專利名稱：：大氣壓等離子體增強化學氣相沉積方法大氣壓等離子體增強化學氣相沉積方法
背景技術(shù)：
：本發(fā)明屬于等離子體增強化學氣相沉積方法(PECVD)方法領(lǐng)域，更具體涉及使用特定的前體在大氣壓或其附近進行的PECVD。使用PECVD技術(shù)以用例如氧化硅層和/或聚有機硅氧烷層涂覆物件是熟知的，例如這在WO2004/044039A2中有描述。PECVD可以在減壓室或在大氣壓或大氣壓附近的室外進行。在室外大氣壓或其附近進行的PECVD具有更低的設(shè)備成本和對被涂覆的物質(zhì)的處更方便處理的優(yōu)點。Yamada等USPP2003/0189403公開了通過使氣體混合物流入柔性襯底的一個表面附近的等離子體中而涂覆柔性襯底的大氣壓PECVD系統(tǒng)，該氣體混合物含有前體四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷等。然而，Yamada等沒有報道由這些前體制備的涂層的物理性能的任何不同。在本領(lǐng)域中的進展是發(fā)現(xiàn)了一種提高涂層沉積速率和或改善涂層耐磨性的大氣壓PECVD方法?，F(xiàn)有技術(shù)交教導了在等離子體沉積方法中使用不飽和乙烯基化合物作為前體。然而，所有的這些等離子體方法(除上述Yamada等以外)是在需要昂貴的設(shè)備和工藝的減壓下操作。例如，在EP469926Al、US20040062932A1、EP543634A1、US20020012755A1、W01997031034A1、US4132829A、US4096315、EP299754B1、US5904952A、EP299754A2和US4137365中可以找到使用采用乙烯基硅烷前體的減壓等離子體方法。描述在減壓等離子體沉積方法中使用不飽和乙烯基硅烷的技術(shù)出版物包括K.W.Bieg和K.B.Wischmann，"作為用于太陽能前表面反射鏡的保護涂層的等離子體聚合有機硅烷(Plasma-PolymerizedOrganosilanesasProtectiveCoatingsforSolarFront-SurfaceMirrors)，，SolarEnergyMaterials3(1-2)，301(1980);U.Hayat，"用于在光學塑料襯底上制備粘附良好/耐磨的光學涂層的改進方法(ImprovedProcessforProducingWell-Adhered/Abrasion-ResistantOpticalCoatingsonanOpticalPlasticSubstrate)，，JournalofMacromolecularScience,PureandAppliedChemistry,A31(6)，665(1994);O.Kolluri，S.Kaplan和D.Frazier，"用于塑料工業(yè)的等離子體輔助的涂層(PlasmaAssistedCoatingsforThePlasticsIndustry)，，Surf.Modif.Technol.Proc.Int.Conf.，4th，783(1991);P.Laoharojanaphand，T.Lin禾PJ.Stoffer，"在聚(甲基丙烯酸甲酯)上的反應(yīng)性官能硅烷的輝光放電聚合(GlowDischargePolymerizationofReactiveFunctionalSilanesonPoly(methylmethacrylate))，，JournalofAppliedPolymerScience,40(3-4)，369(1990);G.Schammler和J.Springer,"在無機玻璃表面上的電鍍，第I部分，用于改善粘附的表面改性(ElectroplatingontoInorganicGlassSurfaces.Parti.SurfaceModificationtoImproveAdhesion)，，JournalofAdhesionScienceandTechnology,9(10)，1307(1995);S.Shevchuk禾口Y.Maishev，"乙烯基三甲氧基硅烷離子束沉積的薄氧碳化硅薄膜(ThinSilicon0xycarbideThinFilmsDepositedfromVinyltrimethoxysilaneIonBeams)，，ThinSolidFilms,492(1-2)，114(2005);和T.Wydeven，"用于聚碳酸酯的等離子聚合涂層單層，耐磨和抗反射(PlasmaPolymerizedCoatingforPolycarbonate:SingleLayer，AbrasionResistant,and3Antireflection)"AppliedOptics,16(3)，717(1977)。