專利名稱：用于193nm沉浸平版印刷的水可澆鑄-水可剝離的面涂層的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及面涂層材料和它們在平版印刷方法中的用途。更具體 地說，本發(fā)明涉及包含在約251C或更低的溫度下微溶或不溶于水但在 約601C或更高的溫度下可溶于水的聚合物的面涂層材料。本發(fā)明的面 涂層材料尤其可用于沉浸平版印刷，其中使用液體例如水作為在瀑光 工具的透鏡夾具和光致抗蝕劑涂覆的晶片之間的瀑光介質(zhì)。本發(fā)明的 面涂層材料還可用于使用除水以外的浸漬介質(zhì)的沉浸平版印刷。
背景技術：
對印刷用于高級電子設備制造的較小結(jié)構(gòu)的持續(xù)推進力要求使用 較高分辨率的光學平版印刷工具。沉浸平版印刷通過有效地改進對于
給定光學數(shù)值孔徑(NA)的焦深加工范圍而提供將當前193nm氬氣氟 化物基技術擴展到45nm臨界尺寸(半孔距DRAM)并超越該尺寸的可 能性。該方法要求用超純水填充膝光工具的最后透鏡元件和抗蝕劑涂 覆的基材間的間隙。使用折射指數(shù)比空氣更高的介質(zhì)導致更大的數(shù)值 孔徑(NA)，并因此允許印刷更小的特征。參見由ICKnowledge.com 于2003年5月 28曰在http : 〃兩.ick謂ledge. com出版的 "Technology Backgrounder: Immersion Uthography"，還參見L Geppert， "Chip Making's Wet New World" , IEEE Spectrum, Vol. 41， 第5期，2004年5月，pp. 29-33;和M. Slezak， "Exploring the needs and tradeoffs for Immersion resist topcoating" ,Solid State Technology, Vol. 47，第7期，2004年7月。此外，沉浸平版印刷導致 光學掃描器的增加的分辨率，因為它能夠?qū)崿F(xiàn)NA大于l. O的透鏡設計。 參見 A. Hand, " Tricks With Water and Light : 193nm Extension" ，Semiconductor International,Vol.27，第2期，2004 年2月。面對液體沉浸平版印刷的技術挑戰(zhàn)之一是光致抗蝕劑組分和浸漬 介質(zhì)間的擴散。即，在沉浸平版印刷方法期間，光致抗蝕劑組分浸出 到浸漬介質(zhì)中并且該浸漬介質(zhì)滲透到光致抗蝕劑薄膜中。此種擴散對
光致抗蝕劑性能有害并且可能導致40百萬美元平版印刷工具中的災 難性透鏡損傷或污染。為了降低或消除光致抗蝕劑薄膜和膝光介質(zhì)間 的擴散，可以將面涂層材料涂覆在光致抗蝕劑層上面。
傳統(tǒng)上，面涂層材料用于光刻法作為光致抗蝕劑頂部上的抗反射 膜。面部抗反射涂層(TARC)材料可防止膝光期間在光致抗蝕劑層內(nèi)發(fā) 生的光的多次干擾。結(jié)果，可以最小化由光致抗蝕劑膜的厚度變化引 起的光致抗蝕劑圖案的幾何特性的臨界尺寸(CD)變化。為完全利用面 涂層的抗反射效果，面涂層材料的折射指數(shù)(nt)應當是大約詠光介質(zhì) 的折射指數(shù)(rO和下面的光致抗蝕劑的折射指數(shù)(rO的乘積的平方根。 如果啄光介質(zhì)是空氣，如在"干燥"平版印刷的情況下，面涂層材料 的最佳折射指數(shù)(nt)應當是大約下面的光致抗蝕劑的折射指數(shù)(nr)的 平方根，這是由于空氣的折光率大致是l。
為了加工的容易，典型的TARC材料設計為可溶于水和含水堿顯影 劑兩者，使得可以將它們直接從水溶液施加和隨后在顯影階段期間由 含水堿顯影劑脫除.
