜耳膠羥丙基三甲基氯化銨、溴化十二烷基三甲基銨、溴化十二烷基ニ甲基芐基銨中的ー種或幾種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-2所述的組合液，其特征在于所述的膠體ニ氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒5. 1005wt%，其中，膠體ニ氧化硅5wt%，水溶性聚合物為瓜爾膠0. 005wt%和羥こ基纖維素0. lwt%;表面保護(hù)劑為三こ基胺0. 04wt%，表面活性劑為脂肪醇聚氧こ烯醚O.004wt%，堿性化合為物氨水I. Owt%，去離子水余量。
10.一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟 按比例稱取膠體二氧化硅和水溶性聚合物，按物理共混方式將兩者混合均勻，并用攪拌器勻速攪拌，制備出膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒； 將膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒分散于去離子水中，并用攪拌器充分?jǐn)嚢瑁? 加入含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑，在攪拌器中使其與復(fù)合磨粒充分混合； 依次加入表面活性劑和堿性化合物，并將精拋光組合液PH調(diào)節(jié)至8 12 ; 用孔徑為O. 5μπι以下的濾芯對精拋光組合液進(jìn)行過濾，去除精拋光組合液中的大顆權(quán)雜質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液及其制備方法，屬于化學(xué)機械拋光(CMP)領(lǐng)域，特別涉及一種可抑制顆粒沉積的硅晶片精拋光組合液。本發(fā)明包括膠體二氧化硅/水溶性聚合物復(fù)合磨粒、含羥基和/或胺基的表面保護(hù)劑、堿性化合物、表面活性劑和去離子水；該精拋光組合液的pH值為8～12。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比有效的抑制了顆粒的沉積，提高了拋光后硅晶片表面的精度和質(zhì)量。本發(fā)明的精拋光組合液所用原料易得，無污染，符合環(huán)保要求且容易進(jìn)行大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號C09G1/02GK102775915SQ20121020979
公開日2012年11月14日 申請日期2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月25日
發(fā)明者潘國順, 鄒春莉, 顧忠華, 龔樺 申請人:深圳市力合材料有限公司, 深圳清華大學(xué)研究院, 清華大學(xué)