專利名稱：透明導電膜濕法蝕刻液組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及透明導電膜濕法蝕刻液組合物，尤其涉及一種可在等離子顯示器 (PDP)，液晶顯示器(LCD)，有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)等中用作像素電極的透明導電膜如氧化銦鋅(ITO)或氧化銦鋅(IZO)圖樣化的濕法蝕刻液。
背景技術：
由于透明導電膜如氧化銦鋅(ITO)具有多種獨特的性質，如低電阻率、高可見光透過率、膜層硬度強且對基底附著力大、優(yōu)良的化學穩(wěn)定性等，因而，已經廣泛地應用于 LCD、PDP、OLED等平面顯示領域。目前，ITO蝕刻方法主要為濕法蝕刻，采用各種無機酸/鹽或有機酸的水溶液組合物。常用的無機酸有鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸、碘酸、氫溴酸，有機酸有草酸、乙酸、檸檬酸。其中，鹽酸+硝酸體系，蝕刻反應劇烈，生產中無法精確控制；另外，鹽酸、硝酸的揮發(fā)造成體系組分含量不恒定，以及對環(huán)境的污染。磷酸體系，蝕刻后有殘渣。三氯化鐵體系，蝕刻速率快，但是側蝕量也大，且對環(huán)境污染大。碘酸或氫溴酸體系，雖然蝕刻性好，但易游離出鹵素單質或揮發(fā)，不穩(wěn)定且毒性大。草酸體系，蝕刻速率慢，需要較高溫度條件，且低溫時易析出草酸晶體。

發(fā)明內容
為了解決現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明提供一種改良的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物蝕刻速率均勻穩(wěn)定，無殘留，不腐蝕配線，不含易揮發(fā)物質。本發(fā)明的技術方案如下一種透明導電膜濕法蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物為草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量為0. 5-10wt%;乙酸含量為0. l-50wt%。這里所講的酸的含量均是指其有效成分占蝕刻液組合物的質量分數(shù)。本發(fā)明的蝕刻液組合物若還含有0. 01-10wt%銨鹽，效果較佳。上述的銨鹽優(yōu)選硫酸銨、硫酸氫胺、硝酸銨、碳酸銨、碳酸氫銨、氯化銨、溴化銨、甲酸銨、乙酸銨、丙酸銨、草酸銨、苯甲酸銨中的一種或兩種。實際上，一般常用的銨鹽均能夠應用于本發(fā)明。本發(fā)明的蝕刻液組合物若還含有0. 001-10wt%表面活性劑，與上述草酸、乙酸配合使用，效果較佳；或者蝕刻液組合物若還含有0.001-10wt%表面活性劑，與上述草酸、乙酸、銨鹽配合使用，效果更佳。上述的表面活性劑優(yōu)選陽離子型、陰離子型、非離子型、Gemini型和兩性表面活性劑中的一種或兩種。上述蝕刻液組合物中，草酸含量為l-7wt% ；乙酸含量為l-30wt% ；銨鹽含量為 0. l-8wt% ；表面活性劑含量為0. 01-10wt% ；余量為水；此種配比效果較佳。上述的表面活性劑優(yōu)選Gemini型表面活性劑。此時的蝕刻液組合物配比也采用草酸含量為l-7wt% ；乙酸含量為l-30wt% ；銨鹽含量為0. I-Swt % ；表面活性劑含量為 0. 01-10wt% ；余量為水；則效果更佳。本發(fā)明的蝕刻液組合物的最佳配比為草酸含量為；乙酸含量為 5-20wt% ；銨鹽含量為0. 5-5wt% ；表面活性劑含量為0. l-5wt% ；余量為水。經驗證，以本發(fā)明的上述基礎配方0. 5_10wt%草酸、0. 1_50襯％乙酸為基本方案制得的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，能夠用于等離子顯示器(PDP)、液晶顯示器(LCD)、 有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)透明導電膜氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)圖樣化的濕法蝕刻。本發(fā)明具有穩(wěn)定的蝕刻能力，蝕刻后無殘渣，同時對鋁、鉬等金屬配線無腐蝕，不含易揮發(fā)物質，不污染環(huán)境。
具體實施例方式本發(fā)明提供如下透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其含有(1)0.草酸；(2) 0. l-50wt % 的乙酸；(3)余量水。本發(fā)明中，草酸起均勻蝕刻的作用。草酸的含量為0.5-10wt%，優(yōu)選l-7wt%，更優(yōu)選.當含量小于0. 5wt%時，蝕刻速率小，蝕刻效果差；當含量大于10wt%時，得不到更好的蝕刻效果，且易結晶析出。本發(fā)明中，乙酸起促進蝕刻速率、調節(jié)蝕刻速率平穩(wěn)、浸潤板面的作用。乙酸的含量為0. l-50wt%，優(yōu)選l-30wt%，更優(yōu)選5-20wt% .當含量小于0. Iwt %時，起不到促進蝕刻速率、調節(jié)蝕刻速率平穩(wěn)、浸潤板面的作用；當含量大于50wt%時，得不到更好的促進蝕刻速率、調節(jié)蝕刻速率平穩(wěn)、浸潤板面的的效果。本發(fā)明中，還可以添加銨鹽。銨鹽起輔助調節(jié)蝕刻速率平穩(wěn)的作用。銨鹽的含量為0. Ol-IOwt %，優(yōu)選0. l-8wt %，更優(yōu)選0. 