專利名稱：陶瓷閃爍體本體和閃爍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本披露是針對閃爍裝置、特別是用于工業(yè)應(yīng)用的加固過的閃爍裝置，并且針對陶瓷閃爍體本體。
背景技術(shù)：
閃爍裝置被用于多種工業(yè)應(yīng)用中。例如，閃爍裝置被用于油和天然氣行業(yè)中的測井并且用于醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的成像掃描。典型地，閃爍裝置包括由一種對探測伽馬射線、X射線、 紫外輻射或其他輻射有效的材料所生產(chǎn)的閃爍體本體，如一種閃爍體晶體。這些閃爍體本體可以吸收X射線或其他輻射并且發(fā)射光。所發(fā)射的光有時可以被記錄在膠片上。一般， 這些閃爍體本體被包裹在殼體或套管中，這些殼體或套管包括一個窗口以允許輻射誘發(fā)的閃爍光從該晶體包裝中傳送出去。該光傳到一個光傳感裝置，如一個光電倍增管、光電二極管、或另一個將從該閃爍體本體發(fā)射出的光轉(zhuǎn)化為電脈沖的光敏元件。在其他應(yīng)用中，可以在用于醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的成像陣列中使用多個閃爍體本體。附圖簡要說明通過參見附圖可以更好地理解本披露，并且使其許多特征和優(yōu)點對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員變得清楚。

圖1是一種輻射探測器裝置的一個具體實施方案的圖示；圖2是χ射線掃描設(shè)備的一個具體實施方案的圖示；圖3是展示了镥釓氧化物閃爍材料中的發(fā)射強(qiáng)度的一個圖；圖4是展示了氧化镥閃爍材料中的發(fā)射強(qiáng)度的一個圖；并且圖5是一個流程圖，展示了一種生產(chǎn)陶瓷閃爍體本體的方法。在不同的圖中使用相同的參考符號表示相似的或相同的事項。附圖詳細(xì)說明本申請的大量創(chuàng)新性的傳授內(nèi)容將具體地參考示例性實施方案進(jìn)行說明。然而， 應(yīng)該理解的是，這一類別的實施方案僅提供了此處這些創(chuàng)新性傳授內(nèi)容的許多有利用途的幾個實例。概括地說，本申請的說明書中所作的敘述并不必然地限制所要求的物品、系統(tǒng)或方法中的任何一種。此外，一些敘述內(nèi)容可能適用于某些創(chuàng)造性特征但不適用于其他。對測井和醫(yī)學(xué)成像的要求從在苛刻和快速的條件下很精確的閃爍裝置中獲益。根據(jù)預(yù)期的應(yīng)用，可以使用不同類別的閃爍材料來生產(chǎn)閃爍體本體。例如，在醫(yī)學(xué)成像應(yīng)用如正電子發(fā)射斷層攝影術(shù)(PET)中經(jīng)常使用單晶氧正硅酸鹽，如氧正硅酸镥釔(LYSO)。典型地，這些材料的特征為相對較高的阻止本領(lǐng)以及快的衰減時間。但是，通常LYSO的特征為低的光輸出，并且在PET掃描應(yīng)用中的性能可能遭受镥的β -衰減產(chǎn)生的電子發(fā)射影響。另一類別的閃爍材料包括陶瓷的稀土次硫酸鹽，如氧硫化釓(G0Q。與這些單晶材料如LYSO相比，陶瓷材料如GOS可能較不昂貴。但是，陶瓷的稀土次硫酸鹽的六方結(jié)構(gòu)通常造成“雙折射”或在晶粒間界處的光散射。其結(jié)果是，與許多單晶材料相比，此類材料是較不透明的并且展現(xiàn)了較小的光輸出或亮度。因此，可能由陶瓷的稀土次硫酸鹽與某些活化劑之間的相容性造成的閃爍體效率及亮度方面的改進(jìn)典型地被由其六方結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的降低的透明度所減少。圖1示出了一種輻射探測器裝置100的一個具體實施方案。該輻射探測器裝置 100包括一個光敏元件101、一個光管103以及一個閃爍裝置105。雖然光敏元件101、光管 103和閃爍裝置105是彼此分開地展示的，但應(yīng)理解的是，光敏元件101和閃爍裝置105被適配為通過光管103彼此連接。在一個實施方案中，光敏元件101包括一個能夠進(jìn)行光譜探測和解析的裝置。例如，光敏元件101可以包括一個常規(guī)的光電倍增管(PMT)、一個混雜的光檢測器、或一個光電二極管。光敏元件101被適配為接收該閃爍裝置105在吸收χ射線或其他輻射之后所發(fā)射出的光子，并且光敏元件101被適配為由它所接收的光子來產(chǎn)生電脈沖或成像信號。電子設(shè)備130可以包括一個或多個電子裝置，如一個放大器、預(yù)放大器、鑒別器、 模擬至數(shù)字信號轉(zhuǎn)換器、光子計數(shù)器、另一個電子裝置、或它們的任何組合。光敏元件101 可以被容納在一個管或殼體中，該管或殼體由一種能夠保護(hù)與光敏元件101相關(guān)聯(lián)的電子設(shè)備的材料制成，例如一種金屬、金屬合金、其他材料、或它們的任何組合。如所展示的，光管103布置在光敏元件101與閃爍裝置105之間并且協(xié)助光敏元件101與閃爍裝置105之間的光耦合。在一個實施方案中，光管103可以包括一個石英光管、塑料光管、或另一種光管。