已經(jīng)開發(fā)許多面涂層材料以滿足最佳折射指數(shù)和溶解度的這兩個 要求。例如，美國專利號5， 744, 537和6， 057， 080 /^開了含水可溶性 TARC材料，該材料包括聚合物粘結(jié)劑和氟烴化合物，且具有幾乎理想 的大約為1. 3-1. 4的折射指數(shù)。美國專利號5， 879， 853也>^開了可由 濕工藝脫除的TARC材料。美國專利號5, 595, 861相似地公開了包含部 分氟化化合物的TARC，也可以是水溶性的。美國專利號6， 274， 295公 開了包含吸光化合物的TARC材料，該吸光化合物的最大吸收波長高于 用于使光致抗蝕劑曝光的曝光波長。此TARC也可是水溶性的，最后， 美國專利號5， 240， 812公開了用作酸催化的抗蝕劑組合物的外涂層膜 的保護材料，以防止有機和無機堿的蒸氣的污染。雖然沒有具體公開 為TARC，外涂層也可是水溶性的。因為水在第一代浸漬工具中用作193nm沉浸平版印刷的瀑光介 質(zhì)，所以典型的水溶性TARC材料例如上述的那些不能用作此種技術的 面涂層。目前使用的193nm沉浸平版印刷的水不溶性保護性面涂層使 用有機澆鑄溶劑，該澆鑄溶刑在含水堿性顯影劑或有機剝離溶劑中剝 離。 一些有機澆鑄溶劑是可燃的，因此不適合于大規(guī)模生產(chǎn)，例如半 導體制造中的大規(guī)模生產(chǎn).此外，使用有機澆鑄溶劑可能導致面涂層 和抗蝕劑薄膜的摻合，從而導致光致抗蝕劑的降解。此外，使用這些 溶劑為集成電路(IC)制造增加了相當大的工藝復雜性和成本?，F(xiàn)有 的其它商業(yè)材料要求與半導體制造生產(chǎn)線不相容的溶劑或影響光致抗 蝕劑的平版印刷性能。因此，高度希望的是將目前用于"干"平版印 刷的標準水可澆鑄面涂層加工技術擴展到與水或備選浸漬流體一起使 用的193nm沉浸平版印刷。
因此，仍需要水可澆鑄、水可剝離、與光致抗蝕劑相容的面涂層 材料。理想地，面涂層材料還具有所需的光學性能以致它也可以用作 TARC。使用水可加工的面涂層材料避免使用有機澆鑄溶劑并實現(xiàn)簡化 的抗蝕劑加工和更低的生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的面涂層材料是水可澆鑄、水可剝離的并可用于l"nm沉 浸平版印刷。本發(fā)明的面涂層材料還可用于使用除水以外的浸潰介質(zhì) 的沉浸平版印刷。此種浸漬介質(zhì)包括由烴或取代的烴組成的有機液體。
因此，本發(fā)明涉及用于涂覆在光致抗蝕劑材料上面的面涂層材料。 本發(fā)明的面涂層材料包含在約251C或更低的溫度下微溶或不溶于水 但在約601C或更高的溫度下可溶于水的聚合物。本發(fā)明的聚合物包含
具有以下聚合物結(jié)構(gòu)的聚乙烯醇單體單元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基 醚單體單元
其中R是脂族或脂環(huán)族基團；邊和n獨立地是整數(shù)，并且是相同
發(fā)明內(nèi)容或不同的；p是0或1。
在另 一個方面中，本發(fā)明涉及在基材上形成圖案化材料層的方法， 該方法包括
提供在其表面上具有材料層的基材；
在基材上沉積光致抗蝕劑組合物以在該材料上形成光致抗蝕劑 層；在該光致抗蝕劑層上涂覆上述面涂層材料，從而形成涂層基材； 將該涂層基材圖案化曝光在成像輻射下；
使該涂層基材與水在大約60t:或更高的溫度下接觸，其中從該涂 層基材上除去該面涂層材料；
使該涂層基材與含水堿性溶液接觸，其中從該涂層基材上選擇性 地除去該光致抗蝕刑層的膝光部分，從而在該材料層上形成圖案化光 致抗蝕劑層；
將該光致抗蝕劑層中的圖案轉(zhuǎn)移到該材料層上。


唯一的附圖(圖l)是繪制吸光率(nm)對波長(sec)的曲線圖， 舉例說明了 193nm光致抗蝕劑和在頂部上具有聚乙烯醇(PVA)面涂層 的193nm光致抗蝕劑的吸光率。
發(fā)明詳述
