專利名稱：：用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片以及使用其研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于研磨在其表面具有凹凸的半導(dǎo)體晶片背面的粘合片，以及使用該粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法。
背景技術(shù)：
：當(dāng)研磨在其表面具有凹凸的半導(dǎo)體晶片的背面時(shí)，有必要保護(hù)晶片的該表面，以防止該晶片表面上的凹凸受損，或者防止由于晶片的研磨屑或研磨水導(dǎo)致的晶片表面污染。此外，因?yàn)檠心ブ缶旧肀∏掖啵约熬砻婢哂邪纪?，所以存在即使通過輕微的外力晶片也易于受損的問題。為了保護(hù)晶片表面和防止研磨半導(dǎo)體晶片背面期間晶片受損，已知將粘合片粘合至晶片表面的方法。例如，JP-A-2000-17239提出用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合膜，其中將JIS-A硬度為10至55且含有熱塑性樹脂的中間層設(shè)置于基材層和粘合劑層之間。然而，近年來，已需要具有更薄厚度的半導(dǎo)體晶片，同時(shí)，已要求保持研磨后晶片的背面更好的面內(nèi)厚度精度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片以及使用該粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法，當(dāng)研磨在其表面上具有凹凸的半導(dǎo)體晶片背面時(shí)，所述粘合片能保護(hù)晶片表面上的凹凸，防止研磨屑或研磨水侵入至晶片表面，防止研磨后晶片受損，并進(jìn)一步保持晶片背面的面內(nèi)厚度精度良好。即，本發(fā)明提供用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片，當(dāng)研磨半導(dǎo)體晶片的背面時(shí)，將其粘合至半導(dǎo)體晶片的回路形成表面，其中粘合片從回路形成表面?zhèn)纫来伟ㄕ澈蟿印⒅虚g層和基材，中間層具有高于55至低于80的JIS-A硬度，且中間層具有300至600(im的厚度。此處使用的中間層的JIS-A硬度為高于55至低于80，優(yōu)選高于58至低于80，更優(yōu)選高于60至低于80，由此，當(dāng)將根據(jù)本發(fā)明的粘合片粘合至半導(dǎo)體晶片的表面時(shí)，晶片表面上的突起物被中間層固定，以致研磨晶片背面時(shí)對突起物的損害能得以防止。此外，即使在研磨背面之后，粘合片也具有高強(qiáng)度，因此晶片得以堅(jiān)固保持，對晶片的損害能得到抑制。此外，中間層起到緩沖層的作用，即使當(dāng)半導(dǎo)體晶片的表面具有例如200至300(im的突起物時(shí)，中間層也吸收>Mv晶片背面?zhèn)妊心r(shí)的作用于晶片表面上的具有突起物之處和無突起物之處的應(yīng)力，由此能抑制面內(nèi)厚度精度的劣化。此外，中間層填充于半導(dǎo)體晶片表面上的突起物之間而沒有空隙，因此能防止晶片的研磨屑或研磨水在晶片表面和粘合片之間的侵入。關(guān)于此點(diǎn)，此處引用的"JIS-A硬度"是根據(jù)本說明書下述"實(shí)施例"部分中所述測量方法定義的。此外，根據(jù)本發(fā)明的粘合片的中間層厚度為300至600pm。當(dāng)將中間層的厚度調(diào)整成300至600jim,優(yōu)選400至600pm時(shí)，粘合片對于半導(dǎo)體晶片表面上大的突起物的追隨性能能夠得到改進(jìn)。此外，研磨晶片背面期間裂紋或波紋的出現(xiàn)能得到抑制。此外，將粘合粘合片所需的時(shí)間能夠降低，由此改進(jìn)作業(yè)效率。此外，當(dāng)粘合片從半導(dǎo)體晶片上剝離時(shí)，由于粘合片的彎曲應(yīng)力，能防止研磨背面之后的薄晶片受損。此外，鑒于晶片保持性能、從晶片的剝離性和防止晶片表面受污染等，優(yōu)選中間層至少含有熱塑性樹脂。此外，根據(jù)本發(fā)明粘合片的中間層含有以下組成的組中的至少一種密度低于0.89g/cmS的低密度聚乙烯；乙酸乙烯酯含量為30至50重量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；和丙烯酸烷基酯單元含量為30至50重量％的乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物，其中所述烷基具有1至4個(gè)碳原子。此外，在根據(jù)本發(fā)明粘合片的粘合劑層中，優(yōu)選使用丙烯酸類粘合劑。當(dāng)粘合劑層含有丙烯酸類粘合劑時(shí)，在粘合片從研磨后的晶片背面剝離時(shí)，可以降低由粘合劑導(dǎo)致的晶片表面污染。此外，優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明粘合片的粘合劑層厚度為30至60,。當(dāng)將粘合劑層的厚度調(diào)整成30至60pm,優(yōu)選33至57(im，更優(yōu)選35至55jim時(shí)，粘合片對于半導(dǎo)體晶片表面上的突起物的追隨性能能夠得到改進(jìn)。因此，可以防止研磨半導(dǎo)體晶片背面時(shí)產(chǎn)生的研磨屑或研磨水在半導(dǎo)體晶片表面和粘合片之間的侵入。