專利名稱：粘接片及其制造方法、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于粘接片及其制造方法、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，機(jī)動(dòng)性相關(guān)機(jī)器的多功能化及輕量小型化的需求迅速增高。隨之，相對(duì)于半導(dǎo)體元件的高密度安裝的需求年年增加，尤其以層疊半導(dǎo)體元件的層疊式多芯片封裝 (以下稱為“層疊式MCP”)的開(kāi)發(fā)為其中心。層疊式MCP的技術(shù)開(kāi)發(fā)，是封裝的小型化與多段裝載的所謂相反目標(biāo)的兼顧。因此，半導(dǎo)體元件所使用的硅晶片的厚度，迅速進(jìn)行薄膜化，積極研究、使用厚度為ΙΟΟμπι以下的晶片。另外，多段裝載，由于造成封裝制作步驟的復(fù)雜化，尋求封裝制作步驟的簡(jiǎn)化、及對(duì)應(yīng)于因多段裝載的引線接合的熱經(jīng)歷次數(shù)增加的制作工藝、材料的提案。在這樣的狀況中，使用早期以來(lái)的糊狀材料作為層疊式MCP的粘接部件。但是，糊狀材料在半導(dǎo)體元件的粘接工藝中，產(chǎn)生樹(shù)脂的擠出，有膜厚精確度降低的問(wèn)題。這些問(wèn)題，成為產(chǎn)生引線接合時(shí)的不適，或造成糊狀劑的空隙等的原因，在使用糊狀材料時(shí)，并無(wú)對(duì)上述的要求的處理方案。為改善這樣的問(wèn)題，近年來(lái)有使用薄膜狀的粘接劑替代糊狀材料的傾向。薄膜狀的粘接劑與糊狀材料比較，可控制半導(dǎo)體元件的粘接工藝中的擠出量為少量，且提高薄膜的膜厚精確度，能減少膜厚的偏差，故而積極研究對(duì)層疊式MCP的使用。此粘薄膜狀粘接劑，通常具有在剝離基材上形成粘接層的結(jié)構(gòu)。薄膜狀粘接劑的代表性的使用方法之一為晶片背面貼合法。所謂晶片背面貼合法，是指在半導(dǎo)體元件制作中所使用的硅晶片的背面，直接貼合薄膜狀粘接劑的方法。此方法中，在對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行薄膜狀粘接劑的貼合后，去除剝離基材，在粘接層上貼合切割膠帶。其后安裝于晶片環(huán)，對(duì)晶片連同粘接層進(jìn)行切削加工成為所期望的半導(dǎo)體元件尺寸。切割后的半導(dǎo)體元件，成為在背面具有切削為同尺寸的粘接層的構(gòu)造。將此附帶有粘接層的半導(dǎo)體元件拾取裝載于襯底，以熱壓粘接等方法粘貼合。此背面貼合方式中采用的切割膠帶，通常具有在基材薄膜上形成粘著層的結(jié)構(gòu)， 大致分為感壓型切割膠帶與UV型切割膠帶兩種。要求于切割膠帶的功能為，在切割時(shí)，要求不使半導(dǎo)體元件由于晶片切斷所伴隨的負(fù)荷而飛散的充分粘著力。另外，在拾取切割的半導(dǎo)體元件之際，要求各元件無(wú)粘著劑殘留，接合設(shè)備可以輕易拾取附帶有粘接層的半導(dǎo)體元件。另外，由于封裝制作步驟的縮短化的要求，進(jìn)而改善工藝的要求更為提高。以往的晶片背面貼合方式中，需要在對(duì)晶片貼合薄膜狀粘接劑后，貼合切割膠帶的兩個(gè)步驟。因而，為簡(jiǎn)化此工藝，進(jìn)行開(kāi)發(fā)兼具薄膜狀粘接劑與切割膠帶兩者功能的粘接片(接合切割薄片)。此粘接片有，具有貼合薄膜狀粘接劑與切割膠帶的結(jié)構(gòu)的層疊型(例如參照專利文獻(xiàn)1 幻或、以一個(gè)樹(shù)脂層兼?zhèn)湔持鴮优c粘接層的功能的單層型(例如參照專利文獻(xiàn)4)。另外，有預(yù)先將這樣的粘接片加工為構(gòu)成半導(dǎo)體元件的晶片的形狀的方法(所謂預(yù)先切斷加工)(例如參照專利文獻(xiàn)5、6)。這樣的預(yù)先切斷加工，是使樹(shù)脂層沖切為符合所使用的晶片的形狀，將粘貼于晶片部分以外的樹(shù)脂層剝離的方法。施行這樣的預(yù)先切斷加工時(shí)，層疊型的粘接片，一般而言，是使粘薄膜狀粘接劑的粘接層進(jìn)行預(yù)先切斷加工成符合晶片的形狀，在其與切割膠帶粘貼后，對(duì)此切割膠帶施行符合晶片環(huán)形狀的預(yù)先切斷加工；或者，通過(guò)使預(yù)先施行符合晶片環(huán)形狀的預(yù)先切斷加工的切割膠帶，與施行預(yù)先切斷加工的薄膜狀粘接劑貼合制作而得。另外，單層型的粘接片，一般而言，是通過(guò)在剝離基材上形成具有粘接層與粘著層的功能的樹(shù)脂層(以下稱為“粘接著層”)，對(duì)此粘接著層進(jìn)行預(yù)先切斷加工，在去除樹(shù)脂層的不要部分后，與基材薄膜貼合等方法制作而得。專利文獻(xiàn)1 專利第3，348，923號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開(kāi)平10-335271號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 專利第2，678，655號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 特公平7-15087號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 實(shí)公平6-18383號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 登錄實(shí)用新案3，021，645號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題粘接薄膜的預(yù)先切斷加工，借助例如圖14所示的方法施行。圖14是對(duì)于單層型的粘接片施行預(yù)先切斷加工的一連串步驟圖。如圖14所示，首先，使剝離基材10、與由粘接著層12及基材薄膜14所成的粘接著薄膜(切割膠帶)20貼合，制作成預(yù)先切斷前的粘接片[圖14的(a)]。其次，將對(duì)應(yīng)于所期望形狀的預(yù)先切斷刀C，自基材薄膜14的表面F14 切入至達(dá)剝離基材10，進(jìn)行切斷操作[圖14的(b)]。其后，去除粘接著層12及基材薄膜 14的不要部分，完成預(yù)先切斷加工[圖14的(c)]。還有，層疊型的粘接片的情況下，除粘接著層12為粘接層及粘著層以外，以與上述同樣的方法進(jìn)行預(yù)先切斷加工。但是，此預(yù)先切斷加工中，切斷刀C未到達(dá)剝離基材10時(shí)，切斷加工不足，在不要部分的剝離操作之際產(chǎn)生使必要部分也剝離的不適情況。因此，以往為避免這樣的不良切斷，預(yù)先切斷刀C的進(jìn)入量，設(shè)定為比粘接著層12與剝離基材10的界面還深。但是，設(shè)定這樣較深的預(yù)先切斷刀C進(jìn)入量而進(jìn)行預(yù)先切斷加工的粘接片，如圖 15所示，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，粘接著層12咬入剝離基材10的切入部分E，使剝離基材10與粘接著層12的界面密封。進(jìn)而，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，以此狀態(tài)使粘接片層壓于晶片時(shí)，難以使粘接著層12自剝離基材10剝離，容易造成剝離不良。另外，粘接薄膜的預(yù)先切斷加工，借助例如圖M所示的方法施行。圖對(duì)是對(duì)于層疊型的粘接片施行預(yù)先切斷加工的一連串步驟圖。如圖M所示，首先，使由剝離基材212及粘接層214所成的薄膜狀粘接劑與由基材薄膜2M及粘著層222所成的切割膠帶貼合，制作成預(yù)先切斷前的粘接片[圖M的(a)]。其次，將對(duì)應(yīng)于所期望形狀的預(yù)先切斷刀C，自基材薄膜224的表面FM切入至達(dá)剝離基材212，進(jìn)行切斷操作[圖對(duì)的(b)]。其后，去除粘接層214、粘著層222及剝離薄膜224的不要部分，完成預(yù)先切斷加工[圖M的(c)]。 還有，單層型粘接片的情況下，除使用具有兩者功能的粘接著層替代粘接層214和粘著層 222以外，以與上述同樣的方法進(jìn)行預(yù)先切斷加工。但是，上述的預(yù)先切斷加工中，切斷刀C 未到達(dá)剝離基材212時(shí)切斷加工不足，在不要部分的剝離操作之際產(chǎn)生使必要部分也剝離的不適情況。為避免這樣的不良切斷，預(yù)先切斷刀C的進(jìn)入量，設(shè)定為比粘接層214與剝離基材212的界面還深。但是，設(shè)定這樣較深的預(yù)先切斷刀C進(jìn)入量而進(jìn)行預(yù)先切斷加工的粘接片，如圖 25所示，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，粘接層214或粘著層222咬入剝離基材212的切入部分F，使剝離基材212與粘接層214的界面密封。進(jìn)而，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，以此狀態(tài)使粘接片層壓于晶片時(shí)，難以使粘接層214自剝離基材212剝離，容易造成剝離不良。本發(fā)明鑒于具有上述以往技術(shù)的課題，目的是提供在施行預(yù)先切斷加工中，可充分抑制含有粘接著層及基材薄膜的層疊體自剝離基材剝離的不良，或含有粘接層、粘著層及基材薄膜的層疊體的剝離不良的粘接片及其制造方法，以及使用所述粘接片的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。解決問(wèn)題的方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種粘接片，其為具備剝離基材、基材薄膜、及配置于所述剝離基材和所述基材薄膜之間的第1粘接著層的粘接片，其特征為，所述剝離基材上，由所述第1粘接著層側(cè)的面形成環(huán)狀的切入部分；所述第1粘接著層為，按覆蓋所述剝離基材的所述切入部分的內(nèi)側(cè)面整體來(lái)層疊；所述切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。這里，本發(fā)明中的切入深度，是指通過(guò)以電子顯微鏡觀測(cè)形成于剝離基材的切入部分的剝離基材的厚度方向的深度剖面，測(cè)定任意的10點(diǎn)，取其平均值。這樣的粘接片，是施行了如上所述的預(yù)先切斷加工的粘接片。這樣的粘接片，借助剝離基材的切入部分的切入深度為上述范圍，可充分抑制第1粘接著層咬入切入部分。因此，剝離基材與第1粘接著層的界面不被密封，第1粘接著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，上述粘接片中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述切入部分的切入深度為d(ym)，(d/a)的值以滿足下述式⑴的條件為宜。0< (d/a)彡 0.7 ......(1)由此，可以更充分地抑制第1粘接著層咬入切入部分，可以更充分地抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，所述粘接片中，所述第1粘接著層，以具有與剝離所述剝離基材后所述第1 粘接著層應(yīng)該貼合的被粘附體的平面形狀相符合的平面形狀為宜。上述被粘附體有例如半導(dǎo)體晶片。借助于第1粘接著層具有符合于此半導(dǎo)體晶片平面形狀的平面形狀，有使切割半導(dǎo)體晶片的步驟更容易的傾向。還有，第1粘接著層的平面形狀，不必與半導(dǎo)體晶片的平面形狀完全一致，例如可以與半導(dǎo)體晶片的平面形狀相似，也可以比半導(dǎo)體晶片的平面形狀的面積略大。進(jìn)而，所述粘接片中，所述第1粘接著層為，對(duì)于剝離所述剝離基材后所述第1粘接著層應(yīng)該貼合的被粘附體和所述基材薄膜而言，以在室溫下具有粘著性為宜。由此，切割半導(dǎo)體晶片之際，半導(dǎo)體晶片被充分固定，切割更為容易。另外，在切割半導(dǎo)體晶片之際使用晶片環(huán)，按使第1粘接著層緊貼于此晶片環(huán)來(lái)進(jìn)行粘接片的貼合時(shí)， 可充分獲得對(duì)晶片環(huán)的粘著力，切割更加容易。另外，所述第1粘接著層，以借助高能量射線的照射，對(duì)于所述基材薄膜的粘著力降低為宜。由此，在第1粘接著層自基材薄膜剝離之際，借助照射放射線等高能量射線，剝離可更容易地進(jìn)行。另外，所述粘接片中，以進(jìn)一步具備配置于所述第1粘接著層周邊部分的至少一部分與所述剝離基材之間的第2粘接著層為宜。由于具備這樣的第2粘接著層，對(duì)于半導(dǎo)體晶片切割時(shí)使用的晶片環(huán)，貼合此第2 粘接著層，可使第1粘接著層不必直接貼合于晶片環(huán)。第1粘接著層直接貼合于晶片環(huán)時(shí)， 第1粘接著層的粘著力，需要調(diào)整至可輕易從晶片環(huán)剝離的程度的低粘著力。但是，通過(guò)將第2粘接著層貼合于晶片環(huán)，則不需要這樣的粘著力的調(diào)整。因此，通過(guò)使第1粘接著層具有充分高的粘著力，同時(shí)使第2粘接著層具有可輕易剝離晶片環(huán)程度的充分低的粘著力， 可更高效率地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割操作及其后的晶片環(huán)的剝離操作。進(jìn)而，由于可調(diào)整第2粘接著層的粘著力至充分低，因此在剝離基材與第2粘接著層之間容易做出剝離起點(diǎn)， 可使第2粘接著層、第1粘接著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。這里，所述第2粘接著層為，對(duì)于剝離所述剝離基材后所述第2粘接著層應(yīng)該貼合的被粘附體和所述第1粘接著層而言，以在室溫下具有粘著性為宜。另外，所述粘接片中，以進(jìn)一步具備配置于所述第1粘接著層的所述周邊部分的至少一部分與所述第2粘接著層之間的中間層為宜。由于具備這樣的中間層，可提高第2粘接著層的材料選擇的自由度。例如，制造具備第2粘接著層的粘接片之際，于剝離基材上層疊第2粘接著層后，需要預(yù)先切斷此第2粘接著層?？闪畠r(jià)取得的粘接著層，其本身并無(wú)自身支撐性，有難以自剝離基材完全去除的情況。但是，借助在第2粘接著層上具備中間層，預(yù)先切斷時(shí)，可輕易將第2粘接著層連同此中間層去除，可謀求操作的效率化，并提高第2粘接著層的材料選擇的自由度。因此，可輕易調(diào)整第2粘接著層的粘著力，在剝離基材與第2粘接著層之間容易做出剝離起點(diǎn)，可使第2 粘接著層、第1粘接著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，本發(fā)明提供一種粘接片的制造方法，其為具備剝離基材、基材薄膜、及配置于所述剝離基材與所述基材薄膜之間的第1粘接著層的粘接片的制造方法，其特征為，包括在所述剝離基材上，層疊所述第1粘接著層和所述基材薄膜的第1層疊步驟；經(jīng)所述第1 層疊步驟后，由所述基材薄膜的與所述第1粘接著層側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)所述剝離基材，于所述剝離基材上形成環(huán)狀的切入部分的第1切斷步驟；所述第1切斷步驟中，所述切入部分的切入深度小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。本發(fā)明還提供一種粘接片的制造方法，其為具備剝離基材、基材薄膜、配置于所述剝離基材與所述基材薄膜之間的第1粘接著層、及配置于所述剝離基材與所述第1粘接著層之間的第2粘接著層的粘接片的制造方法，其特征為，包括在所述剝離基材上，部分性地層疊所述第2粘接著層的第2層疊步驟；在所述剝離基材和所述第2粘接著層上，層疊所述第1粘接著層和所述基材薄膜的第3層疊步驟；由所述基材薄膜的與所述第1粘接著層側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)所述剝離基材，于所述剝離基材上形成環(huán)狀的切入部分的第2切斷步驟；所述第2切斷步驟中，進(jìn)行切斷，使得所述第2粘接著層在所述切入部分內(nèi)側(cè)區(qū)域被設(shè)置在所述第1粘接著層的周邊部分的至少一部分與所述剝離基材之間，并按使所述切入部分的切入深度小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來(lái)形成切入部分。本發(fā)明進(jìn)而提供一種粘接片的制造方法，其為具備剝離基材、基材薄膜、配置于所述剝離基材與所述基材薄膜之間的第1粘接著層、配置于所述剝離基材與所述第1粘接著層之間的第2粘接著層、及配置于所述第1粘接著層與第2粘接著層之間的中間層的粘接片的制造方法，其特征為，含有在所述剝離基材上，部分性地層疊所述第2粘接著層及所述中間層的第4層疊步驟；在所述剝離基材及所述中間層上，層疊所述第1粘接著層及所述基材薄膜的第5層疊步驟；由所述基材薄膜的與所述第1粘接著層側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)所述剝離基材，于所述剝離基材上形成環(huán)狀的切入部分的第3切斷步驟；所述第3切斷步驟中，進(jìn)行切斷，使得所述第2粘接著層在所述切入部分內(nèi)側(cè)區(qū)域被設(shè)置在所述第1粘接著層的周邊部分的至少一部分與所述剝離基材之間，并按使所述切入部分的切入深度小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來(lái)形成切入部分。