本發(fā)明涉及包含在約25TC或更低的溫度下微溶或不溶于水但在 約60C或更高的溫度下可溶于水的聚合物的面涂層材料。該聚合物包 含其中具有聚乙烯醇結(jié)構(gòu)部分和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚結(jié)構(gòu)部分
的重復單元。本文所使用的術語"微溶，，表示不到lwt S且大于0. lwt% 聚合物溶于溶劑。本文所使用的術語"不溶"表示小于"微溶"的溶 解性。本文所使用的術語"可溶"表示大于5wtW聚合物將溶于溶劑。 本發(fā)明的面涂料優(yōu)選在大約60TC或更高的溫度下可溶于水，但是 在室溫下微溶或不溶于水以致它可以用于193nm沉浸平版印刷。所謂 的"室溫"是指大約20*0-大約251C的溫度。此外，本發(fā)明的面涂層 材料可以經(jīng)調(diào)節(jié)充當TARC以致可以實現(xiàn)圖像形成的改進的工藝控制。 對于使用水作為膝光介質(zhì)的193nm沉浸平版印刷，TARC材料的最佳折射指數(shù)為大約1.5-大約1.7。
本發(fā)明還涉及包含聚合物的面涂層材料，該聚合物包含具有以下 聚合物結(jié)構(gòu)的聚乙烯醇單體單元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚單體單
其中R是脂族或脂環(huán)族基團；m和n獨立地是整數(shù)，并且是相同 或不同的；P是0或1。當p是0時，R經(jīng)由共價鍵直接地與氧原子連 接。本文所使用的術語"脂族"表示具有在開鏈中連接的碳原子的烴 基。本文所使用的術語"脂環(huán)族"表示包含環(huán)但不是芳族的烴基。本 文所使用的術語"烴"表示僅含碳和氫的有機化合物。R基團的典型 實例包括但不限于甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、環(huán) 丁基、戊基、環(huán)戊基和己基。優(yōu)選地，R是含1-6個碳原子的脂族或 脂環(huán)族基。
上述聚合物在水中具有有用的溶解性。即，該聚合物在水中的溶 解性由于在該聚合物內(nèi)產(chǎn)生的氫鍵而減小并且由于該聚合物和水間的 氫鍵而增加。因此，該聚合物的性能可以通過分子量和骨架組成進行 調(diào)節(jié)。更具體地說，更高的聚合物分子量導致更低的溶解性并且更大 的酯化度導致更高的溶解性.另外，取決于分子量和骨架組成，上述 聚合物在室溫下是微溶或不溶于水的，但是在高溫下，例如大約60tl 或更高的溫度下是高度可溶于水的.優(yōu)選所得的聚合物溶液在室溫下 是穩(wěn)定的。所謂的"穩(wěn)定"是指當溶液在室溫下靜置時，該聚合物不 從該溶液中沉淀出來。上述聚合物的溶解性能和水滲透性在本領域中 是為人熟知的，因此據(jù)本領域技術人員理解，這類聚合物的溶解性能 和水滲透性可以經(jīng)由改變聚合物組成，調(diào)節(jié)聚合物分子量和使用交聯(lián) 劑加以"調(diào)節(jié)，，。涂覆本發(fā)明的面涂層材料到具有大約20nm-大約100nm，優(yōu)選大約 50nm-大約80nm的厚度。上述聚合物是可溶于熱水的，以致可以在抗 蝕劑顯影步驟期間用熱水剝離該面涂層材料。所謂的"熱水，，是指具 有大約601C或更高的溫度的水。優(yōu)選地，可以通過熱水在標準顯影時 間內(nèi)完全地剝離該面涂層材料。此外，上述聚合物優(yōu)選對合適的用于下面的光致抗蝕劑材料的膝 光輻射是基本上光學透明的，以允許該光致抗蝕劑材料的構(gòu)圖。對于 在涂層中的使用，本發(fā)明的聚合物最優(yōu)選在193nm下是基本上光學透明的。優(yōu)選上述聚合物具有大約1. 2-大約1， 8的折射指數(shù)。對于使用水 作為膝光介質(zhì)的193nm沉浸平版印刷，該聚合物的折射指數(shù)最優(yōu)選為 大約l. 5-大約1. 7。