發(fā)明概述本發(fā)明是一種提供增加的涂層沉積速率和或改善的涂層耐磨性的大氣壓PECVD涂覆方法。當需要厚的耐磨涂層時，并且如果等離子體涂覆操作與另一種操作例如制備被涂覆的襯底的擠出操作結(jié)合時，本發(fā)明提供的技術(shù)進步是特別有用的。更具體地，本發(fā)明是用于在襯底的暴露表面上沉積膜涂層的方法，該方法包括以下步驟(a)提供具有至少一個暴露表面的襯底；和(b)使氣體混合物流入到與所述襯底的至少一個暴露表面接觸的大氣壓等離子體中，以在襯底上形成等離子體增強化學氣相沉積涂層，該氣體混合物包含氧化氣體和選自以下各項的前體乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、鏈烯基烷氧基硅烷、鏈烯基烷基硅烷和鏈烯基烷基烷氧基硅烷，氣體混合物的氧含量大于10體積％分子氧氣體的當量。附圖簡述圖1是用于實施本發(fā)明方法的設(shè)備的示意圖。發(fā)明詳述現(xiàn)在參考圖l，其中顯示了用于實施本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案的設(shè)備10的示意圖。該設(shè)備包括載氣源ll，載氣源ll通過閥門14，并鼓泡通過前體儲罐13所容納的前體材料12以產(chǎn)生被前體材料飽和的載氣，然后通過閥門15至三通管16。設(shè)備IO還包括氧化劑氣體源17和電離氣體17B(其典型為氦氣)，它們流過閥門18至三通管16，然后與載氣和前體材料一起到達電極19，電極19具有寬37mm和長175mm的尺寸。對電極21與電極19隔開，而襯底20在電極19和對電極21之間的箭頭方向上移動。與電極19電聯(lián)通的電源22產(chǎn)生等離子體23，等離子體23從電極19中心的寬0.9mm、長17cm的狹縫流入到含前體的氣體混合物中。在上電極的表面和被涂覆的襯底表面之間的間隙為2.0mm。前體在等離子體23中經(jīng)歷反應(yīng)，從而在襯底20上產(chǎn)生涂層24。優(yōu)選地，載氣11是流速為0.01至150標準升/分鐘(slpm)，更優(yōu)選流速為0.05至15slpm的氦氣。優(yōu)選地，氧化劑氣體17是流速為l至60slpm，更優(yōu)選流速為2至20slpm的空氣或氧氣。電離氣體氦氣以1至150標準升/分鐘，優(yōu)選5至30標準升/分鐘流動。優(yōu)選地，從以低于100kHz的頻率工作的方波DC電源對電極19施加的功率在1至100瓦特/平方厘米的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在18至37瓦特/平方厘米的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中使用的特定大氣壓等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)并不是關(guān)鍵的。等離子體可以是例如但不限于，電暈等離子體、火花等離子體、DC等離子體、AC等離子體(包括RF等離子體)乃至產(chǎn)生微波的等離子體。術(shù)語"大氣壓"是指在大氣壓或其附近，并且優(yōu)選在室外，而非在壓力控制室中。本發(fā)明的要點涉及在流入到大氣壓等離子體的氣體混合物中將特定的前體與氧化氣體一起使用，氣體混合物的氧含量大于10體積％分子氧氣體的當量。優(yōu)選地，氣體混合物的這樣的氧含量大于15體積％以上，例如20、25或30體積％以上。術(shù)語"氧化氣體"是指在等離子體中產(chǎn)生原子氧的氣體，但不是涂層前體的氣體。這樣的氧化氣體的實例是含有分子氧(即，02)的氣體如氧和空氣，以及其它產(chǎn)生原子氧的氣體如臭氧、N20、N0、N02、^03和^04以及它們的混合物。其它可用的氧化氣體是二氧化碳氣體、一氧化碳氣體和過4氧化氫氣體。如果氧化氣體分子含有兩個氧原子(例如N02)，就像分子氧一樣，則這種氣體還必須以大于10體積％使用。如果氧化氣體分子含有一個氧原子(例如NO、N20)，則這種氣體還必須以大于10體積％的2倍或以大于20體積％使用。如果氧化氣體分子含有3個氧原子(例如N203)，則這種氣體必須以大于10體積％的2/3倍或以大于6.7體積％使用。如果氧化氣體分子含有4個氧原子(例如N204)，則這種氣體必須以大于10體積％的1/2倍或以大于5.0體積％使用。