專利名稱：紅色熒光體材料以及等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此公開的技術(shù)涉及紅色熒光體材料以及等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
近年來，等離子顯示面板(以下，稱作rop)，被應(yīng)用于與液晶快門眼鏡相組合的3-D (Three Dimensional)圖像顯不裝置等。關(guān)于使用于rop的熒光體材料的余輝時間，例如在專利文獻(xiàn)I中公開了與紅色熒光體材料相關(guān)的內(nèi)容。在3-D圖像顯示裝置中，為了抑制根據(jù)液晶快門眼鏡的響應(yīng)時間而產(chǎn)生圖像看起來重影的串?dāng)_，熒光體材料的余輝時間需要為4. Omsec以下。在此，余輝時間是指，熒光體材料的發(fā)光亮度衰減到1/10為止的時間。
在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I JP特開2009-185275號公報

發(fā)明內(nèi)容
在此公開的技術(shù)，是一種紅色熒光體材料，含有Y(Px，V1J O4:Eu (式中，X的值在0.3以上0.8以下)。此外，在此公開的技術(shù)，是一種具備紅色熒光體層的等離子顯示面板，紅色熒光體層利用所述紅色熒光體材料而形成。


圖 是表示rop的構(gòu)成的部分剖面立體圖。圖2是表示等離子顯示裝置的構(gòu)成的示意圖。圖3是表示rop的背面板的構(gòu)成的示意剖面圖。圖4是表示YPV的X的值和等離子顯示裝置的余輝時間之間的關(guān)系的圖。圖5是表示粉狀體亮度和工藝維持率相對于YPV的X的值的關(guān)系的圖。圖6是表示YPV的X的值和面板亮度之間的關(guān)系的圖。圖7是表示YPV上的MgO的包覆量和面板亮度之間的關(guān)系的圖。圖8是表示YPV上的ZnO的包覆量和面板亮度之間的關(guān)系的圖。圖9是表示相對亮度和亮度劣化率相對于YPV上的SiO2的包覆量的關(guān)系的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對實施方式進(jìn)行說明。〈實施方式1>I、等離子顯示面板的構(gòu)成圖I是表示實施方式I中的PDPlO的構(gòu)成的部分剖面立體圖。PDPlO由前面板20和背面板30構(gòu)成。前面板20具有前面玻璃基板21。在前面玻璃基板21上形成有多對由平行地配置的掃描電極22和維持電極23構(gòu)成的顯示電極對24。按照覆蓋掃描電極22和維持電極23的方式形成有電介質(zhì)層25。在電介質(zhì)層25上形成有保護(hù)層26。背面板30具有背面玻璃基板31。在背面玻璃基板31上，形成有多個平行地排列的尋址電極32。按照覆蓋尋址電極32的方式形成有基底電介質(zhì)層33。在基底電介質(zhì)層33上形成有隔壁34。在隔壁34的側(cè)面以及基底電介質(zhì)層33上，設(shè)置有以紅色、綠色以及藍(lán)色的各色發(fā)光的紅色熒光體層35R、綠色熒光體層35G、藍(lán)色熒光體層35B。紅色熒光體層35R、綠色熒光體層35G、藍(lán)色熒光體層35B，對應(yīng)于尋址電極32依次被形成。按照顯示電極對24和尋址電極32隔著微小的放電空間而交叉的方式對置配置前面板20和背面板30。前面板20和背面板30的外周部被玻璃粉等密封材料密封。在放電空間中，作為放電氣體以55kPa 80kPa的壓力封入有例如氖(Ne)和氙(Xe)等的混合氣體。放電空間被隔壁34劃分為多個區(qū)域，在顯示電極對24和尋址電極32交叉的部分形成放電單元36。若在上述的電極間施加放電電壓，則在放電單元36內(nèi)發(fā)生放電。通過由放電所產(chǎn)生的紫外線，紅色熒光體層35R、綠色熒光體層35G、藍(lán)色突光體層35B各自所含的突光體被激勵從而發(fā)光。由此,在F1DPlO中顯不 彩色圖像。另外，PDPlO的構(gòu)造不限于上述構(gòu)造。例如，隔壁34的構(gòu)造也可以為具備井字形的隔壁的構(gòu)造。圖2是表示實施方式I中的等離子顯示裝置的構(gòu)成的示意圖。等離子顯示裝置具有與PDPlO連接的驅(qū)動電路40。驅(qū)動電路40是驅(qū)動ropio，使PDPlO顯示彩色圖像的電路。驅(qū)動電路40具備顯示驅(qū)動電路41、掃描驅(qū)動電路42、尋址驅(qū)動電路43以及控制器44。顯示驅(qū)動電路41與維持電極23連接。掃描驅(qū)動電路42與掃描電極22連接。尋址驅(qū)動電路43與尋址電極32連接?？刂破?4與顯示驅(qū)動電路41、掃描驅(qū)動電路42以及尋址驅(qū)動電路43連接。控制器44通過對這些電路進(jìn)行控制，來控制施加于各電極的驅(qū)動電壓。接著，對I3DPlO中的放電的動作進(jìn)行說明。