還優(yōu)選本發(fā)明的聚合物具有大約10K-大約250 K道爾頓的可調(diào)的 聚合物分子量以能夠配制具有足夠粘度的高固體含量可旋轉(zhuǎn)澆鑄的溶 液。因為涂層的機械壽命在增加聚合物分子量時改進，所以尤其優(yōu)選 該聚合物對于在涂層中的使用具有大約80 K-大約200 K道爾頓的高 聚合物分子量。也可以添加共聚單體以制備具有改進的機械壽命的共 聚物材料和調(diào)節(jié)涂層的折射指數(shù)。這些共聚單體單元的實例包括但不 限于丙烯酸系脂族或脂環(huán)族酯和脂族或脂環(huán)族乙烯基醚，例如乙酸 乙烯酯、丁酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、甲基乙烯基酸、乙基乙烯基瞇和 鹵乙烯。在一個示例性實施方案中，面涂層聚合物是具有98.4-99.8%水解 的70-62等級Dupont Elvanol ,它是非常低成本的商業(yè)聚合物。在 攪拌下以1-10%的固體含量將該Dupont Elvanol⑧添加到具有大約70 1C-大約1001C的溫度的水中，從而形成混合物.所得的混合物的熱過 濾產(chǎn)生在室溫下穩(wěn)定的透明溶液，即在室溫下靜置時沒有聚合物沉淀。 當在130C或更高的溫度下涂覆后烘烤時，將所得的透明溶液涂覆在 珪基材上以形成厚度為大約2 0-10Onm的面涂層薄膜。所得的面涂層薄 膜不溶于冷水，即在室溫下的水，但是可溶于在6Q1C或更高的溫度下的水。可以使用化學交聯(lián)劑例如乙二醛來降低為了使面涂層薄膜不溶 解和使該面涂層薄膜和在下面的抗蝕劑薄膜間的相互作用最小化所要 求的涂覆后烘烤溫度。上述面涂層薄膜的光學性能非常適合用于浸漬應用。圖1 (本申請的唯一附圖)示出了 193nm光致抗蝕劑和在頂上 具有PVA面涂層的193nm光致抗蝕劑的吸光率。應指出，對于許多波 長，193mn光致抗蝕劑和在頂上具有PVA面涂層的193nm光致抗蝕劑 的吸光率幾乎相同，這證實該面涂層薄膜具有用于浸漬應用中的理想 的透明質(zhì)量。在本發(fā)明的另一方面，該面涂層材料可以用于在基材上形成圖案 化材料層的方法。該材料層可以是，例如陶乾、電介質(zhì)、金屬或半導 體層，如用于制造高性能集成電路器件和相關芯片栽體包的那些。本 文還考慮這些材料的多層。在本發(fā)明的方法中，首先由已知措施將光致抗蝕劑組合物在基材 上沉積，以在該材料上形成光致抗蝕劑層。然后烘烤(涂覆后烘烤， 此后稱"PAB")具有該光致抗蝕劑層的基材以從光致抗蝕劑組合物中 除去任何溶劑和改進光致抗蝕劑層的內(nèi)聚性。典型的PAB烘烤溫度為 大約80-大約150TC。典型的光致抗蝕劑厚度為大約100-大約500nm。 可以使用任何適合的抗蝕劑組合物，例如美國專利號6, 534, 239和 6,635, 401 B2，和2003年9月16日提交的美國專利申請系列號 10/663, 553中公開的抗蝕劑組合物，這些文獻的公開內(nèi)容在此引入作 為參考。接下來，將本發(fā)明的面涂層材料涂覆在光致抗蝕劑層上，從而形 成涂層基材。對于1. 0-5. 0wa聚合物溶液，2-5 K RPM的旋轉(zhuǎn)速度可 以獲得50-200nm厚的涂層。對于125咖晶片，分配體積在室溫下可以 為1-10毫升。然后可以烘烤(涂覆后烘烤)該涂層基材以從該面涂層 材料中除去水和改進該涂層的內(nèi)聚性。典型的軟烘烤溫度為大約100 1C-大約1501C。典型的涂覆后焙烤時間為大約60秒。在涂覆后烘烤 之后，旋轉(zhuǎn)澆鑄薄膜在大約25X:或更低的溫度下是微溶或不溶于水 的。然后經(jīng)由圖案化掩模將該涂層基材暴露于合適的輻射源下。在一個示例性實施方案中，成像輻射是193nm輻射。在另一個實施方案中， 成像輻射是157nm輻射。在另一個實施方案中，成像輻射是248nm輻 射。還可以將該涂層基材暴露于使用沉浸平版印刷的那種成像輻射下， 其中在曝光之前將成像介質(zhì)施用到涂層基材上。