這些粘接片的制造方法中，施行預(yù)先切斷加工，并借助預(yù)先切斷加工使在剝離基材上形成的切入部分的切入深度為上述范圍。因此，所得粘接片可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，上述第1 3的切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為a(ym)、所述切入部分的切入深度為d( μ m)，以(d/a)的值滿足下述式(1)的條件來(lái)形成切入部分為宜。0 < (d/a) ^ 0. 7 ......(1)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片。另外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征為，包括自所述本發(fā)明的粘接片剝離所述剝離基材，獲得由所述基材薄膜及所述第1粘接著層所成的第1層疊體的第 1剝離步驟；將所述第1層疊體中的所述第1粘接著層貼合于半導(dǎo)體晶片的第1貼合步驟； 通過(guò)切割所述半導(dǎo)體晶片及所述第1粘接著層，獲得附著有所述第1粘接著層的半導(dǎo)體元件的第1切割步驟；從所述基材薄膜上拾取附著有所述第1粘接著層的所述半導(dǎo)體元件的第1拾取步驟；將所述半導(dǎo)體元件以所述第1粘接著層為中介，粘接于半導(dǎo)體元件搭載用的支持部件的第1粘接步驟。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征為，包括自所述本發(fā)明的粘接片剝離所述剝離基材，獲得由所述基材薄膜、所述第1粘接著層及所述第2粘接著層所成的第2層疊體的第2剝離步驟；將所述第2層疊體中的所述第1粘接著層貼合于半導(dǎo)體晶片， 所述第2粘接著層貼合于晶片環(huán)的第2貼合步驟；通過(guò)切割所述半導(dǎo)體晶片及所述第1粘接著層，獲得附著有所述第1粘接著層的半導(dǎo)體元件的第2切割步驟；從所述基材薄膜上拾取附著有所述第1粘接著層的所述半導(dǎo)體元件的第2拾取步驟；將所述半導(dǎo)體元件以所述第1粘接著層為中介，粘接于半導(dǎo)體元件搭載用的支持部件的第2粘接步驟。
本發(fā)明進(jìn)而提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征為，包括自所述本發(fā)明的粘接片剝離所述剝離基材，獲得由所述基材薄膜、所述第1粘接著層、所述中間層及所述第2 粘接著層所成的第3層疊體的第3剝離步驟；將所述第3層疊體中的所述第1粘接著層貼合于半導(dǎo)體晶片，所述第2粘接著層貼合于晶片環(huán)的第3貼合步驟；通過(guò)切割所述半導(dǎo)體晶片及所述第1粘接著層，獲得附著有所述第1粘接著層的半導(dǎo)體元件的第3切割步驟；從所述基材薄膜上拾取附著有所述第1粘接著層的所述半導(dǎo)體元件的第3拾取步驟；將所述半導(dǎo)體元件以所述第1粘接著層為中介，粘接于半導(dǎo)體元件搭載用的支持部件的第3粘接步馬聚ο根據(jù)這些制造方法，通過(guò)在其制造步驟中使用本發(fā)明的粘接片，可充分抑制制造過(guò)程中的剝離不良的產(chǎn)生，能高效率且確實(shí)的制造半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明進(jìn)而提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征為，利用所述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行制造。另外，本發(fā)明提供一種粘接片，其為具有剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜順次層疊的結(jié)構(gòu)的粘接片，其特征為，所述粘接層具有規(guī)定的第1平面形狀，且部分性的形成于所述剝離基材上；所述剝離基材上，沿著所述第1平面形狀的周邊，從與所述粘接層接觸的一側(cè)的面形成第1切入部分；所述第1切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度， 且為25 μ m以下。這里，本發(fā)明中的切入深度，是指通過(guò)以電子顯微鏡觀測(cè)形成于剝離基材的切入部分的剝離基材的厚度方向的深度剖面，測(cè)定任意的10點(diǎn)，取其平均值。這樣的粘接片，是施行如上所述的預(yù)先切斷加工的粘接片。這樣的粘接片，借助剝離基材的第1切入部分的切入深度為上述范圍，可充分抑制粘接層或粘著層咬入第1切入部分。因此，剝離基材與粘接層的界面不被密封，粘接層、粘著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，上述粘接片，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，(dl/a)的值以滿足下述式(2)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)由此，可以更充分地抑制粘接層或粘著層咬入第1切入部分，可以更充分地抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，所述粘接片中，以所述粘著層覆蓋所述粘接層，且于所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸來(lái)層疊為宜。在這樣的層疊有粘著層的粘接片中，所述粘著層及所述基材薄膜具有規(guī)定的第2平面形狀，且部分性地形成于所述剝離基材上；所述剝離基材上，沿著所述第2平面形狀的周邊，從與所述粘接層接觸的一側(cè)的面形成第2切入部分；所述第2切入部分的切入深度以小于所述剝離基材的厚度、且為25 μ m以下為宜。這樣的粘接片，不僅對(duì)粘接層施行預(yù)先切斷加工，而且對(duì)按覆蓋此粘接層來(lái)層疊的粘著層及基材薄膜也另外施行預(yù)先切斷加工。這樣的粘接片，借助剝離基材的第2切入部分的切入深度為上述范圍，可充分抑制粘著層咬入第2切入部分。因此，剝離基材與粘著層的界面不被密封，粘著層及基材薄膜容易自剝離基材剝離，可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，上述粘接片，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第2切入部分的切入深度為d2(ym)，(d2/a)的值以滿足下述式(3)的條件為宜。
0 < (d2/a) ^ 0. 7 ......(3)由此，可以更充分地抑制粘著層咬入第2切入部分，可以更充分地抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，所述粘接片中，所述粘接層，以具有與剝離所述剝離基材后所述粘接層應(yīng)該貼合的被粘附體的平面形狀相符合的平面形狀為宜。所述被粘附體有例如半導(dǎo)體晶片。由于粘接層具有符合于此半導(dǎo)體晶片平面形狀的平面形狀，有使切割半導(dǎo)體晶片的切割步驟更容易的傾向。還有，粘接層的平面形狀，不必與半導(dǎo)體晶片的平面形狀完全一致，例如可以是比半導(dǎo)體晶片的平面形狀略大的平面形狀。進(jìn)而，所述粘接片中，所述粘著層為，對(duì)于剝離所述剝離基材后所述粘著層應(yīng)該貼合的被粘附體和所述粘接層而言，以在室溫下具有粘著力為宜。由此，切割半導(dǎo)體晶片之際，半導(dǎo)體晶片被充分固定，切割更為容易。另外，在切割半導(dǎo)體晶片之際使用晶片環(huán)，按使粘著層緊貼于此晶片環(huán)來(lái)進(jìn)行粘接片的貼合時(shí)，可充分獲得對(duì)晶片環(huán)的粘著力，使切割更加容易。另外，上述粘著層，以借助高能量射線的照射，對(duì)于所述粘接層的粘著力降低為且。由此，在剝離粘接層和粘著層之際，借助照射放射線等高能量射線，剝離可更容易進(jìn)行。本發(fā)明還提供一種粘接片的制造方法，其為具有剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜順次層疊的結(jié)構(gòu)的粘接片的制造方法，其特征為，包括在所述剝離基材上，順次層疊所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜的第1層疊步驟；由所述基材薄膜的與所述粘著層接觸的一側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)所述剝離基材，將所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜切斷成規(guī)定平面形狀，并且于所述剝離基材上形成第1切入部分的第1切斷步驟；所述第1切斷步驟中，按使所述第1切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度，且為 25 μ m以下來(lái)進(jìn)行切入。這樣的粘接片的制造方法中，施行預(yù)先切斷加工，并使借助該預(yù)先切斷加工于剝離基材上形成的第1切入部分的切入深度為上述范圍。因此，所得粘接片可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，所述第1切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，以(dl/a)的值滿足下述式O)的條件來(lái)形成切入部分為宜。0 < (dl/a) ≤ 0. 7 ......O)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片。本發(fā)明進(jìn)而提供一種粘接片的制造方法，其為具有剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜順次層疊結(jié)構(gòu)的粘接片的制造方法，其特征為，含有在所述剝離基材上，層疊所述粘接層的第2層疊步驟；由所述粘接層的與所述剝離基材接觸的一側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)所述剝離基材，將所述粘接層切斷成規(guī)定的第1平面形狀，并且于所述剝離基材上形成第1 切入部分的第2切斷步驟；在所述粘接層上，順次層疊所述粘著層及所述基材薄膜的第3層疊步驟；所述第2切斷步驟中，按使所述第1切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來(lái)進(jìn)行切入。
這樣的粘接片的制造方法中，施行預(yù)先切斷加工，并使借助預(yù)先切斷加工于剝離基材上形成的第1切入部分的切入深度為上述范圍。因此，所得粘接片可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，所述第2切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，以(dl/a)的值滿足下述式O)的條件來(lái)形成切入部分為宜。0< (dl/a)彡 0.7 ......(2)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片。另外，所述粘接片的制造方法中，所述第3層疊步驟中為，層疊所述粘著層及所述基材薄膜，使得所述粘著層覆蓋所述粘接層，并且在所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸，進(jìn)而包括由所述基材薄膜的與所述粘接層接觸側(cè)的相對(duì)側(cè)的面切入到達(dá)所述剝離基材，將所述基材薄膜及所述粘著層切斷成規(guī)定的第2平面形狀，并于所述剝離基材上形成第2切入部分的第3切斷步驟；所述第3切斷步驟中，按使所述第2切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下來(lái)進(jìn)行切入。這樣的粘接片的制造方法中，由于借助預(yù)先切斷加工使剝離基材上形成的第2切入部分的切入深度為上述范圍，因此所得粘接片可充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，所述第3切斷步驟中，以所述剝離基材的厚度為m)、所述第2切入部分的切入深度為d2(ym)，以(d2/a)的值滿足下述式(3)的條件來(lái)形成切入部分為宜。0 < (d2/a) ^ 0. 7 ......(3)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征為，包括在所述本發(fā)明的粘接片中，將所述粘接層、所述粘著層及所述基材薄膜所成的層疊體由所述剝離基材中剝離，將所述層疊體以所述粘接層為中介貼合于半導(dǎo)體晶片，獲得附有層疊體的半導(dǎo)體晶片的貼合步驟；切割所述附有層疊體的半導(dǎo)體晶片，獲得規(guī)定尺寸的附有層疊體的半導(dǎo)體元件的切割步驟；以高能量射線照射所述層疊體的所述粘著層，使所述粘著層對(duì)所述粘接層的粘著力降低后，將所述粘著層及所述基材薄膜由所述粘接層剝離而獲得附有粘接層的半導(dǎo)體元件的剝離步驟；將所述附有粘接層的半導(dǎo)體元件，以所述粘接層為中介粘接于半導(dǎo)體元件搭載用的支持部件的粘接步驟。根據(jù)這樣的制造方法，由于其制造步驟中使用本發(fā)明的粘接片，因此可充分抑制制造過(guò)程中剝離不良的產(chǎn)生，能高效率且確實(shí)的制造半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明進(jìn)而提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征為利用所述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行制造。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供施行預(yù)先切斷加工，能充分抑制含粘接著層及基材薄膜的層疊體自剝離基材的剝離不良，或含粘接層、粘著層及基材薄膜的層疊體的剝離不良的粘接片及其制造方法，以及，使用所述粘接片的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。


圖1為本發(fā)明的粘接片的第1實(shí)施方式的平面圖。圖2為沿圖1的Al-Al線將圖1所示的粘接片1切斷時(shí)的模式截面圖。
圖3為粘接片的第1層疊體20與半導(dǎo)體晶片32及晶片環(huán)34貼合的狀態(tài)的模式截面圖。
圖4為本發(fā)明的粘接片的第2實(shí)施方式的平面圖。
圖5為沿圖4的A2-A2線將圖4所示的粘接片2切斷時(shí)的模式截面圖。
圖6為本發(fā)明的粘接片的第3實(shí)施方式的平面圖。
圖7為沿圖6的A3-A3線將圖6所示的粘接片3切斷時(shí)的模式截面圖。
圖8為制造粘接片1的一連串步驟圖。
圖9為制造粘接片2的一連串步驟圖。
圖10為制造粘接片3的一連串步驟圖。
圖11為進(jìn)行第2層疊體20貼合于半導(dǎo)體晶片32的操作的一連串步驟圖。
圖12為切割半導(dǎo)體晶片32的一連串步驟圖。
圖13為本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的一個(gè)實(shí)施方式的模式截面圖。
圖14為對(duì)單層型的粘接片進(jìn)行預(yù)先切斷加工的一連串步驟圖。
圖15為對(duì)借助以往的預(yù)先切斷加工，在剝離基材10上所形成的切入部分E附近進(jìn)行了放大的模式截面圖。圖16為本發(fā)明的粘接片的第7實(shí)施方式的平面圖。圖17為沿圖16的All-All線將圖16所示的粘接片201切斷時(shí)的模式截面圖。圖18為本發(fā)明的粘接片的第8實(shí)施方式的平面圖。圖19為沿圖18的A12-A12線將圖18所示的粘接片202切斷時(shí)的模式截面圖。圖20為本發(fā)明的粘接片的第9實(shí)施方式的平面圖。圖21為沿圖20的A13-A13線將圖20所示的粘接片203切斷時(shí)的模式截面圖。圖22為進(jìn)行層疊體210貼合于半導(dǎo)體晶片32的操作的一連串步驟圖。圖23為本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的一個(gè)實(shí)施方式的模式截面圖。圖M為對(duì)層疊型的粘接片進(jìn)行預(yù)先切斷加工的一連串步驟圖。圖25為對(duì)借助以往的預(yù)先切斷加工，在剝離基材212所形成的切入部分F附近進(jìn)行了放大的模式截面圖。