首先，對與應(yīng)點亮的放電單元36相對應(yīng)的掃描電極22和尋址電極32施加規(guī)定電壓。于是，在掃描電極22和尋址電極32之間產(chǎn)生尋址放電。由此，在與顯示數(shù)據(jù)相對應(yīng)的放電單元36中形成壁電荷。之后，在維持電極23和掃描電極22之間施加維持放電電壓。于是，在形成了壁電荷的放電單元36中發(fā)生維持放電，產(chǎn)生紫外線。通過該紫外線，紅色熒光體層35R、綠色熒光體層35G、藍(lán)色熒光體層35B中的熒光體被激勵。被激勵的熒光體發(fā)光，從而放電單元36點亮。通過各色的放電單元36的點亮、非點亮的組合,來顯示圖像。2、等離子顯示面板的制造方法接著，對實施方式I中的I3DPlO的制造方法進(jìn)行說明。首先對前面板20的制造方法進(jìn)行說明。在前面玻璃基板21上，形成由掃描電極22和維持電極23構(gòu)成的顯示電極對24。此時，在掃描電極22和維持電極23之間也可以形成黑條(black stripe)。掃描電極22以及維持電極23由ITO等的透明電極、和在透明電極上形成的含有Ag和玻璃粉等的總線電極構(gòu)成。通過濺射法等，在前面玻璃基板21形成ITO薄膜，透明電極通過光刻法而形成為規(guī)定的圖案。在其上，通過光刻法等而形成規(guī)定圖案的總線電極。黑條由含有黑色顏料的材料形成。電介質(zhì)層25通過擠壓式涂布法等，按照覆蓋掃描電極22和維持電極23的方式而形成。保護(hù)層26通過真空蒸鍍法等形成于電介質(zhì)層25上。接著，對背面板30的制造方法進(jìn)行說明。圖3是表示實施方式I中的Η)Ρ10的背面板30的構(gòu)成的示意剖面圖。在背面玻璃基板31上，對電極用的銀漿料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。通過對該漿料進(jìn)行燒結(jié)，從而條狀地形成多個尋址電極32。按照覆蓋尋址電極32的方式，通過擠壓式涂布法或絲網(wǎng)印刷法來涂敷含有玻璃材料的漿料。通過對該漿料進(jìn)行燒結(jié)，從而形成基底電介質(zhì)層33。在基底電介質(zhì)層33上形成隔壁34。作為隔壁34的形成方法，有如下方法將含有玻璃材料的漿料通過絲網(wǎng)印刷法隔著尋址電極32條狀地反復(fù)涂敷并進(jìn)行燒結(jié)。此外，還有覆蓋尋址電極32而在基底電介質(zhì)層33上涂敷漿料來形成圖案并進(jìn)行燒結(jié)的方法等。放電空間被該隔壁34劃分，形成放電單元36。隔壁34的間隙，例如在42英寸 50英寸的全HD電視或HD電視中被設(shè)定為130μπι 240μπι。在相鄰的2條隔壁34間的槽中，通過絲網(wǎng)印刷法或噴墨法等來涂敷含有以各色發(fā)光的熒光體材料的粒子的漿料。通過對該漿料進(jìn)行燒結(jié)，從而形成紅色熒光體層35R、綠色熒光體層35G、藍(lán)色熒光體層35Β。另外，關(guān)于在各自的紅色熒光體層35R、綠色熒光體層35G、藍(lán)色熒光體層35Β中使用的熒光體材料，將在后面詳述。將像這樣制作的背面板30和前面板20密封。此時，按照顯示電極對24和尋址電極32正交的方式，將背面板30和前面板20重合。在背面板30和前面板20的周邊部涂敷密封用玻璃。密封用玻璃將背面板30和前面板20密封。之后，在放電空間內(nèi)排氣為高真空之后，以55kPa 80kPa的壓力封入氖(Ne)和氣(Xe)等的混合氣體。像這樣，制作了實施方式I的ropio。所制作的ropio與驅(qū)動電路40連接。此外，通過組裝于框體等中來制作等離子顯示裝置。 通過以上方式，將實施方式I中的I3DPlO應(yīng)用于3-D圖像顯示裝置。3、熒光體材料的概要接著，對使用于ropio的各色的熒光體材料進(jìn)行說明。熒光體材料，利用現(xiàn)有的固相反應(yīng)方法、液相法、或液體噴霧法來制作。固相反應(yīng)法是對氧化物或碳氧化物原料和熔劑進(jìn)行燒結(jié)來進(jìn)行制作的方法。液相法是對熒光體材料的前體進(jìn)行熱處理來進(jìn)行制作的方法，該熒光體材料的前體是將有機(jī)金屬鹽或硝酸鹽在水溶液中加水分解，并根據(jù)需要加入堿等并使之沉淀而生成的。此外，液體噴霧法是將加入了熒光體材料的原料的水溶液噴霧到被加熱后的爐中來進(jìn)行制作的方法。在實施方式I中，熒光體材料使用通過固相反應(yīng)法而制造的材料。3-1、藍(lán)色熒光體材料和其制造方法首先對藍(lán)色熒光體材料進(jìn)行說明。在實施方式I中，作為使用于藍(lán)色熒光體層35B的藍(lán)色熒光體材料，例如使用余輝時間較短的BaMgAlltlO17: Eu。BaMgAlltlO17: Eu通過以下方法來制作。將碳酸鋇(BaCO3)、碳酸鎂(MgCO3)、氧化鋁(Al2O3)、和氧化銪(Eu2O3)按照與希望的熒光體材料的組合一致的方式進(jìn)行混合。將該混合物在空氣中在800°C 1200°C進(jìn)行燒結(jié)。