專利名稱：熱增強(qiáng)的電絕緣粘合膠的制作方法
熱增強(qiáng)的電絕緣粘合膠發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及熱界面材料。
發(fā)明背景
本發(fā)明涉及特別好地適于將高密度、微電路電子部件粘結(jié)到襯底的熱增強(qiáng)的粘 合膠(adhesive paste)。
多年來，高密度、微電路部件連接到襯底上，比如硅芯片連接到陶瓷片上一直 是電子工業(yè)的重要方面。一般地，已知使用沉積在芯片與襯底之間的芯片連接膠(die attach paste) 通常，芯片連接膠包括填充物、粘合劑和載體。選擇填充物以賦予成形 的粘結(jié)層期望的傳導(dǎo)性能、電阻性能或介電性能。選擇粘合劑以在芯片和襯底之間產(chǎn)生 牢固的粘結(jié)。載體使所有部件保持在流體的、均勻的混合物中，這允許膠易于被應(yīng)用于 芯片-襯底界面。載體還具有適當(dāng)?shù)膿]發(fā)性，以在熱處理組件之后從芯片和襯底之間移 出。在膠沉積且芯片和襯底裝配好之后，通常加熱組件以熔化粘合劑并驅(qū)除載體。一旦 冷卻，芯片就牢固地連接到襯底。
有源部件的功率密度繼續(xù)增大，產(chǎn)生對(duì)連接這些部件的導(dǎo)熱性更高的粘合劑的 增加的需求?，F(xiàn)有技術(shù)(包括美國專利第6,111,005號(hào)和第6,140,402號(hào))中描述的技術(shù) 先前已經(jīng)滿足了這些需求。這些專利描述了包括使用懸浮在非溶劑中的粉末狀有機(jī)聚合 樹脂連同高導(dǎo)熱的填充物的技術(shù)。粉末狀樹脂的類型根據(jù)應(yīng)用而不同。對(duì)其中與襯底的 熱膨脹系數(shù)(CTE)的不匹配度也是大的大面積部件的連接來說，則引入低模量熱塑性聚 合物以應(yīng)對(duì)在粘合劑的粘合層處產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。對(duì)其中與襯底的膨脹不匹配度較低的 較小面積的部件來說，則將熱固性聚合物粉末或熱塑性和熱固性聚合物粉末的組合與填 充物一起用于粘合劑組合物中。較高模量聚合物的使用還增加了導(dǎo)熱率。
美國專利第6J65,471號(hào)描述了一種甚至更高導(dǎo)熱率的技術(shù)，其中高傳導(dǎo)填充物 被懸浮于溶解在揮發(fā)性溶劑中的液體環(huán)氧樹脂中。此技術(shù)比美國專利第6,111,005號(hào)和第 6,140,402號(hào)中描述的現(xiàn)有技術(shù)增大了導(dǎo)熱率。遺憾的是，當(dāng)熱固性液體樹脂系統(tǒng)被固化 或交聯(lián)時(shí)，其彈性模量是相對(duì)高的。因此，這種技術(shù)的應(yīng)用被限于小面積部件的連接和/ 或與部件(通常是半導(dǎo)體芯片)的CTE精確匹配的襯底。在上文描述的技術(shù)中描述的現(xiàn)有 技術(shù)顯示模量和粘合劑的導(dǎo)熱率之間的線性關(guān)系。美國專利第6,111,005號(hào)和第6,140,402 號(hào)中描述的低模量粘合劑的導(dǎo)熱率是較低的，而美國專利第6J65,471號(hào)中描述的較高模 量粘合劑的導(dǎo)熱率則是較高的。由于較高功能的半導(dǎo)體設(shè)備的大小和功率增加，所以對(duì) 具有高導(dǎo)熱率和低模量的粘合劑的需求也增加。需要這樣的粘合劑來吸收因芯片與高膨 脹、高導(dǎo)熱襯底之間的熱膨脹不匹配引起的粘合層剪切應(yīng)力。市場上的一大應(yīng)用是大面 積、倒裝芯片微處理器設(shè)備至高膨脹、高導(dǎo)熱的散熱器的連接。此應(yīng)用需要高傳導(dǎo)率和 低模量性能。迄今為止，美國專利第6,111,005號(hào)、第6,140,402號(hào)和第6J65,471號(hào)中描 述的粘合劑被用于這些應(yīng)用。但是，微處理器設(shè)備的功率密度增大，且因此對(duì)具有低彈 性模量的熱性能還更好的粘合劑的需求增加。