在另一個實施方案中，光管103可以包括一個硅酮橡膠界面， 該界面將閃爍裝置105的一個輸出窗口 119與光敏元件101的一個輸入窗口在光學(xué)上相連接。在某些實施方案中，可以將多個光管置于光敏元件101與閃爍裝置105之間。閃爍裝置105包括容納在一個殼體115內(nèi)的一個閃爍體本體107。閃爍體本體107 可以具有不同的形狀，例如矩形的形狀、或包括平坦端面的圓柱體表面。將了解的是，如所希望的，對閃爍體本體107的表面精整可以是進(jìn)行砂磨、拋光、研磨等等。閃爍體本體107具有一個長度，該長度從鄰近光敏元件101的第一末端向遠(yuǎn)離光敏元件101的第二末端延伸。閃爍裝置105還包括一個實質(zhì)上環(huán)繞閃爍體本體107的反射體109。此外，閃爍裝置105可以包括一個護(hù)罩(boot) 111，該護(hù)罩起到減震器的作用以防止對閃爍體本體107的損傷。護(hù)罩111可以包括一種聚合物，如硅酮橡膠、另一種材料或它們的組合。此外，閃爍裝置105還可以包括一個殼體113。在一個具體實施方案中，閃爍體本體107是包括一種多晶陶瓷閃爍材料的一個陶瓷閃爍體本體，該閃爍材料具有一種基本上立方式的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)。該多晶的陶瓷閃爍材料具有由通式Lu(2_x)Gdx03:Ac表示的一種化學(xué)組成。χ的值是大于0并且小于2。例如，χ的值可以是大于零且小于或等于一，如在由通式LuGdO3 = Ac所表示的化學(xué)組成中?？商娲?， χ的值可以是大于1且小于2，如在由通式Lua5G^5O3 = Ac所表示的化學(xué)組成中。如該通式中所表示的，該多晶的陶瓷閃爍材料還包括一種活化劑Ac。該活化劑使得閃爍體本體107在吸收伽馬輻射、χ射線、紫外輻射或其他輻射之后發(fā)射出可見光或紫外光。該活化劑可以包括一種稀土元素，如一種鑭系元素。例如，該活化劑可以包括鈰、銪、鐠、 釤、鋱、或鐿。在一個說明性實施方案中，該活化劑占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之十(10%)，如該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之五(5%)或者小于或等于約百分之二 0%)。在另一個實施方案中，該多晶的陶瓷閃爍材料包括一種共摻雜劑。該共摻雜劑可以包括一種異價陽離子。例如，該共摻雜劑可以是一種二價陽離子，如鈣。在另一個實例中， 該共摻雜劑可以是一種四價陽離子，如鋯。在又一個實例中，該共摻雜劑可以包括一種不同于該活化劑的稀土元素，如鈰、鋱、鐠、銪、或它們的任意組合。在一個說明性實施方案中，該活化劑和共摻雜劑可以共同占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之十(10% )， 如該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之五(5%)或者小于或等于約百分之二 (2% )。例如，該共摻雜劑可以占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之五(5% )。在一個說明性實施方案中，該多晶的陶瓷閃爍材料的特征可以是從約Iym至約 100 μ m的粒徑。此外，該閃爍體本體107的特征還可以是大于理論密度的98% (如大于或等于其99. 9%)的一個密度。此外，該閃爍體本體107的特征可以是在一個閃爍體本體厚度下大于總透光率百分之五十(50%)的一個光學(xué)透射率，這個厚度在最大發(fā)射波長下阻止了大于98%的χ射線或其他輻射。此外，閃爍體本體107的特征可以是小于Ims的衰減時間。閃爍體本體107的特征還可以是高的阻止本領(lǐng)，如具有大于約62的原子序數(shù)(eff Z)。圖2展示了 χ射線掃描設(shè)備200、如χ射線計算機(jī)斷層術(shù)(CT)設(shè)備的一個具體實施方案。該X射線掃描設(shè)備200包括多個閃爍裝置或像素的一個陣列202、以及一個分段的光檢測器210。χ射線掃描設(shè)備200還包括一個χ射線源206，該源被適配為例如以一種扇形或錐形圖案發(fā)射出χ射線204。χ射線源206和閃爍裝置的陣列202可以被適配為繞著一個物體208旋轉(zhuǎn)。例如，χ射線源206和陣列202可以被適配為，實質(zhì)上沿著一個繞著物體208而定中心的圓并且以基本相同的速率彼此相反地旋轉(zhuǎn)。在一個具體實施方案中，陣列202中的每個像素都包括一個陶瓷閃爍體本體。每個陶瓷閃爍體本體被適配為吸收該X射線源206所發(fā)射的X射線204并且發(fā)射閃爍光214， 該閃爍光進(jìn)入該分段的光檢測器210中。該分段的光檢測器210被適配為，測量從每個像素接收到的閃爍光214并且確定特定的閃爍光是從哪一個像素接收到的。該分段的光檢測器210被適配為，基于陣列202中各個像素從不同角度發(fā)射的閃爍光的量而產(chǎn)生出信號并且將這些信號送至計算裝置212。計算裝置212被適配為基于從分段的光檢測器210接收的這些信號來構(gòu)造物體208的一個圖像。