之后，將混合物在含有氫和氮的混合氣體氣氛中在1200°C 1400°C進(jìn)行燒結(jié)。由此，制作了藍(lán)色熒光體材料。3-2、綠熒光體材料和其制造方法接著，對綠色熒光體材料進(jìn)行說明。在實施方式I中，作為使用于綠色熒光體層35G的綠色熒光體，例如使用Zn2Si04:Mn。Zn2SiO4 = Mn通過以下方法來制作。將二氧化硅(SiO2)、二氧化錳(MnO2)等錳化合物、和氧化鋅(ZnO)按照與希望的熒光體材料的組合一致的方式進(jìn)行混合。將該混合物在空氣中在1100°C 1300°C燒結(jié)I次以上。由此，制作了綠色熒光體材料。除此之外，也可以使用YAl3 (BO4)3:Tb、Y3Al5O12 = Ce等。3-3、紅色熒光體材料和其制造方法
接著，對紅色熒光體材料進(jìn)行說明。實施方式I中的紅色熒光體材料是Y (PxjV1J04:Eu(以下，稱作YPV)。另外，在YPV的晶格中存在的磷元素(P)和釩元素(V)，根據(jù)X的值而豐度比不同。在此，X的值是磷元素(P)相對于釩元素(V)與磷元素(P)的和的值。X的值可以取O以上I以下。在實施方式I中，特征在于YPV的X的值在O. 3以上O. 8以下。作為Eu3+活化的紅色熒光體材料，發(fā)明者們針對X的值不同的YPV，對紫外線激勵下的發(fā)光特性、尤其是余輝特性和PDP特性進(jìn)行了詳細(xì)調(diào)查。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了 X的值在特定的組合范圍內(nèi)，實現(xiàn)高亮度、合適的顏色純度、以及4. Omsec以下的短余輝時間。關(guān)于紅色光，即使余輝時間與余輝時間長的綠色光相比比較長，作為立體圖像顯示裝置的畫質(zhì)特性也能夠容許。因此，只要余輝時間為4. Omsec以下則能夠容許。更加優(yōu)選余輝時間為3. 5msec以下、特別是3. Omsec以下。在此公開的技術(shù)，是基于這樣的實驗事實而作出的。接著，對實施方式I的YPV的制造方法進(jìn)行說明。將氧化釔(Y2O3)、磷酸氫二銨((NH4)2HPO4)、氧化釩(V2O5)、和氧化銪(Eu2O3)按照與希望的熒光體材料的組合一致的方式來稱量。將它們混合，來制作混合物。將該混合物在空氣中在1100°C進(jìn)行燒結(jié)。由此，制作了紅色熒光體材料。在此，X的值由磷酸氫二銨((NH4)2HPO4)和氧化釩(V2O5)的摩爾比來決定。另外，YPV的制造方法不限于上述方法。3-4、紅色熒光體材料的余輝時間實施方式I中的YPV是Eu3+活化的紅色熒光體材料。該YPV在610nm以上不足630nm的波長范圍中具有主發(fā)光峰值。并且，該YPV發(fā)出處于580nm以上不足600nm的波長范圍中的橙色發(fā)光分量的最大強(qiáng)度為主發(fā)光峰值的2%以上不足20%的紅色光。這種從紅色熒光體材料發(fā)出的紅色光，優(yōu)選該范圍的橙色發(fā)光分量的最大強(qiáng)度不足該范圍的主發(fā)光峰值的20%。更優(yōu)選不足15%，進(jìn)一步優(yōu)選不足13%。在該范圍中具有主發(fā)光峰值的Eu3+活化的紅色熒光體材料，與在590nm附近具有主發(fā)光峰值的(Y，Gd) BO3:Eu3+等不同。該紅色熒光體材料基于Eu3+離子的電子偶極子躍遷的發(fā)光分量比例較多。因此，該紅色熒光體材料放出2msec 5msec程度的比較短余輝的紅色光。這種紅色光,基于Eu3+離子的磁偶極子躍遷的、IOmsec程度以上的長余輝的橙色發(fā)光分量比例較少。此外，基于電子偶極子躍遷的、2msec 5msec程度的短余輝的紅色發(fā)光分量比例較多。因此，在得到具有4. Omsec程度以下的短余輝特性的紅色光方面優(yōu)選。以下，對實施方式I的YPV的余輝時間進(jìn)行說明。圖4是表示實施方式I中的YPV的X的值和等離子顯示裝置的余輝時間之間的關(guān)系的圖。在實施方式I中，對使用了將X的值設(shè)為0、0. 1、0. 2、0. 3、0. 4、0. 5、0. 6、0. 7、0. 8、
O.9以及I的情況下的YPV的等離子顯示裝置的余輝特性進(jìn)行了驗證。如圖4所示，可知X的值越大則余輝時間越長?？芍猉的值越小則余輝時間越短。實施方式I中的紅色光的余輝時間，優(yōu)選為4. Omsec以下。因此，可知YPV的x的值，優(yōu)選為O. 8以下。可知為了使余輝時間成為更短的3. 5msec以下，只要將x的值設(shè)為O. 7以下即可。并且，可知為了使余輝時間成為更短的3. Omsec以下，只要將x的值設(shè)為O. 6以下即可。根據(jù)以上的余輝特性，實施方式I的等離子顯示裝置，通過將YPV的X的值設(shè)為
0.8以下，能夠使余輝時間成為4. Omsec以下。并且，該等離子顯示裝置只要將YPV的x的值設(shè)為O. 6以下則能夠使余輝時間成為3. Omsec以下。3-5、YPV的粉狀體亮度和面板的亮度、