0118]符號(hào)說(shuō)明0119]1、2、3、201、202、203 粘接片0120]10,212 剝離基材0121]12第1粘接著層0122]14、224:基材薄膜0123]16第2粘接著層0124]18中間層0125]20第1層疊體0126]22第2層疊體0127]24第3層疊體0128]32半導(dǎo)體晶片0129]33、72 半導(dǎo)體元件0130]34晶片環(huán)
36 平臺(tái)
42,242 第 1 卷
44 卷芯
52,252 第 2 卷
54 卷芯
62,68 -M
70 有機(jī)襯底
71 搭載半導(dǎo)體用的支持部件
74 電路圖型
76 接頭
78 引線接合
80 封閉材料
210層疊體
214 粘接層
220粘著薄膜
222粘著層
具體實(shí)施例方式參照附圖同時(shí)就本發(fā)明的適合的實(shí)施方式詳細(xì)說(shuō)明如下。還有，下述說(shuō)明中，相同或相當(dāng)部分以同一符號(hào)表示，省略重復(fù)的說(shuō)明。另外，上下左右等位置關(guān)系，除特別規(guī)定外， 以附圖所示的位置關(guān)系為基準(zhǔn)。進(jìn)而，附圖的尺寸比例并不限定于附圖所示的比例。[粘接片]〈第1實(shí)施方式〉圖1為本發(fā)明的粘接片的第1實(shí)施方式的平面圖，圖2為圖1所示的粘接片1沿圖1的Al-Al線切斷時(shí)的模式截面圖。如圖1及圖2所示，粘接片1具有將剝離基材10、 和第1粘接著層12、和基材薄膜14順次層疊的結(jié)構(gòu)。另外，由第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第1層疊體20被切斷成規(guī)定的平面形狀，部分性地層疊于剝離基材10上。進(jìn)而，在剝離基材10上，沿著第1層疊體20的平面形狀的周邊，由第1粘接著層12側(cè)的面， 于剝離基材10的厚度方向，形成環(huán)狀的切入部分D。第1層疊體20是，按覆蓋剝離基材10 中切入部分D內(nèi)側(cè)的面整體來(lái)層疊的。這里，所謂第1層疊體20的所述規(guī)定的平面形狀，只要是在剝離基材10上成為第 1層疊體20部分性層疊的狀態(tài)的形狀，則沒(méi)有特別的限制。第1層疊體20的所述規(guī)定的平面形狀，以符合于半導(dǎo)體晶片等被粘附體的平面形狀的平面形狀為宜。例如圓形、略圓形、 方形、五角形、六角形、八角形、晶片形狀(圓的外周的一部分為直線的形狀)等容易貼合于半導(dǎo)體晶片的形狀是適宜的。其中，為了使半導(dǎo)體晶片搭載部分以外的浪費(fèi)部分少，優(yōu)選圓形或晶片形狀。另外，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割之際，通常以切割裝置處理，因而使用晶片環(huán)。此情況，如圖3所示，由粘接片1上將剝離基材10剝離，在第1粘接著層12上貼合晶片環(huán)34，于其內(nèi)側(cè)貼合半導(dǎo)體晶片32。這里，晶片環(huán)34為圓環(huán)狀或四角環(huán)狀等的框。粘接片1中的第1層疊體20，進(jìn)而以具有符合這里晶片環(huán)34的平面形狀為宜。另外，第1粘接著層12，以可在室溫(25°C )下使半導(dǎo)體晶片或晶片環(huán)充分固定、 且切割后對(duì)晶片環(huán)等具有可剝離的程度的粘著性為宜。另外，粘接片1中，在剝離基材10中形成的切入部分D的切入深度d，為小于剝離基材10的厚度、且為25 μ m以下。就構(gòu)成粘接片1的各層詳細(xì)說(shuō)明如下。剝離基材10，在使用粘接片1時(shí)擔(dān)負(fù)作為載體薄膜的任務(wù)。這樣的剝離基材10， 可使用例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜等聚烯烴系薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚酰亞胺薄膜等塑料薄膜等。另外，也可使用紙、非織造布、金屬箔等。另外，剝離基材10的第1粘接著層12側(cè)的面，以使用聚硅酮系剝離劑、氟系剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等進(jìn)行表面處理為宜。剝離基材10的厚度，在不損害使用時(shí)的操作性的范圍可適當(dāng)選擇。剝離基材10 的厚度，優(yōu)選10 500 μ m，為宜，更優(yōu)選25 100 μ m,特別優(yōu)選30 50 μ m。第1粘接著層12中，可含有例如熱塑性成份、熱聚合性成份、放射線聚合性成份。 借助含有這樣成份的組成，可以使第1粘接著層12具有放射線(例如紫外光)或熱硬化的特性。另外，也可含有借助放射線以外的高能量射線(例如電子線等)進(jìn)行聚合的成份。這里，通過(guò)使第1粘接著層12中含有放射線聚合性成份，在半導(dǎo)體晶片等被粘附體貼合了第1粘接著層12后，于進(jìn)行切割前照射光可提高切割時(shí)的粘著力，或相反的，在進(jìn)行切割后照射光使粘著力降低，可使拾取容易進(jìn)行。本發(fā)明中，這樣的放射線聚合性成份， 可使用以往放射線聚合性的切割薄片中所使用的成份，沒(méi)有特別的限制。另外，通過(guò)含有熱硬化性成份，利用半導(dǎo)體元件搭載于其應(yīng)搭載的支持部件時(shí)的熱、或焊劑回流時(shí)的熱，使第 1粘接著層12硬化，可提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。就各自的成份詳細(xì)說(shuō)明如下。第1粘接著層12所使用的熱塑性成份，只要是具有熱塑的樹(shù)脂，或至少在未硬化狀態(tài)下具有熱塑性、加熱后形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂，則沒(méi)有特別的限制。這樣的熱塑性成份， 使用例如(I)Tg(玻璃轉(zhuǎn)移溫度)為10 100°C、且重均分子量為5，000 200,000的成分，或(2)Tg為-50 10°C、且重均分子量為100，000 1，000, 000的成分是適宜的。上述(1)的熱塑性樹(shù)脂有，例如聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酯酰亞胺樹(shù)脂、苯氧樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂、聚醚酮樹(shù)脂等。其中以使用聚酰亞胺樹(shù)脂為宜。另外，上述O)的熱塑性樹(shù)脂，以使用含有官能性單體的聚合物為宜。作為這些熱塑性樹(shù)脂中的較好者一，舉出聚酰亞胺樹(shù)脂。這樣的聚酰亞胺樹(shù)脂，可通過(guò)以眾所周知的方法使四羧酸二酐與二胺進(jìn)行縮合反應(yīng)而得。即，在有機(jī)溶劑中，使用等摩爾或大致等摩爾的四羧酸二酐與二胺(各成份可以任意的順序添加)，在反應(yīng)溫度80°C 以下，優(yōu)選0 60°C，進(jìn)行附加反應(yīng)。隨反應(yīng)的進(jìn)行，反應(yīng)液的粘度徐徐上升，生成聚酰亞胺的前體的聚酰胺酸。另外，作為上述熱塑性樹(shù)脂中的較好者之一，舉出含官能性單體的聚合物。這樣的聚合物中的官能基有，例如縮水甘油基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、氨基、酰胺基等，其中以縮水甘油基為宜。更具體而言，以含有丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物等為宜， 進(jìn)而以與環(huán)氧樹(shù)脂等熱硬化樹(shù)脂不相溶為宜。所述含官能性單體的聚合物、重均分子量為10萬(wàn)以上的高分子量成份有，例如含有丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體、且重均分子量為10萬(wàn)以上的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物等，其中以與環(huán)氧樹(shù)脂不相溶者為宜。所述含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，可使用例如，(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸系橡膠等，優(yōu)選丙烯酸系橡膠。丙烯酸系橡膠是以丙烯酸酯為主成份，主要是由丙烯酸丁酯與丙烯腈等的共聚物、或丙烯酸乙酯與丙烯腈等的共聚物等所成的橡膠。所述所謂官能性單體，是指具有官能基的單體而言，作為這樣的單體，以使用丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等為宜。重均分子量為10萬(wàn)以上的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，具體的有，例如，長(zhǎng)瀨CHEMTEX股份有限公司制的 HTR-860P-3(商品名)等。所述丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等含有環(huán)氧樹(shù)脂的單體單元的量，為了通過(guò)加熱硬化而有效形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，對(duì)單體全量而言以0. 5 50重量％為宜。另外，從可確保粘接力，并能防止凝膠化的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選0. 5 6. 0重量％，更優(yōu)選0. 5 5. 0重量％，特別優(yōu)選0. 8 5. 0重量％。丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯以外的所述官能性單體有，例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。還有，本發(fā)明中，所謂(甲基)丙烯酸乙酯為丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸乙酯。將官能性單體組合使用時(shí)的混合比率為，考慮含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物的Tg而決定，以
以上為宜。Tg為-10°c以上時(shí)，于B階狀態(tài)的粘接著層的粘性較適當(dāng)，有處理性變?yōu)榱己玫膬A向。使所述單體聚合，制造含官能性單體的重均分子量為10萬(wàn)以上的高分子量成份時(shí)，其聚合方法沒(méi)有特別的限制，可使用例如珠狀聚合、溶液聚合等方法。含官能性單體的高分子量成份的重均分子量為10萬(wàn)以上，優(yōu)選30萬(wàn) 300萬(wàn)，更優(yōu)選50萬(wàn) 200萬(wàn)。重均分子量為此范圍時(shí)，作為薄片狀或薄膜時(shí)的強(qiáng)度、可撓性、及觸感性較適當(dāng)，另外，流動(dòng)性適宜，因此有可確保配線的電路填充性的傾向。還有，本發(fā)明中，所謂重均分子量，是指以凝膠滲透色譜法測(cè)定、使用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)曲線換算的值。另外，含官能性單體的重均分子量10萬(wàn)以上的高分子量成份的使用量，相對(duì)于熱聚合性成份100重量份，優(yōu)選為10 400重量份。在此范圍時(shí)，可確保儲(chǔ)存彈性率及成型時(shí)的流動(dòng)性抑制，有在高溫下的處理性良好的傾向。另外，高分子量成份的使用量，相對(duì)于熱聚合性成份100重量份，更優(yōu)選為15 350重量份，特別優(yōu)選為20 300重量份。第1粘接著層12所使用的熱聚合性成份，只要是借助熱而聚合的物質(zhì)，則沒(méi)有特別的限制，例如有具有縮水甘油基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、 氨基、酰胺基等官能基的化合物。這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。還有，考慮作為粘接片的耐熱性時(shí)，以使用借助熱進(jìn)行硬化而產(chǎn)生粘接作用的熱硬化性樹(shù)脂為宜。熱硬化性樹(shù)脂有，例如環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、酚樹(shù)脂、熱硬化型聚酰亞胺樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂等；從獲得耐熱性、操作性、可靠性優(yōu)異的粘接片的方面考慮，優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂。
環(huán)氧樹(shù)脂，只要是進(jìn)行硬化而具有粘接作用的物質(zhì)，則沒(méi)有特別的限制。這樣的環(huán)氧樹(shù)脂可使用例如，雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂等二官能環(huán)氧樹(shù)脂，苯酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂或甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂等酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂等。另外，可使用多官能環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂、含雜環(huán)的環(huán)氧樹(shù)脂或脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂等一般已知的物質(zhì)。雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂有，日本環(huán)氧樹(shù)脂股份有限公司制的EPIC0TE系列 (EPIC0TE807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009)、陶氏化學(xué)公司制的 DER-330、 301、361，及東都化成股份有限公司制的YD8125、YDF8170等。苯酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂有日本環(huán)氧樹(shù)脂股份有限公司制的EPIC0TE152、1M，日本化藥股份有限公司制的EPPN-201，陶化學(xué)公司制的DEN-438等；另外，鄰-甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂有日本化藥股份有限公司制的E0CN-102S、103S、104S、1012、1025、1027，及東都化成股份有限公司制的YDCN 701、702、703、704等。多官能環(huán)氧樹(shù)脂有，日本環(huán)氧樹(shù)脂股份有限公司制的Epon 1031S，汽巴特殊化學(xué)品公司制的愛(ài)牢達(dá)(Araldite) 0163，長(zhǎng)瀨CHEMTEX股份有限公司制的迭納口魯(〒于二一 ^ )EX-611、614、614B、622、512、521、421、411、321 等。胺型環(huán)氧樹(shù)脂有日本環(huán)氧樹(shù)脂股份有限公司制的EPIC0TE604，東都化成股份有限公司制的YH-434，三菱氣體化學(xué)股份有限公司制的TETRAD-X及TETRAD-C，住友化學(xué)股份有限公司制的ELM-120等。含雜環(huán)的環(huán)氧樹(shù)脂有，汽巴特殊化學(xué)品公司制的愛(ài)牢達(dá)(Araldite)PT810，UCC公司制的ERL 4234、4299、4221、4206等。這些環(huán)氧樹(shù)脂，可單獨(dú)或兩種以上組合使用。使用環(huán)氧樹(shù)脂之際，以使用環(huán)氧樹(shù)脂硬化劑為宜。環(huán)氧樹(shù)脂硬化劑，可使用通常所使用的眾所周知的硬化劑，有例如胺類、聚酰胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、二氰基二酰胺、 雙酚A、雙酚F、雙酚S等一分子中具有兩個(gè)以上酚性羥基的雙酚類，苯酚酚醛樹(shù)脂、雙酚A 酸醛樹(shù)脂及甲酚酚醛樹(shù)脂等酚樹(shù)脂等。尤其從吸濕時(shí)的耐電蝕性優(yōu)越的方面考慮，以苯酚酚醛樹(shù)脂、雙酚A酚醛樹(shù)脂及甲酚酚醛樹(shù)脂等酚樹(shù)脂為宜。還有，本發(fā)明中所謂環(huán)氧樹(shù)脂硬化劑，也包含對(duì)環(huán)氧基起催化劑性作用的而促進(jìn)交聯(lián)的所謂的硬化促進(jìn)劑。