5-5wt % ·當含量小于0. Olwt %時，起不到輔助調節(jié)蝕刻速率作用；當含量大于10wt%時，得不到更好的輔助調節(jié)蝕刻速率的效果。作為具體例，可以選自銨鹽選自硫酸銨、硫酸氫胺、硝酸銨、碳酸銨、碳酸氫銨、氯化銨、溴化銨、 甲酸銨、乙酸銨、丙酸銨、草酸銨、苯甲酸銨中的1種或2種。本發(fā)明中，還可以添加表面活性劑。表面活性劑的含量為0. OOl-IOwt %，優(yōu)選 0. Ol-IOwt %，更優(yōu)選0. l-5wt% ·當含量小于0. OOlwt %時，起不到潤濕作用；當含量大于 10wt%時，得不到更好的潤濕的效果，并引起體系泡沫增多。表面活性劑可以選自陽離子型、陰離子型、非離子型、Gemini型和兩性表面活性劑中的1種或2種。由于Gemini型表面活性劑和單鏈單頭基表面括性劑相比較，具有高表面活性和優(yōu)良的潤濕性，所以為優(yōu)選。 具體例可以選自硫酸酯鹽型、磺酸鹽型、羧酸鹽型、季銨鹽型Gemini型表面活性劑中的1種或2種。本發(fā)明中的水優(yōu)選超純水。下面詳細說明本發(fā)明的實施例。所述實施例用于對本發(fā)明進行進一步說明，但本發(fā)明并不限于以下實施例。一、蝕刻液制備
室溫攪拌條件下，在超純水中加入乙酸、草酸，攪拌至完全溶解均勻，過濾，得到所需蝕刻液組合物。二、蝕刻效果本實驗所用表面電阻8-10 Ω，膜厚約150nm的ITO玻璃基板。對玻璃基板進行清洗，烘干處理。保持蝕刻液溫度為45°C，將處理過的玻璃基板浸入蝕刻液中5分鐘。取出清洗，烘干后，顯微鏡觀察。蝕刻效果250倍顯微鏡觀察蝕刻5分鐘后的玻璃基板是否有殘渣。不同組分含量的蝕刻液實施例和比較例的蝕刻效果如表1所示。A 示無殘渣，B 幾處殘渣，C 少量殘渣，D 較多殘渣。表1不同濃度蝕刻液的蝕刻效果(45°C，5min.)
權利要求
1.一種透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于該蝕刻液組合物為草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量為0. 5-10wt% ；乙酸含量為0. l-50Wt%。
2.根據權利要求1所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于該蝕刻液組合物還含有0. Ol-IOwt %銨鹽。
3.根據權利要求2所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于所述的銨鹽選自硫酸銨、硫酸氫胺、硝酸銨、碳酸銨、碳酸氫銨、氯化銨、溴化銨、甲酸銨、乙酸銨、丙酸銨、 草酸銨、苯甲酸銨中的一種或兩種。
4.根據權利要求1至3任一所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于該蝕刻液組合物還含有0. 001-IOwt %表面活性劑。
5.根據權利要求4所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于所述的表面活性劑選自陽離子型、陰離子型、非離子型、Gemini型和兩性表面活性劑中的一種或兩種。
6.根據權利要求5所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于所述的表面活性劑為Gemini型表面活性劑。
7.根據權利要求5所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于該蝕刻液組合物中，草酸含量為l-7wt% ；乙酸含量為l-30wt% ；銨鹽含量為0. I-Swt% ；表面活 性劑含量為0. 01-10wt% ；余量為水。
8.根據權利要求6所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于該蝕刻液組合物中，草酸含量為l-7wt% ；乙酸含量為l-30wt% ；銨鹽含量為0. I-Swt% ；表面活性劑含量為0. 01-10wt% ；余量為水。
9.根據權利要求8所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，其特征在于該蝕刻液組合物中，草酸含量為；乙酸含量為5-20wt% ；銨鹽含量為0. 5-5wt% ；表面活性劑含量為0. l-5wt% ；余量為水。
10.如權利要求1所述的透明導電膜濕法蝕刻液組合物，用于等離子顯示器(PDP)Jf 晶顯示器(LCD)、有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)透明導電膜氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅 (IZO)圖樣化的濕法蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種透明導電膜濕法蝕刻液組合物。該透明導電膜濕法蝕刻液組合物包含(1)0.5-10wt％的草酸；(2)0.1-50wt％的乙酸；(3)0.01-10wt％的銨鹽；(4)0.001-10wt％的表面活性劑；(5)余量水。該蝕刻液組合物蝕刻速率均勻穩(wěn)定，無殘留，不腐蝕配線。
文檔編號C09K13/00GK102226087SQ20111010954
公開日2011年10月26日 申請日期2011年4月29日 優(yōu)先權日2011年4月29日
發(fā)明者常積東, 張軍, 李承孝 申請人:西安東旺精細化學有限公司