專利名稱：：一種雙面微影蝕刻新制程及其保護(hù)層的組成的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明有關(guān)于雙面微影蝕刻的新制程技術(shù)，藉由在基板上、下兩導(dǎo)電層的第一面先涂覆或貼附保護(hù)層，并于第二面先施以微影蝕刻制程后，再將保護(hù)層以剝除液除去或以人工或機(jī)械法撕去，以可于第二面再進(jìn)行另一道微影蝕刻制程，以達(dá)到于同一基板的兩面具有相同或不同圖案布局的目的。
背景技術(shù)：
：一般習(xí)知黃光微影制程如下基板清洗+光阻涂布"^軟烤(Soft-bake)+冷卻+紫外線UV曝光(Exposure)^顯影(Developing)+蝕刻(Etching)^光阻剝除。首先于基板以物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition,PVD)方式(蒸鍍或?yàn)R鍍)在玻璃基板或硅基板表面上沉積導(dǎo)電金屬層以形成導(dǎo)電基板，當(dāng)然也可直接采用金屬基板；在清洗后的導(dǎo)電基板表面涂上光阻劑，并以軟烤方式增加光阻劑在導(dǎo)電基板表面的附著力。接下來于冷卻后，以光罩加在光阻劑之上并以紫外線照射，而紫外線只可透過光罩上透明的部分.光阻劑被紫外線照到的部分行分解反應(yīng)產(chǎn)生酸(正型光阻)或行聚合反應(yīng)(負(fù)型光阻)；接著顯影制程，以顯影劑將(1)正型:分解反應(yīng)部份;(2)負(fù)型:非聚合反應(yīng)部份洗去，其余部份的光阻劑留下來。最后，于蝕刻制程，以蝕刻液對無光阻覆蓋的表面進(jìn)行蝕刻，有光阻劑保護(hù)的部分，則不會被蝕刻，沒有光阻劑保護(hù)的部分就被蝕刻掉，然后再以又一種化學(xué)藥品洗去留存的光阻劑。此為1般用于基材單面圖案微影蝕刻制程。然而，當(dāng)欲進(jìn)行基材雙面微影蝕刻時(shí)，以玻璃基板為例，面臨無法于基材的兩面形成不同圖案的瓶頸，如圖1所示。在玻璃基板1上下兩面以物理濺鍍(Sputtering)方式形成氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層11,各氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層11的表面涂覆有光阻劑層12,其中，在欲形成圖案的一面的光阻劑層12覆蓋有光罩13并以紫外線UV光14照射后，形成如圖2所示曝光后行分解反應(yīng)的分解反應(yīng)光阻層15。接下來以顯影劑將此反應(yīng)部份的分解反應(yīng)光阻層15洗去，僅留下未反應(yīng)的光阻劑的半成品如圖3所示；最后，再以蝕刻液除去未有光阻劑層保護(hù)的氧化銦錫導(dǎo)電層，而形成圖案化后的基板，如圖4所示。由圖1至圖4所完成的后基板，兩面都具有相同的圖案化，并無法滿足于兩面形成不同圖案的要求。因此，目前業(yè)界亟需新制程于同一基板上的兩面形成不同圖案，以符合電子產(chǎn)品薄型、輕巧化的要求。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明即透過于基板的兩面形成有導(dǎo)電層，并在欲實(shí)施圖案化的其中一個(gè)導(dǎo)電層上方涂覆光阻劑層并于光阻劑層上方以圖案化的光罩蓋住及以紫外線照射，而另一導(dǎo)電層則施以保護(hù)手段，例如特定保護(hù)層加以保護(hù)。當(dāng)于后續(xù)的顯影制程中，經(jīng)過顯影液清洗時(shí)，保護(hù)層可以保護(hù)被其覆蓋的導(dǎo)電層不被顯影液污染或氧化，避免良率降低；更進(jìn)一步，當(dāng)完成顯影制程進(jìn)入蝕刻制程時(shí)，保護(hù)層亦可保護(hù)被其覆蓋的導(dǎo)電層不被蝕刻液(通常是酸或堿)所破壞。因此接著將保護(hù)層以剝除手段例如剝除液除去或以人工或機(jī)械法撕去，形成一面圖案化，另一面可再進(jìn)行第二道不同圖案化的制程。