每個陶瓷閃爍體本體包括一種具有基本上立方式的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)的多晶陶瓷閃爍材料。該多晶的陶瓷閃爍材料具有由通式Lu(2_x)Gdx03:Ac表示的一種化學(xué)組成，其中Ac是一種活化劑。χ的值是大于0并且小于2。例如，χ的值可以是大于零且小于或等于一，如在由通式LuGdO3 = Ac表示的化學(xué)組成中?？商娲兀值闹悼梢允谴笥?且小于2，如在由通式Lua5Gc^5O3 = Ac表示的化學(xué)組成中。該活化劑Ac可以包括一種稀土元素，如一種鑭系元素。例如，該活化劑可以包括鈰、銪、鐠、釤、鋱、或鐿。在一個說明性實施方案中，基于摩爾百分比該活化劑占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之十(10% )，如基于摩爾百分比占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之五(5% )或者小于或等于約百分之二 )。在另一個實施方案中，該多晶的陶瓷閃爍材料可以包括一種共摻雜劑，如一種異價陽離子。在一個實例中，該共摻雜劑可以是一種二價陽離子，如鈣。在另一個實例中，該共摻雜劑可以是一種四價陽離子，如鋯。在又一個實例中，該共摻雜劑可以包括一種不同于該活化劑的稀土元素，如鈰、鋱、鐠、銪、或它們的任意組合。在一個說明性實施方案中，基于摩爾百分比該活化劑和共摻雜劑共同占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之十 (10%)，如基于摩爾百分比占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之五(5%)或者小于或等于約百分之二 0%)。例如，基于摩爾百分比，該共摻雜劑可以占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于約百分之五(5% )。在一個說明性實施方案中，該多晶的閃爍材料的特征可以是從約Iym至約 IOOym的粒徑。此外，各個陶瓷閃爍體本體的特征還可以是大于理論密度的98% (如大于或等于其99. 9%)的一個密度。此外，各個陶瓷閃爍體本體的特征可以是在一個閃爍體本體厚度下大于總透光率百分之五十(50%)的一個光學(xué)透射率，這個厚度在最大發(fā)射波長下阻止了大于98%的χ射線或其他輻射。此外，各個陶瓷閃爍體本體的特征可以是小于Ims 的衰減時間。各個陶瓷閃爍體本體的特征還可以是高的阻止本領(lǐng)，如具有大于約62的原子序數(shù)(eff Z)。圖3是展示了關(guān)于镥釓氧化物(LuGdO3)閃爍材料中的發(fā)射強(qiáng)度對比發(fā)射波長的一個圖300。該多晶的陶瓷閃爍材料包括銪作為活化劑，其比例為百分之二 0%)。圖300 示出了使用266nm的激發(fā)波長以IOns的門延遲和50ns門寬在不同波長下的發(fā)射強(qiáng)度。圖 4是展示了關(guān)于氧化镥(Lu2O3)閃爍材料中的發(fā)射強(qiáng)度對比發(fā)射波長的一個圖400，該閃爍材料還摻有比例為百分之二的銪作為活化劑。圖400也示出了使用的激發(fā)波長以IOns的門延遲和50ns門寬在不同波長下的發(fā)射強(qiáng)度。圖300展示出，LuGdO3的特征為與圖3中所示的Lu2O3相比顯著更大的發(fā)射強(qiáng)度。 例如，LuGdO3展現(xiàn)了在從約410nm至約620nm的發(fā)射波長下大于或等于40，000ph/MeV的平均發(fā)射強(qiáng)度，最大發(fā)射峰在eiOnm處。然而，如圖4中所示，包括Lu2O3的閃爍材料展現(xiàn)了在從約410nm至約620nm的發(fā)射波長下小于約30，000ph/MeV的平均發(fā)射強(qiáng)度。圖5展示了一種生產(chǎn)陶瓷閃爍體本體的方法。在框500處，制備了氫氧化銨和碳酸氫銨的一種沉淀劑溶液。移至框502，制備了硝酸镥、硝酸釓、一種活化劑(Ac)硝酸鹽前體、以及一種共摻雜劑硝酸鹽前體的一種前體溶液。前進(jìn)至框504，將該前體溶液滴加到該沉淀劑溶液中以形成一種沉淀物。繼續(xù)來到框506，將沉淀物過濾并洗滌，并且得到了一個沉淀物濕餅。例如，可以使用去離子水洗滌該沉淀物直至得到殘留離子的、所希望的導(dǎo)電值。在另一個實例中，也可以用乙醇洗滌該沉淀物以防止干燥過程中的附聚。前進(jìn)至框508，將該沉淀物濕餅進(jìn)行干燥以得到一個沉淀物干餅。在框510處，煅燒該沉淀物干餅以得到具有由通式Lu(2_x)Gdx03:Ac (其中χ小于二并且大于零)表示的組成、并且包括一種共摻雜劑的一種多晶的陶瓷閃爍粉末。移至框512，可以將煅燒過的粉末成型為陶瓷閃爍體本體，其方式為首先將該粉末模壓成球粒并且然后將這些球粒進(jìn)行冷等靜壓。前進(jìn)至框514，燒結(jié)這些壓制過的球粒以得到燒結(jié)的樣品，并且對每個樣品進(jìn)行熱等靜壓。前進(jìn)至框516，在一個具體實施方案中，將各個樣品進(jìn)行空氣退火以改進(jìn)透明性。該方法在518處結(jié)束。