通常，如果氧化氣體分子含有n個氧原子，則氧化氣體必須以大于10(2/n)的體積使用。在本發(fā)明中使用的前體包含下列各項或基本上由下列各項組成乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、鏈烯基烷氧基硅烷、鏈烯基烷基硅烷和鏈烯基烷基烷氧基硅烷。這些前體的典型實例以下這些式表示R,R'，R"-垸基或H另外，還可以使用這些前體的二乙烯基、三乙烯基、二烯丙基、三烯丙基、二鏈烯基和三鏈烯基形式。優(yōu)選地，在本發(fā)明中使用的前體包含下列各項或基本上由下列各項組成乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基二甲氧基乙氧基硅烷、乙烯基二乙氧基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、l，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、l，3-二乙烯基四乙氧基二硅氧烷、二乙烯基二甲基硅烷和三乙烯基甲氧基硅烷。更優(yōu)選地，在本發(fā)明中使用的前體包含下列各項或基本上由下列各項組成乙烯基三甲氧基硅烷。令人驚奇地，基本上由四甲基二硅氧烷和乙烯基三甲氧基硅烷的混合物組成的前體是非常優(yōu)選的。當前體由上述不飽和材料中的一種與飽和材料形成的混合物組成時，則優(yōu)選不飽6乙烯基烷基烷氧基硅烷、RI-S卜O3"-R'R-s卜ov烯丙基烷基烷氧基硅烷O-R'烯閃基烷氧基碎:烷RSi-01R"Y鏈烯基烷基烷氧基硅烷」乙烯基烷基ffl烷乙烯基焼氧基5f:烷烯丙基烷基硅烷鏈烯基烷基硅烷V鏈烯基'庶氧基掛烷IoR.-3-。-RRoR——3-5:和材料為乙烯基三甲氧基硅烷，飽和材料為四甲基二硅氧烷。優(yōu)選地，所述不飽和材料與所述飽和材料的摩爾比為O.25以上，例如O.5，1，2，5或10以上。使用本發(fā)明方法獲得的沉積涂覆速度可以大于1微米/分鐘例如1.5微米/分鐘、2微米/分鐘、3微米/分鐘或4微米/分鐘以上。使用本發(fā)明方法獲得的涂層的硬度由在使用CS-10F輪子和500g負荷(ASTMD3489-85(90))的500次循環(huán)后4以下例如小于3，或小于2以下的泰氏濁度增量(Taberdeltahaze)證明。本發(fā)明的等離子體涂覆操作容易與前面的形成襯底的操作結(jié)合，所述操作例如有注射模塑、真空模塑、壓縮模塑和擠出。優(yōu)選地，之前的形成襯底的操作是擠出，例如擠出聚碳酸酯片材或膜，隨后是等離子體涂覆聚碳酸酯片材或膜。比較例1組裝圖1中所示的設(shè)備。前體材料12為處于2(TC的儲罐溫度的四甲基二硅氧烷(TMDSO)。載氣為0.10標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為84標準升/分鐘的空氣，而電離氣體為10標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚的聚碳酸酯片材。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層的沉積速率為0.6微米/分鐘。使用"泰氏試驗(TaberTest)"(ASTMD3489-85(90))測試涂層，并且發(fā)現(xiàn)其在使用CS-10F輪子和500g負荷的500次循環(huán)后的濁度增量為5-7.8%。如在S.P.Mukherjee禾口P.E.Evans，ThinSolidFilms,14，105(1972);J.L.C.Fonseca等，ChemofMater，5，1676，(1993);和P.J.Pai，等J.Vac.Sci.Tech.A，4(3)，689(1986))中所述，傅立葉變換紅外(FTIR)光譜法可以用于測試有機硅膜的組成。在約1000至1080波數(shù)的強吸收峰歸因于Si-0-Si鍵的對稱伸縮(stretching)，其中更高的波數(shù)表示更高的氧化程度。在約1000cm—1的吸收(absorbance)表示約1.0:1.0的si:o摩爾比，而在約1080cm—1的吸收表示約i.o:2.o的si:o摩爾比，具有大致線性的關(guān)系。在約1270cm—1的Si-CH3對稱彎曲吸收的強度表示烴含量的量。在約1270cm—1的弱吸收表示低的烴量，而在約1270cm—1的強吸收示高的烴量。類似地，在約2900cm—1的弱CH3不對稱伸縮吸收表示低的烴含量，而在該頻率的強吸收表示高的烴含量。