專利名稱：半導(dǎo)體用粘接劑組合物、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體用粘接劑組合物、使用該粘接劑組合物的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
將多個芯片以多段進(jìn)行疊層的堆棧封裝型半導(dǎo)體裝置被用于存儲器等用途。在制造半導(dǎo)體裝置時，為了將半導(dǎo)體元件彼此粘接或?qū)雽?dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件粘接，使用了膜狀粘接劑。近年來，隨著電子部件的小型化、薄型化，人們希望該半導(dǎo)體用的膜狀粘接劑進(jìn)一步薄膜化。然而，在制造IOym厚度以下的膜狀粘接劑時，由于無法得到均勻的膜厚，以及經(jīng)常產(chǎn)生針孔等原因，因此制造困難。此外，由于薄膜化的膜對晶片的粘附性、熱壓接性下降，因此很難使用其制作半導(dǎo)體裝置。進(jìn)一步，由于上述缺點(diǎn)導(dǎo)致了生產(chǎn)率下降，因此還存在有制造成本上升的問題。為了解決這些問題，已經(jīng)研究了例如下述專利文獻(xiàn)1所述的，通過涂布含有溶劑的粘接劑組合物(樹脂糊)，并將涂布的樹脂糊加熱干燥，從而進(jìn)行B階化的方法?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-110099號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，在使用含有溶劑的樹脂糊時，存在有為了使溶劑揮發(fā)進(jìn)行B階化而需要較長時間，或者半導(dǎo)體晶片被溶劑污染等問題。此外，受到用于揮發(fā)溶劑的干燥的加熱的影響，在帶有可剝離粘著帶的晶片上涂布樹脂糊時，存在有粘著帶無法很容易地剝離，或者產(chǎn)生晶片翹曲這樣的問題。如果在低溫下干燥，則可以在一定程度上抑制由加熱引起的缺點(diǎn)， 然而這時，由于殘存溶劑變多，因此存在有加熱固化時產(chǎn)生孔隙、剝離而可靠性下降的傾向。此外，如果為了降低干燥溫度而使用低沸點(diǎn)溶劑，則存在有在使用過程中粘度變大，或者在干燥時粘接劑表面的溶劑揮發(fā)而導(dǎo)致溶劑殘留在內(nèi)部而使得可靠性下降的傾向。本發(fā)明鑒于上述情況而進(jìn)行，其目的在于提供一種可以充分維持可靠性，并且可以更加薄地形成用于粘接半導(dǎo)體元件彼此或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件的粘接劑層的半導(dǎo)體用粘接劑組合物、使用該粘接劑組合物的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置。解決問題的方法為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其含有(A)放射線聚合性化合物、⑶光引發(fā)劑、以及(C)熱固性樹脂，其中㈧成分含有在25°C下為液狀并且分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，通過具有上述構(gòu)成，可以不使用溶劑而涂布在基材上，可以通過對該涂膜進(jìn)行光照射而形成薄膜粘接劑層，并且即使在進(jìn)行粘接劑層的B階化時，也不需要在涂布后進(jìn)行加熱來使溶劑干燥，因此可以充分抑制因熱流動、揮發(fā)成分而產(chǎn)生的針孔。此外，還可以充分消除使用含有溶劑的以往樹脂糊時的上述問題。并且，本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，由于其B階化后的受熱時流動性優(yōu)異，因此可以對被粘接物進(jìn)行良好的熱壓接。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)粘接性、熱壓接性以及耐熱性優(yōu)異，并且可以更薄地形成用來粘接半導(dǎo)體元件彼此或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件的粘接劑層的半導(dǎo)體用粘接劑組合物。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，由于不使用溶劑，并且不進(jìn)行加熱也能夠在短時間內(nèi)形成薄膜粘接劑層，因此是一種可以減少熱能和揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOC)的、 對環(huán)境的負(fù)荷比以往小的材料。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，優(yōu)選在25°C下為液狀，并且溶劑的含量為5質(zhì)
量％以下。在本發(fā)明中，液狀是指在25 °C、Iatm下具有流動性。在本發(fā)明中，溶劑是指不具有光反應(yīng)性基團(tuán)和熱反應(yīng)性基團(tuán)，分子量為500以下并且在25°C下為液狀的有機(jī)化合物。在本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物中，上述放射線聚合性化合物優(yōu)選為具有酰亞胺骨架或羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯。此處，單官能是指在分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵， 也可以具有除此以外的官能團(tuán)。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物中，從減少曝光后受熱時脫氣的觀點(diǎn)考慮，上述化合物的5%失重溫度優(yōu)選為150°C以上。進(jìn)一步，在本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物中，上述(A)成分在25°C下的粘度優(yōu)選為IOOOmPa 以下。這時，也可以配合固態(tài)或高粘度的熱固性樹脂，進(jìn)一步提高粘接性。 此處的粘度是使用東京計(jì)器制造所制造的EHD型旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)，并在樣品量0. 4mL、3°圓錐的條件下，在25°C下測定的粘度值。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物中，上述(A)成分聚合所得的聚合物的 Tg優(yōu)選為100°C以下。這時，可以進(jìn)一步提高B階化后的低溫?zé)釅航有院褪軣釙r流動性。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，優(yōu)選進(jìn)一步含有(D)熱自由基引發(fā)劑。