在一個優(yōu)選的實施方 案中，成像介質(zhì)是水。在另一個實施方案中，成像介質(zhì)是有機液體。 優(yōu)選地，有機液體是烴或取代的烴。最優(yōu)選地，有機液體是脂環(huán)烴。 有機液體的典型實例包括但不限于環(huán)辛烷。然后可以烘烤(膝光后烘 烤)該膝光的基材以改進光致抗蝕劑和涂層的內(nèi)聚性。典型的曝光后 烘烤溫度通過光致抗蝕劑的性能確定。本領域普通技術人員可以在不 進行過度實驗的情況下確定必要的條件。然后使曝光基材與熱水接觸，即溫度為601C或更高的水，從而從 涂層基材除去面涂層材料。接下來，使曝光基材與含7K堿性溶液(顯 影劑)接觸，從而除去該光致抗蝕劑層的曝光部分。優(yōu)選的含水堿性 溶液是堿性水溶液，其中更優(yōu)選氫氧化四甲基銨的水溶液。在本發(fā)明 的一個實施方案中，使用0. 2N的氫氧化四甲基銨水溶液除去光致抗蝕 劑層的膝光部分。與含水堿性溶液的接觸在材料層上形成圖案化的光 致抗蝕劑層。然后可以將光致抗蝕劑層中的圖案轉(zhuǎn)移到下面基材上的材料層。 典型地，轉(zhuǎn)移由反應性離子蝕刻或一些其它蝕刻技術達到。本發(fā)明的 方法可用于產(chǎn)生圖案化材料層結(jié)構(gòu)如金屬接線，觸點或通路的孔、絕 緣區(qū)段(例如，波紋溝或淺溝隔離部分)、電容器結(jié)構(gòu)的溝等，它們 可以用于集成電路裝置的設計中。制造這些(陶瓷、電介質(zhì)、金屬或半導體)特征的方法通常包括提 供要形成圖案的基材的材料層或區(qū)段，在該材料層或區(qū)段上施加光致 抗蝕劑層，在光致抗蝕劑層上涂覆面涂層，將該面涂層和光致抗蝕劑 層成圖案化曝光于輻射下，將曝光的抗蝕劑曝光后烘烤，通過曝光的 面涂層和光致抗蝕劑與顯影劑接觸顯影圖案，在圖案中的間隔下蝕刻 光致抗蝕劑層下面的層，藉此形成圖案化的材料層或基材，和從基材 除去任何剩余的光致抗蝕劑。在一些情況下，硬掩模可以在光致抗蝕劑層下面使用以促進圖案到進一步下面的材料層或區(qū)段的轉(zhuǎn)移。應當 理解本發(fā)明不限于任何特定的平版印刷技術或器件結(jié)構(gòu)。實施例1:用商業(yè)光致抗蝕劑(JSR ARF AR237J-27)涂覆涂有常規(guī)193nm 抗反射層(AR 40)的硅晶片，進行1301C的涂覆后烘烤60秒。涂覆5wt^聚(乙烯醇)(99%水解，平均Mw 124， 000-186， 000 ) 在去離子水中的溶液以在140C的涂覆后烘烤60秒之后產(chǎn)生230nm的 涂層厚度。用201C的水沖洗基本上沒有引起該聚(乙烯醇)涂層的厚 度損失，在193nm步進器中曝光該晶片并在130TC下膝光后烘烤60秒。 通過用水在70匸下處理60秒而剝離該聚(乙烯醇)面涂層。最后， 用0.26NTMAH顯影劑處理成像的晶片以顯影膝光的抗蝕劑。具有該聚 (乙烯醇)面涂層的光致抗蝕劑的對比曲線和曝光劑量要求與從沒有 面涂層的抗蝕劑獲得的基本上無變化。 實施例2:使用實施例1中描述的方法，JSR ARF AR414J-28產(chǎn)生基本上相 同的結(jié)果，具有聚(乙烯醇)面涂層的對比曲線或曝光劑量幾乎沒有 改變或沒有改變。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明優(yōu)選的實施方案特別顯示和描述了本發(fā)明， 但是本領域技術人員應當理解，上述和其它可在形式上改變'在不脫 離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出任何細節(jié)，因此希望本發(fā)明 不限于描述和舉例說明的具體形式和細節(jié)，而是落在所附權利要求書的范圍內(nèi)。
權利要求
1.涂覆在光致抗蝕劑材料上面的面涂層材料，包含在大約25℃或更低的溫度下微溶或不溶于水但在大約60℃或更高的溫度下可溶于水的聚合物。