接著，對YPV的粉狀體亮度和工藝維持率(process maintenance rate)進(jìn)行說明。圖5是示出了實施方式I中的粉狀體亮度和工藝維持率相對于YPV的X的值的關(guān)系的圖。YPV的粉狀體亮度，是在真空中用146nm的波長的受激準(zhǔn)分子燈(光源氪)進(jìn)行激勵，并用分光光度計(濱松光子學(xué)制C10027)測定其發(fā)光而算出的亮度。在此使用的YPV，是利用具有規(guī)定開口面積的夾具和模具的成形器，以4MPa進(jìn)行加壓而形成的。圖5所示的各X的值時的YPV的粉狀體亮度的值，是將X的值為O. 7的粉狀體亮度的值作為100%的情況下的相對值。工藝維持率是YPV在通過PDP的制造工序的前后的亮度的維持率。工藝維持率如下這樣來算出。在PDP的背面板30涂敷含有熒光體材料的漿料，并在真空中用146nm受激準(zhǔn)分子燈對燒結(jié)后的背面板30進(jìn)行了激勵，將此時所得到的發(fā)光頻譜中的618nm的峰值強(qiáng)度作為100%。對于該峰值強(qiáng)度，切取完成的ropio的背面板30，并相對地示出從該背面板30同樣地得到的峰值強(qiáng)度的值。如圖5所示，可知YPV的粉狀體亮度隨著從X = O接近X = O. 7而上升。另一方面，可知YPV的粉狀體亮度，若超過X = O. 7，則YPV的粉狀體亮度從最大值減少。即，可知在X = O. 7時YPV的粉狀體亮度取最大值。此外，可知工藝維持率隨著X的值的增大而上 升。另一方面，可知工藝維持率隨著X的值的減小而減少。特別是，可知若X的值大于O. 8則工藝維持率急劇上升。另一方面，可知若X的值小于O. 3則工藝維持率急劇減少。接著，對YPV的面板亮度進(jìn)行說明。圖6是示出了實施方式I中的YPV的X的值和面板亮度之間的關(guān)系的圖。YPV的面板亮度，是用亮度計(柯尼卡美能達(dá)制CS-2000)對在等離子顯示裝置中僅使紅色熒光體層發(fā)光，將整個畫面顯示為紅色畫面時的發(fā)光量進(jìn)行測定而得到的亮度。圖6所示的各X的值時的YPV的面板亮度的值，是將X的值為O. 7的面板亮度的值作為100%的情況下的相對值。如圖6所示，可知YPV的面板亮度，隨著X的值的增加而YPV的面板亮度變大，在X的值為O. 7時取最大值。另一方面，可知若YPV的X的值小于O. 3，則面板亮度顯著降低。從圖5和圖6的結(jié)果可知，面板亮度與粉狀體亮度和工藝維持率相關(guān)。具體來說，可知若對粉狀體亮度的相對值乘以工藝維持率的相對值，則與圖6所示的面板亮度的相對值一致。如圖5所示，X的值越接近O. 7，則粉狀體亮度和工藝維持率都比X的值為O時大，因此對粉狀體亮度乘以工藝維持率而得到的值也變大。即，X的值越接近O. 7則面板亮度越大。并且，因為X = O. 7時的粉狀體亮度取最大值，所以面板亮度也取最大值。另一方面，若X的值超過O. 7，則雖然工藝維持率上升但粉狀體亮度減少，因此對粉狀體亮度乘以工藝維持率而得到的值變小。S卩，若X的值超過O. 7，則面板亮度變得更小，取比X的值=O. 7時的最大的面板亮度低的值。并且，當(dāng)X的值低于O. 3時，粉狀體亮度隨著X的值的減少而逐漸變小，并且，工藝維持率也急劇減少。其結(jié)果，將粉狀體亮度和工藝維持率相乘而得到的值急劇減少。即，圖6所示的面板亮度也在X的值低于O. 3時急劇減少。因此，可知，粉狀體売度和面板売度之間的關(guān)系，與工藝維持率相關(guān)，對粉狀體売度的相對值乘以工藝維持率的相對值而得到的值與面板亮度的相對值相當(dāng)。如上，若考慮工藝維持率，則在X的值為O. 3以上的情況下，即使經(jīng)過制造工序，YPV的工藝維持也很良好，能夠提供面板亮度高的高品質(zhì)的PDP裝置。此外，若考慮余輝時間，則優(yōu)選X的值為O. 8以下。進(jìn)而，優(yōu)選X的值為O. 6以下。因此，YPV的X的值優(yōu)選在0.3以上O. 8以下。由此，能夠提供一種余輝時間為4. Omsec以下，并且工藝維持率良好且高亮度的等離子顯示裝置。若YPV的X的值在O. 3以上O. 6以下，則由于能夠使余輝時間成為3. Omsec以下而更加優(yōu)選。另一方面，若YPV的x的值在O. 6以上O. 8以下，則由于更能維持高亮度而優(yōu)選。<實施方式2>接著，對實施方式2進(jìn)行說明。關(guān)于與實施方式I相同的內(nèi)容省略說明。4-1、關(guān)于紅色熒光體材料實施方式2中的等離子顯示裝置，具備利用含有包覆了氧化鎂(以下，稱作MgO)的YPV的紅色熒光體材料而形成的紅色熒光體層35R。4-2、紅色熒光體材料的制造方法 首先，說明在實施方式I中的YPV的表面上包覆MgO的方法。將硝酸鎂(Mg (NO3) 2)以規(guī)定量的濃度溶解于水或堿水溶液中。在該溶解液中投入YPV (平均粒徑D50 = 3. 6 μ m)來制作混合液，進(jìn)而對混合液進(jìn)行攪拌。之后，在對混合液進(jìn)行過濾后，將殘留在濾紙上的YPV洗凈。