由此，可以在熱固化時使曝光后未反應(yīng)的殘存(A)成分進(jìn)行聚合反應(yīng)，因此可以進(jìn)一步抑制熱固化時的發(fā)泡、在之后的熱過程中的發(fā)泡、剝離。從提高粘接劑組合物的吐出性、使粘接劑層薄膜化的觀點(diǎn)考慮，本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，在25°C下的粘度優(yōu)選為10 30000mPa *s。此處的粘度是使用東京計(jì)器制造所制造的EHD型旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)，并在樣品量0. 4mL、3°圓錐的條件下，在25°C下測定的粘度值。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物優(yōu)選為，對于由該組合物形成的粘接劑層進(jìn)行光照射而進(jìn)行B階化時，其5%失重溫度為150°C以上。這時，可以更確實(shí)地防止將B階化后的粘接劑層壓接于被粘接物后熱固化時、或回流等熱過程中，被粘接物剝離的現(xiàn)象。從更確實(shí)地防止在熱過程中被粘接物剝離的觀點(diǎn)考慮，本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物優(yōu)選為，對于由該組合物形成的粘接劑層進(jìn)行光照射而進(jìn)行B階化，并進(jìn)一步加熱固化時，其5%失重溫度為260°C以上。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置，其具有通過上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物粘接半導(dǎo)體元件彼此和/或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于通過本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物粘接半導(dǎo)體元件彼此和/或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件，因此能夠在充分維持可靠性的情況下使粘接劑層變薄，從而能夠小型化、薄型化。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有在半導(dǎo)體晶片的一面上，涂布上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，而設(shè)置粘接劑層的工序；對該粘接劑層進(jìn)行光照射的工序；將光照射后的粘接劑層和半導(dǎo)體晶片一起切斷，而得到帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件的工序；以及，將帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件與其它半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件，夾著帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件的粘接劑層進(jìn)行壓接，從而粘接的工序。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有在半導(dǎo)體元件上涂布上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，而設(shè)置粘接劑層的工序；對該粘接劑層進(jìn)行光照射的工序； 以及，將具有光照射后的粘接劑層的半導(dǎo)體元件與其它半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件，夾著光照射后的粘接劑層進(jìn)行壓接，從而粘接的工序。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有在半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件上涂布上述本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，而設(shè)置粘接劑層的工序；對該粘接劑層進(jìn)行光照射的工序；以及，將具有光照射后的粘接劑層的半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件與半導(dǎo)體元件，夾著光照射后的粘接劑層進(jìn)行壓接，從而粘接的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可以充分維持可靠性，并且可以更加薄地形成用來粘接半導(dǎo)體元件彼此或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件的粘接劑層的半導(dǎo)體用粘接劑組合物、使用該粘接劑組合物的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置。


[圖1]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖2]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖3]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖4]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的其它實(shí)施方式的模式圖。[圖5]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖6]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖7]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖8]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖9]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖10]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖11]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖12]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。[圖13]是表示本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一種實(shí)施方式的模式圖。