2. 權利要求1的面涂層材料，其中該聚合物包含具有以下聚合物 結(jié)構(gòu)的聚乙烯醇單體單元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚單體單元其中R是脂族或脂環(huán)族基團；m和n獨立地是整數(shù)，并且是相同 或不同的；P是O或1。
3. 權利要求1的面涂層材料，其中該聚合物對用于下面的光致抗 蝕劑材料的合適的曝光輻射是基本上光學透明的。
4. 權利要求1的面涂層材料，其中該聚合物具有1. 2-1. 8的折射指數(shù)。
5. 權利要求1的面涂層材料，其中該聚合物具有10K道爾頓-250 K道爾頓的可調(diào)分子量。
6. 在基材上形成圖案化材料層的方法，該方法包括 提供在其表面上具有材料層的基材；在基材上沉積光致抗蝕劑組合物以在該材料上形成光致抗蝕劑層；在該光致抗蝕劑層上涂覆面涂層材料，從而形成涂層基材，該面 涂層材料包含聚合物，該聚合物含有具有以下聚合物結(jié)構(gòu)的聚乙烯醇單體單元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚單體單元<formula>formula see original document page 3</formula>其中R是脂族或脂環(huán)族基團；m和n獨立地是整數(shù)，并且是相同 或不同的；P是0或1;將該涂層基材圖案化膝光在成像輻射下；使該涂層基材與水在大約60t;或更高的溫度下接觸，其中從該涂 層基材上除去該面涂層材料；使該涂層基材與含水堿性溶液接觸，其中從該涂層基材上除去該 光致抗蝕劑層的膝光部分，從而在該材料層上形成圖案化光致抗蝕劑 層；和將該光致抗蝕劑層中的圖案轉(zhuǎn)移到該材料層上。
7. 權利要求6的方法，其中通過使該抗蝕劑層與在601C或更高的 溫度下的水接觸而除去該面涂層材料和該光致抗蝕劑層的部分。
8. 權利要求6的方法，其中該材料層選自陶瓷、電介質(zhì)、金屬和 半導體層。
9. 權利要求6的方法，其中該成像輻射是193nm輻射、157nm輻 射或248nm輻射之一。
10. 權利要求6的方法，還包括在將該涂層基材圖案化曝光在成像 輻射下之前，將成像介質(zhì)施加到該涂層基材上的步驟。
11. 權利要求10的方法，其中該成像介質(zhì)是水。
12. 權利要求10的方法，其中該成像介質(zhì)是有機液體。
13. 權利要求10的方法，其中該成像介質(zhì)是脂環(huán)烴液體.
14. 權利要求6的方法，其中通過除去該材料層的沒有被圖案化光 致抗蝕劑層覆蓋的部分而將該光致抗蝕劑層中的圖案轉(zhuǎn)移至該材料 層。
15. 權利要求6的方法，其中該含水堿性溶液是氫氧化四甲基銨的 水溶液。
16，權利要求14的方法，其中通過在沒有被該圖案化光致抗蝕劑 層覆蓋的區(qū)域蝕刻該材料層而除去該材料層的部分。
17.權利要求14的方法，其中使用反應性離子蝕刻除去該材料層 的部分。
全文摘要
公開了涂覆在光致抗蝕劑材料上面的面涂層材料。該面涂層材料包含在25℃或更低的溫度下微溶或不溶于水但在60℃或更高的溫度下可溶于水的聚合物。該聚合物包含具有以下聚合物結(jié)構(gòu)的聚乙烯醇單體單元和聚乙酸乙烯酯或聚乙烯基醚單體單元，其中R是脂族或脂環(huán)族基團；m和n獨立地是整數(shù)，并且是相同或不同的；p是0或1。該面涂層材料可以用于平版印刷方法，其中將該面涂層材料涂覆在光致抗蝕劑層上。該面涂層材料尤其可用于使用水作為成像介質(zhì)的沉浸平版印刷技術。本發(fā)明的面涂層材料還可用于使用有機液體作為浸漬介質(zhì)的沉浸平版印刷。
文檔編號C09D131/04GK101300317SQ200680041245
公開日2008年11月5日 申請日期2006年10月13日 優(yōu)先權日2005年11月21日
發(fā)明者C·E·拉爾森, D·吉爾, G·沃爾拉夫, J·查, L·K·森德伯格, P·J·布羅克 申請人:國際商業(yè)機器公司