所述酚樹(shù)脂硬化劑中的較好者有，例如大日本油墨化學(xué)工業(yè)股份有限公司制的商品名飛諾萊多(7 工 7，4 卜)LF2882、LF2822、TD-2090、TD-2149、VH-4150、VH-4170, 明和化成股份有限公司制的商品名H-1，日本環(huán)氧樹(shù)脂股份有限公司制的商品名EPICURE MP402FPYJL6065、YLH129B65，及三井化學(xué)股份有限公司制的商品名密雷庫(kù)斯(S ^夕夕 ^ )XL、XLC、RN、RS、VR 等。第1粘接著層12所使用的放射線聚合性成份，沒(méi)有特別的限制，可使用例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己基酯、甲基丙烯酸-2-乙基己基酯、丙烯酸戊烯基酯、丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1，4- 丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，4- 丁二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸2-羥基乙基酯、甲基丙烯酸2-羥基乙基酯、1，3_丙烯?；?2-羥基丙烷、1，2_甲基丙烯酰基氧-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯酰胺、N，N_ 二甲基丙烯酰胺、N-羥甲基丙烯酰胺、三(β-羥基乙基)三聚異氰酸酯的三丙烯酸酯等。另外，第1粘接著層12中，可添加光聚合引發(fā)劑(例如借助活性光的照射，生成游離基的物質(zhì))。這樣的光聚合引發(fā)劑有，例如二苯甲酮、N，N'-四甲基-4，4' - 二氨基二苯甲酮(米蚩酮)、N，N'-四乙基-4，4' -二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4' - 二甲基氨基二苯甲酮、2-芐基-2- 二甲基氨基-1- (4-嗎啉代苯基)-丁酮_1、2，2- 二甲氧基-1， 2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環(huán)己基-苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙酮-1、2，4-二乙基噻噸酮、2-乙基蒽醌、菲醌等芳香族酮，苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、 苯偶姻苯基醚等苯偶姻醚，甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻，芐基二甲基縮酮等芐基衍生物，2-(鄰-氯苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2-(鄰-氯苯基)-4，5- 二(間-甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(鄰-氟苯基)-4，5-苯基咪唑二聚物、2-(鄰-甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2-(對(duì)-甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2，4-二(對(duì)-甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物、2- (2,4- 二甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物等2，4，5-三芳基咪唑二聚物，9-苯基吖啶、1，7_雙(9，9'-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物等。另外，第1粘接著層12中，可添加借助照射放射線產(chǎn)生堿及游離基的光引發(fā)劑。這樣，借助切割前或切割后的光照射，產(chǎn)生游離基，使光硬化成份進(jìn)行硬化，并且在系內(nèi)產(chǎn)生作為熱硬化性樹(shù)脂的硬化劑的堿，經(jīng)其后的熱經(jīng)歷可有效的進(jìn)行第1粘接著層12的熱硬化反應(yīng)，因此不必分別添加光反應(yīng)與熱硬化反應(yīng)各自的引發(fā)劑。借助照射放射線產(chǎn)生堿及游離基的光引發(fā)劑，可使用例如2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮(汽巴特殊化學(xué)品公司制，依魯加立爾907)、2_芐基-2- 二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)_ 丁酮-1-酮(汽巴特殊化學(xué)品公司制，依魯加立爾369)、六芳基雙咪唑衍生物(苯基可被鹵素、烷氧基、硝基、氰基等取代基取代)、苯并異惡唑酮衍生物等。另外，為使以放射線或熱進(jìn)行硬化的第1粘接著層12的儲(chǔ)存彈性率增大，可使用例如增加環(huán)氧樹(shù)脂的使用量，或使用縮水甘油基濃度高的環(huán)氧樹(shù)脂或羥基濃度高的酚樹(shù)脂等提高聚合物整體的交聯(lián)密度，或添加填料等方法。進(jìn)而，第1粘接著層12中，為了提高可撓性或耐回流龜裂性，可添加具有與熱聚合性成份相溶性的高分子量樹(shù)脂。這樣的高分子量樹(shù)脂沒(méi)有特別的限制，有例如，苯氧樹(shù)脂、 高分子量熱聚合性成份、超高分子量熱聚合性成份等。這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。具有與熱聚合性成份相溶性的高分子量樹(shù)脂的使用量，相對(duì)于熱聚合性成份的總量100重量份，優(yōu)選為40重量份以下。在此范圍時(shí)，有能確保熱聚合性成份層的Tg的傾向。另外，第1粘接著層12中，為提高其處理性、提高導(dǎo)熱性、調(diào)整熔融粘度及賦予觸變性等目的，可添加無(wú)機(jī)填料。無(wú)機(jī)填料沒(méi)有特別的限制，有例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結(jié)晶性二氧化硅、非晶質(zhì)二氧化硅等，填料的形狀沒(méi)有特別的限制。這些填料可單獨(dú)或兩種以上組合使用。借助照射放射線而產(chǎn)生堿的化合物是照射放射線時(shí)產(chǎn)生堿的化合物；產(chǎn)生的堿， 使熱硬化性樹(shù)脂的硬化反應(yīng)速度上升，也稱為光堿產(chǎn)生劑。產(chǎn)生的堿，從反應(yīng)性、硬化速度的方面考慮，以強(qiáng)堿化合物為宜。一般地，使用酸離解常數(shù)的對(duì)數(shù)的PKa值作為堿性的指標(biāo)，以在水溶液中的PKa值為7以上的堿為宜，以9以上的堿更佳。另外，所述借助照射放射線產(chǎn)生堿的化合物，以使用借助照射波長(zhǎng)150 750nm的光產(chǎn)生堿的化合物為宜，使用一般光源之際，為了高效率地產(chǎn)生堿，借助照射250 500nm 的光產(chǎn)生堿的化合物是更適宜的。這樣的借助照射放射線而產(chǎn)生堿的化合物的例子，有咪唑、2，4_ 二甲基咪唑、 1-甲基咪唑等咪唑衍生物，哌嗪、2，5- 二甲基哌嗪等哌嗪衍生物，哌啶、1，2- 二甲基哌啶等哌啶衍生物，脯氨酸衍生物，三甲胺、三乙胺、三乙醇胺等三烷基胺衍生物，4-甲基氨基吡啶、4-二甲基氨基吡啶等4位被氨基或烷基氨基取代的吡啶衍生物，吡咯烷、η-甲基吡咯烷等吡咯烷衍生物，三乙烯二胺、1，8_ 二氮雜雙環(huán)(5.4.0)十一烯-I(DBU)等脂環(huán)式胺衍生物，芐基甲基胺、芐基二甲基胺、芐基二乙基胺等芐基胺衍生物等。第1粘接著層12的厚度，以充分確保對(duì)搭載襯底的粘接性，并且不影響對(duì)半導(dǎo)體晶片的貼合操作及貼合后的切割操作的范圍為宜。從這樣的觀點(diǎn)而言，第1粘接著層12的厚度優(yōu)選1 300 μ m,更優(yōu)選5 150 μ m,特別優(yōu)選10 100 μ m。厚度小于1 μ m時(shí)，有難以確保充分的芯片接合的粘接力的傾向；厚度超過(guò)300 μ m時(shí)，有產(chǎn)生對(duì)貼合操作及切割操作不良影響等不適情況的傾向。構(gòu)成粘接片的基材薄膜14，可使用與剝離基材10所使用的薄膜或薄片相同的物。 例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙烯基乙酸酯薄膜等聚烯烴系薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚酰亞胺薄膜等塑料薄膜等。進(jìn)而，基材薄膜14可為這些薄膜層疊2層以上的薄膜。另外，基材薄膜14的厚度，優(yōu)選10 500 μ m，更優(yōu)選25 100 μ m，特別優(yōu)選以 30 50μπι。粘接片1是具備如上所說(shuō)明的剝離基材10、第1粘接著層12及基材薄膜14的物質(zhì)。此粘接片1中，在剝離基材10上，沿著由第1粘接著層12與基材薄膜14所成的第1 層疊體20的平面形狀的周邊，由剝離基材10的第1粘接著層12側(cè)的面于剝離基材10的厚度方向，形成切入部分D。此切入部分D的切入深度d為，小于剝離基材10的厚度，且在25 μ m以下。這里， 從獲得更良好的剝離性的觀點(diǎn)而言，切入深度d優(yōu)選為15 μ m以下，更優(yōu)選10 μ m以下，特別優(yōu)選5 μ m以下。這樣，切入深度d越接近Oym越好，最好是大于0 μ m、在0. 5 μ m以下。借助切入部分D的切入深度d為上述范圍，粘接片1中，可充分抑制第1粘接著層 12咬入切入部分D。因此剝離基材10與第1粘接著層12的界面不被密封，第1層疊體20 容易自剝離基材10剝離，可充分抑制第1層疊體20貼合于被粘附體之際的剝離不良的產(chǎn)生。但是，以現(xiàn)行的預(yù)先切斷裝置使切入深度接近于0 μ m時(shí)，裝置的調(diào)整與預(yù)先切斷步驟的實(shí)施需要很多的時(shí)間，生產(chǎn)效率有降低的傾向。因而，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，優(yōu)選切入深度d為5 15μπι。另外，以剝離基材10的厚度為a(ym)、粘接片1以(d/a)的值滿足下述式(1)的條件為宜。0< (d/a)≤ 0.7 ......(1)
通過(guò)所述(d/a)的值滿足所述式(1)的條件，可更充分抑制第1粘接著層12咬入切入部分D，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，從更充分獲得這樣的效果的觀點(diǎn)而言，所述式(1)中(d/a)的值的上限值，優(yōu)選0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選0.25，尤其優(yōu)選0.15，最優(yōu)選0. 1。還有，所述切入深度d，如上所述，是通過(guò)以電子顯微鏡觀測(cè)形成于剝離基材10的切入部分D的深度的剖面，測(cè)定任意的10點(diǎn)，取其平均值。從更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的觀點(diǎn)而言，任意10點(diǎn)測(cè)定的切入部分D的深度，以全部在上述范圍為宜。<第2實(shí)施方式>圖4為本發(fā)明的粘接片的第2實(shí)施方式的平面圖，圖5為圖4所示的粘接片2沿圖4的A2-A2線切斷時(shí)的模式截面圖。如圖4及圖5所示，粘接片2，具有具備剝離基材10、 和第1粘接著層12、和配置于第1粘接著層12的周邊部分與剝離基材10之間的第2粘接著層16、和基材薄膜14的結(jié)構(gòu)。另外，第1粘接著層12及基材薄膜14，切斷成規(guī)定的平面形狀，部分性的層疊于剝離基材10上。進(jìn)而，第2粘接著層16也切斷成規(guī)定的平面形狀， 在使由基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16所成的第2層疊體22貼合于半導(dǎo)體晶片及晶片環(huán)之際，配置于晶片環(huán)的應(yīng)貼合位置。在剝離基材10上，沿著第2層疊體22 的平面形狀，由第1粘接著層12及第2粘接著層16側(cè)的面，于剝離基材10的厚度方向，形成環(huán)狀的切入部分D。在這樣的粘接片2中，形成于剝離基材10的切入部分D的切入深度d，為小于剝離基材10的厚度，且為25μπι以下。另外，這樣的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜范圍，與第1實(shí)施方式中粘接片1的切入深度d及(d/a)的適宜范圍相同。使用這樣的粘接片2時(shí)，自剝離基材10剝離第2層疊體22，第2層疊體22中的第 1粘接著層12貼合于半導(dǎo)體晶片，第2粘接著層16貼合于晶片環(huán)。粘接片2中，剝離基材10、第1粘接著層12及基材薄膜14，可使用與所述第1實(shí)施方式的粘接片1所說(shuō)明的物質(zhì)相同的物質(zhì)。粘接片2的第2粘接著層16，是含有例如丙烯酸系、橡膠系、聚硅酮系的樹(shù)脂而形成的。這樣的第2粘接著層16的厚度，以5 50 μ m為宜。此第2粘接著層16，通過(guò)配置于第1粘接著層12的周邊部分與剝離基材10之間， 即，使用粘接片2時(shí)貼合于晶片環(huán)的位置，第1粘接著層12可不必直接貼合于晶片環(huán)。第 1粘接著層12直接貼合于晶片環(huán)時(shí)，第1粘接著層12的粘著力，需要調(diào)整至可輕易自晶片環(huán)剝離的程度的低粘著力。但是，通過(guò)使第2粘接著層16貼合于晶片環(huán)，不需要這樣的粘著力的調(diào)整。因此，通過(guò)使第1粘接著層12具有充分高的粘著力，并使第2粘接著層16具有可輕易剝離晶片環(huán)程度的充分低的粘著力，能高效率的進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割操作及其后的晶片環(huán)的剝離操作。進(jìn)而，由于可調(diào)整第2粘接著層16的粘著力至充分的低，于剝離基材10與第2粘接著層16之間，容易做出剝離起點(diǎn)，可輕易自剝離基材10剝離第2粘接著層16、第1粘接著層12及基材薄膜14，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生?！吹?實(shí)施方式〉圖6為本發(fā)明的粘接片的第3實(shí)施方式的平面圖，圖7為圖6所示的粘接片3沿圖6的A3-A3線切斷時(shí)的模式截面圖。如圖6及圖7所示，粘接片3，具有具備剝離基材10、 和第1粘接著層12、和配置于第1粘接著層12的周邊部分與剝離基材10之間的第2粘接著層16、和配置于第2粘接著層16與基材薄膜14之間的中間層18、和基材薄膜14的結(jié)構(gòu)。另外，第1粘接著層12及基材薄膜14切斷成規(guī)定的平面形狀，部分性的層疊于剝離基材10上。進(jìn)而，第2粘接著層16及中間層18也切斷成規(guī)定的平面形狀，在使由基材薄膜 14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16所成的第3層疊體M貼合于半導(dǎo)體晶片及晶片環(huán)之際，配置于晶片環(huán)的應(yīng)貼合位置。在剝離基材10上，沿著第2層疊體22的平面形狀，由第1粘接著層12及第2粘接著層16側(cè)的面，于剝離基材10的厚度方向，形成環(huán)狀的切入部分D。在這樣的粘接片3中，形成于剝離基材10的切入部分D的切入深度d，為小于剝離基材10的厚度，且為25μπι以下。另外，這樣的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜范圍，與第1實(shí)施方式中粘接片1的切入深度d及(d/a)的適宜范圍相同。使用這樣的粘接片3時(shí)，自剝離基材10剝離第3層疊體M，第3層疊體M中的第 1粘接著層12貼合于半導(dǎo)體晶片，第2粘接著層16貼合于晶片環(huán)。粘接片3中，剝離基材10、第1粘接著層12及基材薄膜14，可使用與所述第1實(shí)施方式的粘接片1所說(shuō)明的物質(zhì)相同的物質(zhì)；第2粘接著層16，可使用與所述第2實(shí)施方式的粘接片2所說(shuō)明的物質(zhì)相同的物質(zhì)。粘接片3的中間層18，可使用例如由聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子鍵聚合物樹(shù)脂、其它的工程塑料等所成的薄膜、金屬板或箔。這樣的中間層18的厚度，以5 100 μ m為宜。粘接片3中，首先，與第2實(shí)施方式的粘接片2同樣地，第2粘接著層16配置于第 1粘接著層12的周邊部與剝離基材10之間，即，使用粘接片2時(shí)貼合于晶片環(huán)的位置。由此，第1粘接著層12可不必直接貼合于晶片環(huán)。通過(guò)使第1粘接著層12具有充分高的粘著力，并使第2粘接著層16具有可輕易剝離晶片環(huán)程度的充分低的粘著力，能高效率的進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割操作及其后的晶片環(huán)的剝離操作。