此外，優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明的粘合片具有5至15N/25mm的粘合力。關(guān)于此點(diǎn)，此處引用的"粘合力"是根據(jù)本說明書下述"實(shí)施例"部分中所述測量方法限定的。在將粘合力調(diào)整成5至15N/25mm,優(yōu)選7至15N/25mm,更優(yōu)選9至15N/25mm的情況下，當(dāng)將晶片背面研磨之后，粘合片從半導(dǎo)體晶片表面剝離時(shí)，可以剝離粘合片而不損害半導(dǎo)體晶片表面上的突起物。此外，可防止研磨半導(dǎo)體晶片背面期間水在粘合片和半導(dǎo)體晶片表面之間的侵入，能降低在粘合片剝離時(shí)對于半導(dǎo)體晶片表面上的突起物的負(fù)荷。此外，本發(fā)明還提供用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法，該5方法包括將上述粘合片粘合至半導(dǎo)體晶片的回路形成表面，接著研磨半導(dǎo)體晶片的背面。圖l是示出粘合至半導(dǎo)體晶片回路表面的本發(fā)明用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片的圖。附圖標(biāo)記和符號說明1-基材，2-中間層，3-粘合劑層，4-用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片，5-半導(dǎo)體晶片的回路表面，6-半導(dǎo)體晶片具體實(shí)施例方式以下將按需要參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方案。圖1是示出本發(fā)明的用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片實(shí)例的橫截面圖。用于研磨圖l的半導(dǎo)體晶片背面的粘合片4是被粘合至半導(dǎo)體晶片6的回路形成表面5的粘合片，其從回路形成表面5側(cè)依次包括粘合劑層3、中間層2和基材1。作為構(gòu)成基材1的材料，可例舉例如聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET);聚烯烴類樹脂如聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP);聚酰亞胺(PI);聚醚醚酮(PEEK);聚氯乙烯類樹脂如聚氯乙烯(PVC);聚偏二氯乙烯類樹脂；聚酰胺類樹脂；聚氨酯；聚苯乙烯類樹脂；丙烯酸類樹脂；氟樹脂；纖維素樹脂；熱固性樹脂；金屬箔；和紙等。此外，作為構(gòu)成基材l的材料，也能使用稍后例舉的作為用于構(gòu)成中間層2的熱塑性樹脂的材料的樹脂。這些材料可單獨(dú)使用，或以其兩種以上的組合使用?；膌可具有包括可相同或不同的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。根據(jù)半導(dǎo)體晶片保持性能、從晶片的剝離性和防止晶片表面受污染等，優(yōu)選中間層2至少包含熱塑性樹脂。熱塑性樹脂可單獨(dú)使用，或以其兩種以上的組合使用。熱塑性樹脂的典型實(shí)例包括聚乙烯(PE);聚丁烯；乙烯共聚物如乙烯-丙烯共聚物(EPM)，乙烯-丙烯-二烯共聚物(EPDM)，乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)，乙烯-丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物(EEAMAH),乙烯-曱基丙烯酸縮水甘油酯共聚物(EGMA)，乙烯-曱基丙烯酸共聚物(EMAA)和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA);聚烯烴類共聚物；熱塑性彈性體如丁二蹄類彈性體、乙烯-異戊二烯類彈性體和酯類彈性體；熱塑性聚酯；聚酰胺類樹脂如聚酰胺12-類共聚物；聚氨酯；聚苯乙烯類樹脂；賽璐玢；丙烯酸類樹脂如聚丙烯酸酯和聚曱基丙烯酸甲酯；和聚氯乙烯類樹脂如氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。特別優(yōu)選的是選自以下的至少一種乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯含量30至50重量％)，丙烯酸烷基酯單元含量為30至50重量％的乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物(其中烷基具有1至4個(gè)碳原子)和密度低于0.89g/cm3的低密度聚乙烯。此外，中間層2可含有另一種組分，只要不損害如硬度等的特性即可。此類組分包括例如增粘劑、增塑劑、軟化劑、填料和抗氧化劑等。含有熱塑性樹脂的中間層2可由單層構(gòu)成，但可具有包括可相同或不同的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，盡管中間層2的厚度能夠適當(dāng)選擇，只要晶片保持性能和晶片保護(hù)性能不受損害即可，但是將其設(shè)置在300至600fim,優(yōu)選400至600pm的范圍內(nèi)。當(dāng)將中間層厚度調(diào)整在該范圍內(nèi)時(shí)，粘合片對于半導(dǎo)體晶片表面上的大的突起物的追隨性能能夠得到改進(jìn)。此外，研磨晶片背面期間，裂紋或波紋的出現(xiàn)能夠受到抑制。此外，能降低粘合片粘合所需的時(shí)間，由此改進(jìn)作業(yè)效率。關(guān)于此點(diǎn)，在中間層具有多層結(jié)構(gòu)的情況下，中間層的厚度意思是多層的總厚度。