本發(fā)明涉及一種濕法腐蝕方法，尤其涉及一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法。

背景技術：

理想半導體激光器的脊臺形貌為90°，然而當半導體激光器采用GaAs作為P面歐姆接觸曾，高Al組分AlGaAs材料作為電子阻擋層和波導層時，由于高Al組分AlGaAs在一般腐蝕液中的側向腐蝕速率大于GaAs，容易在腐蝕后形成GaAs凸出、AlGaAs凹陷的屋檐狀形貌。這樣的屋檐狀脊臺形貌將影響SiO₂鈍化保護，易造成漏電短路等異常情況，如申請?zhí)枮镃N201310406295.8，申請日為2013-09-09，公告號為CN103531458A，公告日為2014-01-22的《一種利用兩步法對GaAs基材料進行濕法刻蝕的方法》。

提高H₃PO₄:H₂O₂腐蝕液中的H₃PO₄濃度，可以減緩AlGaAs側向凹陷情況，但是H₃PO₄濃度提高后，腐蝕液非常粘稠，不利于大尺寸waf的腐蝕深度均勻性控制。

技術實現(xiàn)要素：

為了能夠達到消除AlGaAs層凹陷的效果，同時解決腐蝕液粘稠導致的腐蝕深度均勻性不易控制的技術問題，本發(fā)明提供一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法。

本發(fā)明的解決方案是：一種應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，其采用的腐蝕液配比為H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1，且用于GaAs/Al_0.7Ga_0.3As脊臺材料腐蝕中；在室溫環(huán)境下完成腐蝕。

作為上述方案的進一步改進，腐蝕速率為120～160nm/s。

本發(fā)明選取H₃PO₄:H₂O₂腐蝕液，采用本發(fā)明的H₂O₂濃度，同樣能夠達到消除AlGaAs層凹陷的效果，而且這個濃度的H₂O₂不會帶來腐蝕液粘稠導致的腐蝕深度均勻性不易控制的問題。

附圖說明

圖1為采用常規(guī)腐蝕液腐蝕H₂SO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:20時，腐蝕后的側壁形貌示意圖。

圖2為采用本發(fā)明的應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法腐蝕后的側壁形貌示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在GaAs半導體激光器脊臺濕法腐蝕工藝中，半導體脊臺采用上層0.3～0.5μm GaAs材料、以及下層0.6～1μm的Al0.7Ga0.3As材料時，使用常規(guī)腐蝕液腐蝕，如H₂SO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:20時，腐蝕后側壁形貌如圖1所示，Al0.7Ga0.3As材料相對GaAs材料側向鉆蝕情況嚴重，脊臺整體呈屋檐狀。

本發(fā)明應用于高Al組分AlGaAs-GaAs脊臺垂直側壁形貌工藝的濕法腐蝕方法，采用的腐蝕液配比為H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1，且用于GaAs/Al_0.7Ga_0.3As脊臺材料腐蝕中，在室溫環(huán)境下完成腐蝕。H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1的配比也得到了試驗的驗證，在室溫環(huán)境下，腐蝕速率約為120～160nm/s，腐蝕完成后，脊臺側壁形貌如圖2所示，GaAs側壁垂直，Al_0.7Ga_0.3As側壁呈正臺面，GaAs材料和Al_0.7Ga_0.3As材料的側向腐蝕量基本一致，這樣的脊臺形貌對SiO₂鈍化無影響，極大減小漏電短路等異常發(fā)生。

需要說明的是，H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:10:1的配比并非是通過無限次試驗就能輕而易舉的得到，因為不同的配比，整體表現(xiàn)的性能差異很大，沒辦法從試驗數(shù)據(jù)上簡單歸納與總結。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。