進(jìn)而，粘接片3中，通過(guò)在第2粘接著層16與第1粘接著層12之間配置中間層 18，可提高第2粘接著層16的材料選擇的自由度。例如制造第2實(shí)施方式的粘接片2之際， 于剝離基材10上層疊第2粘接著層16后，此第2粘接著層16需要預(yù)先切斷。能以廉價(jià)取得的粘接著層，其本身并無(wú)自身支撐性，有難以自剝離基材10完全去除的情況。但是，借助具備如粘接片3的中間層18，于預(yù)先切斷時(shí)，可輕易去除此連帶中間層18的第2粘接著層 16，可謀求操作的效率化，并提高第2粘接著層16的材料選擇的自由度。[粘接片的制造方法]<第4實(shí)施方式>對(duì)于為制造所述第1實(shí)施方式的粘接片1的、第4實(shí)施方式的粘接片1的制造方法，加以說(shuō)明。圖8為制造粘接片1的一連串步驟圖。首先，如圖8(a)所示，在剝離基材10上， 層疊由第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第1層疊體20 (第1層疊步驟)。其次，如圖 8(b) (c)所示，借助預(yù)先切斷刀C，由基材薄膜14的與第1粘接著層12側(cè)為相反側(cè)的面 F14切入到達(dá)剝離基材10，使基材薄膜14及第1粘接著層12切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材10上形成切入部分D (第1切斷步驟)。由此，完成粘接片1的制造。這里，第1切斷步驟中，切入部分D的切入深度d為小于剝離基材10的厚度，且為25 μ m以下。就各制造步驟說(shuō)明如下。第1層疊步驟中，首先，使構(gòu)成第1粘接著層12的材料溶解或分散于溶劑，作為形成第1粘接著層用清漆，將其涂布于基材薄膜14上后，通過(guò)加熱去除溶劑形成第1層疊體 20。這里，調(diào)制清漆所使用的所述溶劑，只要是可溶解或分散各構(gòu)成材料的物質(zhì)，則沒(méi)有特別的限制。考慮形成層之際的揮發(fā)性時(shí)，以使用例如甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲乙酮、丙酮、甲異丁酮、甲苯、二甲苯等較低沸點(diǎn)的溶劑為宜。另外，為提高涂膜性的目的，可使用例如二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、環(huán)己酮等較高沸點(diǎn)的溶劑。這些溶劑可單獨(dú)或兩種以上組合用。還有，調(diào)成清漆后，可借助真空脫氣等去除清漆中的氣泡。清漆涂布于基材薄膜14的涂布方法，可使用眾所周知的方法，例如刮刀涂布法、 輥涂布法、噴霧涂布法、照相凹版涂布法、刮棒涂布法、幕式涂布法等。其次，使上述制成的第1層疊體20與剝離基材10貼合。由此，形成預(yù)先切斷前的粘接片(以下稱為“前體薄片”)，完成第1層疊步驟。這里，第1層疊體20與剝離基材10的貼合，可借助以往眾所周知的方法進(jìn)行，例如可使用層壓機(jī)等進(jìn)行。另外，前體薄片，可借助下述的方法制得。例如，將形成第1粘接著層用清漆涂布于剝離基材10上后，以加熱去除溶劑形成第1粘接著層12后，使用層壓機(jī)等在第1粘接著層12上貼合基材薄膜14等的方法。第1切斷步驟中，對(duì)如上所述制成的前體薄片，由基材薄膜14的與第1粘接著層 12側(cè)為相反側(cè)的面F14切入到達(dá)剝離基材10，將由第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第1層疊體20切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材10上形成切入部分D。這里，第1層疊體20的切斷，可使用與規(guī)定的平面形狀相應(yīng)的預(yù)先切斷刀C來(lái)進(jìn)行。此第1切斷步驟中，切入部分D的切入深度d為小于剝離基材10的厚度，且為 25μπι以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接片的觀點(diǎn)而言，切入部分D的切入深度d優(yōu)選為15 μ m以下，更優(yōu)選10 μ m以下，特別優(yōu)選5 μ m以下。這樣，切入深度d越接近 0 μ m越好，最好是大于0 μ m、0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度d以5 15 μ m為宜。另外，第1切斷步驟中，以剝離基材10的厚度為m)，(d/a)的值以滿足下述式 (1)的條件為宜。0 < (d/a) ^ 0. 7 ......(1)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片1。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點(diǎn)而言，所述式(1)中(d/a)的值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選 0. 25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選0. 1。其后，根據(jù)需求剝離去除第1層疊體20的不要部分，得到目標(biāo)的粘接片1。<第5實(shí)施方式>對(duì)于制造所述第2實(shí)施方式的粘接片2的、第5實(shí)施方式的粘接片2的制造方法，予以說(shuō)明。圖9為制造粘接片2的一連串步驟圖。首先，如圖9(a)所示，在剝離基材10上，層疊第2粘接著層16。接著，借助預(yù)先切斷刀C切入第2粘接著層16，部分性的去除第2粘接著層16，如圖9(b)所示，在剝離基材10的第2粘接著層16側(cè)的面，形成露出面FlO (第 2層疊步驟)。其后，如圖9 (c)所示，在剝離基材10的露出面FlO及第2粘接著層16上， 層疊第1粘接著層12及基材薄膜14(第3層疊步驟)。其次，如圖9(d) (e)所示，借助預(yù)先切斷刀C，由基材薄膜14的與第1粘接著層12側(cè)為相反側(cè)的面F14切入到達(dá)剝離基材 10，使基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材10上形成切入部分D (第2切斷步驟)。由此，完成粘接片2的制造。這里，第2切斷步驟中，按使在所述規(guī)定的平面形狀的區(qū)域內(nèi)(所述切入部分D的內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi))，第1粘接著層12與剝離基材10的露出面FlO成為連接的狀態(tài)，且在所述區(qū)域內(nèi)的周邊部分，使第1粘接著層12與第2粘接著層16為連接狀態(tài)來(lái)進(jìn)行切斷，并使切入部分D的切入深度d為小于剝離基材10的厚度，且為25 μ m以下。就各制造步驟詳細(xì)說(shuō)明如下。第2層疊步驟中，使構(gòu)成第2粘接著層16的材料溶解或分散于溶劑，作為形成第 2粘接著層用清漆，將其涂布于剝離基材10后，通過(guò)加熱去除溶劑，形成第2粘接著層16。接著，在如上所述制成的第2粘接著層16，借助預(yù)先切斷刀C，由第2粘接著層16 的與剝離基材10側(cè)為相反側(cè)的面F16切入到達(dá)剝離基材10，自剝離基材10部分性的去除第2粘接著層16，在剝離基材10的第2粘接著層16側(cè)的面形成露出面F10。由此，第2粘接著層16成為在剝離基材10上部分性的層疊的狀態(tài)，完成第2層疊步驟。第3層疊步驟中，首先，使構(gòu)成第1粘接著層12的材料溶解或分散于溶劑，作為形成第1粘接著層用清漆，將其涂布于基材薄膜14上后，通過(guò)加熱去除溶劑，制作成第1層疊體20。這里，第1層疊體20，可以與所述第4實(shí)施方式中說(shuō)明的同樣的工序制作。之后，使上述制成的第1層疊體20，層疊于剝離基材10的露出面FlO及第2粘接著層16上。由此，形成預(yù)先切斷前的粘接片(以下稱為“前體薄片”)，完成第3層疊步驟。第2切斷步驟中，對(duì)如上所述制成的前體薄片，由基材薄膜14的與第1粘接著層 12側(cè)為相反側(cè)的面F14切入到達(dá)剝離基材10，使基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材10上形成切入部分D。這里，基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16，可使用與規(guī)定的平面形狀相應(yīng)的預(yù)先切斷刀C進(jìn)行切斷。此第2切斷步驟中形成的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜范圍，如所述第4實(shí)施方式中的說(shuō)明。其后，根據(jù)需求剝離去除基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16的不要部分，在剝離基材10上形成由第2粘接著層16、第1粘接著層12及基材薄膜14所成的第 2層疊體22，即得目標(biāo)的粘接片2?！吹?實(shí)施方式〉對(duì)于為制造所述第3實(shí)施方式的粘接片3的、第6實(shí)施方式的粘接片3的制造方法，加以說(shuō)明。圖10為制造粘接片3的一連串步驟圖。首先，如圖10(a)所示，在剝離基材10上，層疊第2粘接著層16及中間層18。接著，借助預(yù)先切斷刀C切入第2粘接著層16及中間層18，部分性的去除第2粘接著層16及中間層18，如圖10(b)所示，在剝離基材10的第2 粘接著層16側(cè)的面形成露出面FlO(第4層疊步驟)。其后，如圖10(c)所示，在剝離基材 10的露出面FlO及中間層18上，層疊第1粘接著層12及基材薄膜14 (第5層疊步驟)。其次，如圖10(d) (e)所示，借助預(yù)先切斷刀C，由基材薄膜14的與第1粘接著層12側(cè)為相反側(cè)的面F14切入到達(dá)剝離基材10，使基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材10上形成切入部分D (第3切斷步驟)。由此，完成粘接片3的制造。這里，第3切斷步驟中，按使在所述規(guī)定的平面形狀的區(qū)域內(nèi)(所述切入部分D的內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi))，第1粘接著層12與剝離基材10的露出面FlO成為連接的狀態(tài)，且在所述區(qū)域內(nèi)的周邊部分，使第1粘接著層12與中間層18為連接狀態(tài)來(lái)進(jìn)行切斷，并使切入部分 D的切入深度d為小于剝離基材10的厚度，且為25 μ m以下。就各制造步驟詳細(xì)說(shuō)明如下。第4層疊步驟中，首先，使構(gòu)成第2粘接著層16的材料溶解或分散于溶劑，作為形成第2粘接著層用清漆，將其涂布于剝離基材10后，通過(guò)加熱去除溶劑，形成第2粘接著層 16。接著，使構(gòu)成中間層18的材料溶解或分散于溶劑，作為形成中間層用清漆，將其涂布于第2粘接著層16后，通過(guò)加熱去除溶劑，形成中間層16。接著，在如上所述制成的第2粘接著層16及中間層18中，借助預(yù)先切斷刀C，由中間層18的與第2粘接著層16側(cè)為相反側(cè)的面F18切入到達(dá)剝離基材10，自剝離基材10 部分性的去除第2粘接著層16及中間層18，在剝離基材10的第2粘接著層16側(cè)的面形成露出面F10。由此，第2粘接著層16及中間層18成為在剝離基材10上部分性的層疊的狀態(tài)，完成第4層疊步驟。第5層疊步驟中，首先，使構(gòu)成第1粘接著層12的材料溶解或分散于溶劑，作為形成第1粘接著層用清漆，將其涂布于基材薄膜14上，通過(guò)加熱去除溶劑，制成第1層疊體 20。這里，第1層疊體20可以與所述第4實(shí)施方式中說(shuō)明的同樣的工序制作。其次，使上述制成的第1層疊體20，層疊于剝離基材10的露出面FlO及中間層18 上。由此，形成預(yù)先切斷前的粘接片(前體薄片)，完成第5層疊步驟。第3切斷步驟中，對(duì)如上所述制成的前體薄片，由基材薄膜14的與第1粘接著層 12側(cè)為相反側(cè)的面F14切入到達(dá)剝離基材10，使基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18 及第2粘接著層16切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材10上形成切入部分D。這里，基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16，可使用與規(guī)定的平面形狀相應(yīng)的預(yù)先切斷刀C進(jìn)行切斷。此第3切斷步驟中，形成的切入部分D的切入深度d及(d/a)的適宜范圍，如所述第4實(shí)施方式中的說(shuō)明。其后，根據(jù)需要?jiǎng)冸x去除基材薄膜14、第1粘接著層12、中間層18及第2粘接著層16的不要部分，在剝離基材10上形成由第2粘接著層16、中間層18、第1粘接著層12 及基材薄膜14所成的第3層疊體24，即得目標(biāo)的粘接片3。以上，對(duì)于本發(fā)明的粘接片及粘接片的制造方法的適合實(shí)施方式已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并非限定這里這些實(shí)施方式者。
[半導(dǎo)體裝置的制造方法]就使用上述說(shuō)明的粘接片的半導(dǎo)體裝置的制造方法，以圖11及圖12予以說(shuō)明。還有，下述的說(shuō)明中，對(duì)于使用所述第2實(shí)施方式的粘接片2作為粘接片的情況，加以說(shuō)明。圖11為進(jìn)行粘接片2的第2層疊體22貼合于半導(dǎo)體晶片32的操作的一連串步驟圖。如圖11 (a)所示，粘接片2是，剝離基材10發(fā)揮載體薄膜的作用，由兩個(gè)輥62和66、 以及楔狀的部件64支撐。粘接片2是，其一端以連接于圓柱狀的卷芯44的狀態(tài)形成卷繞的第1卷42，另一端以連接于圓柱狀的卷芯M的狀態(tài)形成卷繞的第2卷52。第2卷52的卷芯M連接有使該卷芯M旋轉(zhuǎn)的卷芯驅(qū)動(dòng)馬達(dá)(圖上未標(biāo)示)。由此，卷芯M以規(guī)定的速度，卷繞粘接片2中的第2層疊體22被剝離后的剝離基材10。首先，卷芯驅(qū)動(dòng)馬達(dá)旋轉(zhuǎn)時(shí)，使第2卷52的卷芯M旋轉(zhuǎn)，將卷繞于第1卷42的卷芯44的粘接片2拉出于第1卷42的外部。拉出的粘接片2，被引導(dǎo)至配置于移動(dòng)式的平臺(tái) 36上的圓板狀的半導(dǎo)體晶片32、及按包圍半導(dǎo)體晶片來(lái)配置的晶片環(huán)34上。然后，由基材薄膜14、第1粘接著層12及第2粘接著層16所成的第2層疊體22 自剝離基材10被剝離。此時(shí)，自粘接片2的剝離基材10側(cè)接觸楔狀的部件64，剝離基材 10在部件64側(cè)彎曲成銳角。其結(jié)果，在剝離基材10與第2層疊體22之間，做出剝離起點(diǎn)。 進(jìn)而，為更有效的做出剝離起點(diǎn)，在剝離基材10與第2層疊體22的界面吹送空氣。這樣進(jìn)行，在剝離基材10與第2層疊體22之間，做出剝離起點(diǎn)后，如圖11(b)所示，按使第2粘接著層16緊貼于晶片環(huán)34、第1粘接著層12緊貼于半導(dǎo)體晶片32來(lái)進(jìn)行第2層疊體22的貼合。此時(shí)，借助輥68，使第2層疊體22壓粘于半導(dǎo)體晶片32及晶片環(huán) 34。其后，如圖11(c)所示，完成第2層疊體22在半導(dǎo)體晶片32及晶片環(huán)34上的貼合。通過(guò)上述工序，可使用自動(dòng)化的步驟連續(xù)進(jìn)行第2層疊體22對(duì)半導(dǎo)體晶片32的貼合。連續(xù)進(jìn)行這樣的第2層疊體22對(duì)半導(dǎo)體晶片32的貼合操作的裝置，有例如琳得科 {^) ^rV >7 )股份有限公司制的RAD-2500(商品名)等。以這樣的步驟使第2層疊體22貼合于半導(dǎo)體晶片32時(shí)，通過(guò)使用粘接片2，可輕易做出剝離基材10與第2層疊體22之間的剝離起點(diǎn)(剝離基材10與第2粘接著層16之間的剝離起點(diǎn))，能充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。接著，對(duì)于借助上述步驟貼合了第2層疊體22的半導(dǎo)體晶片32 [圖12(a)]，如圖 12(b)所示，以切割刀G切割成必要的尺寸，得到附有第1粘接著層12的半導(dǎo)體元件33。 這里，進(jìn)而可進(jìn)行洗凈、干燥等步驟。此時(shí)，借助第1粘接著層12，半導(dǎo)體晶片32在基材薄膜14維持充分粘著，因此在上述各步驟中可充分抑制半導(dǎo)體晶片32或切割后的半導(dǎo)體元件33的脫落。接著，以放射線等高能量射線照射于第1粘接著層12，使第1粘接著層12的一部分進(jìn)行聚合而硬化。