本發(fā)明中的保護(hù)層具有抗拒顯影液及蝕刻液的特性，此保護(hù)層可由一新型樹脂溶液(或稱保護(hù)液)干燥或硬化后所形成，此新型樹脂溶液的成分主要是由含環(huán)烯系酚單體的直鏈及/或側(cè)鏈聚合物及/或共聚合物(cyclicolefinPhenolicresin)、酚醛清漆樹月旨(novolactypePhenolicresin)、添加劑及溶劑所組成。其中，添加劑可為界面活性劑。保護(hù)層的形成則可將新型樹脂溶液直接涂覆在導(dǎo)電層上干燥或硬化后成膜，或是先行成膜后再貼附于導(dǎo)電層上以形成保護(hù)作用。圖1為習(xí)有光阻劑曝光前的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為習(xí)有光阻劑曝光后形成軟光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為習(xí)有去除軟光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為習(xí)有蝕刻后形成圖案化基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明中光阻劑曝光前的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明中光阻劑曝光后形成軟光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明中去除軟光阻層后形成半成品的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明中蝕刻后形成半成品的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明中形成一面圖案化成品的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IO為無腐蝕或呈現(xiàn)翹曲現(xiàn)象的照片；圖11為有腐蝕或呈現(xiàn)翹曲現(xiàn)象的照片。圖號說明半成品A半成品C錫銦導(dǎo)電層11光罩13分解反應(yīng)光阻層15上導(dǎo)電層21光阻劑層22紫外線UV光24保護(hù)層26半成品B玻璃基板1光阻劑層12紫外線UV光14基板2下導(dǎo)電層21，光罩23分解反應(yīng)光阻層2具體實(shí)施方式如圖5所示，當(dāng)欲進(jìn)行基材雙面微影蝕刻時(shí)，在基板2上下兩面以物理沉積方式形成有上導(dǎo)電層21及下導(dǎo)電層21',其中，上導(dǎo)電層21的表面涂覆有光阻劑層22，下導(dǎo)電層21，的表面施以保護(hù)手段，例如保護(hù)層26;在欲形成圖案的光阻劑層22覆蓋有光罩23并以紫外線UV光24照射后，形成如圖6所示曝光后行分解反應(yīng)的分解反應(yīng)光阻層25。接下來以顯影劑將此反應(yīng)的分解反應(yīng)光阻層25洗去，僅留下未反應(yīng)的光阻劑的半成品A如圖7所示；再以蝕刻液除去未有光阻劑層及/或保護(hù)層保護(hù)的導(dǎo)電層，而形成圖案化后的半成品B,如圖8所示；最后，以剝除手段例如剝除液除去保護(hù)層或以人工或機(jī)械法撕去保護(hù)層，以形成一面圖案化的半成品C,如圖9所示。而半成品C的非圖案面則再進(jìn)行第二道不同的圖案化的制程。當(dāng)然，若光阻劑層22經(jīng)照射后為行聚合反應(yīng)的光阻層，則以顯影劑所除去者則為未經(jīng)照射紫外光的部份，此為本領(lǐng)域:技藝者所可變換，在此不綴述。