之后，在150°C對YPV進(jìn)行干燥。通過將干燥后的YPV在空氣中在400°C 800°C進(jìn)行燒結(jié)，來制作在表面包覆了 MgO的YPV。MgO優(yōu)選按照YPV的表面不露出的方式均勻地包覆YPV的表面的狀態(tài)。另外，在YPV的表面上包覆MgO的方法不限于上述方法。4-3、面板亮度和MgO的包覆量之間的關(guān)系接著，說明具備利用含有包覆了 MgO的YPV的紅色熒光體材料而形成的紅色熒光體層35R的等離子顯示裝置的面板亮度和作為包覆材料的MgO之間的關(guān)系。圖7是示出YPV上的MgO的包覆量和面板亮度之間的關(guān)系的圖。在此,測定了 X = O. 3、X = O. 6、X = O. 8時的YPV的面板亮度。面板亮度，在各X的值時，以將不包覆MgO的YPV的面板亮度作為100%的情況下的相對值而示出。此外，在此MgO的包覆量示出了混合液中的YPV和MgO的重量比。這是由于例如，相對于混合液中的YPVlOOg，當(dāng)MgO為5g時，MgO的包覆量以相對于YPV的重量比計近似為約5wt%。各X的值時的面板亮度，利用MgO的包覆量為O. 5wt%,
1.Owt2. 5wt%,5. 0界七％以及10. 0wt%時的YPV進(jìn)行了測定。如圖7所示，可知，在各X的值中，與MgO的包覆量為Owt %的面板亮度相比，隨著MgO的包覆量的增大，面板亮度變高。在此，對于面板亮度，可以預(yù)測在MgO的包覆量為1被％時面板亮度取最大值。這可以認(rèn)為是由于通過由MgO包覆YPV的表面從而工藝維持率得到了改善。在X = O. 3時，與不包覆MgO的YPV相比面板亮度的改善最大的理由在于，X = O. 3時的不被MgO包覆的YPV的工藝維持率比X的值大于O. 3的情況低，但通過包覆MgO能夠改善的亮度的絕對值較大。另一方面，在X = O. 8時，與不被MgO包覆的YPV相比面板亮度的改善最小的理由在于，X = 0.8時的不被MgO包覆的YPV的工藝維持率比小于X= 0.8的情況高，通過在YPV上包覆MgO能夠改善的亮度的絕對值較小。并且，若MgO的包覆量大于lwt%，則可以預(yù)測面板亮度逐漸降低。并且，當(dāng)MgO的包覆量為5被％時，顯示出與不包覆MgO的YPV的情況相同的面板亮度。進(jìn)而，若MgO的包覆量超過5wt%，則比不包覆MgO的YPV的情況下的面板亮度小。這可以認(rèn)為是由于，隨著MgO的包覆量的增加，工藝維持率逐漸飽和，與此相對，MgO的包覆所導(dǎo)致的YPV的粉狀體的亮度降低的影響變大。綜上所述,在MgO包覆量大于0wt%且不足5界1:%的范圍內(nèi)能夠得到比沒有包覆MgO的YPV高亮度的面板。<實施方式3>接著，對實施方式3進(jìn)行說明。關(guān)于與實施方式I相同的內(nèi)容省略說明。5-1、關(guān)于紅色突光體材料實施方式3中的等離子顯示裝置，具備利用含有覆蓋了氧化鋅(以 下，稱作ZnO)的YPV的紅色熒光體材料而形成的紅色熒光體層35R。5-2、紅色突光體材料的制造方法首先，說明在實施方式I中的YPV的表面上包覆ZnO的方法。將硝酸鋅(Zn(NO3)2)以規(guī)定量的濃度溶解在水或堿水溶液中。在該溶解液中投入YPV (平均粒徑D50 = 3. 6 μ m)來制作混合液，進(jìn)而對混合液進(jìn)行攪拌。之后，在將混合液過濾后，將殘留在濾紙上的YPV洗凈。之后在150°C對YPV進(jìn)行干燥。通過將干燥后的YPV在空氣中在400°C 800°C進(jìn)行燒結(jié)，從而制作了在表面包覆了 ZnO的YPV。ZnO優(yōu)選按照YPV的表面不露出的方式，均勻地包覆YPV的表面的狀態(tài)。另外，在YPV的表面上包覆ZnO的方法不限于上述方法。5-3、面板亮度和ZnO的包覆量之間的關(guān)系接著，說明具備利用含有包覆了 ZnO的YPV的紅色熒光體材料而形成的紅色熒光體層35R的等離子顯示裝置的面板亮度和作為包覆材料的ZnO之間的關(guān)系。圖8是示出了 YPV上的ZnO的包覆量和面板亮度之間的關(guān)系的圖。在此，測定了 X = O. 3、X = O. 6、X= 0.8時的YPV的面板亮度。面板亮度，在各X的值中，以將不包覆ZnO的YPV的面板亮度作為100%的情況下的相對值而示出。此外，在此，ZnO的包覆量示出了混合液中的YPV和ZnO的重量比。這是由于，例如，相對于混合液中的YPVlOOg，當(dāng)ZnO為5g時，ZnO的包覆量以相對于YPV的重量比計近似為約5wt%。各X的值時的面板亮度，利用ZnO的包覆量為O. 5wt% > I. 5wt% >3. Owt% >5. Owt% 以及 8. 0wt%時的 YPV 進(jìn)行了測定。如圖8所示，可知，在各X的值中，與ZnO的包覆量為Owt%的面板亮度相比，隨著ZnO的包覆量的增大而面板亮度變高。在此，對于面板亮度，可以預(yù)測在ZnO的包覆量為1.5wt%時面板亮度取最大值。這可以認(rèn)為是由于，通過由ZnO包覆YPV的表面而改善了工藝維持率。在X = O. 3時，與不包覆ZnO的YPV相比面板亮度的改善最大的理由在于，X =