這時(shí)，與照射高能量射線同時(shí)或照射后，為促進(jìn)硬化反應(yīng)的目的，進(jìn)而可施行加熱。第1粘接著層12的高能量射線的照射，由基材薄膜14的未設(shè)置第1粘接著層12 側(cè)的面進(jìn)行。因此，使用紫外線為高能量射線時(shí)，基材薄膜14需要為透光性。還有，使用電子線為高能量射線時(shí)，基材薄膜14不必為透光性。照射高能量射線后，如圖12(c)所示，例如利用抽氣夾套拾取應(yīng)拾取的半導(dǎo)體元件33。這時(shí)，例如可借助針桿等自基材薄膜14的下面將應(yīng)拾取的半導(dǎo)體元件33堆上。通過(guò)使第1粘接著層12硬化，在拾取半導(dǎo)體元件33時(shí)，第1粘接著層12與基材薄膜14的界面容易發(fā)生剝離，成為第1粘接著層12粘附于半導(dǎo)體元件33的下面的狀態(tài)而被拾取。接著，如圖12(d)所示，將附有第1粘接著層12的半導(dǎo)體元件33，以第1粘接著層12為中介配置于搭載半導(dǎo)體元件用的支持部件71上，進(jìn)行加熱。通過(guò)加熱發(fā)揮第1粘接著層12的粘接力，完成半導(dǎo)體元件33與搭載半導(dǎo)體元件用的支持部件71的粘接。其后，根據(jù)需要，經(jīng)由引線接合步驟或封閉步驟等，制得半導(dǎo)體裝置。[半導(dǎo)體裝置]圖13為利用上述半導(dǎo)體裝置的制造方法，所制得的本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的一個(gè)實(shí)施方式的模式截面圖。如圖13所示，半導(dǎo)體裝置100為，在成為搭載半導(dǎo)體元件用的支持部件的有機(jī)襯底70上，以第1粘接著層12為中介層疊兩個(gè)半導(dǎo)體元件33。另外，在有機(jī)襯底70上形成電路圖型74及接頭76，此電路圖型74與兩個(gè)半導(dǎo)體元件33，借助引線接合78分別連接。 以封閉材料80使它們被封閉，形成半導(dǎo)體裝置100。此半導(dǎo)體裝置100，是利用上述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，使用粘接片2所制造而得的。以上就本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的適合的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式者。例如，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式，是就使用粘接片2的情況進(jìn)行的說(shuō)明，但也可使用粘接片1或粘接片3為粘接片。[粘接片]<第7實(shí)施方式>圖16為本發(fā)明的粘接片的第7實(shí)施方式的平面圖，圖17為圖16所示的粘接片 201沿圖16的All-All線切斷時(shí)的模式截面圖。如圖16及圖17所示，粘接片201具有將層疊剝離基材212、粘接層214、粘著層222、基材薄膜2M順次層疊的結(jié)構(gòu)。另外，由粘接層 214、粘著層222及基材薄膜2M所成的粘著薄膜220所構(gòu)成的層疊體210，被切成規(guī)定的平面形狀，部分性的層疊于剝離基材212上。進(jìn)而，在剝離基材212上，沿著層疊體210的平面形狀的周邊，由連接于粘接層214側(cè)的面，于剝離基材212的厚度方向，形成第1切入部分D1。這里，層疊體210的所述規(guī)定的平面形狀，只要是在剝離基材212上成為層疊體 210部分性層疊的狀態(tài)的形狀，則沒(méi)有特別的限制。層疊體210的所述規(guī)定的平面形狀，以與第1層疊體20的規(guī)定的平面形狀相同的平面形狀為宜。另外，粘接片201中，在剝離基材212中形成的第1切入部分Dl的切入深度dl，為小于剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。使用這樣的粘接片201時(shí)，自剝離基材212剝離層疊體210，以粘接層214為中介貼合于半導(dǎo)體晶片等被粘附體。就構(gòu)成粘接片201的各層詳細(xì)說(shuō)明如下。剝離基材212，在使用粘接片201時(shí)，擔(dān)負(fù)作為載體薄膜的任務(wù)。這樣的剝離基材 212，可使用例如與剝離基材10同樣的物質(zhì)。另外，剝離基材212的與粘接層214連接側(cè)的面，以使用聚硅酮系剝離劑、氟系剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等進(jìn)行表面處理為宜。剝離基材212的厚度，在不損害使用時(shí)的操作性的范圍內(nèi)可適當(dāng)選擇，優(yōu)選為10 500 μ m,更優(yōu)選25 100 μ m,特別優(yōu)選30 50 μ m。粘接層214中，可使用半導(dǎo)體芯片的粘接(接合)所使用的眾所周知的熱硬化性粘接劑、光硬化性粘接劑、熱塑性粘接劑或氧反應(yīng)性粘接劑等。這些可單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。所述熱塑性粘接劑，可使用具有熱塑性的樹(shù)脂，或者至少在未硬化狀態(tài)下具有熱塑性、加熱后形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂。這樣的樹(shù)脂有，例如聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酯酰亞胺樹(shù)脂、苯氧樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂、聚醚酮樹(shù)脂等。另外，可使用含有官能性單體為單體單元的聚合物。此官能性單體的官能基有縮水甘油基、丙烯?；⒓谆；?、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、 氨基、酰胺基等。更具體而言可以舉出，含丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體為單體單元的含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物等。還有，本發(fā)明中所謂(甲基)丙烯酸系共聚物，是指丙烯酸共聚物與甲基丙烯酸共聚物兩者。所述含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，可使用例如(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸系橡膠等，優(yōu)選丙烯酸系橡膠。丙烯酸系橡膠，是以丙烯酸酯為主成份，主要有由丙烯酸丁酯與丙烯腈等的共聚物、或丙烯酸乙酯與丙烯腈等的共聚物所成的橡膠。還有，含有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸共聚物的具體例子有，例如，長(zhǎng)瀨CHEMTEX股份有限公司制的HTR-860P-3(商品名)等。丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯以外的所述官能性單體有例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。還有，本發(fā)明中，所謂(甲基)丙烯酸乙酯為丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸乙酯兩者。所述熱硬化性粘接劑，只要是借助熱而硬化具有粘接作用的熱硬化性樹(shù)脂，則沒(méi)有特別的限制，有例如具有縮水甘油基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基、羥基、羧基、三聚異氰酸酯基、氨基、酰胺基等官能基的化合物，這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。更具體的有，例如環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、酚樹(shù)脂、熱硬化型聚酰亞胺樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂等。所述環(huán)氧樹(shù)脂，只要是進(jìn)行硬化而具有粘接作用的物質(zhì)，則沒(méi)有特別的限制?？墒褂美纾p酚A型環(huán)氧樹(shù)脂等二官能環(huán)氧樹(shù)脂，苯酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂或甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂等酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂等。另外，可使用多官能環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂、含雜環(huán)環(huán)氧樹(shù)脂或脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂等一般所知的物質(zhì)。這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。使用環(huán)氧樹(shù)脂時(shí)，以使用環(huán)氧樹(shù)脂硬化劑為宜。環(huán)氧樹(shù)脂硬化劑，可使用通常所使用的眾所周知的硬化劑，有例如胺類，聚酰胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、二氰基二酰胺、雙酚A、雙酚F、雙酚S等一分子中具有兩個(gè)以上酚性羥基的雙酚類，苯酚酚醛樹(shù)脂、雙酚A酚醛樹(shù)脂或甲酚酚醛樹(shù)脂等酚樹(shù)脂等。這些環(huán)氧樹(shù)脂硬化劑，可單獨(dú)或兩種以上組合使用。粘接層214的厚度，以充分確保對(duì)搭載襯底的粘接性，并且不影響對(duì)半導(dǎo)體晶片的貼合操作及貼合后的切割操作的范圍為宜。從這樣的觀點(diǎn)而言，粘接層214的厚度優(yōu)選 1 300 μ m，更優(yōu)選5 150 μ m，特別優(yōu)選10 100 μ m。厚度小于1 μ m時(shí)，有難以確保充分的芯片接合的粘接力的傾向。厚度超過(guò)300 μ m時(shí)，有產(chǎn)生對(duì)切割操作不良影響的不適情況的傾向。 粘著薄膜220是在基材薄膜2M上具備粘著層222的物質(zhì)。
構(gòu)成此粘著薄膜220的基材薄膜224，可使用與剝離基材212所使用的薄膜或薄片相同的物質(zhì)。例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙烯基乙酸酯薄膜等聚烯烴系薄膜，聚氯乙烯薄膜、聚酰亞胺薄膜等塑料薄膜等。進(jìn)而，基材薄膜2M可以是這些薄膜2層以上層疊而得的物質(zhì)。另外，基材薄膜224的厚度，優(yōu)選為10 500 μ m，更優(yōu)選25 100 μ m，特別優(yōu)選 30 50μπι。構(gòu)成粘著薄膜220的粘著層222，優(yōu)選為借助紫外線或放射線等高能量射線、或熱而硬化(粘著力降低)的物質(zhì)，更優(yōu)選借助高能量射線硬化的物質(zhì)，特別優(yōu)選借助紫外線而硬化的物質(zhì)。構(gòu)成這樣的粘著層222的粘著劑，一直以來(lái)有各種類型。以從中適當(dāng)選擇使用借助照射高能量射線，可降低對(duì)粘接層214的粘著力的物質(zhì)為宜。所述粘著劑有，例如具有二醇基的化合物、異氰酸酯化合物、氨基甲酸酯(甲基) 丙烯酸酯化合物、二胺化合物、尿素甲基丙烯酸酯化合物、支鏈具有乙烯性不飽和基的高能量射線聚合性共聚物等。這些可單獨(dú)或兩種以上組合使用。粘著層222的厚度，優(yōu)選為1 100 μ m,更優(yōu)選2 20 μ m，特別優(yōu)選3 10 μ m。 厚度小于Iym時(shí)，有難以確保充分的粘著力的傾向，在切割時(shí)半導(dǎo)體芯片有可能散落。厚度超過(guò)100 μ m時(shí)，粘接片201整體的厚度過(guò)厚，對(duì)被粘附體的貼合操作有更加困難的傾向。粘接片201具有如上所述的結(jié)構(gòu)，是具備剝離基材212、粘接層214、粘著層22及基材薄膜2M的物質(zhì)。此粘接片1中，在剝離基材212上，沿著由粘接層214和粘著層22和基材薄膜2M所成的層疊體210的平面形狀的周邊，由剝離基材212的接觸粘接層214側(cè)的面，于剝離基材212的厚度方向，形成第1切入部分Dl。此第1切入部分Dl的切入深度dl，為小于剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。 這里，從獲得更良好的剝離性的觀點(diǎn)而言，切入深度dl，優(yōu)選15 μ m以下，更優(yōu)選 ομπι以下，特別優(yōu)選5 μ m以下。這樣，切入深度dl越接近0 μ m越好，最好是大于0 μ m、并為0. 5 μ m 以下。借助第1切入部分Dl的切入深度dl為上述的范圍，粘接片201中，可充分抑制粘接層214或粘著層222咬入第1切入部分Dl。因此，剝離基材212與粘接層214的界面不被密封，層疊體210容易自剝離基材212剝離，可充分抑制層疊體210貼合于被粘附體之際的剝離不良的產(chǎn)生。但是，以現(xiàn)行的預(yù)切裝置使切入深度接近于Ομπι時(shí)，裝置的調(diào)整與預(yù)先切斷步驟的實(shí)施需要很多的時(shí)間，生產(chǎn)效率有降低的傾向。因此，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，以剝離基材212的厚度為a(ym)，粘接片201以(dl/a)的值滿足下述式(2) 的條件為宜。0< (dl/a)彡 0.7 ......(2)借助所述(dl/a)的值滿足所述式( 的條件，可更充分抑制粘接層214或粘著層 222咬入第1切入部分D1，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，從更充分獲得這樣的效果的觀點(diǎn)而言，所述式⑵中(dl/a)值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選0.25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選0. 1。