在本發(fā)明中，光阻劑可為正型光阻或負(fù)型光阻，正型光阻組成可為:盼趁樹月旨(Novolacresin)、感光劑(photosensitivecompound)、添力口劑(Additives)及溶劑(Solvent),使用的正型光阻例如為新應(yīng)材公司出產(chǎn)的型號EC-T4(新應(yīng)材)；負(fù)型光阻組成可為:壓克力樹脂(Acrylicresin)、感光起始劑(photoinitiator)、單體(monomer)、添力口劑(Additives)、溶劑(Solvent)及顏料(pigment)或?yàn)橐话闶惺圬?fù)型光阻劑。顯影液可為2.38%重量比的TMAH(Tetramethylammoniumhydroxide，氫氧化四曱基胺),其余成份為純水；或?yàn)?.51%重量比的KOH,其余成份為純水。蝕刻液可為HCl/HN03(24%/2.5%,wt/wt重量比)或Oxalicacid(3.4。/。重量比)，其余成份為水。剝除液可為MEA(Monoethanolamine,乙醇胺)/DMSO(DimethylSulfoxide，二曱亞砜)，其中MEA占20。/o40。/o重量比，DMSO占600/0800/。重量比，較佳比例為MEA/DMS030。/。/70。/。，wt/wt重量比。保護(hù)層26則可由新型樹脂溶液干燥或硬化后所形成，新型樹脂溶液可直接涂覆在導(dǎo)電層上干燥或硬化后成保護(hù)層26,或是先行成膜后再貼附于導(dǎo)電層上以形成保護(hù)層26。此時(shí)保護(hù)層26為一膜層。新型樹脂溶液則可由(a)含環(huán)烯系酚單體的直鏈型及/或側(cè)鏈型聚合物及/或共聚合物(cyclicolefinPhenolicresin)(1060wt。/。重量比)、(b)酚醛清漆樹脂(novolactypePhenolicresin)(l30wto/o重量比)、(c)添力口劑(15wt。/o重量比)及(d)溶劑(3885wt。/。重量比)所組成。其中，環(huán)烯系酚單體可為以下結(jié)構(gòu)式:其中，R為具有7個(gè)碳至15個(gè)碳的環(huán)烯基，R可為單環(huán)或雙環(huán)或多環(huán)結(jié)構(gòu)，尤其以雙環(huán)戊二烯系酚(DCPDPhenolic)單體為適用，其可具有如下結(jié)構(gòu)式其中，含環(huán)烯系酚單體的直鏈型及/或側(cè)鏈型聚合物及/或共聚合物，其重量平均分子量(Mw)以400至3000為較佳范圍。以雙環(huán)戊二烯系酚單體為例，若其自身形成的直鏈型聚合物則可表示如下其中，n-2至15，例如使用BordenChemical公司生產(chǎn)的型號Moddname:SD-1809^/或SD1819，重量平均分子量范圍(Mw):400至3000。酚醛清漆樹脂(novolactypePhenolicresin)以ADR值(涂布成膜后，堿可溶解速率，Alkalinedissolutionrate)在20nm/sec以下的酚醛樹脂為適用，較佳為10nm/sec以下，其可為BordenChemical公司生產(chǎn)的型號SD-1622，ADR:5nm/sec或BordenChemical公司生產(chǎn)的型號SD-1623-1,ADR:50nm/sec,或?yàn)楹g曱基酚(m-cresol)及對甲基酚(p-cresol)單體的酚搭樹脂，其堿可溶速率在20nm/sec以下為較適用，較佳為10nm/sec以下尤佳，在5nm/sec以下最佳。堿則可為TMAH2.38%重量比，其余成份為水，或KOH0.5%重量比，其余成份為水，調(diào)配之。添加劑可為界面活性劑可為非離子性界面活性劑，尤其以含硅的界面活性劑為適用，例如BYK310(BYK公司產(chǎn)品型號)，重量平均分子量(Mw):>500，為聚硅氧烷Polysiloxane系。溶劑則以沸點(diǎn)范圍約120t:至約220TC的有機(jī)溶劑適用，其可為以丙二醇單曱基醚醋酸酯(PGMEA)為主要溶劑，另外需加入沸點(diǎn)較丙二醇單曱基醚醋酸酯為低或?yàn)楦叩娜軇俗饔脼檎{(diào)整溶劑的整體揮發(fā)特性以適應(yīng)不同的制程條件，如減壓干燥及加熱烘烤等，例如二丙二醇單曱基醚醋酸酯(DPMA，DOWChemical公司產(chǎn)品)、丙二醇單甲基醚(PGME，DOWChemical公司產(chǎn)品)、丙二醇單曱基醚醋酸酯(PGMEA，DowChemical公司產(chǎn)品)，其組成可為60~100%的PGMEA，020%的PGME，020。