0.3時的沒有被ZnO包覆的YPV的工藝維持率比X的值大于O. 3的情況低，但通過包覆ZnO能夠改善的亮度的絕對值較大。另一方面，在X = O. 8時，與沒有被ZnO包覆的YPV相比面板亮度的改善最小的理由在于，X = 0.8時的沒有被ZnO包覆的YPV的工藝維持率比小于x= 0.8的情況高，通過在YPV上包覆ZnO能夠改善的亮度的絕對值較小。并且，若ZnO的包覆量大于I. 5wt%，則預(yù)測面板亮度逐漸降低。并且，當(dāng)ZnO的包覆量為5被％時，顯示出與不包覆ZnO的YPV的情況相同的面板亮度。并且，若ZnO的包覆量超過5wt%，則比不包覆ZnO的YPV的情況下的面板亮度小。這可以認(rèn)為是由于，隨著ZnO的包覆量的增加，工藝維持率逐漸飽和，與此相對，ZnO的包覆所導(dǎo)致的YPV的粉狀體的亮度降低的影響變大。此外，在前述的包覆了 MgO的YPV的實施例中，在MgO的包覆量為
1.Owt %時面板亮度的增大效果最大，與此相對，在包覆了 ZnO的YPV中，在ZnO的包覆量為
I.5wt%時面板亮度的增大效果最大。如下對其理由進(jìn)行研究。MgO結(jié)晶的密度為3. 58g/cm3，與此相對，ZnO的結(jié)晶的密度為5. 64g/cm3,Zn0為約I. 5倍的密度。可以認(rèn)為是由于，當(dāng)想要以與基于MgO的包覆面積相同的面積來包覆YPV的表面時，ZnO與MgO相比需要I. 5倍的質(zhì)量。綜上所述，在ZnO包覆量大于Owt %且不足5wt %的范圍內(nèi)，與沒有包覆ZnO的YPV相比能夠得到高亮度的面板?！磳嵤┓绞?>接著，對實施方式4進(jìn)行說明。關(guān)于與實施方式I相同的內(nèi)容省略說明。6-1、關(guān)于紅色熒光體材料實施方式4中的等離子顯示裝置，具備利用含有包覆了二氧化硅(以下，稱作 SiO2)的YPV的紅色熒光體材料而形成的紅色熒光體層35R。在實施方式4中，作為紅色熒光體層，作為含有X的值為O. 8以下的Y (Pa7Va3) 04: Eu的紅色熒光體材料，使用X = O. 7的YPV。6-2、紅色熒光體材料的制造方法首先，說明在實施方式I中的YPV的表面上包覆SiO2的方法。在水中投入YPV (平均粒徑D50 = 3. 6 μ m)來制作混合液。進(jìn)而對混合液進(jìn)行攪拌，來制作YPV的懸浮液。在懸浮液中加入規(guī)定量的硅酸鈉(Na2SiO3)。一邊將懸浮液保持在70V以上的高溫，一邊在懸浮液中逐漸添加鹽酸(HCl)等酸。然后，使懸浮液成為中性或弱酸性。由此，在YPV的表面均勻且高密度地堆積二氧化硅。將懸浮液過濾，并將殘留在濾紙上的YPV洗凈。之后，在150°C對YPV進(jìn)行干燥。通過將干燥后的YPV在空氣中在400°C 800°C進(jìn)行燒結(jié)，從而制作了在表面包覆了 SiO2的YPV。SiO2優(yōu)選按照YPV的表面不露出的方式，均勻地包覆YPV的表面的狀態(tài)。另外，在YPV的表面上包覆SiO2的方法不限于上述方法。6-3、SiO2的包覆量和粉狀體亮度之間的關(guān)系接著，對YPV的粉狀體亮度和工序亮度劣化率進(jìn)行說明。圖9是示出相對亮度和亮度劣化率相對于YPV上的SiO2的包覆量的關(guān)系的圖。條形圖表示SiO2的包覆量和后述的各工序中的相對亮度)之間的關(guān)系(左縱軸)。折線圖表示SiO2的包覆量和在后述的各工序間變化的工序亮度劣化率)之間的關(guān)系(右縱軸)。此外，在此，SiO2的包覆量，示出了混合液中的YPV和SiO2的重量比。這是由于，例如，相對于混合液中的YPVlOOg，當(dāng)SiO2為5g時，SiO2的包覆量以相對于YPV的重量比計近似為約5wt%。各工序中的相對亮度如下這樣定義。進(jìn)行熒光體燒結(jié)工序之前的初始粉狀體相對亮度，相當(dāng)于熒光體漿料制作工序前的熒光體粉狀體的亮度。熒光體的燒結(jié)工序后的相對亮度，相當(dāng)于面板生產(chǎn)工序中的熒光體漿料的燒結(jié)工序后的熒光體的亮度。熒光體的真空燒結(jié)工序后的相對亮度，相當(dāng)于與面板生產(chǎn)工序中的氣密密封工序后的熒光體同等的亮度。另外，如下這樣來定義圖9所示的YPV的初始粉狀體亮度。將利用具有規(guī)定開口面積的夾具和模具的成形器并以4MPa進(jìn)行加壓而形成的YPV，在真空中用146nm受激準(zhǔn)分子燈(光源氪)進(jìn)行激勵，用分光光度計(濱松光子學(xué)制C10027)對其發(fā)光進(jìn)行測定而算出的亮度。圖9所示的相對亮度將不包覆SiO2的情況下的初始粉狀體亮度作為100%，相對地表示各包覆量時的熒光體的亮度。在各工序間變化的工序亮度劣化率，如下這樣來定義。熒光體燒結(jié)亮度劣化率示出了熒光體的燒結(jié)工序前后的相對亮度的變化率。真空燒結(jié)亮度劣化率示出了真空燒結(jié)工序前后的相對亮度的變化率。