發(fā)明簡述
本發(fā)明提供一種熱界面材料，其包括(1)第一種類型的導(dǎo)熱顆粒，第一種類 型的導(dǎo)熱顆粒是保形的，其中第一種類型的導(dǎo)熱顆粒的每一個(gè)本身是較小的片狀顆粒的 自內(nèi)聚的(self-cohesive)團(tuán)聚體，(2)第二種類型的導(dǎo)熱顆粒，(3)粘結(jié)劑。
根據(jù)某些實(shí)施方案，粘結(jié)劑包括細(xì)樹脂顆粒，細(xì)樹脂顆粒在揮發(fā)性液體中與第 一種類型的陶瓷顆粒和第二種類型的陶瓷顆粒相結(jié)合從而形成膠，其中熱塑性顆粒在揮 發(fā)性液體中是基本上不溶的。揮發(fā)性液體可以包括粘度調(diào)節(jié)劑。
根據(jù)可選擇的實(shí)施方案，粘結(jié)劑是液體熱固性樹脂，諸如液體環(huán)氧樹脂。
根據(jù)某些實(shí)施方案，第一種導(dǎo)熱顆粒的材料的整體導(dǎo)熱率(bulkthermal conductivity)超過 200W/mK。
根據(jù)某些實(shí)施方案，第二種的導(dǎo)熱顆粒的材料的整體導(dǎo)熱率超過10W/mK。
根據(jù)某些實(shí)施方案，第一種類型的陶瓷顆粒包括氮化硼。
根據(jù)某些實(shí)施方案，第二種類型的導(dǎo)熱顆粒是氧化鋁。
氮化硼和氧化鋁都是陶瓷顆粒。
根據(jù)某些實(shí)施方案，導(dǎo)熱顆粒具有約0.5gm/cc至2.5gm/cc的振實(shí)密度。
根據(jù)某些實(shí)施方案，兩種類型的顆粒的形狀都是被本領(lǐng)域的技術(shù)人員稱為球狀 的。如在本描述中所使用的，術(shù)語球狀的包括作為特例的球形。這些術(shù)語的運(yùn)用并不意 味著顆粒的形狀精確地忠實(shí)于數(shù)學(xué)上定義的理想形狀。
根據(jù)某些實(shí)施方案，導(dǎo)熱顆粒的粒度分布是雙峰的。例如，第一種類型的大顆 粒能夠與第二種類型的較小顆粒組合使用。因此，第二種類型的導(dǎo)熱顆粒將占據(jù)第一種 類型的導(dǎo)熱顆粒之間的間隙。
根據(jù)某些實(shí)施方案，熱界面材料還包括燒結(jié)助劑。
根據(jù)某些實(shí)施方案，熱界面材料被用作芯片連接膠。
主要包括熱塑性粘結(jié)劑的實(shí)施方案提供強(qiáng)力的、而仍足夠彈性的芯片連接膠來 將大面積硅芯片粘結(jié)到可膨脹性更強(qiáng)的襯底而不會(huì)產(chǎn)生過多的應(yīng)力，還提供比現(xiàn)有技術(shù) 顯著高的熱性能和電絕緣。
包括液體環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑的實(shí)施方案提供增強(qiáng)的熱性能以便連接較小的部件， 其中固化的粘合劑的模量較高且需要電絕緣。
本發(fā)明還提供能夠被目前在工業(yè)中使用的設(shè)備和工藝采用的而無需大改進(jìn)的芯 片連接膠，并且當(dāng)由此處理時(shí)，產(chǎn)生牢固的導(dǎo)熱粘合層。本發(fā)明的實(shí)施方案提供部件與 襯底之間足夠的粘合以通過粘合的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。而且，因?yàn)闊崴苄詷渲軌虮环磸?fù)熔化和 凝固，所以使用熱塑性樹脂的這些實(shí)施方案是可再利用的并適用于多芯片組件技術(shù)或用 于高亮度發(fā)光二極管(HBLED)陣列。
附圖簡述


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的粘結(jié)至襯底的熱界面材料的橫截面圖的第一張電 子顯微照片；
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的在襯底和硅芯片之間的熱界面材料的橫截面圖的 第二張電子顯微照片；以及
圖3是顯示用于熱界面材料中的氮化硼顆粒的特寫的第三張電子顯微照片。
發(fā)明詳述
