技術(shù)編號(hào)：3774100
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 背景技術(shù)本發(fā)明屬于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(PECVD)方法領(lǐng)域，更具體涉及使用特定的前體在大氣壓或其附近進(jìn)行的PECVD。 使用PECVD技術(shù)以用例如氧化硅層和/或聚有機(jī)硅氧烷層涂覆物件是熟知的，例如這在WO 2004/044039 A2中有描述。PECVD可以在減壓室或在大氣壓或大氣壓附近的室外進(jìn)行。在室外大氣壓或其附近進(jìn)行的PECVD具有更低的設(shè)備成本和對(duì)被涂覆的物質(zhì)的處更方便處理的優(yōu)點(diǎn)。Yamada等USPP 2003/0189403公開了通...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。