具體實(shí)施例方式以下，對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。但本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施方式。以下，根據(jù)需要參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施方式。另外，在附圖中，對相同要素賦予相同符號，并省略重復(fù)的說明。此外，上下左右等位置關(guān)系只要沒有特別說明，則基于附圖所示的位置關(guān)系，并且附圖的尺寸比例并不限于圖示比例。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其特征在于含有(A)放射線聚合性化合物、(B) 光引發(fā)劑、以及(C)熱固性樹脂，其中(A)成分含有(Al)在25°C下為液狀并且分子內(nèi)具有 1個碳碳雙鍵的化合物(以下，有時稱為“Al化合物”。)。本發(fā)明中的(A)放射線聚合性化合物，是指烯類、炔類等具有碳原子間不飽和鍵的化合物。在本發(fā)明中，放射線是指電離性放射線、非電離性放射線，例如，可以列舉ArF、KrF 等準(zhǔn)分子激光、電子束極端紫外線、真空紫外線、X射線、離子束、i線、g線等紫外線。從量產(chǎn)性的觀點(diǎn)考慮，放射線優(yōu)選使用i線、g線等紫外線。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，優(yōu)選為在25°C下為液狀并且溶劑的含量為5質(zhì)量％以下的半導(dǎo)體用無溶劑型粘接劑組合物。上述的“無溶劑型”是指粘接劑組合物中含有的溶劑量為5質(zhì)量％以下。上述溶劑是指不具有放射線聚合性基團(tuán)、肟酯基、α -氨基苯乙酮、氧化膦等光反應(yīng)性基團(tuán)、環(huán)氧基、酚羥基、羧基、氨基、酸酐、異氰酸酯、過氧化物、重氮基、咪唑、烷氧基硅烷等熱反應(yīng)性基團(tuán)，分子量為500以下并且在室溫(25°C )下為液狀的有機(jī)化合物。作為這種溶劑，例如，可以列舉二甲基甲酰胺、甲苯、苯、二甲苯、甲乙酮、四氫呋喃、乙基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸酯、二噁烷、環(huán)己酮、乙酸乙酯、Y-丁內(nèi)酯和N-甲基-吡咯烷酮等。通過使溶劑量為上述范圍，可以降低因光照射而產(chǎn)生的粘性，從而提高光照射后的操作性。此外，還可以抑制熱壓接、加熱固化時的發(fā)泡。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，含有在25°C下為液狀并且分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵的化合物作為必要成分。在配合了分子內(nèi)具有2個以上碳碳雙鍵的化合物的感光性組合物的情況下，光照射時會成為形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的狀態(tài)，在之后的受熱時難以熔融，并且也難以表現(xiàn)出粘性，因此存在有熱壓接困難的傾向。相對于此，在本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物中，含有分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵的化合物，因此可以充分獲得受熱時流動性，提高熱壓接性。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，除了在25°C下為液狀并且分子內(nèi)具有1 個碳碳雙鍵的化合物以外，還可以配合固態(tài)的丙烯酸酯。這時(A)成分的混合物，優(yōu)選在 25°C下為液狀。從得到更高程度的受熱時流動性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選在粘接劑組合物中單獨(dú)含有分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵的化合物作為放射線聚合性化合物。另外，在單獨(dú)使用分子內(nèi)具有 1個碳碳雙鍵的化合物時，光照射后所得的聚合物的分子量優(yōu)選為幾萬以上。此處，如果含有分子內(nèi)具有2個以上碳碳雙鍵的化合物，則形成分子量為幾萬以上的聚合物彼此之間的網(wǎng)絡(luò)，從而存在有受熱時的粘著性、流動性下降的傾向。
另一方面，為了提高耐熱性、降低曝光后的粘性強(qiáng)度，還可以以相對于分子內(nèi)具有 1個碳碳雙鍵的化合物為0. 1 50質(zhì)量％的比例并用分子內(nèi)具有2個以上碳碳雙鍵的化合物。這時，作為并用的分子內(nèi)具有2個以上碳碳雙鍵的化合物，從受熱時流動性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選碳數(shù)為10以上的脂肪族系丙烯酸酯，從受熱時的粘著性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選官能團(tuán)當(dāng)量為200g/eq以上，從低應(yīng)力性的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選300g/eq以上的芳香族或具有異氰脲酸酯環(huán)、環(huán)己基等環(huán)狀結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯。上述(A)成分，從上述(B)成分和(C)成分等其它成分的溶解性的觀點(diǎn)考慮，其在 25°C下的粘度優(yōu)選為5000mPa · s以下，從進(jìn)一步薄膜化的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選為3000mPa · s 以下，并進(jìn)一步優(yōu)選為2000mPa · s以下，再從配合較多固態(tài)、高粘度的熱固性樹脂，提高粘接性的觀點(diǎn)考慮，最優(yōu)選為IOOOmPa 以下。此處的粘度是粘接劑組合物中所含的㈧成分總體的值，其是使用東京計(jì)器制造所制造的EHD型旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)，并在樣品量為0. 4mL、3° 圓錐的條件下，在25°C下測定的粘度值。如果(A)成分的上述粘度超過5000mPa *s，則存在有粘接劑組合物的粘度上升，難以薄膜化，或者難以從涂布裝置等的噴嘴中吐出的傾向。從防止涂布時產(chǎn)生針孔、確保耐熱性的觀點(diǎn)考慮，(A)成分在25°C下的粘度優(yōu)選為IOmPa · s以上。