構(gòu)成粘合劑層3的粘合劑的實(shí)例包括常規(guī)粘合劑如丙烯酸類單體的共聚物(丙烯酸類粘合劑)、硅酮類粘合劑和橡膠類粘合劑。粘合劑能單獨(dú)使用，或以其兩種以上的混合物使用。特別地，丙烯酸類粘合劑優(yōu)選用于粘合劑層3中。當(dāng)粘合劑層含有丙烯酸類粘合劑時(shí)，可以降低研磨后從晶片表面剝離粘合片時(shí)由粘合劑導(dǎo)致的晶片表面污染。此外，構(gòu)成粘合劑的聚合物可具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)。此類聚合物通過在交聯(lián)劑存在下使含有具有官能團(tuán)的單體(例如丙烯酸類單體)的單體混合物聚合獲得，所述官能團(tuán)如羧基、羥基、環(huán)氧基或氨基。在具有含有包括交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物的粘合劑層3的粘合片中，自保持性能得到改進(jìn)，使得粘合片的變形能夠得以防止，因此粘合片的平坦?fàn)顟B(tài)能夠得到保持。因此，能通過使用自動(dòng)粘合裝置將粘合片精準(zhǔn)且簡單地粘合至半導(dǎo)體晶片。此外，作為粘合劑，也能使用紫外固化性粘合劑。此類紫外固化性粘合劑例如通過將能由紫外照射固化而形成粘合劑材料中的低粘性材料的低聚體組分共混來獲得。當(dāng)粘合劑層3由紫外固化性粘合劑構(gòu)成時(shí)，由于上述低聚體組分而賦予粘合劑以塑性流動(dòng)性。因此，粘合片的粘合變得容易。同時(shí)，當(dāng)粘合片剝離時(shí)，由于低粘性材料是通過紫外照射形成的，因此其能易于從晶片剝離。構(gòu)成粘合劑的主要單體的典型實(shí)例包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、曱基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯和曱基丙烯酸2-乙基己酯。其可單獨(dú)使用，或以其兩種以上的混合物使用。通常優(yōu)選主要單體的含量在60至99重量％的范圍內(nèi)，基于作為用于粘合劑聚合物的原料使用的所有單體的總量。與主要單體進(jìn)行共聚并具有可與交聯(lián)劑起反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚單體的實(shí)例包括丙烯酸、曱基丙烯酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、富馬酸、馬來酸、衣康酸單烷基酯、中康酸單烷基酯、檸康酸單烷基酯、富馬酸單烷基酯、馬來酸單烷基酯、丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-幾乙酯、丙烯酰胺、曱基丙烯酰胺、丙烯酸叔丁基氨基乙酯和曱基丙烯酸叔丁基氨基乙酯。其中一種可與上述主要單體共聚，或者其中兩種以上可與上述主要單體共聚。通常，優(yōu)選具有能夠與交聯(lián)劑起反應(yīng)的官能團(tuán)的共聚單體的含量在1至40重量％的范圍內(nèi)，基于作為用于粘合劑聚合物原料使用的所有單體的總量。粘合劑層3的厚度優(yōu)選為30至60pm,更優(yōu)選33至57pm,還更優(yōu)選35至55iim。具有上述構(gòu)成的在本發(fā)明的最佳實(shí)施方案中的用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片通過以下步驟制備制備基材1和中間層2的層壓體，然后在層壓體的中間層2—側(cè)上形成粘合劑層3。用于在層壓體的中間層2—側(cè)上形成粘合劑層3的方法包括將粘合劑組合物施涂至剝離膜(releasefilm)的一個(gè)表面，接著干燥以形成粘合劑層3，然后將所得粘合劑層3轉(zhuǎn)移至層壓體的中間層2—側(cè)的方法；以及，將粘合劑組合物施涂至層壓體的中間層2—側(cè)，接著干燥以形成粘合劑層3的方法。為了增加基材1和中間層2之間的粘合力，可另外將粘合劑層設(shè)置于它們之間。此外，為了增加中間層2和粘合劑層3之間的粘合力，優(yōu)選對其上將要設(shè)置粘合劑層3的中間層2的表面進(jìn)行電暈處理或化學(xué)處理等。此外，可在中間層2和粘合劑層3之間設(shè)置底涂層。出于保護(hù)粘合劑層3的目的，還可使用剝離膜。其實(shí)例包括硅酮處理的或氟處理的塑性膜(如聚對苯二曱酸乙二酯膜和襲丙烯膜)；紙；和非極性材料(特別是非極性聚合物)如聚乙烯和聚丙烯的膜。實(shí)施例參照以下實(shí)施例來更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不因而受到限制。用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片的粘合用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片在以下條件下制備，然后將其粘合至具有形成于其上的高度為200jim的凸塊的半導(dǎo)體晶片表面，該半導(dǎo)體晶片的厚度為750pm(不包括凸塊)，直徑為8英寸。將NittoSeikiCo.，Ltd.制造的DR-3000II用于粘合該粘合片。用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法將粘合片粘合至半導(dǎo)體晶片表面，然后將晶片背面用DISCOCorporation制造的硅晶片研磨機(jī)研磨至厚度為250(im。