/。的DPMA，可依實(shí)際制程條件需求而調(diào)配。為進(jìn)一步說明本發(fā)明的特性，表一列出兩個(gè)實(shí)施配方，分別是A1及A2，另外列出四個(gè)對照組配方B1、B2、B3及B4。此六個(gè)配方A1、A2、Bl、B2、B3及B4皆具有相同溶劑組成及界面活性劑，以總體配方計(jì)，溶劑二丙二醇單曱基醚醋酸酯5。/。、丙二醇單甲基醚5%、丙二醇單曱基醚醋酸酯59。/o及聚硅氧烷Polysiloxane系界面活性劑1%。實(shí)施配方A1及A2與對照組配方B1、B2、B3及B4最大不同點(diǎn)在于，實(shí)施配方A1及A2采用含環(huán)烯系酚單體的聚合物DCPDPhenolic樹脂及酚醛樹脂(ADR值5nm/sec)，而對照組配方B1及B2僅采用酚醛樹脂(ADR值5nm/sec、50nm/sec)而無DCPDPhenolic樹脂，對照組配方B3及B4雖同時(shí)采用DCPDPhenolic樹脂及盼醛樹脂，但其酚酪樹脂的ADR值為50nm/sec。表l實(shí)施配方及對照組配方溶液組成<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>將上述配方依一般制備法各自制備后，進(jìn)行以下步驟A.將厚約0.50.7mm，4英吋的圓形玻璃基板以蒸鍍或?yàn)R鍍等物理沉積方式于兩面鍍上15nm100nm的氧化銦錫等導(dǎo)電金屬層后形成上導(dǎo)電層及下導(dǎo)電層，并以清洗液清洗及干燥。B.施以保護(hù)手段以旋轉(zhuǎn)涂布方式將上述制備完成的新型樹脂溶液實(shí)施配方及對照組配方涂覆于下導(dǎo)電層，干燥或硬化后形成保護(hù)層，此時(shí)保護(hù)層為一膜層。C.以旋轉(zhuǎn)涂布方式將光阻劑(例如EC-T4)均勻涂覆于上導(dǎo)電層，形成1.0um至2.0um的光阻劑層。D.在光阻劑層上方覆蓋光罩并以紫外線UV光照射，使光阻劑層形成反應(yīng)分解部份及未反應(yīng)部份光阻層。E.以顯影劑2.38%TMAH以Shower或Puddletype方式處理60秒，以去除反應(yīng)分解的光阻層，留下圖案化的未反應(yīng)光阻層。F.以蝕刻液HC1/HN03(24。/。/2.5。/。)，于23。C浸泡3分鐘以除去未有光阻劑層及/或保護(hù)層保護(hù)的導(dǎo)電層。因此，保護(hù)層必須具有涂布均勻性及足以阻抗顯影劑、蝕刻液的特性。針對保護(hù)層的特性，表2為上述配方的測試結(jié)果，其中，顯影劑測試殘膜率％=(浸泡顯影液60sec后的剩余膜厚/顯影前的原始膜厚)x1000/0殘膜率愈高表示抗顯影劑的效果愈好，實(shí)施配方A1及A2的殘膜率皆大于90%，而對照組配方B1、B2、B3及B4都等于或小于65。/。，因此含環(huán)烯系酚單體的聚合物DCPDPhenolic樹脂及酚醛樹脂(ADR值5nm/sec)的實(shí)施配方A1及A2所形成的保護(hù)層具有優(yōu)良對抗顯影劑的效果，達(dá)到保護(hù)導(dǎo)電層的作用。蝕刻液測試蝕刻液通常為強(qiáng)酸，所以進(jìn)行耐強(qiáng)酸測試HCl/HN03(24%/2.5%)于23。C浸泡3分鐘，測試結(jié)果的檢驗(yàn)以觀察保護(hù)層的表面是否有被蝕刻液腐蝕或呈現(xiàn)翹曲的現(xiàn)象，若無腐蝕或呈現(xiàn)翹曲則通過測試，具有保護(hù)效果，評為OK;若有腐蝕或呈現(xiàn)翹曲則沒通過測試，不具有保護(hù)效果，評為NG。