用溴化鉀(KBr)板代替聚碳酸酯，并且進行上述等離子體涂敷，然后進行FTIR分析。在1038cm—1的Si-O-Si對稱伸縮吸收表示約1.0:1.5的Si:0原子比或相當?shù)偷难趸潭?。?270.3cm—1的強Si-CH3振動和在2968cm—1的歸因于CH2和CH3中的C-H伸縮的強吸收表示高的烴含量。比較例2組裝圖1中所示的設(shè)備。前體材料12為處于2(TC的儲罐溫度的四甲基二硅氧烷(TMDSO)。載氣為0.050標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為6標準升/分鐘的氧氣，而電離氣體為15標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚聚碳酸酯片材。這是與在比較例1中使用的前體相同的前體，但是將等離子體工藝條件改變?yōu)轭愃朴趯嵤├?。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層是軟而油性的，因此沉積速率不能通過測量厚度而確定，也不能進行泰氏磨損測試。在溴化鉀板上的傅立葉變換紅外(FTIR)光譜表明在約1045波數(shù)的強吸收峰歸因于si-o-si鍵的對稱伸縮，表示i.o:1.5的si:o原子比或相當?shù)偷难趸潭?。?263.5cm—1的強的Si_CH3對稱伸縮吸收和在2966cm—1的歸因于CH2和CH3中的C_H伸縮的強吸收表示高的烴含量。這種組成與涂層物理外觀一致。實施例1組裝圖1中所示的設(shè)備。前體材料12為處于8(TC的儲罐溫度的乙烯基三甲氧基硅烷(VTMOS)。載氣為0.75標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為6標準升/分鐘的氧氣，而電離氣體為15標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)厘米并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚的聚碳酸酯片材。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層的沉積速率為2.1微米/分鐘。使用"泰氏試驗"(ASTMD3489-85(90))測試1.0微米厚的涂層，并且發(fā)現(xiàn)其在使用CS-10F輪子和500g負荷的500次循環(huán)后的濁度增量為1.1-2.9%。當與比較例比較時，該實施例不僅表明本發(fā)明方法的涂層沉積速率顯著增加，而且表明根據(jù)本發(fā)明方法制備的涂層的耐擦傷性優(yōu)異。用溴化鉀(KBr)板代替聚碳酸酯，并且進行上述等離子體涂覆，然后進行FTIR分析。在1068cm—1的Si-O-Si吸收表示近似Si02的組成。烴含量的缺乏由近乎沒有2900cm—1和1269cm—1峰而被證實。這種分析與很硬的泰氏磨損結(jié)果一致。簡而言之，使用乙烯基三甲氧基硅烷作為前體的大氣壓等離子體涂覆導致高的沉積速率和硬的涂層。實施例2組裝圖1中所示的設(shè)備。前體材料12為處于8(TC的儲罐溫度的乙烯基三乙氧基硅烷(VTEOS)。載氣為0.75標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為6標準升/分鐘的氧氣，而電離氣體為15標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)厘米并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚的聚碳酸酯片材。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層的沉積速率為1.6微米/分鐘。該涂層沒有進行定量的泰氏磨損測試，但是定性測試表明該涂層很硬。傅立葉變換紅外(FTIR)光譜表明在1065cm—1的Si_0_Si鍵吸收的對稱伸縮表示接近很硬的Si(^的組成。簡而言之，使用乙烯基三乙氧基硅烷作為前體的大氣壓等離子體涂覆導致高的沉積速率和硬的涂層。實施例3組裝圖1中所示的設(shè)備。前體材料12為處于8(TC的儲罐溫度的乙烯基甲基二甲氧基硅烷(VMDMOS)。載氣為0.75標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為6標準升/分鐘的氧氣，而電離氣體為15標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)厘米并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚的聚碳酸酯片材。