剝離用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片的方法在研磨半導(dǎo)體晶片背面完成之后，從粘合片一側(cè)照射460mJ/cn^的紫外線，以固化粘合劑層。然后，將用于剝離粘合片的片材粘合至粘合片之后，將粘合片與用于剝離粘合片的片材一起剝離。將NittoSeikiCo.,Ltd.制造的HR-8500II用于剝離粘合片。粘合劑層作為在實(shí)施例和比較例的粘合片中使用的粘合劑，使用下列粘合劑。將含有78份丙烯酸乙酯、IOO份丙烯酸丁酯和40份丙烯酸2-羥乙酯的配混混合物在曱苯溶液中進(jìn)行共聚，以獲得數(shù)均分子量為300,000的丙烯酸類共聚物。隨后，使43份2-曱基丙烯酰氧乙基異氰酸酯與該共聚物進(jìn)行加成反應(yīng)，以將碳-碳雙鍵引入至10聚合物分子的側(cè)鏈中?；?00份該聚合物，將l份聚異氰酸酯類交聯(lián)劑和3份苯乙酮類光聚合引發(fā)劑與之進(jìn)一步混合，將所得混合物施涂至剝離處理(releasetreated)的膜，由此制備粘合劑層。中間層的JIS-A硬度的測量將原料樹脂球放入型腔(form)中，在120至160。C下加熱以制備厚度為2mm的壓片。將由此制備的試片疊放至14mm的厚度。疊放后，根據(jù)JIS-K-6301-1995中說明的方法進(jìn)行測量。粘合力的測量除下述條件之外，根據(jù)JISZ-0237-1991中說明的方法進(jìn)行測量。將粘合片粘合至SUS304-BA板的表面，靜置1小時(shí)。夾住一部分粘合片，將粘合片以180度的剝離角和300mm/分鐘的剝離速度從SUS304-BA板的表面剝離。測量此時(shí)的應(yīng)力，并將其換算為以N/25mm為單位的粘合力。實(shí)施例1作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二甲酸乙二酯。作為用于中間層的樹脂，使用JIS-A硬度為60的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38pm的基材和厚度為450pm的中間層的層壓體。然后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，將厚度為35pm的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面上。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為8.5N/25mm。實(shí)施例2作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二曱酸乙二酯。作為用于中間層的樹脂，使用JIS-A硬度為68的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38pm的基材和厚度為500pm的中間層的層壓體。然后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，并將厚度為35Kim的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為9.2N/25mm。實(shí)施例3作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二甲酸乙二酯。作為用于中間層的樹月旨，使用JIS-A硬度為60的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38pm的基材和厚度為350pm的中間層的層壓體。然后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，并將厚度為45pm的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為6.3N/25mm。實(shí)施例4作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二曱酸乙二酯。作為用于中間層的樹脂，使用JIS-A硬度為72的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38nm的基材和厚度為550pm的中間層的層壓體。然后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，并將厚度為45pm的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為10.2N/25mm。比專交例1作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二曱酸乙二酯。作為用于中間層的樹脂，使用JIS-A硬度為38的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38pm的基材和厚度為后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，并將厚度為40nm的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為7.4N/25mm。比專交例2作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二曱酸乙二酯。作為用于中間層的樹脂，使用JIS-A硬度為58的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38pm的基材和厚度為280pm的中間層的層壓體。