工序亮度劣化率將前工序中的相對亮度作為100%。例如，熒光體燒結(jié)亮度劣化率示出了從初始粉狀體的相對亮度向熒光體的燒結(jié)工序后的相對亮度的變化率(％)。真空燒結(jié)劣化率示出了從熒光體燒結(jié)后的相對亮度向真空燒結(jié)后的相對亮度的變化率)。工序亮度劣化率，在工序前后相對亮度不變化的情況下相當(dāng)于0%，若亮度發(fā)生劣化則顯示正的值。例如，熒光體燒結(jié)工序中的亮度劣化率，示出了從初始粉狀體相對亮度向熒光體燒結(jié)工序后的相對亮度的變化率。真空燒結(jié)工序后劣化率示出了從熒光體燒結(jié)后的相對亮度向真空燒結(jié)后的相對亮度的變化率。6-4、實驗結(jié)果根據(jù)圖9可以說，通過在YPV上包覆SiO2,熒光體燒結(jié)工序和真空燒結(jié)工序的工序亮度劣化率減少，真空燒結(jié)后相對亮度上升。6-4-1、比較例比較例是沒有包覆SiO2的YPV的相對亮度和亮度劣化率。沒有被包覆的YPV的初始粉狀體相對亮度為100%，相對于此，熒光體燒結(jié)工序后的亮度成為96. 1%，成為3. 9%的亮度劣化率。進(jìn)而通過對沒有被包覆的YPV進(jìn)行真空燒結(jié)，真空燒結(jié)相對亮度成為 73. 7%，在從熒光體燒結(jié)工序后到真空燒結(jié)后的真空燒結(jié)前后產(chǎn)生23. 4%的亮度劣化。6-4-2、實施例 I實施例I是包覆了 O. 5被％的SiO2的YPV的相對亮度和亮度劣化率。包覆了
0.5wt%的SiO2的YPV，初始粉狀體相對亮度為99. 4%，相對于此，熒光體燒結(jié)工序后的亮度成為98. 8 %，成為O. 6%的亮度劣化率。進(jìn)而，通過進(jìn)行真空燒結(jié)，真空燒結(jié)相對亮度成 為79. 4%，成為19. 4%的亮度劣化，與沒有被包覆的YPV的真空燒結(jié)后相對亮度相比，可以看到3. 7%亮度劣化抑制效果。6-4-3、實施例 2實施例2是包覆了 I. 0被％的SiO2的YPV的相對亮度和亮度劣化率。包覆了
1.Owt %的SiO2的YPV的初始粉狀體相對亮度為97. 5%，相對于此，熒光體燒結(jié)工序后的亮度成為98.6%，可以看到I. I %的亮度恢復(fù)。進(jìn)而，通過進(jìn)行真空燒結(jié)，真空燒結(jié)相對亮度成為79. 0%，產(chǎn)生19. 6%的亮度劣化。與沒有被包覆的YPV的真空燒結(jié)后相對亮度相比，可以看到3. 5%亮度劣化抑制效果。6_4_4、實施例 3實施例3是包覆了 2. 0被％的SiO2的YPV的相對亮度和亮度劣化率。包覆了
2.Owt %的SiO2的YPV的初始粉狀體相對亮度為99. 5%，相對于此，熒光體燒結(jié)工序后的亮度成為98. 6 %，可以看到O. 9%的亮度劣化。進(jìn)而，通過進(jìn)行真空燒結(jié)，真空燒結(jié)相對亮度成為83. 0%，產(chǎn)生15. 6%的亮度劣化。與沒有被包覆的YPV的真空燒結(jié)后相對亮度相比，可以看到7. 8%亮度劣化抑制效果。6-5、結(jié)論通過在YPV上包覆SiO2, YPV的真空燒結(jié)亮度劣化率變低。真空燒結(jié)工序后相對亮度也提高。因此，面板生產(chǎn)工序中的亮度劣化被抑制，帶來面板亮度提高。此外，在實施方式4的YPV中，也使用相同平均粒徑的YPV，因此認(rèn)為可以說與實施方式2以及3相同。即，與實施方式2以及3同樣，可以認(rèn)為若SiO2的包覆量超過5wt%，則比不包覆SiO2的YPV的情況下的面板亮度小。這可以認(rèn)為是由于，隨著SiO2的包覆量的增加，工藝維持率逐漸飽和，與此相對，SiO2的包覆所導(dǎo)致的YPV的粉狀體的亮度降低的影響變大。因此，SiO2的包覆量優(yōu)選大于Owt%且不足5. Owt%。
<實施方式的總結(jié)>紅色熒光體材料存在如下課題若想要通過改變熒光體的種別或組合等來得到紅色純度優(yōu)異、并且短余輝的紅色光，則亮度降低。因此，在此公開的技術(shù)的目的在于，解決這樣的課題，提供一種在抑制亮度的降低的同時縮短了余輝時間的紅色熒光體材料。為了解決上述課題，在此公開的技術(shù)具有以下的特征。另外，在此公開的技術(shù)，不限定于以下內(nèi)容。各構(gòu)成不限定于上述實施方式。(I)在此公開的技術(shù)的紅色熒光體材料，含有Y (Px，V1J O4 = Eu (式中，X的值在O. 3以上O. 8以下)。由此，能夠提供一種在抑 制亮度的降低的同時縮短了余輝時間的紅色熒光體材料。(2)上述(I)所記載的紅色熒光體材料，優(yōu)選X的值在O. 3以上O. 6以下。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)短余輝且進(jìn)一步抑制YPV在工藝過程中劣化。(3)上述(I)所記載的紅色熒光體材料，優(yōu)選X的值在O. 6以上O. 8以下。