實(shí)施配方Al及A2的蝕刻液測試皆呈現(xiàn)OK,如圖10所示，無腐蝕或呈現(xiàn)翹曲，于圖中可見保護(hù)層26平整，而對照組配方B1、B2、B3及B4都呈現(xiàn)NG，如圖ll所示，有腐蝕及呈現(xiàn)翹曲，于圖中可見保護(hù)層26上半部呈現(xiàn)翹曲，且下半部被腐蝕而露出下導(dǎo)電層21，的表面，因此含環(huán)烯系酚單體的聚合物DCPDPhenolic樹脂及酚醛樹脂(ADR值5nm/sec)的實(shí)施配方A1及A2所形成的保護(hù)層具有優(yōu)良對抗蝕刻液的效果，達(dá)到保護(hù)導(dǎo)電層的作用。表2測試結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>其中涂布均勻性(U。/o)是以光學(xué)膜厚儀量測基板上四角落及中央共5點(diǎn)的膜厚值，計(jì)算方式為11%=100。/。x(最大值-最小值)/平均值。完成步驟A至F后，為了利于下導(dǎo)電層的加工，因此仍需進(jìn)行步驟G，保護(hù)層的剝除測試G.完成步驟F后，以剝除手段，例如剝除液MEA/DMSO(30。/。/700/0,wt/wt重量比)于30。C浸泡10分鐘，以去除保護(hù)層。表3為上述配方的剝除液測試結(jié)果，以(l)在白光檢查燈下做巨觀目視檢查;(2)用顯微鏡200倍放大檢查，經(jīng)由(l)及p)的檢查，在該4"基板上未有大于20um的殘余物，則視為100%剝除。表3剝除液測試結(jié)果測試項(xiàng)目AlA2保護(hù)層剝除測試(剝除液MEA+DMSO)藤100%結(jié)果顯示，含環(huán)烯系酚單體的聚合物DCPDPhenolic樹脂及酚醛樹脂(ADR值5nm/sec)的實(shí)施配方Al及A2可100。/。經(jīng)由剝除液剝除，以進(jìn)行下導(dǎo)電層的加工。如上所述，本發(fā)明提供一種雙面微影蝕刻新制程及其保護(hù)層的組成，爰依法提呈發(fā)明專利的申請；然而，以上的實(shí)施說明及圖式所示，是本發(fā)明較佳實(shí)施例，并非以此局限本發(fā)明，是以，舉凡與本發(fā)明的構(gòu)造、裝置、特征等近似、雷同的，均應(yīng)屬本發(fā)明的創(chuàng)設(shè)目的及申請專利范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種新型樹脂溶液，至少包含(a)含環(huán)烯系酚單體的聚合物；(b)酚醛清漆樹脂；(c)添加劑；及(d)溶劑。2、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該含環(huán)烯系酚單體的聚合物可為直鏈型及/或側(cè)鏈型聚合物及/或共聚合物。3、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該含環(huán)烯系酚單體的聚合物的單體的結(jié)構(gòu)式可為，其中，R為具有7個(gè)碳至15個(gè)碳的環(huán)烯基，R可為單環(huán)或雙環(huán)或多環(huán)結(jié)構(gòu)。4、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該含環(huán)烯系酚單體的聚合物的單體可為雙環(huán)戊二烯系酚單體。5、6、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該含環(huán)烯系酚單體的聚合物可為，OH其中，n-2至15。7、如權(quán)利要求1或2或3或4或6所述的新型樹脂溶液，其中該含環(huán)烯系酚單體的聚合物的重量平均分子量為400至3000。8、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該酚醛清漆樹脂的ADR值為20nm/sec以下。9、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該酚醛清漆樹脂的ADR值為10nm/sec以下。