然后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，并將厚度為25(xm的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為4.8N/25mm。比4交例3作為用于基材的樹脂，使用聚對苯二曱酸乙二酯。作為用于中間層的樹脂，使用JIS-A硬度為38的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。從這些，通過層壓法制備厚度為38pm的基材和厚度為250[im的中間層的層壓體。然后，對其上將要設(shè)置粘合劑層的中間層表面進(jìn)行電暈處理，并將厚度為20iim的粘合劑層轉(zhuǎn)移至已電暈處理的中間層表面。轉(zhuǎn)移之后，在45。C下進(jìn)行加熱24小時(shí)，接著冷卻至室溫，由此獲得用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片。該粘合片的粘合力為4.2N/25mm。這些實(shí)施例和比較例中的粘合片的構(gòu)成和粘合力的測量結(jié)果示于表l中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>此外，檢查在研磨半導(dǎo)體晶片背面之后存在或不存在粘合片和晶片表面之間的水侵入，并檢查存在或不存在由晶片背面的研磨所致的晶片裂紋。取研磨后的晶片的最大厚度和最小厚度之差作為面內(nèi)厚度精度。將其為20pm以上的情況評價(jià)為具有實(shí)際問題。其結(jié)果示于表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>雖然本發(fā)明已參考其具體實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述，但是對于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員顯而易見的是在不偏離本發(fā)明范圍的情況下可對其進(jìn)行各種改變和改進(jìn)。本申請基于2008年2月29日提交的日本專利申請2008-049878,將其全部內(nèi)容在此引入以作參考。此外，將文中引用的所有文獻(xiàn)以其全部內(nèi)容引入。權(quán)利要求1.一種用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片，當(dāng)研磨所述半導(dǎo)體晶片的背面時(shí)，將所述粘合片粘合至所述半導(dǎo)體晶片的回路形成表面，其中，所述粘合片從所述回路形成表面?zhèn)纫来伟ㄕ澈蟿印⒅虚g層和基材，其中，所述中間層具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和其中，所述中間層具有300至600μm的厚度。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的粘合片，其中所述中間層包括選自以下組成的組中的至少一種密度低于0.89g/cn^的低密度聚乙烯；乙酸乙烯酯含量為30至50重量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；和丙烯酸烷基酯單元含量為30至50重量％的乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物，其中所述烷基具有1至4個(gè)碳原子。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的粘合片，其中所述粘合劑層包括丙烯酸類粘合劑。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的粘合片，其中所述粘合劑層具有30至60,的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的粘合片，其中所述粘合片具有5至15N/25mm的粘合力。6.—種用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法，所述方法包括形成表面，接著研磨所述半導(dǎo)體晶片的背面。全文摘要用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片以及使用其研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法。本發(fā)明提供用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的粘合片，當(dāng)研磨半導(dǎo)體晶片的背面時(shí)，將該粘合片粘合至半導(dǎo)體晶片的回路形成表面，其中，該粘合片以從回路形成表面?zhèn)纫来伟ㄕ澈蟿印⒅虚g層的和基材，該中間層具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和中間層的厚度為300至600μm。此外，本發(fā)明還提供用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法，該方法包括以下步驟將上述粘合片粘合至半導(dǎo)體晶片的回路形成表面，接著研磨半導(dǎo)體晶片背面。文檔編號C09J7/02GK101518887SQ200910118648公開日2009年9月2日申請日期2009年2月27日優(yōu)先權(quán)日2008年2月29日發(fā)明者川島教孔,淺井文輝申請人:日東電工株式會(huì)社