還有所述切入深度dl，如上所述，是通過(guò)以電子顯微鏡觀測(cè)形成于剝離基材212 的切入部分Dl的深度的剖面，測(cè)定任意10點(diǎn)，取其平均值。從更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的觀點(diǎn)而言，任意10點(diǎn)測(cè)定的切入部分Dl的深度，以全部在上述范圍為宜。在此方面，對(duì)于后述的第2切入部分D2的深度d2也是相同的?！吹?實(shí)施方式〉圖18為本發(fā)明的粘接片的第8實(shí)施方式的平面圖，圖19為圖18所示的粘接片 202沿圖18的A12-A12線切斷時(shí)的模式截面圖。如圖18及圖19所示，粘接片202具有將剝離基材212、粘接層214、粘著層222、基材薄膜2M順次層疊的結(jié)構(gòu)。另外，粘接層214被切成規(guī)定的第1平面形狀，部分性的層疊于剝離基材212上。在剝離基材212上，沿著粘接層214的第1平面形狀，由接觸粘接層214側(cè)的面，于剝離基材212的厚度方向，形成第1 切入部分Dl。另外，粘著層222，是按覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍連接于剝離基材212來(lái)進(jìn)行層疊。由粘著層222及基材薄膜2M所成的粘著薄膜220被切成規(guī)定的第2 平面形狀，在剝離基材212上，沿著粘著薄膜220的第2平面形狀的周邊，由接觸粘著層222 側(cè)的面，于剝離基材212的厚度方向，形成第2切入部分D2。在這樣的粘接片202中，形成于剝離基材212的第1切入部分Dl的切入深度dl、 及第2切入部分D2的切入深度d2，均為小于剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。這里，從獲得更良好的剝離性的觀點(diǎn)而言，第1切入部分Dl的切入深度dl、及第2 切入部分D2的切入深度d2，分別優(yōu)選為15 μ m以下，更優(yōu)選10 μ m以下，特別優(yōu)選5 μ m以下。這樣，切入深度dl及d2越接近ομπ 越好，最好是大于Ομπκ并為0.5μπ 以下。但是， 在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl及d2以5 15 μ m為宜。另外，以剝離基材212的厚度為a(ym)時(shí)，粘接片202以(dl/a)的值滿足下述式 (2)的條件為宜。O < (dl/a)彡 0.7 ......(2)進(jìn)而，以(d2/a)的值滿足下述式(3)的條件為宜。O < (d2/a)彡 0. 7 ......(3)借助所述(dl/a)的值滿足所述式(2)的條件，可更充分抑制粘接層214或粘著層 222咬入第1切入部分D1，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，借助所述(d2/a)的值滿足所述式C3)的條件，可更充分抑制粘著層222咬入第2切入部分D2，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。從更充分獲得這些效果的觀點(diǎn)而言，所述式O)中(dl/a)值的上限值、及所述式(3)中(d2/a)值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選0. 25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選 0. 1。粘接片202中，剝離基材212，粘接層214、粘著層222及基材薄膜224，可使用與所述第7實(shí)施方式的粘接片201中所說(shuō)明的相同的物質(zhì)。具有這樣結(jié)構(gòu)的粘接片202，在切割半導(dǎo)體晶片之際使用晶片環(huán)的情況下，可使粘著層222緊貼于晶片環(huán)，能使切割操作容易進(jìn)行。另外，粘接片202中，借助剝離基材212的第1切入部分Dl的切入深度dl、及第2 切入部分D2的切入深度d2，分別為上述的范圍，可充分抑制粘接層214咬入第1切入部分 D1，并且，能充分抑制粘著層222咬入第2切入部分D2。因此，剝離基材212與粘接層214 的界面、及剝離基材212與粘著層222的界面不被密封，層疊體210可自剝離基材212輕易地剝離，能充分抑制層疊體210貼合于被粘附體之際的剝離不良的產(chǎn)生。<第9實(shí)施方式>圖20為本發(fā)明的粘接片的第9實(shí)施方式的平面圖，圖21為圖20所示的粘接片203 沿圖20的A13-A13線切斷時(shí)的模式截面圖。如圖20及圖21所示，粘接片203具有將剝離基材212、粘接層214、粘著層222、基材薄膜2M順次層疊的結(jié)構(gòu)。另外，粘接層214被切成規(guī)定的平面形狀，部分性的層疊于剝離基材212上。在剝離基材212上，沿著粘接層214 的平面形狀的周邊，由接觸粘接層214側(cè)的面，于剝離基材212的厚度方向形成第1切入部分D1。另外，粘著層222及基材薄膜224，按覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍，粘著層222接觸剝離基材212來(lái)進(jìn)行層疊。這樣的粘接片203中，在剝離基材212上形成的第1切入部分Dl的切入深度dl， 為小于剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。這里，從獲得更良好的剝離性的觀點(diǎn)而言，第1切入部分Dl的切入深度dl，優(yōu)選 15 μ m以下，更優(yōu)選10 μ m以下，特別優(yōu)選5 μ m以下。這樣，切入深度dl越接近Oym越好， 最好是大于0 μ m、并為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，粘接片203，以(dl/a)的值滿足下述式O)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)借助所述(dl/a)的值滿足所述式(2)的條件，可更充分抑制粘接層214或粘著層 222咬入第1切入部分D1，能更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。另外，從更充分獲得這樣的效果的觀點(diǎn)而言，所述式⑵中(dl/a)值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選0.25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選0. 1。粘接片203中，剝離基材212、粘接層214、粘著層222及基材薄膜224，可使用與所述第7實(shí)施方式的粘接片201中所說(shuō)明的相同的物質(zhì)。粘接片203中，借助剝離基材212的第1切入部分Dl的切入深度dl為上述范圍， 可充分抑制粘接層214咬入第1切入部分Dl。因此，剝離基材212與粘接層214的界面不被密封，層疊體210可自剝離基材212輕易地剝離，能充分抑制層疊體210貼合于被粘附體之際的剝離不良的產(chǎn)生。[粘接片的制造方法]<第10實(shí)施方式>對(duì)于為制造所述第7實(shí)施方式的粘接片201的、第10實(shí)施方式的粘接片201的制造方法，加以說(shuō)明。粘接片201由包含下述步驟的制造方法制得在剝離基材212上，順次層疊粘接層 214、粘著層222及基材薄膜224的第1層疊步驟，和由基材薄膜224的與粘著層222接觸側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)剝離基材212，使粘接層214、粘著層222及基材薄膜2M切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材212上形成第1切入部分的第1切斷步驟。這里，第1切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小于剝離基材212的厚度、且為25μπι以下。就各制造步驟詳細(xì)說(shuō)明如下。第1層疊步驟中，首先，使構(gòu)成粘接層214的材料溶解或分散于溶劑，作為形成粘接層用清漆，將其涂布于剝離基材212上后，通過(guò)加熱去除溶劑形成粘接層214。同樣地，使構(gòu)成粘著層222的材料溶解或分散于溶劑，作為形成粘著層用清漆，將其涂布于基材薄膜 224上后，通過(guò)加熱去除溶劑形成粘著薄膜220。這里，調(diào)制清漆所使用的所述溶劑，只要是能溶解或分散各構(gòu)成材料的物質(zhì)，則沒(méi)有特別的限制，考慮形成層之際的揮發(fā)性時(shí)，以使用例如甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲乙酮、丙酮、甲異丁酮、甲苯、二甲苯等較低沸點(diǎn)的溶劑為宜。另外，為提高涂膜性的目的，可使用例如二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、環(huán)己酮等較高沸點(diǎn)的溶劑。這些溶劑可單獨(dú)或兩種以上組合使用。還有，調(diào)成清漆后，可借助真空脫氣等去除清漆中的氣泡。將清漆涂布于剝離基材212及基材薄膜2M的涂布方法，可使用眾所周知的方法， 例如刮刀涂布法、輥涂布法、噴霧涂布法、照相凹版涂布法、刮棒涂布法、幕式涂布法等。接著，使上述于剝離基材212上形成粘接層214的物質(zhì)(以下稱為“粘接薄膜”)、 和于基材薄膜2M上形成粘著層222的物質(zhì)(粘著薄膜220)貼合。由此，形成預(yù)先切斷前的粘接片(以下稱為“前體薄片”)，完成第1層疊步驟。這里，粘接薄膜與粘著薄膜220的貼合，可借助以往眾所周知的方法進(jìn)行，例如可使用層壓機(jī)等進(jìn)行。另外，前體薄片，可借助下述的方法制得。即可采用涂布形成粘接層用清漆于剝離基材212上后，以加熱去除溶劑而形成粘接層214后，于此粘接層214上涂布形成粘著層用清漆，以加熱去除溶劑而形成粘著層222的方法；或?qū)⑿纬烧持鴮佑们迤嵬坎加诨谋∧?224上后，以加熱去除溶劑而形成粘著層222后，于此粘著層222上涂布形成粘接層用清漆， 以加熱去除溶劑而形成粘接劑214的方法等。第1切斷步驟中，對(duì)如上所述制成的前體薄片，由基材薄膜224的與粘著層222接觸側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)剝離基材212，使由粘接層214、粘著層222及基材薄膜2M所成的層疊體210切成規(guī)定的平面形狀，并于剝離基材212上形成第1切入部分Dl。這里，層疊體210的切斷，可使用與規(guī)定的平面形狀相應(yīng)的預(yù)先切斷刀C來(lái)進(jìn)行。此第1切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小于剝離基材212的厚度、 且為25μπι以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接片201的觀點(diǎn)而言，第1切入部分Dl的切入深度dl優(yōu)選為15μπι以下，更優(yōu)選IOym以下，特別優(yōu)選5μπι以下。這樣，切入深度dl越接近0 μ m越好，最好是大于0 μ m、并為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，第1切斷步驟中，以剝離基材212的厚度為a(ym)，(dl/a)的值以滿足所述式O)的條件為宜。0 < (dl/a)≤ 0. 7 ......O)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片201。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點(diǎn)而言，所述式O)中(dl/a)值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選 0. 25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選0. 1。其后，根據(jù)需要?jiǎng)冸x去除層疊體210的不要部分，得到粘接片201。〈第11實(shí)施方式〉對(duì)于為制造所述第8實(shí)施方式的粘接片202的、第11實(shí)施方式的粘接片202的制造方法，加以說(shuō)明。粘接片202由包含下述步驟的制造方法制得在剝離基材212上層疊粘接層214 的第2層疊步驟，和由粘接層214的與剝離基材212接觸側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)剝離基材212，使粘接層214切成規(guī)定的第1平面形狀，并于剝離基材212上形成第1切入部分Dl 的第2切斷步驟，和在粘接層214上，按使粘著層222覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍與剝離基材212接觸，來(lái)順次層疊粘著層222及基材薄膜224的第3層疊步驟，和由基材薄膜2M的與粘著層222接觸側(cè)為相反側(cè)的面切入達(dá)到剝離基材212，使基材薄膜2M及粘著層222切成規(guī)定的第2平面形狀，并于剝離基材212上形成第2切入部分D2的第3切斷步驟。這里，第2切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小于剝離基材212的厚度且為25 μ m以下。另外，第3切斷步驟中，第2切入部分D2的切入深度d2為小于剝離基材212的厚度，且為25 μ m以下。就各制造步驟詳細(xì)說(shuō)明如下。第2層疊步驟中，使構(gòu)成粘接層214的材料溶解或分散于溶劑，作為形成粘接層用清漆，將其涂布于剝離基材212上后，通過(guò)加熱去除溶劑而形成粘接層214。由此，制作成粘接薄膜，完成第2層疊步驟。第2切斷步驟中，在如上所述的制成的粘接薄膜上，由粘接層214的與剝離基材 212接觸側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)剝離基材212，使粘接層214切成規(guī)定的第1平面形狀， 并于剝離基材212上形成第1切入部分Dl。這里，粘接層214的切斷，可使用與規(guī)定的第1平面形狀相應(yīng)的預(yù)先切斷刀C來(lái)進(jìn)行。此第2切斷步驟中，第1切入部分Dl的切入深度dl為小于剝離基材212的厚度， 且為25μπι以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接層薄片202的觀點(diǎn)而言，第1切入部分Dl的切入深度dl優(yōu)選為15μπι以下，更優(yōu)選IOym以下，特別優(yōu)選5μπι以下。這樣，切入深度dl越接近0 μ m越好，最好是大于0 μ m、并為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度dl以5 15 μ m為宜。另外，第2切斷步驟中，以剝離基材212的厚度為a(ym)，(dl/a)的值以滿足所述式O)的條件為宜。0 < (dl/a) ^ 0. 7 ......O)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片202。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點(diǎn)而言，所述式O)中(dl/a)值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選 0. 25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選0. 1。其后，剝離去除粘接層214的不要部分，得到粘接薄膜。第3層疊步驟中，在借助所述第2切斷步驟施行了預(yù)先切斷加工的粘接層214上， 按使粘著層222覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍與剝離基材212接觸，來(lái)順次層疊粘著層222及基材薄膜224，制作成前體薄片。層疊，可采用例如以層壓機(jī)等，對(duì)在基材薄膜2M上形成粘著層222所成的粘著薄膜220進(jìn)行貼合的方法；或在粘接層214上涂布形成粘著層用清漆，通過(guò)加熱去除溶劑形成粘著層222，于其上貼合基材薄膜224的方法等。
第3切斷步驟中，對(duì)如上所述的制成的前體薄片，由基材薄膜224的與粘著層222 接觸側(cè)為相反側(cè)的面切入到達(dá)剝離基材212，使由基材薄膜2M及粘著層222所成的粘著薄膜220切成規(guī)定的第2平面形狀，并在剝離基材212上形成第2切入部分D2。這里，粘著薄膜220的切斷，可使用與規(guī)定的第2平面形狀相應(yīng)的預(yù)先切斷刀C來(lái)進(jìn)行。此第3切斷步驟中，第2切入部分D2的切入深度d2為小于剝離基材212的厚度， 且為25 μ m以下。還有，從獲得具有更良好的剝離性的粘接片202的觀點(diǎn)而言，第2切入部分D2的切入深度d2優(yōu)選為15 μ m以下，更優(yōu)選10 μ m以下，特別優(yōu)選5 μ m以下。這樣，切入深度d2越接近0 μ m越好，最好是大于0 μ m、并為0. 5 μ m以下。但是，在平衡生產(chǎn)效率與抑制剝離不良的方面考慮，切入深度d2以5 15 μ m為宜。另外，第3切斷步驟中，以剝離基材212的厚度為m)，(d2/a)的值以滿足所述式(3)的條件為宜。0 < (d2/a) ^ 0. 7 ......(3)由此，能獲得可更充分抑制剝離不良的產(chǎn)生的粘接片202。另外，從更充分獲得這樣效果的觀點(diǎn)而言，所述式(3)中(d2/a)值的上限值，優(yōu)選為0.5，更優(yōu)選0.3，特別優(yōu)選 0. 25，尤其優(yōu)選0. 15，最優(yōu)選0. 1。其后，剝離去除粘著薄膜220的不要部分，得到粘接片202。以上，對(duì)于本發(fā)明的粘接片及粘接片的制造方法的適合實(shí)施方式已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。例如，具有圖18及圖19所示的結(jié)構(gòu)的粘接片202 中，也可以是在剝離基材212上不設(shè)置第2切入部分D2的結(jié)構(gòu)。這樣構(gòu)成的粘接片，可通過(guò)例如，在剝離基材212上層疊粘接層214，對(duì)粘接層214施行預(yù)先切斷加工后，，按使粘著層222覆蓋粘接層214，且在粘接層214的周圍與剝離基材212接觸來(lái)貼合預(yù)先切成規(guī)定的平面形狀的粘著薄膜220而制得。另外，第11實(shí)施方式的粘接片202的制造方法中，可不進(jìn)行第3切斷步驟。此情況下，可以得到對(duì)粘著薄膜220不施行預(yù)先切斷加工的粘接片，即，具有圖20及圖21所示結(jié)構(gòu)的粘接片203。[半導(dǎo)體裝置的制造方法]對(duì)于使用上述說(shuō)明的粘接片制造半導(dǎo)體裝置的方法，以圖22加以說(shuō)明。還有，下述的說(shuō)明中，對(duì)于使用所述第8實(shí)施方式的粘接片202作為粘接片的情況，予以說(shuō)明。圖22為進(jìn)行粘接片220的層疊體210貼合于半導(dǎo)體晶片32的操作的一連串步驟圖。如圖22(a)所示，粘接片202為，剝離基材212發(fā)揮載體薄膜的作用，被兩個(gè)輥62及 66、和楔狀的部件64支撐。粘接片202是，其一端以連接于圓柱狀的卷芯44的狀態(tài)形成卷繞的第1卷對(duì)2，另一端以連接于圓柱狀的卷芯M的狀態(tài)形成卷繞的第2卷252。