此外，上述(A)成分，其5%失重溫度優(yōu)選為100°C以上，更優(yōu)選為120°C以上，并且從可以抑制因熱固化時未反應(yīng)的(A)成分揮發(fā)所產(chǎn)生的剝離、孔隙的觀點(diǎn)考慮，進(jìn)一步優(yōu)選為150°C以上，并最優(yōu)選為180°C以上。此處的5%失重溫度是粘接劑組合物中所含的 (A)成分總體的值，并且是使用差示熱熱重量同時測定裝置(SII納米科技公司制TG/DTA 6300)，在升溫速度為10°C /min、氮?dú)饬鱃OOml/min)下測定(A)成分時所得的5%失重溫度。此外，從粘接劑組合物的低粘度化、涂布后表面凹凸的抑制、B階化后受熱時流動性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為以有機(jī)化合物為主體的材料設(shè)計(jì)，因此上述(A)成分的5%失重溫度優(yōu)選為500°C以下。此外，上述(A)成分，從B階化后的低溫?zé)釅航有?、受熱時流動性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為其聚合所得的聚合物的Tg為100°C以下的材料，而從B階化后的操作性、拾取性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為Tg為20°C以上的材料。將作為光引發(fā)劑的I-379EG(汽巴日本公司制)以基于組合物總量為3質(zhì)量％的比例溶解在(A)成分中形成組合物，將該組合物以30μπι的膜厚涂布在PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜上，在空氣中、在25°C下使用高精度平行曝光機(jī)(ORC制作所制，商品名EXM-1172-B-①)以lOOOmJ/cm2對該涂膜進(jìn)行曝光，并將曝光后所得的膜進(jìn)行疊層使膜厚為150 μ m，得到疊層體，再使用粘彈性測定裝置(RHEOMETRIC SCIENTIFIC FE公司制，商品名ARES)對該疊層體進(jìn)行測定，所測定的_50°C 200°C中 tan δ峰溫度即為(A)成分的聚合物的Tg。另外，測定板使用直徑為8mm的平行板，測定條件是升溫速度為5°C /min，測定溫度為-50°C 200°C，頻率為IHz。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，從與被粘接物的密合性、降低表面粘性、提高切割性及固化后的高溫粘接性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選含有光照射時重均分子量為50000 1000000的上述(A)成分的聚合物。此外，從與被粘接物的熱壓接性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選含有光照射時重均分子量為5000 500000的上述(A)成分的聚合物。另外，上述重均分子量是指使用島津制作所公司制的高效液相色譜儀“C-R4A” (商品名)，并以聚苯乙烯換算進(jìn)行測定時的重均分子量。(A)成分的聚合物的重均分子量，可以根據(jù)曝光條件(氧濃度、溫度、強(qiáng)度)、光引發(fā)劑量、硫醇、酚羥基、胺或酚系阻聚劑的添加、丙烯酸酯的種類、熱固性樹脂的配合量、粘接劑組合物的粘度等進(jìn)行調(diào)整。作為本發(fā)明中所用的㈧成分，例如，可以列舉具有乙烯性不飽和基團(tuán)的化合物。 作為乙烯性不飽和基團(tuán)，可以列舉乙烯基、烯丙基、炔丙基、丁烯基、乙炔基、苯基乙炔基、馬來酰亞胺基、納迪克酰亞胺基、(甲基)丙烯酰基等。從反應(yīng)性觀點(diǎn)考慮，(A)成分優(yōu)選含有單官能(甲基)丙烯酸酯作為上述Al化合物。此處所謂的單官能是指分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵，并且也可以具有除此以外的官能團(tuán)。作為單官能(甲基)丙烯酸酯，優(yōu)選5%失重溫度為100°C以上，更優(yōu)選為120°C以上，進(jìn)一步優(yōu)選為150°C以上，并最優(yōu)選為180°C以上。此外，從粘接劑組合物的低粘度化、 涂布后表面凹凸的抑制、B階化后的受熱時流動性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為以有機(jī)化合物為主體的材料設(shè)計(jì)，因此單官能(甲基)丙烯酸酯的5%失重溫度優(yōu)選為500°C以下。單官能(甲基)丙烯酸酯的5%失重溫度是使用差示熱熱重量同時測定裝置(SII納米科技公司制 TG/DTA 6300)，在升溫速度為10°C /min、氮?dú)饬鱃OOml/min)下測定時的5%失重溫度。通過配合5%失重溫度為上述溫度范圍的單官能(甲基)丙烯酸酯，可以抑制通過曝光進(jìn)行B階化后殘存的未反應(yīng)單官能(甲基)丙烯酸酯在熱壓接或熱固化時揮發(fā)。作為上述Al化合物的單官能(甲基)丙烯酸酯，可以列舉例如，在可以使固化物堅(jiān)韌化這一點(diǎn)上，優(yōu)選含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、4-羥基苯基甲基丙烯酸酯、3， 5-二甲基-4-羥基芐基丙烯酰胺等含酚羥基的(甲基)丙烯酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯酰氧基丙基六氫化鄰苯二甲酸、2-甲基丙烯酰氧基甲基六氫化鄰苯二甲酸等含羧基的(甲基)丙烯酸酯，在可以提高耐熱性這一點(diǎn)上，優(yōu)選苯酚EO改性(甲基)丙烯酸酯、苯酚PO改性(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚EO改性(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚PO改性(甲基)丙烯酸酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、羥乙基化苯基苯酚丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇 (甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芐酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基2-羥基丙基鄰苯二甲酸酯、苯基苯酚縮水甘油醚丙烯酸酯等含有芳香族基團(tuán)的(甲基) 丙烯酸酯，在可以賦予B階化后的密合性、熱固化后的粘接性這一點(diǎn)上，優(yōu)選2-羥基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、O-苯基苯酚縮水甘油醚(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基-2-羥基丙基鄰苯二甲酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-2-羥基乙基-鄰苯二甲酸、2-羥基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯等、下述通式(A-I)或(A-幻所表示的含有羥基的(甲基)丙烯酸酯、2-(1，2-環(huán)六羧基酰亞胺基)乙基丙烯酸酯等、下述通式(A-3)或 (A-4)所表示的含有酰亞胺基的(甲基)丙烯酸酯，而在可以使粘接劑組合物低粘度化這一點(diǎn)上，優(yōu)選含有異冰片基的(甲基)丙烯酸酯、含有二環(huán)戊二烯基的(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯等。[化1]