SM在一個實例中，通過向一個燒杯中加入3M NH4OH和IM NH4HCO3并進(jìn)行混合而形成均勻的復(fù)合沉淀劑溶液來制備氫氧化銨(NH4OH)與碳酸氫銨(NH4HC03)的一種沉淀劑溶液， 并將該溶液稀釋至 500ml。接著，通過將 60ml Lu (NO3) 3 (0. 87M) ,42. 44ml Gd (NO3) 3(1· 23Μ)、 16. 04ml Eu (NO3) 3 (0· 49M)、9· 56 μ 1 Pr (NO3) 3(1. 13Μ)混合而制備多種前體的一個溶液，并將該溶液稀釋至1. 5L。將該前體溶液滴加到沉淀劑溶液中以形成一種沉淀物。從溶液中過濾出該沉淀物并用去離子水和乙醇洗滌以產(chǎn)生一個沉淀物濕餅。將沉淀物濕餅在約60°C的烘箱中干燥，并將干燥過的濾餅在850°C下煅燒2小時以便形成具有含7% Eu以及IOOppm Pr3+的LuGdO3組成的一種閃爍材料。可以改變上面的實例中共摻雜劑前體的用量以使該閃爍材料的組成中共摻雜劑的量變化，如下表1中所示的。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷閃爍體本體，包括一種具有基本上立方式的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)的多晶陶瓷閃爍材料，該多晶的陶瓷閃爍材料具有由通式Lu(2_x)Gdx03:Ac表示的一種化學(xué)組成，其中χ大于零并且小于二，并且其中Ac是一種活化劑。
2.一種閃爍裝置，包括一種陶瓷閃爍體本體，該本體包括一種具有基本上立方式的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)的多晶陶瓷閃爍材料，該多晶的陶瓷閃爍材料具有由通式Lu(2_x)Gdx03:Ac表示的一種化學(xué)組成，其中χ大于零并且小于二，并且其中Ac是一種活化劑。
3.—種陶瓷閃爍粉末，包括一種具有基本上立方式的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)的多晶陶瓷閃爍材料，該多晶的陶瓷閃爍材料具有由通式Lu(2_x)Gdx03:Ac表示的一種化學(xué)組成，其中χ大于零并且小于二，并且其中Ac是一種活化劑。
4.如權(quán)利要求3所述的陶瓷閃爍粉末，其中，該多晶的陶瓷閃爍材料包括多個基本上球形的顆粒，并且其中這些顆粒中的至少百分之九十的特征為從約50nm至約250nm的粒徑。
5.如權(quán)利要求4所述的陶瓷閃爍粉末，其中，這些顆粒中的至少百分之九十的特征為從約66nm至約220nm的粒徑。
6.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體，如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，或者如權(quán)利要求3、4或5所述的陶瓷閃爍粉末，其中該活化劑包括一種稀土元素。
7.如權(quán)利要求6所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中該活化劑包括鈰、銪、鐠、釤、鋱、或鐿。
8.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體，如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，或者如權(quán)利要求3、4或5所述的陶瓷閃爍粉末，其中基于摩爾百分比該活化劑占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于百分之十(10%)。
9.如權(quán)利要求8所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中基于摩爾百分比該活化劑占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于百分之五(5% )。
10.如權(quán)利要求9所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中基于摩爾百分比該活化劑占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于百分之二 )。
11.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體，如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，或者如權(quán)利要求3、4或5所述的陶瓷閃爍粉末，其中該多晶的陶瓷閃爍材料包括一種共摻雜劑。
12.如權(quán)利要求11所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中該共摻雜劑包括鈣。
13.如權(quán)利要求11所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中該共摻雜劑包括鋯。
14.如權(quán)利要求11所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中該共摻雜劑包括一種不同于該活化劑的稀土元素。