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層的沉積速率為2.6微米/分鐘。該涂層沒有進行定量的泰氏磨損測試，但是定性測試表明涂層是軟的。傅立葉變換紅外(FTIR)光譜表明，在1035cm—1的Si_0_Si鍵吸收的對稱伸縮表示軟的有機硅氧烷的組成。盡管通常需要硬的涂層，但是存在需要軟涂層的某些用途。簡而言之，使用乙烯基甲基二甲氧基硅烷作為前體的大氣壓等離子體涂覆導致極8基于比較例，我們預(yù)計通過調(diào)節(jié)PECVD工藝條件，可以控制涂層的組成和性質(zhì)以獲得更適用的涂層。實施例4組裝圖1中所示的設(shè)備。前體材料12為處于8(TC的儲罐溫度的乙烯基甲基二乙氧基硅烷(VMDE0S)。載氣為0.75標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為6標準升/分鐘的氧氣，而電離氣體為15標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)厘米并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚的聚碳酸酯片材。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層的沉積速率為2.4微米/分鐘。該涂層沒有進行定量的泰氏磨損測試，但是定性測試表明涂層是軟的。傅立葉變換紅外(FTIR)光譜表明在1040cm—1的Si_0_Si鍵吸收的對稱伸縮表示軟的有機硅氧烷的組成。盡管通常需要硬的涂層，但是存在需要軟涂層的某些用途。簡而言之，使用乙烯基甲基二甲氧基硅烷作為前體的大氣壓等離子體涂覆導致極高的沉積速率和軟的涂層?；诒容^例，我們預(yù)計通過調(diào)節(jié)PECVD工藝條件，可以控制涂層的組成和性質(zhì)以獲得更適用的涂層。實施例5組裝圖1中所示的設(shè)備，但是被改變?yōu)閮煞N前體可以同時被輸送至等離子體產(chǎn)生電極。前體材料乙烯基三甲氧基硅烷(VTM0S)的儲罐溫度為8(TC，載氣為0.75標準升/分鐘的氦氣。四甲基二硅氧烷(TMDSO)儲罐溫度為25t:，并且載氣為0.050標準升/分鐘的氦氣。氧化劑氣體為6標準升/分鐘的氧氣，而電離氣體為15標準升/分鐘的氦氣。電極的電功率為1.0千瓦(18.8瓦特/平方厘米)厘米并且電極用6(TC冷卻水控制。襯底為以2米/分鐘的速率移動通過等離子體的四分之一英寸厚的聚碳酸酯片材。在聚碳酸酯片材上形成的PECVD涂層的沉積速率為4.0微米/分鐘。使用"泰氏試驗"(ASTMD3489-85(90))測試1.0微米厚的涂層，并且發(fā)現(xiàn)其在使用CS-10F輪子和500g負荷的500次循環(huán)后的濁度增量為1.0-3.0%。當與比較例比較時，該實施例不僅表明本發(fā)明方法的涂層沉積速率顯著增加，而且表明根據(jù)本發(fā)明方法制備的涂層的耐擦傷性優(yōu)異。在溴化鉀板上的涂層的傅立葉變換紅外(FTIR)光譜表明，在1079cm—1的Si-O-Si吸收表示基本上為Si02的組成。烴含量的缺乏由近乎沒有2900cm—1和1269cm—1峰而證實。這種分析與很硬的泰氏磨損結(jié)果一致。簡而言之，使用乙烯基三甲氧基硅烷和四甲基二硅氧烷形式的混合物作為前體的大氣壓等離子體涂覆導致令人驚奇的極高沉積速率和極硬的涂層。下表1是選自實施例和比較例的數(shù)據(jù)的概括，其中Si-O-Si欄涉及在約1000cm—1至約1080cm—1的區(qū)域內(nèi)的涂層的FTIR波數(shù)吸收最大值，其表示在涂層中的Si:O原子比的氧化程度。表19<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>縫盡管本發(fā)明在上面根據(jù)其一個優(yōu)選實施方案進行了描述，但是它可以在本公開的精神和范圍內(nèi)被改變。因此本申請意圖是覆蓋使用本文中公開的一般原則的本發(fā)明的任何變化、使用或調(diào)整。此外，本申請意圖是覆蓋本公開的這些偏離，它們落入本發(fā)明所屬領(lǐng)域的已知或慣常的實踐內(nèi)，并且落入下列權(quán)利要求的界限內(nèi)。