美國專利第6,111,005號(hào)公開能夠用于本發(fā)明的熱塑性粘結(jié)劑組合物。美國專利 第6J65,471號(hào)公開能夠用于本發(fā)明的液體環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑。美國專利第6,111,005號(hào)和 第6J65,471號(hào)特此通過引用方式并入。用在上文描述的陶瓷顆粒取代上述第'471號(hào)和 第'005號(hào)專利中公開的銀填充物生成高度燒結(jié)的、更密實(shí)的結(jié)構(gòu)。這產(chǎn)生導(dǎo)熱率的意 想不到的增大及熱阻抗的降低。而且，本文教導(dǎo)的膠提供增強(qiáng)的粘合，增強(qiáng)的粘合允許 樹脂含量的降低(較高的填充物對(duì)樹脂的比率)，而樹脂含量的降低進(jìn)一步增大導(dǎo)熱率。
在本發(fā)明的粘合膠中使用的陶瓷填充物以微粒形式存在。至少約80%的填充物 顆粒，且優(yōu)選基本上所有的填充物顆粒的特征是圓的邊緣，且基本上沒有平的表面。與 片狀顆粒相對(duì)的球狀顆粒是特別優(yōu)選的。如本文所使用的，術(shù)語“球狀的”不限于數(shù)學(xué) 上精確的形狀。如本文所使用的，與在本領(lǐng)域中的用法一致，術(shù)語“球狀的”是指與其 中厚度比橫向(如，直徑)尺寸小得多的片狀顆粒的情形相對(duì)，具有相似的長度、寬度和 高度尺寸的顆粒。
能夠被使用在本發(fā)明中的代表性的陶瓷填充物顆粒是從根據(jù)PCTH3MHF標(biāo)準(zhǔn) (under the par#of PCTH3MHF)的Saint-Gobain氮化硼(BN)獲得的那些。可以被使用的代表性的陶瓷填充物是獲得自DenkaCorp.，Japan的球形氧化鋁(Al2O3)。如本文中所使 用的，術(shù)語“可保形的”指在壓力下或固化期間壓縮的顆粒。
根據(jù)一些實(shí)施方案，至少約50%的導(dǎo)熱顆粒(即氮化硼)是單分散的，并且具 有至少約50微米的粒度并且余下的導(dǎo)熱顆粒(即，氧化鋁)具有小于約10微米的粒度。 在這樣的實(shí)施方案中，氧化鋁將占據(jù)BN顆粒之間的間隙。
陶瓷填充物優(yōu)選地與至少一種燒結(jié)助劑組合使用，燒結(jié)助劑即增強(qiáng)填充物的燒 結(jié)的任何添加劑。代表性的燒結(jié)助劑包括金屬烷氧基化合物、低熔點(diǎn)鹽、有機(jī)無機(jī)雜化 復(fù)合物。燒結(jié)助劑一般以固化材料的0.1至0.5重量百分比的濃度存在。
雖然還未充分理解熱性能的意想不到的增大，但認(rèn)為是由于與先前使用在此類 型的熱界面材料中的薄片的幾何形狀相比，球形具有更好的填充和點(diǎn)接觸。還認(rèn)為可保 形的球形填充物(比如BN)的存在是重要的。
在使用熱塑性粉末和揮發(fā)性液體的實(shí)施方案中，二者優(yōu)選地在彼此中可溶的程 度不超過20%并且更優(yōu)選地不擴(kuò)大至10%以上的程度。而且顆粒的直徑優(yōu)選小于40微米。
可以使用的熱塑性粉末的實(shí)例包括聚酯、共聚多酯、聚酰胺、共聚多酰胺、聚 氨酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(polybutyleneteraphthalate)、聚烯烴、丙烯酸、聚硅氧烷和液晶聚合物。
揮發(fā)性液體的實(shí)例包括萜烯醇、Norpar(正鏈烷烴)、直鏈烷烴(Linpar)、己烷、醇類。
在使用揮發(fā)性液體的實(shí)施方案中，粘度調(diào)節(jié)劑可被加入到揮發(fā)性液體中。粘度 調(diào)節(jié)劑適合地以粘合膠的0.05體積％至5體積％范圍的量存在。粘度調(diào)節(jié)劑的實(shí)例包括 苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯、 苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯、苯乙烯-丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、苯乙烯-嵌 段共聚物和聚異丁烯。