10、如權(quán)利要求1或8或9所述的新型樹脂溶液，其中該酚醛清漆樹脂的重量平均分子量為400010000.11、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該添加劑為界面活性劑。12、如權(quán)利要求11所述的新型樹脂溶液，其中該界面活性劑為含硅的界面活性劑。13、如權(quán)利要求1所述的新型樹脂溶液，其中該添加劑為聚硅氧烷系界面活性劑。14、如權(quán)利要求13所述的新型樹脂溶液，其中該聚硅氧烷系界面活性劑的重量平均分子量大于500。15、一種新型樹脂溶液，至少包含(a)含環(huán)烯系酚單體的聚合物；(b)酚醛清漆樹脂；(c)添加劑；及(d)溶劑；其中，該酚醛清漆樹脂的ADR值為20nm/sec以下，該界面活性劑為含硅的界面活性劑。16、如權(quán)利要求15所述的新型樹脂溶液，其中該含環(huán)烯系酚單體的聚合物的單體的結(jié)構(gòu)式可為，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>17、如4又利要求1或2或3或4或6或8或9或11或13或15或16所述的新型樹脂溶液，其中該溶劑的沸點(diǎn)界于約120。C至約220。C之間。18、如權(quán)利要求1或2或3或4或6或8或9或11或13或15或16所述的新型樹脂溶液，其中該溶劑選自丙二醇單曱基醚醋酸酯、丙二醇單曱基醚、二丙二醇單曱基醚醋酸酯至少其中之一。19、如權(quán)利要求1或15所述的新型樹脂溶液，其中以整體樹脂溶液的總量為基準(zhǔn)，包含10。/。60。/。重量比的(a),1%~30%重量比的(b),1。/。5。/。重量比的(c)及38%~85%重量比的((1)。20、一種雙面微影蝕刻新制程，至少包含以下步驟A.將一基板的兩面鍍上導(dǎo)電金屬層后形成一上導(dǎo)電層及一下導(dǎo)電層；B.施以一保護(hù)手段于該下導(dǎo)電層；C.將一光阻劑均勻涂覆于該上導(dǎo)電層，形成一光阻劑層；D.在該光阻劑層上方覆蓋一光罩并以特定波長光照射；E.以一顯影劑清洗，留下一圖案化的光阻層；F.以一蝕刻液除去未有該圖案化的光阻層及該保護(hù)手段保護(hù)的導(dǎo)電層。21、如權(quán)利要求20所述的一種雙面微影蝕刻新制程，于步驟F后，更可包含以下步驟G.以一剝除手段以去除該保護(hù)手段。22、如權(quán)利要求20所述的一種雙面微影蝕刻新制程，其中該保護(hù)手段可為一保護(hù)層。23、如權(quán)利要求22所述的一種雙面微影蝕刻新制程，其中該保護(hù)層可為權(quán)利要求1或15所述的新型樹脂溶液經(jīng)干燥或硬化后所形成。24、如權(quán)利要求21所述的一種雙面微影蝕刻新制程，其中該剝除手段可為一剝除液除去該保護(hù)手段或以人工或機(jī)械法除去該保護(hù)手段。25、如權(quán)利要求24所述的一種雙面微影蝕刻新制程，其中該剝除液的組成至少包含乙醇胺及二曱亞砜。26、如權(quán)利要求25所述的一種雙面微影蝕刻新制程，其中該剝除液的組成乙醇胺占重量百分比20%至40%。27、如權(quán)利要求25所述的一種雙面微影蝕刻新制程，其中該剝除液的組成二曱亞石風(fēng)占重量百分比60%至80%。全文摘要本發(fā)明有關(guān)于雙面微影蝕刻的新制程技術(shù)，藉由在基板上、下兩導(dǎo)電層的下導(dǎo)電層先施以保護(hù)手段，并于上導(dǎo)電層施以微影蝕刻制程后，再將保護(hù)手段去除，以可于下導(dǎo)電層再進(jìn)行另一道微影蝕刻制程，以達(dá)到于同一基板的兩面具有相同或不同圖案布局的目的。其中保護(hù)手段是運(yùn)用一新型樹脂溶液干燥或硬化后形成膜層而達(dá)到保護(hù)的目的。文檔編號C09D161/06GK101230226SQ20071000272公開日2008年7月30日申請日期2007年1月25日優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日發(fā)明者塩田英和,郭光埌申請人:新應(yīng)材股份有限公司