第2卷 252的卷芯M連接有使該卷芯M旋轉(zhuǎn)的卷芯驅(qū)動(dòng)馬達(dá)(圖標(biāo)未標(biāo)示)。由此，卷芯M以規(guī)定的速度，卷繞層疊體210被剝離后的剝離基材212。首先，卷芯驅(qū)動(dòng)馬達(dá)旋轉(zhuǎn)時(shí)，使第2卷252的卷芯M旋轉(zhuǎn)，將卷繞于第1卷242的卷芯44的粘接片202拉出于第1卷M2的外部。拉出的粘接片202，被引導(dǎo)至配置于移動(dòng)式平臺(tái)36上的圓板狀的半導(dǎo)體晶片32、及按包圍半導(dǎo)體晶片來(lái)配置的晶片環(huán)34上。接著，由粘接層214及粘著薄膜220所成的層疊體210自剝離基材212被剝離。此時(shí)，自粘接片202的剝離基材212側(cè)接觸楔狀的部件64，剝離基材212在部件64側(cè)彎曲成銳角。其結(jié)果，在剝離基材212與層疊體210之間，做出剝離起點(diǎn)。進(jìn)而，為更有效地做出剝離起點(diǎn)，在剝離基材212與層疊體210的界面吹送空氣。這樣，在剝離基材212與層疊體210之間，做出剝離起點(diǎn)后，如圖22 (b)所示，粘著薄膜220與晶片環(huán)34緊貼，按使粘接層214與半導(dǎo)體晶片32緊貼來(lái)進(jìn)行層疊體210的貼合。此時(shí)，借助輥68，使層疊體210壓粘于半導(dǎo)體晶片32。其后，如圖22(c)所示，完成層疊體210在半導(dǎo)體晶片32上的貼合。得到附有層疊體的半導(dǎo)體晶片。通過(guò)上述工序，可使用自動(dòng)化的步驟連續(xù)進(jìn)行層疊體210對(duì)半導(dǎo)體晶片32的貼合。進(jìn)行這樣的層疊體210對(duì)半導(dǎo)體晶片32的貼合操作的裝置，有例如琳得科(U > f夂 々)股份有限公司制的RAD-2500(商品名)等。以這樣的步驟使層疊體210貼合于半導(dǎo)體晶片32時(shí)，借助使用粘接片202，可輕易做出剝離基材212與層疊體210之間的剝離起點(diǎn)(剝離基材212與粘著層222之間的剝離起點(diǎn)、及剝離基材212與粘接層214之間的剝離起點(diǎn))，能充分抑制剝離不良的產(chǎn)生。接著，對(duì)通過(guò)上述步驟所得的附有層疊體的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，得到必要的尺寸的附有層疊體的半導(dǎo)體元件。這里，可進(jìn)行洗凈、干燥等步驟。此時(shí)，借助粘接層214及粘著層222，使半導(dǎo)體晶片32在層疊體210上維持充分粘著，因此在上述各步驟中可抑制半導(dǎo)體晶片32的脫落。接著，以放射線等高能量射線照射于層疊體210的粘著層222，粘著層222的一部分或大部分進(jìn)行聚合硬化。這時(shí)，與照射高能量射線同時(shí)或照射后，為促進(jìn)硬化反應(yīng)，進(jìn)而可施行加熱。對(duì)粘著層222的高能量射線的照射，是由基材薄膜224的未設(shè)置粘著層222側(cè)的面進(jìn)行的。因此，使用紫外線作為高能量射線時(shí)，基材薄膜224需要為透光性。還有，使用電子線為高能量時(shí)，基材薄膜224，則不必為透光性。照射高能量射線后，例如利用抽氣夾套拾取應(yīng)拾取的半導(dǎo)體元件。這時(shí)，例如也可利用針桿等自基材薄膜224的下面將應(yīng)拾取的半導(dǎo)體元件推上。通過(guò)使粘著層222硬化， 使半導(dǎo)體元件與粘接層214之間的粘著力，比粘接層214與粘著層222之間的粘著力大，因此在進(jìn)行半導(dǎo)體元件的拾取時(shí)，在粘接層214與粘著層222的界面產(chǎn)生剝離，粘接層214粘附于半導(dǎo)體元件下面狀態(tài)的附有粘接層的半導(dǎo)體元件被拾取。將此附有粘接層的半導(dǎo)體元件，以粘接層214為中介，配置于搭載半導(dǎo)體元件用的支持部件上，進(jìn)行加熱。通過(guò)加熱發(fā)揮粘接層214的粘接力，完成半導(dǎo)體元件與搭載半導(dǎo)體元件用的支持部件的粘接。其后，根據(jù)需要，經(jīng)由引線接合步驟或封閉步驟等，制得半導(dǎo)體裝置。[半導(dǎo)體裝置]圖23為利用上述半導(dǎo)體裝置的制造方法，所制得的本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的一個(gè)實(shí)施方式的模式截面圖。如圖23所示，半導(dǎo)體裝置300為，在成為搭載半導(dǎo)體元件用的支持部件的有機(jī)襯底70上，層疊兩個(gè)由粘接層214及半導(dǎo)體元件72所成的附著粘接層的半導(dǎo)體元件。另外， 在有機(jī)襯底70上形成電路圖型74及接頭76，此電路圖型74與兩個(gè)半導(dǎo)體元件72，借助引線78接合分別連接。以封閉材料80使它們封閉，形成半導(dǎo)體裝置300。此半導(dǎo)體裝置300，是利用上述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，使用粘接片202所制造而得的。以上，就本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的適合的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。例如上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式，是就使用粘接片202的情況進(jìn)行的說(shuō)明，但也可使用粘接片201或粘接片203為粘接片。還有，使用粘接片203時(shí)，使粘接片203的層疊體210貼合于半導(dǎo)體晶片32及晶片環(huán) 34后，將層疊體210的粘著薄膜220切成符合于晶片環(huán)34的直徑。進(jìn)行操作的裝置，有例如日東制機(jī)股份有限公司制的PM-8500(商品名)等。實(shí)施例以下，基于實(shí)施例及比較例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于下述的實(shí)施例。(合成例1)丙烯酸系聚合物的合成在具備攪拌器、滴液漏斗、溫度計(jì)及冷凝管的500ml四口分離式燒瓶中，加入 126. Og的2-丁酮，以IOOml/分鐘的流量吹入氮?dú)馔瑫r(shí)升溫至80°C，保溫約30分鐘。其后， 溫度保持于80°C，同時(shí)于此2-丁酮中以4小時(shí)滴加入使0. 6g2，2-偶氮雙(異丁腈)溶解于14. 8g2- 丁酮、15. Og甲基丙烯酸、15. Og甲基丙烯酸甲酯及70. Og丙烯酸2-乙基己基酯的混合液而得的溶液，保溫2小時(shí)后，再以30分鐘滴加入使0. 06g2，2-偶氮雙(異丁腈)溶解于8. 5g2-丁酮而得的溶液，保溫5. 5小時(shí)。由此，得到重量分子量60，000(以凝膠滲透色譜法測(cè)定，使用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)曲線換算的值)，不揮發(fā)份40質(zhì)量％丙烯酸系聚合物。(制造例1)粘著薄膜的制作向由合成例1合成的丙烯酸系聚合物100質(zhì)量份、NK-酯BPE_200(商品名，新中村化學(xué)工業(yè)股份有限公司制)、2，2-雙甲基丙烯氧基乙氧基苯基)丙烷22. 05質(zhì)量份、 及1-羥基環(huán)己基苯基酮0. 5質(zhì)量份所成的組成物中，加入甲乙酮100質(zhì)量份，攪拌混合，通過(guò)進(jìn)行真空脫氣調(diào)制成形成粘著層用清漆。將此形成粘著層用清漆涂布于厚度75 μ m的經(jīng)脫模處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上(帝人杜邦薄膜股份有限公司制，帝人皮優(yōu)雷庫(kù)斯(〒4夕> 一 > 夕；^ )S31)，于100°C進(jìn)行5分鐘加熱干燥，形成厚度ΙΟμπι 的粘著層。由此，得到由PET薄膜與粘著層所成的粘著薄膜。[實(shí)施例1]首先，向作為環(huán)氧樹(shù)脂的YDCN_703(商品名，東都化成股份有限公司制，甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂，環(huán)氧當(dāng)量為220) 60質(zhì)量份、及作為硬化劑的XLC-LL (商品名，三井化學(xué)股份有限公司制，酚苯二甲醇二甲基醚縮合物)40質(zhì)量份中，加入環(huán)己酮1，500質(zhì)量份，攪拌混合， 調(diào)制成第1清漆。接著，在此第1清漆中，加入作為偶合劑的NUC A-189(商品名，日本優(yōu)尼卡股份有限公司制，Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)1質(zhì)量份，及NCU A-1160(商品名， 日本優(yōu)尼卡股份有限公司制，Y -脲基丙基三乙氧基硅烷)1質(zhì)量份，進(jìn)而加入R972V(商品名，日本阿耶洛吉魯股份有限公司制，二氧化硅填料)，使占有組成物的全體積中的比率為 10體積％，攪拌混合后，利用珠磨機(jī)進(jìn)行分散處理，即調(diào)制成第2清漆。接著，向此第2清漆中，加入HTR-860-P3 (商品名，長(zhǎng)瀨CHEMTEX斯股份有限公司制，含環(huán)氧基的丙烯酸系共聚物)250質(zhì)量份、及作為硬化促進(jìn)劑的丘爾若魯/一 > )2PZ-CN(商品名，四國(guó)化成股份有限公司制，1-氰基乙基-2-苯基咪唑)0. 5質(zhì)量份，攪拌混合，即調(diào)制成形成粘接層用清漆。
將此形成粘接層用清漆涂布于厚度38μπι的經(jīng)脫模處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上(帝人杜邦薄膜股份有限公司制，帝人皮優(yōu)雷庫(kù)斯(f 4 7 > C -— >、、J ” 7 )A31)，于140°C進(jìn)行5分鐘加熱干燥，形成厚度ΙΟμπι的B階狀態(tài)的粘接層。由此，得到由PET薄膜(剝離基材)與粘接層所成的粘接薄膜。對(duì)于所得的粘接薄膜，調(diào)節(jié)為對(duì)剝離基材的切入深度可達(dá)10 μ m以下，進(jìn)行 O210mm的圓形預(yù)先切斷加工(第1預(yù)先切斷加工)。其后，去除粘接層的不要部分，按使粘著層與粘接層接觸，以室溫、線壓lkg/cm、 速度0. 5m/分鐘的條件來(lái)貼合粘著薄膜。對(duì)于粘著薄膜，調(diào)節(jié)為對(duì)剝離基材的切入深度達(dá) ΙΟμπι以下，進(jìn)行與粘接層為同心圓狀的0^90mm的圓形預(yù)先切斷加工(第2預(yù)先切斷加工)，即制作成實(shí)施例1的粘接片。其中，對(duì)第1預(yù)先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點(diǎn)的測(cè)定結(jié)果，均為 ΙΟμπι以下，其平均值(dl)為8μπι。同樣的，對(duì)第2預(yù)先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點(diǎn)的測(cè)定結(jié)果，均為ΙΟμπι以下，其平均值(d2)為9μπι。這些切入深度的測(cè)定，是通過(guò)以電子顯微鏡觀測(cè)截面而進(jìn)行的。[實(shí)施例2]除第1及第2的預(yù)先切斷加工，調(diào)節(jié)為對(duì)剝離基材的切入深度可達(dá)20 μ m以下而進(jìn)行以外，與實(shí)施例1同樣的進(jìn)行，制作成實(shí)施例2的粘接片。其中，對(duì)第1預(yù)先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點(diǎn)的測(cè)定結(jié)果，均為 20μπι以下，其平均值(dl)為15μπι。同樣的，第2預(yù)先切斷加工中，對(duì)剝離基材切入深度的任意10點(diǎn)的測(cè)定結(jié)果，均為20 μ m以下，其平均值(d2)為16μπι。[比較例1]除第1及第2的預(yù)先切斷加工，調(diào)節(jié)為對(duì)剝離基材的切入深度可達(dá)35 μ m以下而進(jìn)行以外，與實(shí)施例1同樣的進(jìn)行，制作成比較例1的粘接片。其中，對(duì)第1預(yù)先切斷加工的剝離基材切入深度的任意10點(diǎn)的測(cè)定結(jié)果，均為 25 35μπι的范圍內(nèi)，其平均值(dl)為31μπι。同樣的，對(duì)第2預(yù)先切斷加工中的剝離基材切入深度的任意10點(diǎn)的測(cè)定結(jié)果，均為25 35 μ m的范圍內(nèi)，其平均值(d2)為30 μ m。(剝離不良的評(píng)估)自實(shí)施例1 2及比較例1所得的粘接片的剝離基材上，將由粘接層及粘著薄膜所成的層疊體剝離之際的剝離不良，以下述方法進(jìn)行評(píng)估。首先，準(zhǔn)備實(shí)施例1 2及比較例1的粘接片各100個(gè)(在一個(gè)剝離基材上，形成100個(gè)由粘著薄膜與粘接層所成的層疊體的粘接片)。接著，使用琳得科(U7 )份有限公司制的晶片裝配裝置(RAD-2500)， 進(jìn)行晶片的層壓試驗(yàn)。此時(shí)晶片尺寸為Φ8時(shí)Q03mm)，厚度為150 μ m，層壓速度為35mm/ 秒。評(píng)估是以層疊體不能自剝離基材剝落、不能貼合于晶片的情況為剝離不良，求出相對(duì)于試驗(yàn)數(shù)100個(gè)的剝離不良數(shù)。其結(jié)果如表1所示。[表1]
剝離不良數(shù)實(shí)施例10
權(quán)利要求
1.一種卷，是將按照剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜的順序?qū)盈B所構(gòu)成的粘接片卷繞而成的卷，其特征為，所述粘接層具有規(guī)定的第1平面形狀，且部分性地形成于所述剝離基材上；所述粘著層層疊為其覆蓋所述粘接層，且于所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷，其中，所述剝離基材上，沿著所述第1平面形狀的周邊，從與所述粘接層接觸的一側(cè)的面形成有第1切入部分，所述第1切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卷，其中，以所述剝離基材的厚度為a(μ m)，以所述第1切入部分的切入深度為dl(ym)，(dl/a)的值滿足下述式(1)的條件，0 < (dl/a) ^ 0. 7 (1)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的卷，其中，所述粘著層及所述基材薄膜具有規(guī)定的第2平面形狀，且部分性地形成于所述剝離基材上；所述剝離基材上，沿著所述第2平面形狀的周邊，從與所述粘著層接觸的一側(cè)的面形成有第2切入部分；所述第2切入部分的切入深度為小于所述剝離基材的厚度，且為25 μ m以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的卷，其中，以所述剝離基材的厚度為a(μ m)，以所述第2切入部分的切入深度為d2(ym)，(d2/a)的值滿足下述式O)的條件，0 < (d2/a)彡 0. 7 (2)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的卷，其中，所述粘接層具有與剝離所述剝離基材后所述粘接層應(yīng)該貼合的被粘附體的平面形狀相符合的平面形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的卷，其中，所述粘著層為，對(duì)于剝離所述剝離基材后所述粘著層應(yīng)該貼合的被粘附體和所述粘接層而言，于室溫下具有粘著力。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的卷，其中，所述粘著層為借助高能量射線的照射，對(duì)于所述粘接層的粘著力降低。
全文摘要
本發(fā)明是粘接片及其制造方法、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的卷是將按照剝離基材、粘接層、粘著層及基材薄膜的順序?qū)盈B所構(gòu)成的粘接片卷繞而成的卷，其特征為，所述粘接層具有規(guī)定的第1平面形狀，且部分性地形成于所述剝離基材上；所述粘著層層疊為其覆蓋所述粘接層，且于所述粘接層的周圍與所述剝離基材接觸。
文檔編號(hào)C09J7/02GK102174298SQ201110060460
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月14日
發(fā)明者古谷涼士, 增野道夫, 宇留野道生, 松崎隆行, 田中麻衣子, 稻田禎一 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社