可使用的熱固性粘結(jié)劑的實(shí)例包括環(huán)氧類、聚硅氧烷、活性聚酯、聚氨酯和聚酰亞胺。
在現(xiàn)有技術(shù)的熱界面材料中，當(dāng)加熱粘結(jié)的組件時(shí)，樹脂粉末熔化并與其他顆 粒聚結(jié)并向粘合層界面移動(dòng)。粉末的這種熔化在粘合層中留下空位，下文稱為“粘結(jié)退 出(bond drop out) ” (BDO)。用本文描述的熱界面材料，不會(huì)觀察到BDO。已經(jīng)發(fā)現(xiàn) 本文描述的熱界面材料的組合允許導(dǎo)熱陶瓷顆粒的裝填量非常高，而不會(huì)引起B(yǎng)DO。已 經(jīng)獲得高于75% (例如，85wt%)的導(dǎo)熱陶瓷顆粒的百分比(相對(duì)于固化產(chǎn)品中的總固體 重量)而無BDO并且同時(shí)也獲得用于芯片連接應(yīng)用的足夠的粘合強(qiáng)度?？偣腆w重量包括 導(dǎo)熱陶瓷顆粒和固化的粘結(jié)劑。在大填充物和小填充物的混合物的情況下，細(xì)的填充物 變成大填充物的間隙填充物。
本發(fā)明還可以使用添加劑，諸如鹽、低熔點(diǎn)玻璃、混合的氧化物及陶瓷顆粒上 的低熔點(diǎn)涂層。這些組分通過允許填充物顆粒共同“燒結(jié)”成固體塊而能夠進(jìn)一步增大 導(dǎo)熱率。這些添加劑可作為燒結(jié)助劑用于陶瓷填充物顆粒。
圖1和圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的將硅芯片204粘結(jié)至襯底104的熱界面 材料102的兩張電子顯微照片。注意到硅芯片僅在圖2中是可見的。圖1-2是通過切 開硅芯片204與襯底104的粘結(jié)組件而獲得的橫截面。標(biāo)記BN的大的氮化硼顆粒和標(biāo) 記Al2O3的較小的球形氧化鋁顆粒被浸入粘結(jié)劑材料的基體中，此處粘結(jié)劑材料是聚酯樹 脂。根據(jù)某些實(shí)施方案，BN顆粒的平均粒度是所使用的Al2O3顆粒的平均粒度的至少5 倍。認(rèn)為在形成粘結(jié)的過程中，當(dāng)硅芯片被壓至分散量的熱界面材料上時(shí)，BN顆?？杀?保形成不同的形狀。
圖3顯示了使用在圖1-2中顯示的熱界面材料中的氮化硼顆粒的特寫。每一個(gè) 氮化硼顆粒是較小的片狀氮化硼片的保形的、內(nèi)聚的團(tuán)聚體。
在下述實(shí)施例和比較實(shí)例中，填充物、樹脂以及揮發(fā)性液體的組合被組合以形 成膠。粘合劑由其主要組分的制備、及其應(yīng)用方法和使用方法都利用了多種方法并使用 了本領(lǐng)域中眾所周知的設(shè)備。主要組分可以在膠制備領(lǐng)域已知的設(shè)備中進(jìn)行混合。
本發(fā)明的熱界面材料可以有利地用于將微電路電子部件(半導(dǎo)體芯片)連接至襯 底?？偟膩碚f，這包括制備熱界面材料的粘合膠；將膠應(yīng)用至襯底表面以形成粘合層 并將電子部件置于粘合層上以使膠在電子部件和襯底之間；接著將組件加熱至足夠高的 溫度，并維持使有機(jī)熱塑性樹脂軟化并變成流體，但未降解并且揮發(fā)性液體從膠中脫去 揮發(fā)性成分的足夠的時(shí)間；接著，將熱處理過的組件冷卻至低于熱塑性聚合物變成固體 的溫度，由此微電路電子部件通過無空位粘合層被粘結(jié)至襯底。當(dāng)使用熱固性樹脂作為 有機(jī)聚合物的部分或全部，而非作為顆粒使用時(shí)，處理溫度應(yīng)是足夠高的以交聯(lián)樹脂。
為了驗(yàn)證本發(fā)明，在將芯片置于濕粘合劑上之前，將濕粘合劑沉積到陶瓷襯底 上。所有的固化在200°C峰值下進(jìn)行30分鐘。固化后，施加垂直于芯片側(cè)面的力，直至 芯片切離襯底。此力用磅每平方英寸(PSI)來記錄，作為待測試的特定組合物的粘合值。 在1Λ英寸大小和約1/8英寸厚的片(pellet)上通過已知的激光閃光法進(jìn)行導(dǎo)熱率測量。 此測量技術(shù)更全面地描述在 ASTM E 1461 "Standard Test Method for Thermal Diffusivity by theflash Method(由閃光法測試導(dǎo)熱率的標(biāo)準(zhǔn)測試方法)”中。