由此，能夠提供4. Omsec以下的余輝時間，且更高亮度的紅色熒光體材料。(4)上述⑴ (3)中任一項所記載的紅色熒光體材料，Y(Px, V1JO4IEu的表面，被從由氧化鎂、氧化鋅以及二氧化硅構(gòu)成的群中選擇的至少I種金屬氧化物包覆，并且，優(yōu)選金屬氧化物相對于Y (PpVh)O4 = Eu的重量％濃度大于Owt %且不足5wt%。由此,能夠進(jìn)一步抑制在工藝過程中YPV發(fā)生劣化。(5) 一種具備紅色熒光體層的rop，紅色熒光體層利用所述(I)所記載的紅色熒光體材料而形成。由此，能夠提供在抑制亮度的降低的同時縮短了余輝時間的rop。(6) 一種具備紅色熒光體層的等離子顯示面板，紅色熒光體層優(yōu)選利用上述(2)或(3)中任一項所記載的紅色熒光體材料而形成。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)4. Omsec以下的短余輝的TOP。進(jìn)而，能夠提供3. Omsec以下的短余輝且抑制在工藝過程中熒光體發(fā)生劣化的TOP?；蛘撸軌蛱峁?. Omsec以下的余輝時間，且高亮度的TOP。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度且抑制了串?dāng)_的聞品質(zhì)的等尚子顯不裝置。(7) 一種具備紅色熒光體層的rop，紅色熒光體層利用(4)所記載的紅色熒光體材料而形成。由此，能夠提供進(jìn)一步抑制在工藝過程YPV發(fā)生劣化的rop?！雌渌麑嵤┓绞健狄陨蠈嵤┓绞絀到實施方式4進(jìn)行了說明。但是，在此公開的技術(shù)，不限定于這些實施方式。因此，在本段總結(jié)說明在此公開的技術(shù)的其他實施方式。在實施方式2 4中，對在Y(PX，V1J04:Eu的表面包覆了 Mg。、ZnO或SiO2的紅色熒光體進(jìn)行了說明。除了這些以外，也可以包覆碳酸鍶(SrC03)、碳酸鈣(CaC03)、碳酸鋇(BaCO3)、五氧化二磷(V2O5)。特別是，在包覆了碳酸鍶(SrCO3)、碳酸鋇(BaCO3)的情況下，工藝維持率良好。-工業(yè)實用性-在此公開的技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)具有短余輝特性、能夠進(jìn)行高亮度且高色域顯示的等離子顯示裝置，在高精細(xì)圖像顯示裝置或立體圖像顯示裝置等中有用。-符號說明-10 PDP20 前面板
21前面玻璃基板22掃描電極23維持電極24顯示電極對25電介質(zhì)層26保護(hù)層
30背面板31背面玻璃基板32尋址電極33基底電介質(zhì)層34隔壁35R紅色熒光體層35G綠色熒光體層35B藍(lán)色熒光體層36放電單元40驅(qū)動電路41顯示驅(qū)動電路42掃描驅(qū)動電路43尋址驅(qū)動電路44控制器
權(quán)利要求
1.一種紅色熒光體材料，其含有Y (Px，V1J O4:Eu，式中，x的值在0.3以上0.8以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的紅色熒光體材料,其中， 所述X的值在0. 3以上、0. 6以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的紅色熒光體材料,其中， 所述X的值在0. 6以上、0. 8以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項所述的紅色熒光體材料，其中， 所述Y(PpVh)O4 = Eu的表面，被從由氧化鎂、氧化鋅以及二氧化硅構(gòu)成的群中選擇的至少I種金屬氧化物包覆，并且，所述金屬氧化物相對于所述Y (Px，V1J 04:Eu的重量％濃度大于Owt %且不足5wt %。
5.一種等離子顯示面板，其具備紅色熒光體層， 所述紅色熒光體層利用權(quán)利要求I所述的紅色熒光體材料而形成。
6.一種等離子顯示面板，其具備紅色熒光體層， 所述紅色熒光體層利用權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的紅色熒光體材料而形成。
7.一種等離子顯示面板，其具備紅色熒光體層， 所述紅色熒光體層利用權(quán)利要求4所述的紅色熒光體材料而形成。
全文摘要
在此公開的技術(shù)是一種紅色熒光體材料，含有Y(Px，V1-x)O4:Eu(式中，x的值在0.3以上0.8以下)。此外，在此公開的技術(shù)，是具備紅色熒光體層的等離子顯示面板，紅色熒光體層利用所述紅色熒光體材料而形成。
文檔編號C09K11/83GK102712843SQ20118000588
公開日2012年10月3日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者豐田恩津水, 杉本和彥, 西川勇作, 長崎純久 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社