權(quán)利要求一種用于在襯底的暴露表面上沉積膜涂層的方法，所述方法包括以下步驟(a)提供具有至少一個暴露表面的襯底；和(b)使氣體混合物流入到與所述襯底的至少一個暴露表面接觸的大氣壓等離子體中，以在所述襯底上形成等離子體增強化學氣相沉積涂層，所述氣體混合物包含氧化氣體和選自以下各項的前體乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、鏈烯基烷氧基硅烷、鏈烯基烷基硅烷、鏈烯基烷基烷氧基硅烷，和它們的混合物，所述氣體混合物的氧含量大于10體積％分子氧氣體的當量。2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氣體混合物包含選自以下各項中的前體乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基二甲氧基乙氧基硅烷、乙烯基二乙氧基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、l，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、l，3-二乙烯基四乙氧基二硅氧烷、二乙烯基二甲基硅烷和三乙烯基甲氧基硅烷。3.權(quán)利要求l所述的方法，其中所述前體基本上由以下各項組成乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、鏈烯基烷氧基硅烷、鏈烯基烷基硅烷、鏈烯基烷基烷氧基硅烷或它們的混合物。4.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前體基本上由以下各項組成乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基二甲氧基乙氧基硅烷、乙烯基二乙氧基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、l，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、l，3-二乙烯基四乙氧基二硅氧烷、二乙烯基二甲基硅烷、三乙烯基甲氧基硅烷或它們的混合物。5.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前體基本上由乙烯基三甲氧基硅烷組成。6.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氣體混合物包括乙烯基三甲氧基硅烷和四甲基二硅氧烷的混合物。7.權(quán)利要求1-6中任一項所述的方法，所述方法還包括通過選自注射模塑、真空模塑、壓縮模塑和擠出中的襯底制備方法制備所述襯底的步驟。8.權(quán)利要求7所述的方法，其中所述襯底制備方法是擠出。9.權(quán)利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述氧化氣體選自以下各項空氣、氧氣、臭氧、N20、N0、N02、N203、N204以及它們的混合物。10.權(quán)利要求1-9中任一項所述的方法，其中等離子體增強化學氣相沉積涂層的特征在于當遵照ASTMD3489-85(90)，使用CS-10F輪子和500g負荷進行泰氏試驗時，耐磨性表現(xiàn)出在500次循環(huán)后的濁度增加量小于約5%。11.權(quán)利要求i-io中任一項所述的方法，其中所述等離子體增強化學氣相沉積涂層以大于約2微米/分鐘的速率沉積。12.權(quán)利要求1-11中任一項所述的方法，其中所述等離子體增強化學氣相沉積涂層的特征在于具有大于約1微米的厚度。全文摘要一種通過以下步驟在襯底的暴露表面上沉積膜涂層的方法(a)提供具有至少一個暴露表面的襯底；和(b)使氣體混合物流入到與所述襯底的至少一個暴露表面接觸的大氣壓等離子體中，以在襯底上形成等離子體增強化學氣相沉積涂層，該氣體混合物包含氧化氣體和選自以下各項的前體乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、鏈烯基烷氧基硅烷、鏈烯基烷基硅烷和鏈烯基烷基烷氧基硅烷，氣體混合物的氧含量大于10體積％。文檔編號B05D7/24GK101772588SQ200880100825公開日2010年7月7日申請日期2008年7月15日優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日發(fā)明者克里斯蒂娜·A·羅頓,約翰·M·瓦拉科姆斯基申請人:陶氏環(huán)球技術(shù)公司