現(xiàn)在通過本發(fā)明的某些代表性實(shí)施方案的示例來闡釋本發(fā)明，其中除非另外表 示，否則所有份、比例和百分比都是按重量計(jì)。期望實(shí)施例僅是說明性的，并且本發(fā)明7的改動(dòng)和等效物對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是明顯的。
實(shí)施例1-4及比較實(shí)施例A
權(quán)利要求
1.一種熱界面材料，其包括第一種類型的導(dǎo)熱顆粒，所述第一種類型的導(dǎo)熱顆粒是可保形的，其中所述第一種 類型的導(dǎo)熱顆粒的每一個(gè)本身是較小的片狀顆粒的自內(nèi)聚的團(tuán)聚體； 第二種類型的導(dǎo)熱顆粒； 樹脂顆粒；以及揮發(fā)性液體，其中所述揮發(fā)性體和所述樹脂顆粒在彼此中可溶的程度小于20%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱界面材料，其中所述樹脂顆粒包括熱塑性顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱界面材料，其中所述樹脂顆粒還包括熱固性顆粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱界面材料，其中所述樹脂顆粒包括熱固性顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱界面材料，其中所述第一種類型的導(dǎo)熱顆粒包括氮化硼。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱界面材料，其中所述第一種類型的導(dǎo)熱顆粒是球狀的。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱界面材料，其中所述第二種類型的導(dǎo)熱顆粒是氮化鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱界面材料，其中所述氮化硼顆粒具有所述第二種類型的導(dǎo) 熱顆粒的平均粒度的至少五倍的平均粒度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱界面材料，其中所述導(dǎo)熱顆粒的質(zhì)量作為所述導(dǎo)熱顆粒和 所述樹脂顆粒的總質(zhì)量的百分比是至少75%。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱界面材料，其中所述第二種類型的導(dǎo)熱顆粒是氧化鋁。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱界面材料，其中所述氮化硼是單分散的并且構(gòu)成按質(zhì)量 計(jì)所述氮化硼和所述氧化鋁的總質(zhì)量的至少50%，并且所述氮化硼顆粒的平均粒度大于 所述氧化鋁的平均粒度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱界面材料，其還包括主要由氧化鋅組成的第三種類型的 導(dǎo)熱顆粒。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱界面材料，其中所述第二種類型的導(dǎo)熱顆粒是球狀的。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱界面材料，其還包括燒結(jié)助劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熱界面材料，其中所述燒結(jié)助劑包括至少一種選自由下述 物質(zhì)組成的組的物質(zhì)金屬烷氧基化合物、低熔點(diǎn)鹽和有機(jī)無機(jī)雜化復(fù)合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熱界面材料，其中所述樹脂顆粒包括至少一種選自由下述 物質(zhì)組成的組的物質(zhì)聚酯、共聚多酯、聚酰胺、共聚多酰胺、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸 丁二醇酯、聚烯烴、丙烯酸、聚硅氧烷和液晶聚合物。