15.如權(quán)利要求14所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中該共摻雜劑包括鈰、鋱、或鐠中的至少一種。
16.如權(quán)利要求11所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中基于摩爾百分比該活化劑和共摻雜劑共同占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于百分之十 (10% )。
17.如權(quán)利要求16所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中基于摩爾百分比該活化劑和共摻雜劑共同占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于百分之五(5% )。
18.如權(quán)利要求16所述的陶瓷閃爍體本體、閃爍裝置、或陶瓷閃爍粉末，其中基于摩爾百分比該活化劑和共摻雜劑共同占該多晶的陶瓷閃爍材料的小于或等于百分之二 )。
19.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體，如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，或者如權(quán)利要求3、4或5所述的陶瓷閃爍粉末，其中χ大于零并且小于或等于1。
20.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體，如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，或者如權(quán)利要求3、4或5所述的陶瓷閃爍粉末，其中χ大于1并且小于或等于2。
21.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體或如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，其中該陶瓷閃爍體本體的特征為在IOOms時小于或等于約0. 01%的余輝。`21.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體或如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，其中該陶瓷閃爍體本體的特征為在從約410nm至約620nm的發(fā)射波長下大于或等于40，000ph/MeV的平均發(fā)射強(qiáng)度。
22.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體或如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，其中該陶瓷閃爍體本體的特征為約610nm的最大發(fā)射峰。
23.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體，如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，或者如權(quán)利要求3、4或5所述的陶瓷閃爍粉末，其中該多晶的陶瓷閃爍材料的特征為從約1 μ m至約 100 μ m的粒徑。
24.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體或如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，其中該陶瓷閃爍體本體的特征為大于或等于理論密度的99. 9%的一個密度。
25.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體或如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，其中，該陶瓷閃爍體本體的特征為，處于在最大發(fā)射波長下阻止了大于98%的χ射線輻射的一個閃爍體本體厚度下的、大于總透射率的百分之五十(50%)的一個光學(xué)透射率。
26.如權(quán)利要求1所述的陶瓷閃爍體本體或如權(quán)利要求2所述的閃爍裝置，其中該陶瓷閃爍體本體的特征為小于或等于Ims的衰減時間。
全文摘要
一種陶瓷閃爍體本體包括一種具有基本上立方式的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)的多晶陶瓷閃爍材料。該多晶的陶瓷閃爍材料具有由通式Lu(2-x)GdxO3:Ac表示的一種化學(xué)組成，其中x大于零并且小于二，并且其中Ac是一種活化劑。
文檔編號C09K11/78GK102317409SQ200980152494
公開日2012年1月11日 申請日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者A.B.哈德, B.C.拉克色, B.維阿納, H.萊特, M.贊迪, Q.陳, X.彭 申請人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司