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其含有㈧放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C) 熱固性樹脂，其中所述(A)成分含有在25°C下為液狀并且分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵的化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述半導(dǎo)體用粘接劑組合物在 25°C下為液狀，并且溶劑的含量為5質(zhì)量％以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述(A)成分為具有酰亞胺基或羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述(A)成分的5% 失重溫度為150°C以上。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述(A)成分在 25°C下的粘度為IOOOmPa · s以下。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述㈧成分聚合所得的聚合物的Tg為100°C以下。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其進(jìn)一步含有(D)熱自由基引發(fā)劑。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述半導(dǎo)體用粘接劑組合物在25°C下的粘度為10 30000mPa · s。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述半導(dǎo)體用粘接劑組合物為如下的物質(zhì)對于由該組合物形成的粘接劑層進(jìn)行光照射而進(jìn)行B階化時，其 5%失重溫度為150°C以上。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其中所述半導(dǎo)體用粘接劑組合物為如下的物質(zhì)對于由該組合物形成的粘接劑層進(jìn)行光照射而進(jìn)行B階化，并進(jìn)一步加熱固化時，其5%失重溫度為260°C以上。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其具有通過權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物粘接有半導(dǎo)體元件彼此和/或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件的結(jié)構(gòu)。
12.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有在半導(dǎo)體晶片的一面上涂布權(quán)利要求1 10 中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，而設(shè)置粘接劑層的工序；對所述粘接劑層進(jìn)行光照射的工序；將光照射后的所述粘接劑層和所述半導(dǎo)體晶片一起切斷，而得到帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件的工序；以及，將所述帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件與其它半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件，夾著所述帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件的粘接劑層進(jìn)行壓接，從而粘接的工序。
13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有在半導(dǎo)體元件上涂布權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，而設(shè)置粘接劑層的工序；對所述粘接劑層進(jìn)行光照射的工序；以及，將具有光照射后的所述粘接劑層的所述半導(dǎo)體元件與其它半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件，夾著光照射后的所述粘接劑層進(jìn)行壓接，從而粘接的工序。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有在半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件上涂布權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，而設(shè)置粘接劑層的工序；對所述粘接劑層進(jìn)行光照射的工序；以及，將具有光照射后的所述粘接劑層的所述半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件與半導(dǎo)體元件，夾著光照射后的所述粘接劑層進(jìn)行壓接，從而粘接的工序。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接劑組合物，其特征在于含有(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C)熱固性樹脂，其中(A)成分含有在25℃下為液狀并且分子內(nèi)具有1個碳碳雙鍵的化合物。
文檔編號H01L21/301GK102576681SQ201080045628
公開日2012年7月11日 申請日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月13日
發(fā)明者加藤木茂樹, 增子崇, 川守崇司, 滿倉一行, 藤井真二郎 申請人:日立化成工業(yè)株式會社