17.—種熱界面材料，其包括第一種類型的導(dǎo)熱顆粒，所述第一種類型的導(dǎo)熱顆粒是可保形的，其中所述第一種 類型的導(dǎo)熱顆粒的每一個(gè)本身是較小的片狀顆粒的自內(nèi)聚的團(tuán)聚體； 第二種類型的導(dǎo)熱顆粒；以及 液體環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的熱界面材料，其中所述第一種類型的導(dǎo)熱顆粒包括氮化硼。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱界面材料，其中所述第一種類型的導(dǎo)熱顆粒是球狀的。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱界面材料，其中所述第二種類型的導(dǎo)熱顆粒是氮化鋁。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱界面材料，其中所述氮化硼顆粒具有所述第二種類型的導(dǎo)熱顆粒的平均粒度的至少五倍的平均粒度。
22.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱界面材料，其中所述氮化硼顆粒是單分散的并且構(gòu)成按 質(zhì)量計(jì)所述氮化硼和所述氧化鋁的總質(zhì)量的至少50%，并且所述氮化硼顆粒的平均粒度 大于所述氧化鋁的平均粒度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的熱界面材料，其還包括主要由氧化鋅組成的第三種類型的 導(dǎo)熱顆粒。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的熱界面材料，其中所述第二種類型的導(dǎo)熱顆粒是球狀的。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的熱界面材料，其還包括燒結(jié)助劑。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的熱界面材料，其中所述燒結(jié)助劑包括至少一種選自由下述 物質(zhì)組成的組的物質(zhì)金屬烷氧基化合物、低熔點(diǎn)鹽和有機(jī)無機(jī)雜化復(fù)合物。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的熱界面材料，其中所述樹脂顆粒包括至少一種選自由下述 物質(zhì)組成的組的物質(zhì)聚酯、共聚多酯、聚酰胺、共聚多酰胺、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸 丁二醇酯、聚烯烴、丙烯酸、聚硅氧烷和液晶聚合物。
全文摘要
一種熱界面材料包括在粘結(jié)劑中的較大的可保形的導(dǎo)熱顆粒和較小的陶瓷導(dǎo)熱顆粒。粘結(jié)劑可以包括熱塑性(及任選的熱固性)顆粒和揮發(fā)性液體，它們?cè)诒舜酥惺腔旧喜蝗艿?。粘結(jié)劑也可以包括液體環(huán)氧樹脂。每一個(gè)較大的導(dǎo)熱顆粒本身是片狀顆粒的內(nèi)聚的，而仍可保形的團(tuán)聚體。
文檔編號(hào)C09J11/04GK102027091SQ200980117568
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者帕維爾·楚巴羅, 雷蒙德·L·迪茨, 馬西耶·帕特爾卡 申請(qǐng)人:迪美特公司